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UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL

ESCOLA DE ENGENHARIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

ROBERTO JOS CABRAL

ANLISE NUMRICA DE CURTO CIRCUITO


UTILIZANDO COMPONENTES SIMTRICAS E
COMPONENTES DE FASES PARA OBTER NDICES DE
AFUNDAMENTOS DE TENSO

Porto Alegre
2010
ROBERTO JOS CABRAL

ANLISE NUMRICA DE CURTO CIRCUITO


UTILIZANDO COMPONENTES SIMTRICAS E
COMPONENTES DE FASES PARA OBTER NDICES DE
AFUNDAMENTOS DE TENSO

Dissertao de mestrado apresentada ao


Programa de Ps-Graduao em Engenharia
Eltrica, da Universidade Federal do Rio
Grande do Sul, como parte dos requisitos
para a obteno do ttulo de Mestre em
Engenharia Eltrica.
rea de concentrao: Sistemas de Energia.

ORIENTADOR: Prof. Dr. Alexandre Sanfelice Bazanella.


CO-ORIENTADOR: Prof. Dr. Roberto Chouhy Leborgne.

Porto Alegre
2010
ROBERTO JOS CABRAL

ANLISE NUMRICA DE CURTO CIRCUITO


UTILIZANDO COMPONENTES SIMTRICAS E
COMPONENTES DE FASES PARA OBTER NDICES DE
AFUNDAMENTOS DE TENSO

Esta dissertao foi julgada adequada para a


obteno do ttulo de Mestre em Engenharia Eltrica
e aprovada em sua forma final pelo Orientador e
pela Banca Examinadora.

Orientador: ______________________________________
Prof. Dr. Alexandre Sanfelice Bazanella, UFRGS
Doutor pela Universidade Federal de Santa Catarina
Florianpolis, Brasil.

Banca Examinadora:

Prof. Dr. Thiago Cl de Oliveira, UNIFEI


Doutor pela Universidade Federal de Itajub Minas Gerais, Brasil.

Prof. Dr. Marcos Tello, PUCRGS


Doutor pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul Porto Alegre,
Brasil.

Prof. Dr. Arturo Suman Bretas, UFRGS


Doutor pela Virginia Polytechnic Institute and State University Blacksburg,
Estados Unidos.

Coordenador do PPGEE: ___________________________


Prof. Dr. Alexandre Sanfelice Bazanella.

Porto Alegre, Agosto de 2010.


Dios nos hizo perfectos y no escoge a los capacitados, si no que capacita a los escogidos.
Hacer o no hacer algo, solo depende de nuestra voluntad y perseverancia.

Deus nos fez perfeitos e no escolhe os capacitados, e sim capacita os escolhidos.


Fazer ou no fazer algo, s depende de nossa vontade e perseverana.

Albert Einstein.
DEDICATRIA

Dedico este trabalho especialmente, a toda minha famlia, pelo amor e apoio em
todos os momentos da minha vida e, Carolina por toda pacincia, dedicao e amor
incondicional.
AGRADECIMENTOS

Sou muito grato ao Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica, PPGEE,


desta Universidade, aos seus professores e funcionrios por garantirem uma
infraestrutura adequada para realizar este trabalho de pesquisa.
Aos Profs. Drs. Alexandre Sanfelice Bazanella, meu orientador, Roberto Chouhy
Leborgne, meu co-orientador, e Arturo Suman Bretas pela confiana em mim
depositada, pelo apoio, dedicao e ensino que recebi e, especialmente, pela amizade
demonstrada.
Aos meus pais pelo apoio e suporte dado em toda a minha vida, pelo amor,
dedicao e confiana depositada em mim, pela educao e conhecimentos transmitidos
com dedicao e muito amor.
Carolina pelo seu amor, presena, compreenso e amizade ao longo destes anos.
Aos meus irmos Yamila e Cristian. Aos meus avs Elsa, Jos, Susana, Bronislao e
a todos meus familiares pelo amor, dedicao e confiana depositada em mim e pelo
apoio que me deram em todos os momentos.
Um agradecimento muito especial aos meus amigos Martn Cruz Rodrguez Paz,
Renato Gonalves Ferraz e Mario Orlando Oliveira pelo apoio, ajuda nos trabalhos e
principalmente pela sincera amizade, fato que tornou agradvel e inesquecvel o perodo
de convivncia que tivemos em Porto Alegre.
Aos colegas do LASEP pelas oportunidades de trabalho em conjunto, conversas,
mates, terers, ...: Felipe H. Garca, Jos N. de Nunez, Mariana Resener, Denise P.
Marzec, Daniel Gazzana, Ronald O. Paucar, Gustavo D. Ferreira, Hernn S. Oviedo e
Leonardo Iurinic. Ao colega e amigo Diogo de Oliveira Fialho Pereira, por toda a ajuda
prestada.
Aos amigos do LASCAR por compartilhar os cafs da tarde. Ao colega Rodrigo H.
Salim pela disposio e ajuda brindada no programa F-Sim.
Aos meus amigos argentinos: Nestor, Natalia, Lus, Luciana, Liliana, Carolina,
Monica, Gabriel, Guillermo, Miguel, Mariela, Facundo, Viviana, Alejandro e Anselmo;
obrigado pelo apoio recebido e por compartilhar comigo a experincia de viver e
estudar no Brasil.
Coordenao de Aperfeioamento de Pessoal de Nvel Superior, CAPES, pelo
apoio financeiro que permitiu a realizao deste trabalho.
Ao povo argentino, cujas razes eu levo guardada no meu corao, obrigado por toda
a minha formao recebida tanto profissional como pessoal.
Ao povo brasileiro e todas as demais pessoas que, direta ou indiretamente, ajudaram
e tornaram possvel a realizao deste trabalho.
RESUMO

O presente trabalho apresenta estudos tericos e uma reviso bibliogrfica sobre


diversos aspectos relevantes qualidade da energia eltrica, principalmente os
afundamentos de tenso em sistemas de energia eltrica. A avaliao da eficincia de
um sistema eltrico de potncia quantificada por diversos fatores de qualidade,
destacando-se a continuidade do fornecimento de energia eltrica aos consumidores.
Nesse contexto, a anlise de faltas muito importante e demanda especial ateno
quando do projeto do esquema de proteo e dos ndices de qualidade do sistema
eltrico de distribuio.
Assim sendo, o presente trabalho apresenta uma comparao entre os mtodos de
clculo de curtos circuitos convencionais: Mtodo das Componentes Simtricas e o
Mtodo das Componentes de Fases. Tambm apresentada uma nova aproximao da
obteno da matriz de impedncia de cada elemento do sistema eltrico de potncia,
para a resoluo pelo Mtodo das Componentes Simtricas em sistemas
desequilibrados.
Usando um modelo particular de um sistema eltrico de distribuio so efetuadas
simulaes computacionais para avaliar o desempenho do algoritmo proposto. As
simulaes de curtos circuitos so realizadas com rotinas no ambiente MatLab e logo
comparadas com os resultados do programa ATP/EMTP. Os clculos de afundamentos
de tenso so realizados para diferentes tipos de faltas: trifsica-terra (FFFT), fase-terra
(FT), fase-fase (FF) e fase-fase-terra (FFT). Apesar de o trabalho estar centrado em
sistemas de distribuio, as concluses podem ser referidas a qualquer tipo de sistema
de energia eltrica. Os resultados obtidos nessas simulaes mostram que a
aproximao proposta que consiste da obteno da impedncia de componentes
simtricas de cada elemento, apresenta um timo desempenho.
O objetivo desta comparao identificar o mtodo de clculo de curto-circuito que
oferea a viabilidade de simplificao nos procedimentos de clculo, como tambm na
modelagem dos componentes do sistema eltrico de energia, mantendo continuamente
uma boa preciso dos resultados dentro dos limites de tolerncia. Com esta
simplificao se pode reduzir significativamente o tempo das simulaes, o processo de
anlise e tomada de deciso mais gil e eficiente.

Palavras-chave: Qualidade da Energia Eltrica, Afundamentos de Tenso,


Caracterizao dos Afundamentos de Tenso, Clculo de Curtos Circuitos,
Mtodo das Componentes Simtricas, Mtodo das Componentes de Fases,
Programa ATP/EMTP.
ABSTRACT

This work presents theoretical studies and a literature review on various aspects relevant
to the quality of electric power, especially voltage sags in electric power systems.
Assessing the efficiency of a power system is quantified by several quality factors,
highlighting the continued supply of electricity to consumers. In this context, the
analysis of faults is very important and demand special attention when designing the
protection scheme and the quality indexes of the electrical system of distribution.
Therefore, this work presents a comparison between the calculation methods of
conventional short circuit: Method of Symmetrical Component and Method of Phases
Components. It also presents a new approach to obtaining the impedance matrix of each
element of the electric power system for the resolution by the Method of Symmetrical
Components in unbalanced systems.
Using a particular model of an electric distribution system computer simulations are
carried out to evaluate the performance of the algorithm. Simulations of short circuits
are performed with routines in MatLab environment and then compared with the results
of the software ATP/EMTP. The calculations of voltage sags are performed for different
types of faults: three-phase- ground (FFFT), phase-ground (FT), phase-phase (FF) and
phase-phase- ground (FFT). Although the work is centered on distribution systems, the
findings can be referred to any type of power system. The results obtained in these
simulations show that the proposed approach consists of obtaining the impedance of
symmetrical components of each element, presents a great performance.
The purpose of this comparison is to identify the method of calculating short-circuit that
provides the feasibility of simplifying the calculation procedures, but also in the
modeling of system components, electric power, continuously keeping a good accuracy
of results within the tolerance limits. With this simplification can significantly reduce
the time of simulations, the process of analysis and decision making more agile and
efficient.

