l transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de

salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones

de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin
en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia). Actualmente se encuentra
prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

ndice
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1Historia
2Funcionamiento
3Tipos de transistor
o 3.1Transistor de contacto puntual
o 3.2Transistor de unin bipolar
o 3.3Transistor de efecto de campo
o 3.4Fototransistor
4Transistores y electrnica de potencia
5Construccin
o 5.1Material semiconductor
6El transistor bipolar como amplificador
o 6.1Emisor comn
7Diseo de una etapa en configuracin emisor comn
o 7.1Base comn
o 7.2Colector comn
8El transistor bipolar frente a la vlvula termoinica
9Vase tambin
10Referencias
11Bibliografa
12Enlaces externos

Historia[editar]
Artculo principal: Historia del transistor
Rplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies.

El fsico austro-hngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit en Canad en el ao 19251 una patente
para lo que l denomin "un mtodo y un aparato para controlar corrientes elctricas" y que se
considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya que estaba destinado
a ser un reemplazo de estado slido del triodo. Lilienfeld tambin solicit patentes en los
Estados Unidos en los aos 19262 y 1928.34 Sin embargo, Lilienfeld no public ningn artculo
de investigacin sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algn ejemplo especfico de un
prototipo de trabajo. Debido a que la produccin de materiales semiconductores de alta
calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de
estado slido no encontraron un uso prctico en los aos 1920 y 1930, aunque un dispositivo
de este tipo ya se haba construido.5
En 1934, el inventor alemn Oskar Heil patent en Alemania y Gran Bretaa6 un dispositivo
similar. Cuatro aos despus, los tambin alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron
experimentos en la Universidad de Gttingen, con cristales de bromuro de potasio, usando
tres electrodos, con los cuales lograron la amplificacin de seales de 1 Hz, pero sus
investigaciones no condujeron a usos prcticos.7Mientras tanto, la experimentacin en
los Laboratorios Bell con rectificadores a base de xido de cobre y las explicaciones sobre
rectificadores a base de semiconductores por parte del alemn Walter Schottky y del ingls
Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construccin de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de vaco.7
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los fsicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8llevaron a
cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran
aplicados a un cristal de germanio, se produjo una seal con una potencia de salida mayor
que la de entrada.9 El lder del Grupo de Fsica del Estado Slido William Shockley vio el
potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabaj para ampliar en gran medida el
conocimiento de los semiconductores. El trmino "transistor" fue sugerido por el ingeniero
estadounidense John R. Pierce, basndose en dispositivos semiconductores ya conocidos
entonces, como el termistor y el varistor y basndose en la propiedad de transrresistencia que
mostraba el dispositivo.10 Segn una biografa de John Bardeen, Shockley haba propuesto
que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell deba estar basado en el
efecto de campo y que l fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las
patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido aos atrs, los abogados de los Laboratorios
Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de
campo no era nueva. En su lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue
el primer transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el 17 de junio de 1946,11a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones
de este dispositivo.121314En reconocimiento a ste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron
galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Fsica de 1956 "por sus investigaciones
sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".15
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los fsicos alemanes
Herbert Matar y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et
Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Matar tena
experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras
trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemn durante la Segunda Guerra Mundial.
Usando este conocimiento, l comenz a investigar el fenmeno de la "interferencia" que
haba observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Matar
produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas
por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain haban logrado anteriormente en diciembre
de 1947. Al darse cuenta de que los cientficos de Laboratorios Bell ya haban inventado el
transistor antes que ellos, la empresa se apresur a poner en produccin su dispositivo
llamado "transistron" para su uso en la red telefnica de Francia.16El 26 de junio de
1948, Wiliam Shockley solicit la patente del transistor bipolar de unin17 y el 24 de agosto de
1951 solicit la primera patente de un transistor de efecto de campo,18 tal como se declar en
ese documento, en el que se mencion la estructura que ahora posee. Al ao siguiente,
George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron xito al fabricar este
dispositivo,19cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.20 Meses antes, el 9
de mayo de ese ao, el ingeniero Sidney Darlington solicit la patente del arreglo de dos
transistores conocido actualmente como transistor Darlington.21
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio
desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en
1953,22capaz de operar con seales de hasta 60 MHz.23 Para fabricarlo, se us un
procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas
depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de sulfato
de indio hasta que tuviera unas diez milsimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones form el colector y el emisor.24El primer receptor de radio
para automviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco; us estos transistores en
sus circuitos y tambin fueron los primeros adecuados para las computadoras de alta
velocidad de esa poca.2526
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954
por el qumico Morris Tanenbaum.27El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller,
solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos
semiconductores.28 El primer transistor de silicio comercial fue producido por Texas
Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien haba trabajado
previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta pureza.29 El primer
transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio
Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.3031