Pinch-Off FET PDF
Pinch-Off FET PDF
Bab 5
J
enis lain dari transistor adalah Field Effect Transistor (FET). Perbedaan utama
antara BJT dan FET adalah pengontrol kerja dari transistor tersebut. Jika BJT
kerjanya dikontrol oleh arus pengontrol maka FET bekerja dengan dikontrol
oleh tegangan pengontrol. Perhatikan gambar berikut untuk lebih jelasnya.
C D
IC Id
Arus
Kontrol IB IB
BJT FET
B G+
VGS
Tegangan
Kontrol -
E S
Pada gambar 5.1.a, nilai Ic bergantung pada nilai dari IB, sementara pada FET
(Gbr 5.1.b) arus ID nilainya tergantung pada tegangan VGS.
Jika pada BJT terdapat jenis transistor pnp dan npn, maka pada FET jenisnya
adalah n-channel dan p-channel. Karakteristik lain yang penting dari FET adalah
Impedansi inputnya yang tinggi.
Dua tipe dari FET yang akan dibahas berikutnya adalah Junction Field Effect
Transistor (JFET) dan Metal-Oxide-Semikonduktor-Field Effect transistor (MOSFET)
Field Effect Transistor
Ketika VDD = VDS, maka ID = IS. Resistansi pada material tipe-n bervariasi membesar
mulai dari atas ke bawah. Oleh sebab itu, jika kita berikan bias reverse (VDS ) akan
mengakibatkan adanya perbedaan lebar daerah deplesi, dimana bagian atas akan lebih
lebar daripada bagian bawah.
Sejalan dengan naiknya nilai VDS, ID juga akan bergerak naik sampai pada titik
saturasi transistor seperti yang dijelaskan pada Hukum Ohm.
Jika VDS terus dinaikkan, daerah deplesi pada bagian atas kedua tipe-p akan terus
membesar hingga akibatnya bersentuhan. Kondisi ini disebut pinch-off, sementara nilai
Field Effect Transistor
tegangan VDS yang menyebabkan pinch-off disebut kegagalan pinch-off (Vp). Dalam
kondisi pinch-off ID menjadi ID saturasi (IDSS).
(IDSS) merupakan arus Drain maksimum untuk JFET dan dicapai pada kondisi VGS =
0V dan VDS > Vp
rO
rd = ..(5.1)
(1 VGS / V p ) 2
5.1.5 Simbol
Simbol gambar untuk n-channel dan p-channel JFET dapat dilihat pada gambar
5.6. Tanda panah menggambarkan arah arus IG.
5.1.7 Kesimpulan
Beberapa parameter dan hubungan yang penting dari pembahasan dapat
disimpulkan sebagai berikut:
Arus maksimum didefinisikan sehingga IDSS, terjadi bila VGS = 0V dan
V DS V p (gambar 5.7)
Jika VGS < titik pinch-off, arus Drain adalah 0A (ID=0A) (gbr 5.7b)
Field Effect Transistor
Untuk semua level VGS antara 0V dan level pinch-off arus ID berkisar antara
IDSS dan 0V (gbr 5.7c)
D D
VGS = -VGG
G ID = IDSS G ID = 0 VDD
+ VDD V p +
VGG VGS
VGS
- S VGG V p -
S
(a) (b)
D
G ID V DD
+
VGG VGS
-
S
(c)
Gambar 5.7 (a) VGS = 0V ID = IDSS (b) cutoff (ID = 0) VGS < Vp (c) 0 < ID <IDSS
untuk V p VGS 0V
VGS 2
I D = I DSS (1 ) (5.2)
Vp
Pada analisa dc dari JFET, kita akan lebih banyak menggunakan analisa grafis daripada
matematis
Field Effect Transistor
ID(mA) ID(mA)
IDSS IDSS
8 8 VGS = 0V
6 6
VGS = -1V
4 4
ID = 0mA
VGS = Vp 2 2 VGS = -2V
VGS = -3V
-4 -3 -2 -1 0 0 5 10 15 20 25 VDS
VGS(V)
VGS = -4V
2
V
I D = I DSS 1 GS I C = I B
V
p
VGS 2 I C = I B
I D = I DSS (1 )
Vp
Field Effect Transistor
ID = IS IC = I E
IG = 0A V BE = 0.7V
SiO2
D n-channel
metal
n
contact substrate
substrate
ss
p
G n
S n doped
region
Dari gambar dapat diketahui bahwa tidak terdapat koneksi listrik secara langsung
antara terminal Gate dan channel dari mOSFET melainkan melalui insulating layer SiO2.
Insulating layer ini mengakibatkan MOSFET ini mempunyai impedansi input yang
tinggi. Simbol dari MOSFET tipe deplesi dapat digambarkan sebagai berikut:
Field Effect Transistor
Gambar 5.10 Simbol Grafis (a) n-channel depletion type MOSFET (b) p-channel
depletion type MOSFET