Keywords: Power Quality, Voltage Sags, Characterization of Voltage Sags,


Calculation of Short Circuit, Method of Symmetrical Components, Method of
Phase Components, Software ATP/EMTP.
SUMRIO

LISTA DE ILUSTRAES .................................................................................................. 13

LISTA DE TABELAS ............................................................................................................ 16

LISTA DE ABREVIATURAS............................................................................................... 18

LISTA DE SIMBOLOS ......................................................................................................... 21

1 INTRODUO ............................................................................................................... 25
1.1 Definio de Qualidade de Energia Eltrica ............................................................ 25
1.2 Motivao do trabalho ............................................................................................... 25
1.3 Objetivos ...................................................................................................................... 27
1.4 Estrutura do trabalho................................................................................................. 27
1.5 Resumo......................................................................................................................... 28

2 AFUNDAMENTOS DE TENSO ................................................................................. 29


2.1 Introduo ................................................................................................................... 29
2.2 Definies de Afundamentos de Tenso ................................................................... 29
2.3 Caracterizao dos Afundamentos de Tenso ......................................................... 31
2.3.1 Magnitude ................................................................................................................ 31
2.3.2 Durao .................................................................................................................... 32
2.3.3 Frequncia de ocorrncia ......................................................................................... 33
2.3.4 Diagrama fasorial (Tipos A, B, C, D, E, F, G) ........................................................ 34
2.3.5 Perfil de tenso ......................................................................................................... 41
2.3.6 Salto de ngulo de fase (phase-angle jump) ............................................................ 44
2.3.7 Ponto de incio e ponto de fim do afundamento ...................................................... 45
2.4 Causas dos Afundamentos de Tenso ....................................................................... 46
2.4.1 Faltas ........................................................................................................................ 46
2.4.2 Descargas atmosfricas ............................................................................................ 46
2.4.3 Energizao e partidas de cargas ............................................................................. 47
2.4.4 Conexo de parte ou da totalidade do sistema logo aps uma interrupo.............. 48
2.4.5 Causas diversas ........................................................................................................ 48
2.5 Consequncias do Afundamento de Tenso nas Cargas ......................................... 48
2.5.1 Informao fornecida pelo fabricante ...................................................................... 48
2.5.2 Resultados de levantamentos experimentais ............................................................ 49
2.6 rea de Vulnerabilidade ou Regio de Sensibilidade ............................................. 50
2.7 Normas ou Recomendaes Nacionais e Internacionais ......................................... 51
2.7.1 ANEEL Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema
Eltrico Nacional (PRODIST) Mdulo 8 Qualidade da Energia Eltrica .............. 51
2.7.2 ONS Sub-mdulo 2.8 Procedimentos de Rede..................................................... 51
2.7.3 IEEE Std. 1159-2009 IEEE Recommended Practice for Monitoring Electric
Power Quality......................................................................................................... 52
2.7.4 IEEE Std. 1250-1995 IEEE Guide for Service to Equipment Sensitive to
Momentary Voltage Disturbances .......................................................................... 52
2.7.5 IEEE Std. 446-1995 IEEE Recommended Practice For Emergency and
Standby Power Systems for Industrial and Commercial Applications
(Orange Book) ......................................................................................................... 52
2.7.6 IEEE Std. 493-2007 IEEE Recommended Practice for the Design of Reliable
Industrial and Commercial Power Systems (Gold Book) ...................................... 53
2.7.7 IEEE Std. 1100-1999 IEEE Recommended Practice For Powering and
Grounding Electronic Equipment (Emerald Book)................................................ 53
2.7.8 IEEE Std. 1346-1998 IEEE Recommended Practice For Evaluating Electric
Power System Compatibility With Electronic Process Equipment ....................... 53
2.7.9 IEEE P1433 A Standard Glossary of Power Quality Terminology ..................... 53
2.7.10 IEEE P1564 Voltage Sags Indices ....................................................................... 54
2.7.11 IEC 61000 Electromagnetic Compatibility .......................................................... 54
2.7.12 IEC 61000-4-30*, 2003-2 Electromagnetic Compatibility (EMC) - Part 4-30:
Testing and Measurement Techniques - Power Quality Measurement
Methods .................................................................................................................. 54
2.7.13 IEC 61000-2-1 (1990-05) clause 8 Voltage Dips and Short Supply
Interruption ............................................................................................................. 54
2.7.14 SEMI F42-0999 Test Method For Semiconductor Processing Equipment
Voltage Sag Immunity ........................................................................................... 55
2.7.15 SEMI F47-0200 Specification for Semiconductor Processing Equipment
Voltage Sag Immunity ........................................................................................... 55
2.7.16 SEMI F47-0706 Specification for Semiconductor Processing Equipment
Voltage Sag Immunity ............................................................................................. 55
2.7.17 Curva CBEMA (Computer Business Equipment Manufacturers Association)
e a curva ITIC (Information Technology Industry Council).................................... 56
2.8 Resumo......................................................................................................................... 58

3 MTODOS DE SIMULAO ...................................................................................... 59


3.1 Introduo ................................................................................................................... 59
3.2 Mtodos de clculo de afundamentos ....................................................................... 60
3.2.1 Metodologia da Distncia Crtica ............................................................................ 60
3.2.2 Metodologia das posies de falta ........................................................................... 61
3.2.3 Metodologia das Posies de Falta versus Metodologia da Distncia Crtica ......... 63
3.3 Desempenho de uma barra ........................................................................................ 63
3.4 Ferramentas de Simulao de curtos-circuitos (Programas) ................................. 65
3.4.1 Programa ANAFAS - Modelo de Componentes Simtricas (Sistemas
Equilibrados) ............................................................................................................ 65
3.4.2 Programas de Transitrios Eletromagnticos (Sistemas equilibrados e
desequilibrados) ....................................................................................................... 65
3.5 Clculo de faltas pelo mtodo das componentes de fases ........................................ 67
3.5.1 Falta Fase-Terra ....................................................................................................... 69
3.5.2 Falta Fase-Fase-Terra............................................................................................... 71
3.5.3 Falta Fase-Fase ......................................................................................................... 72
3.5.4 Falta Trifsica .......................................................................................................... 74
3.6 Clculo de faltas pelo Mtodo de Componentes Simtricas ................................... 75
3.6.1 Componentes Simtricas .......................................................................................... 75
3.6.2 Modelo de impedncias de sequncias .................................................................... 79
3.6.3 Mtodos para clculo de impedncias de sequncias para Sistemas
Desequilibrados........................................................................................................ 86
3.6.4 Clculo de faltas ....................................................................................................... 90
3.7 Aproximao proposta para clculo de impedncias de Sequncias para
Sistemas Desequilibrados ........................................................................................... 94
3.8 Resumo......................................................................................................................... 97

4 IMPLEMENTAO DOS MTODOS DE CLCULO DE CURTO-


CIRCUITO .................................................................................................................... 98
4.1 Introduo ................................................................................................................... 98
4.2 Impedncia de Falta ................................................................................................... 98
4.2.1 Frequncia de ocorrncia de faltas em linhas de distribuio ................................ 100
4.2.2 Anlise probabilstica de faltas em linhas de acordo com o nvel de tenso ......... 100
4.3 Tenso Pr-Falta ....................................................................................................... 101
4.4 Sistema eltrico estudado ......................................................................................... 102
4.4.1 Alimentadores ........................................................................................................ 102
4.4.2 Cargas..................................................................................................................... 103
4.4.3 Impedncia de curto circuito equivalente da rede e do transformador .................. 105
4.5 Comparaes das metodologias ............................................................................... 105
4.6 Resumo....................................................................................................................... 106

5 RESULTADOS OBTIDOS ........................................................................................... 107


5.1 Introduo ................................................................................................................. 107
5.2 Influncia do desequilbrio....................................................................................... 107
5.2.1 Influncia do desequilbrio na barra da Subestao ............................................... 107
5.2.2 Influncia do desequilbrio na barra do consumidor sensvel (barra 9) ................. 110
5.3 Influncia do valor da impedncia de falta ............................................................ 112
5.3.1 Influncia do valor da impedncia de falta na barra da Subestao ...................... 112
5.3.2 Influncia do valor da impedncia de falta na barra do consumidor sensvel
(barra 9) .................................................................................................................. 115
5.4 Influncia dos tipos de faltas simuladas.................................................................. 117
5.4.1 Falta Trifsica monitorada na barra da subestao ................................................ 117
5.4.2 Falta Trifsica monitorada na barra do consumidor sensvel (barra 9).................. 120
5.4.3 Falta Monofsica monitorada na barra da subestao ........................................... 122
5.4.4 Falta Monofsica monitorada na barra do consumidor sensvel (barra 9) ............. 124
5.4.5 Falta Bifsica-Terra monitorada na barra da Subestao....................................... 127
5.4.6 Falta Bifsica-Terra monitorada na barra do consumidor sensvel (barra 9) ......... 130
5.4.7 Falta Bifsica monitorada na barra da Subestao................................................. 132
5.4.8 Falta Bifsica monitorada na barra do consumidor sensvel (barra 9) ................... 135
5.5 Resumo....................................................................................................................... 137

6 CONCLUSES ............................................................................................................. 139


6.1 Sugestes para trabalhos futuros ............................................................................ 141
REFERNCIAS ................................................................................................................... 142
LISTA DE ILUSTRAES

Figura 2.1: Definies de eventos de variao de tenso (IEEE Std. 1159-1995). ........ 31
Figura 2.2: Magnitude e durao de um afundamento de tenso de 20%(IEEE P1564 e
CIGRE WG 36-07, 2001). ............................................................................. 32
Figura 2.3: Magnitude e durao de afundamento de tenso monofsico (ESKOM
NRS -048, 2009). ........................................................................................... 33
Figura 2.4: Magnitude e durao de afundamento de tenso trifsico. .......................... 33
Figura 2.5: Quatro tipos de afundamentos devido falta trifsica e monofsica
(BOLLEN; GU, 2006). .................................................................................. 35
Figura 2.6: Trs tipos de afundamentos devido falta bifsica (BOLLEN; GU, 2006). 35
Figura 2.7: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo A....................... 37
Figura 2.8: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo B. ...................... 37
Figura 2.9: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo C. ...................... 37
Figura 2.10: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo D. .................... 38
Figura 2.11: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo E. .................... 38
Figura 2.12: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo F. .................... 39
Figura 2.13: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo G. .................... 39
Figura 2.14: Afundamento de tenso provocado pela partida de motor (GMEZ, 2005).
....................................................................................................................... 42
Figura 2.15: Afundamento de tenso causado por energizao de transformador (IEEE
P1564 e CIGRE WG 36-07, 2001). ............................................................... 42
Figura 2.16: Variao da magnitude de um afundamento de tenso por ionizao de
falha (GMEZ, 2005). .................................................................................. 43
Figura 2.17: Variao da magnitude de um afundamento de tenso por desionizao de
falha (GMEZ, 2005). .................................................................................. 43
Figura 2.18: Argumento da tenso e salto de ngulo de fase (LEBORGNE, 2007). ..... 45
Figura 2.19: Afundamento de tenso causado pela partida de um motor (IEEE P1564 e
CIGRE WG 36-07, 2001). ............................................................................. 47
Figura 2.20: Afundamento de tenso RMS e Instantneo (IEEE P1564 e CIGRE WG
36-07, 2001). .................................................................................................. 47
Figura 2.21: Nveis tpicos de imunidade dos acionamentos para motores definidos, pela
IEEE Std. 1346-1998 e IEC 61000-4-11-1994. ............................................. 50
Figura 2.22: Linhas de igual magnitude de afundamentos de tenso (GMEZ, 2005). 51
Figura 2.23: Curva de tolerncia segundo a norma SEMI F47-0200. ............................ 55
Figura 2.24: Curva SEMI F47-0706. .............................................................................. 56
Figura 2.25: Envelope de tolerncia de tenso tpico para sistema computacional
adaptado da norma IEEE Std. 446 - 1987. Curva CBEMA (POMILIO, 2007).
....................................................................................................................... 57
Figura 2.26: Envelope de tolerncia de tenso tpico para sistema computacional
adaptado da norma IEEE Std. 446 - 1987. Curva ITIC (POMILIO, 2007). .. 57
Figura 2.27: Comparao de curvas CBEMA, ITIC e SEMI F47 (GMEZ, 2005). ..... 58

Figura 3.1: Diagrama simplificado indicando o PAC. ................................................... 61


Figura 3.2: Diagrama unifilar, mtodo do curto-deslizante. .......................................... 62
Figura 3.3: Posies de falta. .......................................................................................... 62
Figura 3.4: Representao trifsica do sistema de potncia (STAGG; EL-ABIAD,
1968). ............................................................................................................. 67
Figura 3.5: Representao trifsica do sistema de potncia com falta na barra p
(STAGG; EL-ABIAD, 1968). ....................................................................... 68
Figura 3.6: Falta Fase-Terra (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987). .................. 70
Figura 3.7: Corrente de linha no alimentador trifsico (MAKRAM; BOU-RABEE;
GIRGIS, 1987). .............................................................................................. 71
Figura 3.8: Falta Fase-Fase-Terra (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987). ......... 71
Figura 3.9: Falta Fase-Fase (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987). ................... 72
Figura 3.10: Falta Trifsica (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987). ................... 74
Figura 3.11: Representao vetorial das Componentes Simtricas (FORTESCUE,
1918). ............................................................................................................. 75
Figura 3.12: Carga equilibrada conexo estrela Y (SAADAT, 2002). ....................... 79
Figura 3.13: Fluxo de corrente de sequncia zero com retorno de terra (SAADAT,
2002). ............................................................................................................. 81
Figura 3.14: Linha assimtrica (ANDERSON, 1973). ................................................... 81
Figura 3.15: Equivalente trifsico de sequncia zero de bancos de transformadores
(KUNDUR, 1994).......................................................................................... 83
Figura 3.16: Gerador trifsico equilibrado (SAADAT, 2002). ...................................... 84
Figura 3.17: Redes de sequncias (SAADAT, 2002). .................................................... 86
Figura 3.18: Falta Fase-Terra (SAADAT, 2002). .......................................................... 90
Figura 3.19: Conexo das redes de sequncia para uma falta fase-terra (SAADAT,
2002). ............................................................................................................. 90
Figura 3.20: Falta Fase-Fase (SAADAT, 2002). ............................................................ 91
Figura 3.21: Conexo das redes de sequncia para uma falta fase-fase (SAADAT,
2002). ............................................................................................................. 91
Figura 3.22: Faltas Fase-Fase-Terra (ANDERSON, 1973)............................................ 92
Figura 3.23: Conexo das redes de sequncia para uma falta fase-fase-terra
(ANDERSON, 1973). .................................................................................... 92
Figura 3.24: Faltas Trifsica-Terra (ANDERSON, 1973). ............................................ 93
Figura 3.25: Conexo das redes de sequncia para uma Falta Trifsica-Terra
(ANDERSON, 1973). .................................................................................... 94

Figura 4.1: Diagrama unifilar do sistema teste de 13 barras do IEEE modificado. ..... 102

Figura 5.1: Distribuio de frequncia relativa acumulada de afundamentos SEP


equilibrado. .................................................................................................. 108
Figura 5.2: Distribuio de frequncia relativa acumulada de afundamentos SEP
desequilibrado. ............................................................................................. 108
Figura 5.3: Erro Quadrtico Mdio SEP equilibrado barra da subestao. .................. 109
Figura 5.4: Erro Quadrtico Mdio SEP desequilibrado barra da subestao.............. 109
Figura 5.5: Distribuio de frequncia relativa acumulada de afundamentos SEP
equilibrado. .................................................................................................. 110
Figura 5.6: Distribuio de frequncia relativa acumulada de afundamentos SEP
desequilibrado. ............................................................................................. 111
Figura 5.7: Erro Quadrtico Mdio SEP equilibrado barra do consumidor sensvel. .. 111
Figura 5.8: Erro Quadrtico Mdio SEP desequilibrado barra do consumidor sensvel.
..................................................................................................................... 112
Figura 5.9: Influncia da resistncia de falta SEP equilibrado com Rf = 0 . .............. 113
Figura 5.10: Influncia da resistncia de falta SEP desequilibrado com Rf = 0 . ...... 113
Figura 5.11: Influncia da resistncia de falta SEP equilibrado com Rf = 25 . .......... 114
Figura 5.12: Influncia da resistncia de falta SEP desequilibrado com Rf = 25 . .... 114
Figura 5.13: Influncia da resistncia de falta SEP equilibrado com Rf = 0 . ............ 115
Figura 5.14: Influncia da resistncia de falta SEP desequilibrado com Rf = 0 . ...... 115
Figura 5.15: Influncia da resistncia de falta SEP equilibrado com Rf = 25 . .......... 116
Figura 5.16: Influncia da resistncia de falta SEP desequilibrado com Rf = 25 . .... 116
Figura 5.17: # Sag Total FFFT % barra da subestao SEP equilibrado. .................... 118
Figura 5.18: # Sag Total FFFT % barra da subestao SEP desequilibrado. ............... 118
Figura 5.19: Falta FFFT barra da subestao SEP equilibrado. ................................... 119
Figura 5.20: Falta FFFT barra da subestao SEP desequilibrado. .............................. 119
Figura 5.21: # Sag Total FFFT % barra do consumidor sensvel SEP equilibrado...... 120
Figura 5.22: # Sag Total FFFT % barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. 120
Figura 5.23: Falta FFFT barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ................... 121
Figura 5.24: Falta FFFT barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. .............. 122
Figura 5.25: # Sag Total FT % barra da subestao SEP equilibrado. ......................... 122
Figura 5.26: # Sag Total FT % barra da subestao SEP desequilibrado. ................... 123
Figura 5.27: Falta FT barra da subestao SEP equilibrado. ....................................... 124
Figura 5.28: Falta FT barra da subestao SEP desequilibrado. .................................. 124
Figura 5.29: # Sag Total FT % barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ......... 125
Figura 5.30: # Sag Total FT % barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. .... 125
Figura 5.31: Falta FT barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ........................ 126
Figura 5.32: Falta FT barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. .................. 127
Figura 5.33: # Sag Total FFT % barra da subestao SEP equilibrado........................ 127
Figura 5.34: # Sag Total FFT % barra da subestao SEP desequilibrado. ................. 128
Figura 5.35: Falta FFT barra da subestao SEP equilibrado. ..................................... 129
Figura 5.36: Falta FFT barra da subestao SEP desequilibrado. ................................ 129
Figura 5.37: # Sag Total FFT % barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ....... 130
Figura 5.38: # Sag Total FFT % barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. . 130
Figura 5.39: Falta FFT barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ...................... 131
Figura 5.40: Falta FFT barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. ................ 132
Figura 5.41: # Sag Total FF % barra da subestao SEP equilibrado. ......................... 132
Figura 5.42: # Sag Total FF % barra da subestao SEP desequilibrado. .................... 133
Figura 5.43: Falta FF barra da subestao SEP equilibrado. ........................................ 134
Figura 5.44: Falta FF barra da subestao SEP desequilibrado. .................................. 134
Figura 5.45: # Sag Total FF % barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ......... 135
Figura 5.46: # Sag Total FF % barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. .... 135
Figura 5.47: Falta FF barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ........................ 136
Figura 5.48: Falta FF barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. ................... 137
LISTA DE TABELAS

Tabela 2.1: Perodo mnimo de monitorao para uma determinada preciso............... 34


Tabela 2.2: Representao matemtica para cada tipo de afundamento de tenso com
severidade h (BRITO; LEAO, 2006; RIBEIRO; MENDES, 2009). ........... 40
Tabela 2.3: Relao entre tipo de falta, tipo de afundamento e conexo da carga. ........ 41
Tabela 2.4: Relao entre afundamentos de tenso em cargas com conexo estrela e
delta. ............................................................................................................ 41
Tabela 2.5: Transformao do tipo de afundamento no secundrio do transformador. . 41
Tabela 2.6: Nveis de imunidade definidos pela IEEE Std. 1346 - 1998. ...................... 49

Tabela 3.1: Descrio das posies de falta. .................................................................. 62

Tabela 4.1: Distribuio de probabilidade de impedncia de falta............................... 100


Tabela 4.2: Distribuio de probabilidade de tipos de falta. ........................................ 100
Tabela 4.3: Taxa de falta para linhas de transmisso e distribuio............................. 100
Tabela 4.4: Exemplo da influncia da tenso pr-falta. ............................................... 101
Tabela 4.5: Dados dos Alimentadores. ......................................................................... 102
Tabela 4.6: Dados das cargas caso A (Vdeseq = 0 %). ................................................... 104
Tabela 4.7: Dados das cargas caso B (Vdeseq = 3,65 %). ............................................... 105

Tabela 5.1: Desempenho total do SEP monitorado na barra da Subestao. ............... 109
Tabela 5.2: Desempenho total do SEP monitorado na barra do consumidor sensvel. 110
Tabela 5.3: Desempenho do SEP para Rf = 0 monitorado na barra da Subestao. . 113
Tabela 5.4: Desempenho do SEP para Rf = 25 monitorado na barra da Subestao. 114
Tabela 5.5: Desempenho do SEP para Rf = 0 monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 116
Tabela 5.6: Desempenho do SEP para Rf = 25 monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 117
Tabela 5.7: Desempenho do SEP para falta FFFT monitorado na barra da Subestao.
................................................................................................................... 118
Tabela 5.8: Desempenho do SEP para falta FFFT monitorada na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 121
Tabela 5.9: Desempenho do SEP para falta FT monitorado na barra da Subestao... 123
Tabela 5.10: Desempenho do SEP para falta FT monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 126
Tabela 5.11: Desempenho do SEP para falta FFT monitorado na barra da Subestao.
................................................................................................................... 128
Tabela 5.12: Desempenho do SEP para falta FFT monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 131
Tabela 5.13: Desempenho do SEP para falta FF monitorado na barra da Subestao. 133
Tabela 5.14: Desempenho do SEP para falta FF monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 136
LISTA DE ABREVIATURAS

A Ampre
ANAFAS Programa de Anlise de Faltas Simultneas
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica
ASD Adjustable Speed Drives - Variador de Velocidade Ajustvel
ATP Alternative Transient Program - Software Alternativo de Transitrios
CA Corrente Alternada
CBEMA Computer and Business Equipment Manufacturers Association
CC Corrente Contnua
CIGRE Conseil International des Grands Rseaux lectriques Conselho
Internacional de Grandes Sistemas Eltricos
COPEL Companhia Paranaense de Energia
DFT Discrete Fourier Transform - Transformada Discreta de Fourier
ELECTROTEK Electrotek Concepts, Inc.
EMTP Electromagnetic Transient Program - Software de Transitrios
Eletromagnticos
EPRI Electric Power Research Institute - Instituto de Pesquisa de Energia
Eltrica
ESKOM Electricity Supply Commission - Comisso de Abastecimento de
Eletricidade
EUA Estados Unidos de Norte Amrica
FEM Fora Eletromotriz
FF Falta Fase-Fase ou Bifsica
FFFT Falta Trifsica-Terra
FFT Falta Fase-Fase-Terra ou Bifsica-Terra
FT Falta Fase-Terra ou Monofsica-Terra
GMD Distncia Mdia Geomtrica
HV High Voltage - Alta Tenso
IEC International Electrotechnical Commission - Comisso Eletrotcnica
Internacional
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers - Instituto de
Engenheiros Eletricistas e Eletrnicos
ITIC Information Technology Industry Council - Informao do Conselho
da Indstria de Tecnologia
LV Low Voltage - Baixa Tenso
m metro
MatLab Matrix Laboratory - Laboratrio de Matrizes
MCF Mtodo de Componentes de Fases
MCS Mtodo de Componentes Simtricas
NRS National Rationalized Specification - Especificao Nacional
Racionalizado
ONS Operador Nacional do Sistema Eltrico
PAC Ponto do Acoplamento Comum
PC Computador Pessoal
PLC Controlador Lgico Programvel
PRODIST Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico
Nacional
PSCAD Power System CAD - Desenho Assistido por Computador de Sistemas
de Potncia
pu Por Unidade
QEE Qualidade da Energia Eltrica
RMS Root Mean Square - Raiz Mdia Quadrtica (valor eficaz)
RMSE Root Mean Square Error - Erro Mdio Quadrtico
s segundo
SBQEE Seminrio Brasileiro de Qualidade da Energia Eltrica
SDEE Sistema(s) de Distribuio de Energia Eltrica
SEMI Semiconductor Equipment and Material International - Equipamentos
e Material Semicondutor Internacional
SEP Sistema(s) Eltrico(s) de Potncia
SIN Sistema Interligado Nacional
SPICE Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis - Programa de
Simulao com nfases em Circuitos Integrados
UNIPEDE Union of International Producers and Distributors of Electricity
Energy - Unio Internacional dos Produtores e Distribuidores de
Energia Eltrica
UPS Uninterrupted Power System - Sistemas de Potncia Sem Interrupo
V Volt
VA Volt Ampre
VTCD Variao de Tenso de Curta Durao
W Watt
LISTA DE SIMBOLOS

Z 012 Impedncia de sequncias pela simplificao proposta


ZP Impedncia mdia prpria

Z M012 Impedncia mtua de sequncias pela simplificao proposta

Z P012 Impedncia prpria de sequncias pela simplificao proposta

zii Impedncia prpria do condutor i

ZM Impedncia mdia mtua

zin Impedncia mtua entre o condutor i e o neutro n

zij Impedncia mtua entre os condutores i e j

znn Impedncia prpria do neutro n


#sags Matriz desempenho de cada barra
* Complexo Conjugado
B Barra observada
D Distncia entre condutores de fases
Dij Distncia Mdia Geomtrica entre as fases ij
Din Distncia Mdia Geomtrica entre a fase i e neutro n
Dn Distncia entre um condutor de fase e neutro
E012 FEM de sequncia 012
Eabc FEM de fase abc
f0 Frequncia fundamental
fp Local de falta simulado
GMRi Radio mdio geomtrico do condutor i
GMRn Radio mdio geomtrico do neutro n
h Severidade na magnitude e na abertura angular resultante do
afundamento de tenso
I Corrente eficaz para carga modelada de valor constante
I012 Corrente de sequncia 012
Iabc Corrente de fase abc
Iij Corrente de um trecho de linha ij
Ik Corrente da barra em falta
L Comprimento do arco eltrico
L0 Comprimento inicial do arco
Lcritica Distncia crtica
Rarco-eltrico Resistncia do arco
Rcc Resistncia de curto-circuito da Rede
Rf Resistncia de falta
ri Resistncia do condutor i
S Potncia aparente para carga modelada de valor constante
Tafundamento Tempo de durao do afundamento de tenso
U Tenso eficaz para carga modelada de valor constante
v Tenso em pu
V(0) Tenso fundamental no instante zero
V(t) Valor eficaz da tenso durante o afundamento
V012 Tenso de sequncia 012
Vabc Tenso de fase abc
Vdeseq Grau de desequilbrio do SEP
Vi Tenso da barra genrica i
Vj Tenso da barra genrica j
Vk Tenso da barra em falta
Vmn Tenso de fase na linha mn
VNom Tenso Nominal
VPAC Magnitude do afundamento de tenso no PAC
VRMS Valor eficaz da tenso
Vsag Matriz de afundamentos de tenso
Vsag_b Matriz de afundamentos de tenso binria
vvento Velocidade do vento transversal
x Limiar de tenso eficaz
Xcc Reatncia de curto-circuito
Xd Reatncia sncrona
Xd Reatncia transitria
Xd Reatncia sub-transitria
XL Reatncia de disperso
Xn Impedncia de neutro ou retorno por terra
Y Conexo Estrela
Yabc Matriz admitncia paralela da linha em componentes de fase
z Impedncia do alimentador
Z Impedncia para carga modelada de valor constante
Z0 Impedncia prpria de sequncia zero
Z01 Impedncia mtua de sequncia zero e positiva
Z012 Impedncia de sequncia 012
012
Z cc_equivalente Impedncia de curto-circuito equivalente de sequncia 012
Z02 Impedncia mtua de sequncia zero e negativa
Z1 Impedncia equivalente da fonte no ponto de falta
Z1 Impedncia prpria de sequncia positiva
Z10 Impedncia mtua de sequncia positiva e zero
Z12 Impedncia mtua de sequncia positiva e negativa
Z2 Impedncia da linha entre a barra de acoplamento e o ponto de falta
Z2 Impedncia prpria de sequncia negativa
Z20 Impedncia mtua de sequncia negativa e zero
Z21 Impedncia mtua de sequncia negativa e positiva
Zaa Impedncia prpria da fase a
Zab Impedncia mtua entre as fases a e b
Zabc Matriz impedncia srie da linha em componentes de fase
Zac Impedncia mtua entre as fases a e c
ZBarra Impedncia de barra
Zbb Impedncia prpria da fase b
Zbc Impedncia mtua entre as fases b e c
Zcc Impedncia prpria da fase c
Zcc_equivalente Impedncia de curto-circuito equivalente
Zcc_Rede Impedncia de curto-circuito da Rede
Zcc_Trafo Impedncia de curto-circuito do Trafo da subestao
Zf Impedncia de falta
Zij Impedncia de um trecho de linha ij
Zkk Impedncia da barra em falta
Zm Impedncia mtua
ZM Impedncia mtua
ZM0 Impedncia mtua de sequncia positiva
ZM1 Impedncia mtua de sequncia negativa
ZM2 Impedncia mtua de sequncia zero
Zn Impedncia de neutro ou retorno por terra
Znova Impedncia de barras modificada
ZP Impedncia prpria
ZS Impedncia prpria
ZS0 Impedncia prpria de sequncia zero
ZS1 Impedncia prpria de sequncia positiva
ZS2 Impedncia prpria de sequncia negativa
Conexo Delta
Vetor frequncia de faltas
Taxa de falhas para linhas de transmisso e distribuio
pi = 3,14159265...
Probabilidade de ocorrncia de faltas
0 (t) Argumento da tenso fundamental no instante t (50 ou 60 Hz)
Salto de ngulo de fase
(t) Salto de ngulo de fase no instante t
Ohm
25

1 INTRODUO

1.1 Definio de Qualidade de Energia Eltrica


A definio de Qualidade de Energia muito ampla. Pode-se definir como ausncia
de interrupes, sobre-tenses, deformaes produzidas por harmnicas na rede e
variaes de tenses. Alm disso, lhe dizem respeito a estabilidade de tenso, a
frequncia e a continuidade do servio eltrico. Atualmente a qualidade da energia
objeto de uma ateno contnua. Nos anos recentes, esta ateno tem sido de maior
importncia devido ao incremento do nmero de cargas sensveis nos sistemas eltricos.
O problema da qualidade da energia pode ser visto sob trs perspectivas diferentes.
A primeira delas, a correspondente ao lado dos consumidores depois do medidor de
energia, o impacto dos distrbios nos equipamentos. A segunda, tambm do lado dos
consumidores, que os fabricantes de equipamentos devem conhecer os nveis destes
distrbios e a frequncia com que ocorrem, para assim determinar uma tolerncia
razovel para seus equipamentos. A terceira, que concerne a ambos os lados do
medidor, como os distrbios ocasionados por um consumidor afetam a outros
consumidores que esto conectados na mesma rede de distribuio.

De acordo com a norma Std. 1159 do Instituto de Engenheiros Eletricistas e


Eletrnicos (IEEE), o conceito de Qualidade de Energia Eltrica (QEE) na norma IEEE
chama-se de Power Quality definido como: A Qualidade de Energia consiste no
subministro e aterramento eltrico de equipamentos sensveis, de maneira que sua
operao seja adequada. (IEEE Std. 1159, 2009).

O Comit Eletrotcnico Internacional (IEC) ainda no utilizado esta terminologia


em nenhuma de suas normas e utiliza o termo de Compatibilidade Eletromagntica
(IEC Std. 60050-161, 1990; IEC Std. 62051, 1999). A compatibilidade eletromagntica
a capacidade de um equipamento ou sistema de funcionar adequadamente em seu
ambiente eletromagntico sem introduzir distores eletromagnticas intolerveis a
qualquer elemento desse ambiente (IEC Std. 61000-4-30, 2003).

1.2 Motivao do trabalho


O cenrio da energia eltrica tem sofrido grandes mudanas ao longo dos ltimos
anos. O perfil das cargas que existem no sistema eltrico de potncia vem mudando de
caractersticas. Antigamente existiam em maior quantidade os equipamentos robustos
(eletromecnicos) e com o passar dos anos os equipamentos tornaram-se, dia-a-dia, com
26

mais componentes eletrnicos, dessa forma o conceito de QEE adquiriu uma maior
importncia.
Os problemas vm-se agravando por diversas razes; as mais importantes so:
- Maior quantidade de cargas no-lineares, devido ao crescente interesse pela
racionalizao e conservao da energia eltrica tem aumentado o uso de
equipamentos que acrescentam os nveis de distores harmnicas e podem
levar o sistema a condies de ressonncia.
- Maior sensibilidade dos equipamentos aos efeitos dos distrbios de QEE.

A sensibilidade dos dispositivos eletrnicos s variaes momentneas de tenso


tem aumentado significativamente e dependem em grande medida dos tipos de
distrbios na rede de energia eltrica, tornando-se necessrio o conhecimento da QEE
fornecida pelas concessionrias. Os aspectos da QEE que antes no eram considerados,
e nem eram avaliados pelas concessionrias e pelos consumidores, agora se tornam
pontos decisivos a serem analisados.
As variaes de tenso, conhecidas tambm como Voltage Sags (IEEE Std. 446,
1987; IEEE Std. 446, 1995; IEEE Std. 1250, 1995; IEEE Std. 1159, 2009) ou Voltage
Dips (IEC Std. 61000-2-1, 1990; IEC Std. 61000-4-11, 1994; IEC Std. 61000-4-34,
2005), no mbito internacional e neste trabalho, denominados Afundamentos de
Tenso, so os principais desafios a serem enfrentados por empresas de energia,
fornecedores de equipamentos eltricos e consumidores. Os afundamentos de tenso
em combinao com a sensibilidade dos equipamentos modernos produzem
interrupes que afetam consideravelmente os processos industriais (LEBORGNE,
2003).
Com a mudana das caractersticas das cargas, os distrbios da QEE passaram a
gerar funcionamento incorreto, desligamentos e at danos em equipamentos sensveis,
trazendo grande prejuzo econmico. Dentre os vrios distrbios da QEE, o
afundamento de tenso citado como o distrbio nmero um dentre os que causam
prejuzos aos consumidores industriais (STECIUK; REDMON, 1996; BOLLEN, 2000;
GMEZ, 2005; IEEE Std. 493, 2007).
Mencionam-se algumas razes fundamentais que posicionam o destaque dos
afundamentos de tenso dentro do cenrio da QEE (LEBORGNE, 2003):
- Os afundamentos so inerentes e inevitveis operao do sistema eltrico,
devido vasta extenso e vulnerabilidade das linhas de transmisso e
distribuio;
- A QEE um fator determinante para a competitividade entre as empresas
concessionrias de energia, sendo que devero oferecer contratos diferenciados
de acordo com os requisitos de QEE exigidos pelos processos dos consumidores;
- Prejuzos substanciais dos consumidores devido s interrupes de processos,
quantificados pelas perdas de produo, de insumos e os custos associados
mo de obra e a reparos de equipamentos estragados.

Desta forma, o afundamento de tenso um problema complexo de ser estudado,


pois envolve informaes a respeito da energia fornecida pelas concessionrias,
conhecimento da real sensibilidade das cargas expostas e um estudo a respeito do
impacto econmico nos sistemas consumidores afetados (CARVALHO, 1999).
27

1.3 Objetivos
Os estudos que envolvem afundamentos de tenso so analisados a partir da
monitorao das tenses do sistema eltrico ou atravs da utilizao de metodologias de
predio. Neste ltimo caso utilizam-se programas computacionais para calcular os
valores de afundamentos de tenso, estimar a durao dos afundamentos de tenso e a
escolha de dados estatsticos de faltas para determinar o nmero de ocorrncia destes
distrbios em linhas de distribuio e transmisso.
A eficincia dos programas computacionais junto com a disponibilidade de
softwares no mercado e a possibilidade de utilizar mtodos de simulao, se pode
representar o sistema eltrico com todos seus componentes dando aos setores de
engenharia solues aos problemas.
Neste contexto, esta dissertao tem como objetivo realizar uma anlise comparativa
de resultados de simulaes de afundamentos de tenso utilizando trs metodologias por
meio de programas de clculo de curto circuito. Sendo o primeiro um programa de
clculo de curto circuito pelo Mtodo de Componentes Simtricas (MCS), o segundo
programa pelo Mtodo de Componentes de Fases (MCF) e o terceiro programa de
transitrios eletromagnticos, os quais utilizam mtodos de clculo e de representao
dos componentes da rede eltrica distintos.
Nos primeiro e segundo programas so utilizadas rotinas de clculo de curto circuito
no ambiente MatLab (MATHWORKS, 2001; CHAPMAN, 2003) e so baseados na
resoluo no regime permanente. Por outra parte no terceiro programa utilizado o
software ATP/EMTP (BONNEVILLE, 2010), o qual sua resoluo para o clculo de
curto circuito no domnio do tempo.
A comparao destes dois programas de clculo de curto circuito (MCF e MCS)
com o programa ATP/EMTP pretende avaliar as diferenas destes mtodos, e visando
se a modelagem simplificada do Mtodo de Componentes Simtricas para sistemas
desequilibrados d sua preciso nos resultados dentro dos limites apropriados.
Para satisfazer o objetivo geral deste trabalho se teve que cumprir uma srie de
itens:
- Compilao temtica e bibliogrfica para conhecer o estado da arte ao incio do
trabalho.
- Pesquisa de cada uma das possibilidades mais habituais de clculo e
representao da matriz impedncia encontradas na literatura.
- Desenvolvimento de uma metodologia capaz de ser aplicada de forma geral a
simulao de SEP em computadores pessoais a partir de dados.
- Comprovao e verificao dos modelos matemticos existentes. Proposta e
desenvolvimento de uma nova forma de clculo da matriz impedncia dos
parmetros eltricos envolvidos no SEP.

1.4 Estrutura do trabalho


O trabalho apresenta-se em seis captulos, estruturados da seguinte forma:
- O Captulo 1 uma introduo aos conceitos de qualidade da energia eltrica e
de afundamentos de tenso, onde apresentada uma reviso bibliogrfica sobre
ditos temas.
28

- No Captulo 2 so abordados os conceitos e definies, anlise das causas,


consequncias, resultados de levantamentos experimentais, apresentao de
diversas metodologias de classificao de afundamentos de tenso pelas normas
e recomendaes prticas tanto nacionais como internacionais e o conceito de
rea de vulnerabilidade. Analisa-se tambm a completa caracterizao dos
afundamentos de tenso. No caso clssico atravs de dois parmetros a
magnitude do valor eficaz RMS e durao para eventos monofsicos e trifsicos.
E a caracterizao alternativa, onde se tem em conta a assimetria e o
desequilbrio dos fasores de tenso, a frequncia de ocorrncia e os distintos
tipos de diagrama fasorial dos fasores de tenso. Apresentam-se tambm as
definies de perfil de tenso, salto de ngulo de fase que em ingls chama-se de
phase-angle jump e tambm o ponto de incio e ponto de fim de um
afundamento de tenso.
- O Captulo 3 versa sobre mtodos de simulao: as ferramentas de simulao
(softwares comerciais) e os distintos mtodos de clculo de curto circuito:
simulaes pelo mtodo das componentes simtricas e componentes de fases.
Menciona-se tambm a diferena entre o mtodo de componentes simtricas
para sistemas equilibrados (mtodo convencional) como tambm os
desenvolvimentos para sistemas desequilibrados proposto nesta dissertao de
mestrado. Os equacionamentos gerais para cada mtodo de simulao e os tipos
de faltas so descritos em detalhes, bem como as modificaes propostas para o
algoritmo de componentes simtricas que constituem o estado da arte existente e
os modelos matemticos utilizados. Define-se tambm, as ferramentas e
algoritmos de anlise: os mtodos da distncia crtica e das posies de falta, e
uma comparao entre eles, e finalmente desempenho de uma barra.
- No Captulo 4 apresentado o estudo de caso, ou seja, a implementao dos
mtodos de clculo de curto circuito, o sistema eltrico de distribuio estudado,
as simulaes pelos mtodos descritos no captulo anterior.
- No Captulo 5 apresentam-se os resultados das comparaes dos mtodos de
simulao obtidos atravs da utilizao dos desenvolvimentos propostos. Desta
forma comparam-se os resultados obtidos pelos mtodos das componentes
simtricas para sistemas desequilibrados, das componentes de fases, e o software
ATP/EMTP utilizado como valor de referncia.
- No Captulo 6 so apresentadas as concluses finais deste trabalho, elucidando
os conhecimentos agregados durante o desenvolvimento do mesmo e apresenta-
se tambm a proposta para trabalhos futuros.

1.5 Resumo
Neste primeiro captulo uma introduo geral ao contexto dentro do qual se
desenvolve o trabalho, atravs de uma apresentao resumida dos conceitos de
qualidade de energia eltrica e dos mtodos de clculo de curto circuito vinculados ao
estudo de sistemas eltricos de potncia e as tcnicas de simulao por computador.
Tambm se detalha a justificao da importncia do trabalho desenvolvido em captulos
posteriores.
Alm disso, inclui os objetivos a seguir durante a evoluo do trabalho, tanto gerais
como os particulares, detalhando-se a estrutura geral da dissertao.
29

2 AFUNDAMENTOS DE TENSO

2.1 Introduo
Neste captulo so abordadas as definies e os conceitos bsicos para o
entendimento deste importante distrbio da qualidade da energia eltrica.
Sero apresentadas as definies do afundamento de tenso e suas principais causas.
Estas so: faltas, descargas atmosfricas, energizao e partidas de cargas, conexo do
sistema logo aps uma interrupo, causas diversas. Tambm ser apresentada uma
caracterizao dos afundamentos de tenso e um resumo das principais normas e
recomendaes nacionais e internacionais que abordam os afundamentos de tenso.

2.2 Definies de Afundamentos de Tenso


Sabe-se que um afundamento de tenso uma reduo do valor eficaz RMS da
tenso por um perodo de curta durao, seguido de sua restaurao. Existem
divergncias nas normas quanto metodologia para sua quantificao. A seguir se
mostrar o conceito de afundamento de tenso segundo as diversas instituies:

a. A norma (IEEE Std. 1159, 2009) define afundamento de tenso como: um


decrscimo entre 0,1 e 0,9 pu do valor eficaz da tenso nominal, com durao
entre 0,5 ciclo e 1 minuto. Para um decrscimo com intensidade menor do que 0,1
pu considerado interrupo (IEEE Std. 493, 2007).

b. Segundo a norma (IEC Std. 61000-4-30, 2003) o Afundamento de Tenso


denomina-se de Dip ou Voltage Dip como: uma reduo sbita do valor eficaz
(RMS) da tenso entre 0,01 e 0,9 pu de um ponto do sistema eltrico, seguido de
seu restabelecimento aps um curto perodo de tempo, de 0,5 ciclo a 60 segundos.

c. Segundo o ONS do Brasil, Procedimentos de Rede, no item Padres de


Desempenho da Rede Bsica no Submdulo 2.8, dentre o gerenciamento dos
indicadores de desempenho da Rede Bsica e seus componentes, definem-se as
Variaes de Tenso de Curta Durao (VTCD) como: um evento aleatrio de
tenso caracterizado por desvio significativo, por curto intervalo de tempo, do valor
eficaz da tenso, que por a sua vez dividida em trs fenmenos: Interrupo,
Afundamento e Elevao de Tenso, cada uma delas divididas em momentnea e
temporria (OPERADOR NACIONAL DO SISTEMA ELTRICO, 2009).
30

Denomina-se:
- Afundamento Momentneo de Tenso o evento em que o valor eficaz da
tenso superior ou igual a 0,1 e inferior a 0,9 pu da tenso nominal,
durante um intervalo de tempo com durao superior ou igual a um ciclo
(16,67 ms ou 0,01667segundos) e inferior ou igual a 3 segundos.

- Afundamento Temporrio de Tenso o evento em que o valor eficaz da


tenso superior ou igual a 0,1 e inferior a 0,9 pu da tenso nominal,
durante um intervalo de tempo com durao superior a 3 segundos e inferior
ou igual a 1 minuto ou 60 segundos.
d. Segundo a ANEEL, o Afundamento Momentneo de Tenso definido como:
evento em que o valor eficaz da tenso do sistema se reduz, momentaneamente,
para valores abaixo de 90% da tenso nominal de operao, durante intervalo
inferior a 3 segundos.
Nos Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica (PRODIST) Mdulo 8 -
Qualidade da Energia Eltrica so definidos os Afundamentos de Tenso
Momentneo e Temporrio:
- Afundamento Momentneo de Tenso: Amplitude da tenso (valor eficaz)
em relao tenso de referncia seja superior ou igual a 0,1 e inferior a
0,9 pu e durao da variao superior ou igual a 1 ciclo e inferior ou igual
a 3 segundos.

- Afundamento Temporrio de Tenso: Amplitude da tenso (valor eficaz) em


relao tenso de referncia superior ou igual a 0,1 e inferior a 0,9 pu e
Durao da Variao superior a 3 segundos e inferior ou igual a 3 minutos.
Os afundamentos de tenso com durao maior que 1 minuto, usualmente so
estudados sob a denominao de sub-tenso ou baixa tenso, (BOLLEN, 2000;
DUGAN; McGRANAGHAM; BEATY, 2004).
Os parmetros mais importantes do afundamento de tenso so a magnitude
expressa como % ou pu do valor Nominal da tenso, e a durao expressa em ciclos,
milissegundos ou segundos (GMEZ, 2005). E, ainda, segundo (BOLLEN, 2000),
existem outros parmetros que permitem ampliar a caracterizao destes distrbios que
sero analisados no capitulo 3.
Na Figura 2.1 se observam os conceitos de variaes de tenso em funo do tempo
pela norma (IEEE Std. 1159, 2009). Nessa norma so definidas trs faixas importantes
para a definio do afundamento de tenso:
- De curtssima durao (instantneo): durao entre 0,5 e 30 ciclos;
- De curta durao (momentneo): durao entre 30 ciclos e 3 segundos;
- Temporrio: durao entre 3 segundos e 1 minuto.

Segundo a Figura 2.1, define-se os seguintes eventos de variao de tenso:


- SPIKE: Elevao de tenso transitria.
- NOTCH: Sub-tenso transitria.
31

Figura 2.1: Definiess de eventos de variaoo de tenso (IEEE


( Std. 1159-1995).
1

2.3 Caractterizao dos Afundamentoss de Tenso


O principaiis parmetros que caraacterizam um
Os u afundam mento de tennso monoffsico
so a magnitudee e a durao, os quaiis, somadoss frequnccia de ocorrrncia, fornnecem
inforrmaes satiisfatrias soobre o fenmmeno (CAR RVALHO ett al., 2005)..
A analisar afundamenntos de tenso trifsicos, outros paarmetros so incorporrados,
Ao
comoo a assimetrria e o deseqquilbrio daas tenses.
O comportam mento dinmico assocciado evolluo da forrma de ondda, tambm pode
ser empregado para
p caracteerizar tanto os o afundam mentos de tennso monoffsicos quannto os
trifssicos.
A completaa caracterizzao de um u afundam mento de tenso
t requuer os seguuintes
parm metros:
- Magn
nitude;
- Duraao;
- Frequ
uncia de oocorrncia;
- Diaggrama fasoriial (Tipos ABCDEFG)
A ;
- Perfiil da tenso;;
- Saltoo de ngulo de fase (phase angle juump);
- Ponto de incio e ponto de fim.
f

2.3.11 Magnitu
ude

A magnitude e duraoo do eventoo podem serr determinadas a partirr da evoluo do


valorr da tenso eficaz em funo
f do teempo. Seguundo IEEE P1564
P e CIIGRE WG 36-07
3
(2001), a magniitude do afuundamento de d tenso o menor vaalor da tenso eficaz duurante
a ocoorrncia do evento (Figgura 2.2).
32

O afundameento de tenso tem um nvel de maagnitude (in


ntensidade) de 90 % a 10 %
(0,9 a 0,1pu), em um ou o mais condutores
c de fase (BOLEN,
( 2
2000; DUGGAN;
McG GRANAGHA AM; BEA ATY, 20044; GME EZ 2005; IEEE Stdd. 493, 22007).
Aprooximadamennte 70 % a 80 % dos d afundam mentos de tenso soo de magnnitude
consttante (HEY
YDT, 1991; HEYDT;
H KARADAY
K Y; CUMMIN NGS, 1999)).

Figgura 2.2: Ma
agnitude e durao
d de um
u afundam
mento de ten
nso de 20%
%(IEEE P15664 e
C
CIGRE WG 36-07, 2001).

S a tenso eficaz infferior a 10 % da tenso de refernncia, segunndo norma IIEEE,


Se
consiidera-se se uma interrrupo. Porr outro ladoo, a norma IEC, considera interruupo
quanndo a tensoo eficaz inferior a 1 % da tenso de referncia.

2.3.22 Duraoo

C
Considera-se e que se inniciou um afundamento
a o de tensoo quando o valor de teenso
eficaaz torna-se menor
m do qque o valor limite
l estabbelecido pella norma dee 90 % da teenso
de reeferncia (teenso de conntrato, Nom
minal, Operaativa ou Pr Falta).
O fim do affundamento de tenso definido no n momentto que a ten nso superior a
90 % da tenso de refernccia (BOLLE EN, 2000; DUGAN;
D McGRANAG GHAM; BEA ATY,
20044; GMEZ 2005).
A durao dos
d afundam mentos de tennso indicaa a possvel causa do mesmo:
m
- Menor do que 6 ciclos paraa faltas geradas no nveel de Transm
misso;
- De 150 a 300 milissegundo
m os faltas noss Sistemas de
d Distribuio;
- De 2 a 20 segunndos Arranqque de Motoor.
O itens antees indicados so vlidoos tanto parra eventos monofsicos
Os m s como trifsicos
(ESK
KOM-NRS--048, 1996; UNIPEDE,, 2000; ESK KOM-NRS--048, 2009).
O conceito de magnittude e durrao do afundamento o de tensoo monofsico
mosttrado na Figgura 2.3.
33

Figura 2.3: Mag


gnitude e durao de afu
undamento de tenso monofsico
m (E
ESKOM NRS
N -
048, 2009).
2

U
Uma falta no sistema de
d potncia pode afetarr uma, duass ou as trs fases. Podeem-se
diferrenciar a maagnitude e a durao do
d afundameento de tensso resultannte em cadaa fase.
Tambbm se dev ve definir coomo caracteerizar os affundamentos de tenso para os evventos
trifssicos, sendoo que para estes devee-se seguir a IEEE P11564 e CIG GRE WG 336-07,
20011. Os conceeitos de maagnitude e durao doo afundameento de tensso trifsicoo so
mosttrados na Figura 2.4. Tanto
T para o clculo dosd indicaddores de desempenho como
para avaliao do impaacto de feenmenos sobre equuipamentos utilizaddo o
proceedimento chhamado de agregao de fases, coonsistindo em e atribuir um conjunnto de
parm metros niccos (magnituude, durao, etc.) a umm afundameento que se registre em
m mais
de um ma fase (LEEBORGNE,, 2003).

Figurra 2.4: Magn


nitude e durrao de afundamento de
d tenso trifsico.

2.3.33 Frequn
ncia de ocorrrncia

A frequnciia de ocorrrncia de afundamenttos consideera-se com


mo o nmerro de
afunddamentos por
p ano, ouu seja, a quantidade
q de vezes que cada combinao
c o dos
34

parmetros, amplitude e durao, ocorre em determinado perodo de tempo, ao longo do


qual um barramento tenha sido monitorado (IEEE Std. 493, 2007). Conecta-se um
medidor a uma barra do sistema e aps um ano de monitorao tem-se o desempenho da
mesma. (DUGAN; McGRANAGHAM; BEATY, 2004; GMEZ, 2005).
Num mtodo de estimativa necessitamos de dados estatsticos a respeito da
frequncia de ocorrncia de faltas no sistema. importante ressaltar que quanto mais
perto do real estes dados estiverem, mais precisa ser a estimativa.
Para eventos que no so to comuns, um longo perodo de monitorao
necessrio para obter resultados estatsticos confiveis. A Tabela 2.1 (CONRAD;
LITTLE; GRIGG, 1991; COMPANHIA PARANAENSE DE ENERGIA, 1996) mostra
o resultado de um estudo feito a respeito do tempo necessrio para monitorao de
afundamento de tenso. Para um evento que ocorra uma vez por semana, tm que
monitorar quatro meses para obter uma preciso de 50 % e sete anos para obter uma
preciso de 90 %.

Tabela 2.1: Perodo mnimo de monitorao para uma determinada preciso.


Frequncia do evento 50% de preciso 90% de preciso
1 por dia 2 semanas 1 ano
1 por semana 4 meses 7 anos
1 por ms 1 ano 30 anos
1 por ano 16 anos 400 anos

Os nmeros da Tabela 2.1 foram obtidos a partir de uma estatstica baseada na


distribuio de Poisson.
O nmero de ocorrncia de afundamento de tenso est relacionado com o sistema
de religamento do sistema de proteo e com a origem dos curtos-circuitos no sistema
eltrico.
Existem tambm outras duas metodologias para contabilizar os afundamentos de
tenso devidos aos religamentos. A primeira metodologia considera todos os
afundamentos de tenso registrados, resultando em um nmero sobrestimado de
eventos. A segunda metodologia consiste em associar os registros de afundamentos
falta que os originou e, desta maneira, para cada falta na rede ser contabilizado um
nico distrbio. A sequncia de afundamentos pode se agrupar pelo meio de agregao
temporal dos distrbios. Com ajuda de uma janela de tempo so agregados todos os
eventos (afundamentos de tenso) que acontecem naquele intervalo em estudo.
Geralmente utilizado um intervalo de agregao de aproximadamente um minuto, para
acomodar a sequncia de operao tpica dos religadores automticos (LEBORGNE,
2003).

2.3.4 Diagrama fasorial (Tipos A, B, C, D, E, F, G)

Diferentemente dos outros mtodos, onde a caracterizao do afundamento de


tenso feita atravs da magnitude e da durao, este mtodo proposto por M. H. J.
Bollen (2000) considera a assimetria e desequilbrio dos fasores de tenso durante o
distrbio. Devido a isto, efeitos importantes podem ser desprezados, permitindo que os
comportamentos dos equipamentos sensveis, principalmente os trifsicos, possam ser
avaliados diante destas outras caractersticas dos afundamentos de tenso (BOLLEN,
2000; BOLLEN; GU, 2006).
35

O mtodo consiste
c naa teoria dass componenntes simtrricas e connsidera as faltas:
f
trifssicas, bifsiicas e monoofsicas; as diferentes conexes utilizadas
u noos equipammentos
eltriicos estrela e delta (Y e ); e dos diferentes tipos
t de con
nexes dos transformad
t dores.
Para o caso das componenntes simtriccas considerra-se que ass impednccias de sequuncia
posittiva, negativa e zero da fonte so s todas igguais, esta simplificao feita para
faciliitar o deseenvolvimennto analtico, o que resulta em m sete tipo os principaiis de
afunddamentos de d tenso triffsicos deseequilibradoss mostradoss na Figura 2.5 e Figura 2.6.
Se aas impednccias de seqquncia possitiva e zerro so diferrentes, tamb bm existe uma
mudaana nas teenses das fasesf no faltosas.
fa Se o sistema aterrado solidamente
s e esta
diferrena no significativva. Se o sisttema aterrrado atravs de resistncias ou attravs
de alltas impednncias, a sobre tenso naas fases noo faltosas poode ser de mais
m de 70% %.

Figura 2.55: Quatro tip


pos de afund
damentos deevido falta
a trifsica e monofsica
m
(BOLLEN; GU, 2006)..

tos devido falta bifsicca (BOLLE


Figgura 2.6: Trrs tipos de afundament
a EN; GU, 20006).

O afundam
Os mentos de ttipo A so
o devido s faltas trifsicas (simtricas) e deemais
por ffaltas assim
mtricas senndo que os afundamenntos de tippo B so devido s faltas
monoofsicas, oss de tipo C e D podeem ser deviido faltas bifsicas. O tipo C pode
ser causado por uma falta monofsica
m e a medioo realizadaa aps um transformad
t dor -
Y.
36

- Falta Trifsica-Terra: o afundamento gerado equilibrado e no sofre influncia


do tipo de conexo do transformador e nem da carga. Chama-se afundamento de tipo
A. Este tipo de afundamento mostra-se na Figura 2.7.

- Falta Fase-Terra: existe afundamento desequilibrado de tenso, ou seja,


afundamento somente na fase defeituosa e dizer afundamentos de tipo B como se
mostra na Figura 2.8. Este tipo de afundamento contm componente de tenso de
sequncia zero, raramente percebidos nos terminais das cargas, devido filtragem dos
transformadores com conexo -Y. No caso em que a carga estiver ligada em Y, no
existir mudana no afundamento, ou seja, segui sendo afundamento do tipo B.
Contudo, se a carga estiver conectada em sentir uma queda na amplitude e mudana
no ngulo das duas fases no faltosas, e a terceira fase retornar posio normal, este
tipo de afundamento chamado de tipo C e mostrado na Figura 2.9.
O diagrama fasorial tipo C tambm representa a transformao do afundamento
atravs de um transformador -Y, onde a carga conectada em Y no secundrio. No
caso que a carga estiver conectada em , ir experimentar uma queda de tenso nas trs
fases com mudana de ngulo em duas delas, o diagrama fasorial que representa este
tipo de afundamento mostrado na Figura 2.10 e chamado de afundamento Tipo D.

- Falta Fase-Fase: existe afundamento desequilibrado de tenso, ou seja,


afundamento de tenso e mudana de ngulo nas duas fases faltosas, sendo que a
terceira no se modifica nem em mdulo nem ngulo, chama-se afundamento do Tipo
C. Em caso que a carga seja conectada em Y no existir mudana no afundamento,
mas se ela estiver conectada em , existir afundamento nas trs fases e mudana de
ngulo em fases faltosas, chama-se afundamento do Tipo D.
Se a falta Fase-Fase ocorre no lado primrio de um transformador conectado em -
Y uma carga conectada em Y no secundrio experimentar um afundamento do Tipo
D, se uma carga conectada em sentir um afundamento do Tipo C.

- Falta Fase-Fase-Terra: existe afundamento desequilibrado de tenso, ou seja,


afundamento de tenso e mudana de ngulo nas duas fases faltosas, sendo que a
terceira se modifica em mdulo, mas no em ngulo, este tipo de afundamento chama-
se afundamento do Tipo F e mostrado na Figura 2.12.

Para os distintos tipos de falta Fase-Fase-Terra existe um equivalente de falta Fase-


Terra. Por exemplo, um afundamento de Tipo F equivalente a um de Tipo D,o
afundamento de Tipo G (Figura 2.13) equivalente a um de Tipo C e o
afundamento de Tipo E equivalente a um de Tipo B. O afundamento de tenso
Tipo E mostrado na Figura 2.11.
Na continuao se descreve cada um dos tipos de afundamentos:

- Afundamento Tipo A
Va (V ) j (0)
1 1
Vb ( V ) j ( 3V ) (2.1)
2 2
1 1
Vc ( V ) j ( 3V )
2 2
37

Figuraa 2.7: Diagraama fasoriall e formas de onda - Afu


undamento Tipo A.
- Afuundamento Tipo
T B
Va (V ) j (0)
1 1
Vb ( ) j ( 3) (2.2)
2 2
1 1
Vc ( ) j ( 3)
2 2

Figura
a 2.8: Diagraama fasoriall e formas de onda - Afu
undamento Tipo B.
- Afuundamento Tipo
T C
Va (1)) j (0)
1 1
Vb ( ) j ( 3V ) (2.3)
2 2
1 1
Vc ( ) j ( 3V )
2 2

Figuraa 2.9: Diagraama fasoriall e formas de onda - Afu


undamento Tipo C.
38

- Afuundamento Tipo
T D
V (V ) j (0)
Va (
1 1
V ( V ) j ( 3V )
Vb (2.4)
2 2
1 1
V ( V ) j ( 3V )
Vc
2 2

Figura 2.10: Diagraama fasoria


al e formas de
d onda - Affundamento Tipo D.

- Afuundamento Tipo
T E
Va (1) j (0)
1 1
Vb ( V ) j ( 3V ) (2.5)
2 2
1 1
Vc ( V ) j ( 3V )
2 2

Figura 2.11: Diagrama fasoriaal e formas de


d onda - Affundamento Tipo E.

- Afuundamento Tipo
T F
Va (V ) j (00)
1 1 1
Vb ( V ) j ( 3 3V ) (2.6)
2 3 6
1 1 1
Vc ( V ) j ( 3 3V )
2 3 6
39

Figura 2.12: Diagrama fasoriaal e formas de


d onda - Affundamento Tipo F.

- Afuundamento Tipo
T G
2 1
Va ( V ) j (0)
3 3
1 1 1
Vb ( V ) j ( 3V ) (2.7)
3 6 2
1 1 1
Vc ( V ) j ( 3V )
3 6 2

Figura 2.13: Diagraama fasoriaal e formas de


d onda - Affundamento Tipo G.

A propagaaes dos afundamenntos de tennso pela rede


As r eltricca mudam suas
caracctersticas no
n apenas devido impednciaa de transfferncia enttre a origem m do
afunddamento e a carga, maas tambm por p causa doo tipo de coonexo dos transformaadores
atravvs dos quais se propagam e da conexo
c da prpria carrga (BRITO O; LEAO, 22006).
Seguundo os autoores Bollen,, M. H. J. e Zhang, L. ((BOLLEN, 1997; ZHA ANG, 2000)) tem-
se seete tipos de afundamennto de tenso trifsicoss como resu ultado do tiipo de faltaa e do
tipo de
d conexo do transforrmador e daa carga, classsificados como tipo A, A B, C, D, E,E Fe
G (BBOLLEN, 2000) descriitos anteriorrmente. Porrm, nesses estudos, poor simplificcao,
no consideradda a eliminaao da tenso de sequuncia zero em alguns tipos t de connexo
de transformado ores. Destess afundamenntos de tensso especifiicados someente os tipoos B e
E, os quais tm m origem eme faltas faase-terra e fase-fase-teerra, apreseentam tenso de
sequncia zero. Quando aplicados
a aoo primrio de transforrmadores com c circuitoos de
sequncia zero em aberto, esses afunddamentos de d tenso muudam suas componenttes de
tenso de sequnncia zero (B
BRITO; LEA AO, 2006).
O afundam
Os mentos de teenso sofreem modificaaes ao paassar atravs dos seguuintes
cincoo tipos de conexes de d transform madores: esstrela-estrelaa aterrada (YNyn);
( esstrela-
estrela com um lado no aterrado
a (YN Ny, Yyn); delta-delta (Dd); estreela aterrada--delta
40

(YNd) e estrela no aterrada-delta (Yd) (BRITO; LEAO, 2006). Uma questo


importante para destacar que as tenses no secundrio de transformadores com
conexo estrela-estrela com resistncia de terra dependem da magnitude da resistncia.
Para valores de resistncias baixas, o transformador comporta-se como solidamente
aterrado e as tenses de sequncia zero do primrio e do secundrio tornam-se iguais.
Para valores muito elevados de resistncia, o transformador comporta-se como um Yy
no aterrado; logo, ocorre remoo da tenso de sequncia zero do primrio.
Define-se uma varivel de nome h (0 h 1) qual indica a severidade na magnitude
e na abertura angular resultante do afundamento de tenso. Para um dado valor de h, os
diferentes tipos de afundamentos de tenso apresentam diferentes severidades, onde so
apresentados na Tabela 2.2 (BRITO; LEAO, 2006; RIBEIRO; MENDES, 2009) Em
geral, a menor magnitude entre as trs tenses fase-neutro ou fase-fase define a
severidade de um afundamento de tenso (DUGAN; McGRANAGHAM; BEATY,
1996).
Tabela 2.2: Representao matemtica para cada tipo de afundamento de tenso com
severidade h (BRITO; LEAO, 2006; RIBEIRO; MENDES, 2009).
Tipo A Tipo B
Va hV Va hV
1 3 1 3
Vb hV j hV Vb V j V
2 2 2 2
1 3 1 3
Vc hV j hV Vc V j V
2 2 2 2
Tipo C Tipo D
Va V Va hV
1 3 1 3
Vb V j hV Vb hV j V
2 2 2 2
1 3 1 3
Vc V j hV Vc hV j V
2 2 2 2
Tipo E Tipo F
Va V Va hV
1 3 1 3
Vb hV j hV Vb hV j 2 h V
2 2 2 12
1 3 1 3
Vc hV j
2 2
hV Vc hV j 2 h V
2 12
Tipo G
1
Va 2 h V
3
1 3
Vb 2 h V j hV
6 2
1 3
Vc 2 h V j hV
6 2
Na Tabela 2.3 pode-se observar o tipo do afundamento que experimenta uma carga
dependendo da sua conexo: estrela (tenso linha-neutro) ou delta (tenso linha-linha)
em funo do tipo de falta: trifsica (FFF ou FFFT), bifsica (FF), bifsica-terra (FFT) e
fase-terra (FT) (BRITO; LEAO, 2006).
41

Tabela 2.3: Relao entre tipo de falta, tipo de afundamento e conexo da carga.
Tipo de Conexo da carga
falta
Estrela Y Delta
FFFT A A
FFT E F
FF C D
FT B C

A Tabela 2.4, construda a partir das expresses da Tabela 2.2, apresenta a relao
existente entre os afundamentos de tenso dependendo do tipo de conexo da carga
(BRITO; LEAO, 2006).

Tabela 2.4: Relao entre afundamentos de tenso em cargas com conexo estrela e delta.
Conexo da
Tipo de afundamento no primrio
carga
Estrela A B C D E F G
Triangulo A C D C F G F

Na Tabela 2.5 mostra as anlises e clculos dos afundamentos de tenso, o tipo de


conexo dos transformadores existentes entre o local da falta e a carga poder
influenciar significativamente na magnitude e no ngulo de fase do afundamento
(RIBEIRO; MENDES, 2009).

Tabela 2.5: Transformao do tipo de afundamento no secundrio do transformador.


Conexo do
Tipo de afundamento no primrio
transformador
A B C D E F G
YNyn A B C D E F G
Yy, Dd, Dz A D C D G F G
Yd, Dy, Yz A C D C F G F

2.3.5 Perfil de tenso

Segundo vrios autores (DUGAN; McGRANAGHAM; BEATY, 2004; GMEZ


2005; BOLLEN; GU, 2006) o perfil da tenso durante um afundamento pode indicar a
origem do mesmo. Distintos casos sero detalhados a seguir.
A partida de um motor tem dois picos, um de magnitude baixa, ao inicio, devido
conexo de circuito indutivo, seguida de uma reta quase constante at que chega a uma
velocidade de regime e a magnitude aumenta rapidamente como mostrada na Figura
2.14. Em outras palavras a tenso tem um comportamento inverso corrente de partida.
No caso da energizao de transformadores, o afundamento de tenso mximo
apresenta-se em uma fase devido s condies de magnetismo remanente e ngulo de
conexo. No registro de tenso nota-se a queda brusca e a recuperao suave. Sua
caracterstica de afundamento de forma de onda deformada e unidirecional com
atenuao exponencial (GREENWOOD, 1991; BOLLEN; GU, 2006).
42

Figura 2.14: Affundamentoo de tenso provocado


p p partida de motor (G
pela GMEZ, 20005).

U exemploo de uma queda


Um q de tennso devidoo energizaao de um transformaador
vazioo mostraddo na Figura 2.15, ondde em dita figura
f se mostra
m o commportamentto das
tenses eficazess RMS durannte um cicloo at cerca de 30 cicloss. A energizzao leva a uma
grandde correntee (corrente inrush ou de magnetizao) qu ue se estabbiliza lentammente
(IEE
EE Std. 493 3, 2007; IEEEE Std. 1159, 20099). O deseequilbrio entree as fases
claraamente visv vel. Esta uma partee importantte para connceituar o afundamentto de
tenso devido energizaoo do transfoormador. Ouutra parte a recuperao exponencial,
deterrminada pello decaimennto do valoor da constante de tem mpo do fluxxo do ncleeo do
transsformador (B BOLLEN; GU,G 2006).

Figgura 2.15: Afundamento


A o de tenso causado
c porr energizao de transfo
ormador (IE
EEE
P1564
4 e CIGRE WGW 36-07, 2001).
2

Outra causaa do afundaamento de tenso basttante frequeente a soobrecarga que se


O
apressenta ao reconectar umm sistema aps
a um peerodo curtoo ou longo de tempo. Esta
sobree corrente devida perda de diversidade
d de cargas do
d sistema,, ou seja, so os
motoores e equipamentos quue permanecceram conecctados, parttindo simulttaneamente..
A causa maais frequennte dos afuundamentoss de tensoo so as faaltas que ggeram
afunddamentos de
d magnitudde no consstante deviddo variao da impeddncia de falta
f e
reao da carga (IEEE Std.
S 493, 20 007; IEEE Std. 11599, 2009). Esta
E variao de
impeedncia deevida ao arrco que ionniza o ar provocando um
u aumento o da corrennte de
falta e aumentanndo o afunddamento dee tenso, coomo mostraado na Figuura 2.16 e Figura
F
2.17..
43

Figu
ura 2.16: Variao da magnitude
m dee um afundaamento de teenso por ioonizao de falha
(GMEZ Z, 2005).

A partida ou u arranque de
d motores leva a uma queda de tenso sbita simultneea nas
trs fases seguiidas por um ma lenta reecuperao. Como um m motor de induo leeva a
mesmma correntee nas trs faases, a quedda de tensoo a mesm
ma nas trs fases.
f Em outras
o
palavvras, a partida do motor resulta em
m um afundaamento equilibrado.
E sistemass de baixa tenso,
Em t granndes cargass monofsiccas podem levar a reduues
de cuurta duraoo de tensoo durante a partida ou at mesmo durante a operao
o noormal
(BOL LEN, 2006)).

Figgura 2.17: Variao


V da magnitude
m de
d um afunddamento de tenso por desionizao
d o de
falha (GM
MEZ, 2005).

Torna-se funndamental o conhecim


T mento do com mportamentto das cargaas conectaddas ao
sistem
ma eltrico, como por exemplo, motores
m de grande pottncia, duraante a ocorrrncia
de umma falta. Innicialmente tais cargass comportam m-se como geradores e a seguir como
motoores, suavizaando as tennses iniciaiis e finais, ou
o seja, suav
vizando no decrscimoo e na
recupperao (G MEZ et all., 2002).
O mesmo coomportamennto ocorre quando q se dispe
d de cogerao
c jusante do PAC
(Ponnto do Acoplamento Coomum).
A modelagem exata da carga um ma tarefa difcil devido a vrios fatoores:
Gran nde nmero de tipos de cargas;
Faltaa de informaao precisaa a respeito da composiio da cargga;
A coomposio variante da carga deependendo das horas do dia, diaas da
semaana, estaoo do ano e co
ondies climatolgicaas e atmosfricas;
A poosio e consumo daas cargas no n so geeralmente dados
d acesssveis
(disp
ponveis).
44

A seguir, so apresentados modelos tpicos de cargas:


Impedncia constante;
Corrente constante;
Potncia constante;
Polinomial: uma relao de potncia/tenso de expresso polinomial;
Exponencial: uma relao de potncia/ tenso de expresso exponencial;
Dependente da frequncia: uma funo exponencial ou polinomial
multiplicada pelo um fator ou termo que tem a varivel frequncia.
No caso de uma recuperao de tenso aps a eliminao da falta, o instante da
recuperao da tenso, corresponde ao momento quando o disjuntor elimina a falta do
sistema. Os disjuntores eliminam a falta quando a corrente de falta tem um cruzamento
por zero. Seja cos o fator de potncia da corrente de falta. Ento, a corrente passando
por zero ocorre em um ngulo para a tenso pr-falta ou 180 mais tarde. O ponto da
onda de recuperao de tenso aps um afundamento devido a uma falha , portanto,
ou +180 (BOLLEN; GU, 2006).
A tenso aps a recuperao pode ser escrito como:
v (t ) Sen( t ) (2.8)
Com t = 0 no instante em recuperao. A recuperao da falta nem sempre ocorre no
mesmo instante para as trs fases. O ngulo da corrente de falta ser diferente para
diferentes tipos de defeitos, mas em geral eles so encontrados no mesmo intervalo de
valores: 45 a 60 para faltas em sistemas de distribuio; de 75 at 85 para faltas em
sistemas de transmisso. Consideramos apenas sistemas solidamente aterrados na
presente seco (BOLLEN; GU, 2006).

2.3.6 Salto de ngulo de fase (phase-angle jump)

A tenso fundamental de curto pode ser usada para caracterizar o evento. A


vantagem de usar a tenso fundamental que a informao do ngulo de fase obtida.
Para obter a tenso fundamental o conceito de janela deslizante usado tal como ocorre
para a obteno da tenso eficaz. Vrios mtodos so possveis para extrair as
componentes fundamentais da tenso. O mtodo mais utilizado a Transformada de
Fourier Discreta (DFT). Os diferentes mtodos do todos os mesmos resultados para um
sinal estacionrio, mas so diferentes para os transitrios no afundamento de tenso, que
ocorrem no inicio e recuperao de tenso (IEEE Std. 493, 2007).
Aplicando o conceito de janela deslizante os resultados sero uma tenso complexa
como uma funo do tempo. O valor absoluto desta tenso complexa est prximo do
valor da tenso eficaz. O comportamento de ngulo de fase descrito a seguir.
O salto de ngulo de fase (t) em ingls chamado phase-angle jump ou phase shift
caracterizado pela diferena entre o argumento do sinal real de tenso V(t) medido no
instante t e o argumento de um fasor que representa a evoluo da tenso no tempo de
uma senoide ideal, conforme expresso 0(t). O salto de fase (t) calculado atravs da
expresso (2.10). Em outras palavras: a diferena entre os ngulos de fase das tenses
fundamentais existentes antes e durante o afundamento de tenso (IEEE P1564 e
CIGRE WG 36-07, 2001).
45

0 t arg V 0 2 f0t (2.9)

t argV t 0 t ((2.10)

V t
t arg j 2f 0t
((2.11)
V 0
A expressoo seguinte (derivada das expresses anteriores) pode ser usada para
garanntir que o n
ngulo resulttante no inteervalo -180 e 180.
V t
t arrg ((2.12)
V 0 expp j 2f 0 t
O
Onde:

f0 frequnciaa fundamenttal (50 ou 600 Hz);


0(t)) argumeento da tennso fundam
mental no instante t, consideranndo a
evoluo sem disttrbio;
(t) salto de ngulo
de faase no instante t.

A Figura 2.1 18, mostra o argumentto da tensoo fundamenntal para um


ma onda sennoidal
ideall (0), bem como
c para uum afundam
mento de tennso ( arg(V
V(t)) ).

Figura 2.188: Argumentto da tenso e salto de ngulo de fasse (LEBORG


GNE, 2007)).

2.3.77 Ponto dee incio e poonto de fim


m do afundaamento

O ponto de incio do afundamentto represeentado pelo o ngulo dee fase da teenso


quanndo inicia o afundameento (IEEE P1159.2, 1998; IEEE E Std. 11599.3, 2003). Esta
caraccterstica dee simples definio no fcil dee ser extradda das meddies, devido s
limittaes na digitalizao dos sinais da
d tenso. O ponto de inicio
i do affundamento pode
ser obtido
o atravvs da utiliizao de filtros
f passa alto, utilizados em wavelets ((IEEE
P15664 e CIGRE E WG 36-077, 2001; IEE EE Std. 493, 2007).
O ponto dee fim de affundamentoo represenntado pelo ngulo dee fase da teenso
quanndo a mesm ma volta a seu valor de refernccia (IEEE P1159.2, 1998; 1 IEEEE Std.
46

1159.3, 2003). Este ngulo no est definido para afundamentos devido a partidas de
motores e energizao de transformadores (IEEE P1564 e CIGRE WG 36-07, 2001).
Alguns tipos de equipamentos, sobre tudo os rels eletromecnicos e contatores,
demonstraram ser afetados pelo ponto da onda de tenso do terminal no instante que
comea o afundamento de tenso (DJOKIC, MILANOVIC, KIRSCHEN, 2004).

2.4 Causas dos Afundamentos de Tenso


Os principais fenmenos que provocam afundamentos de tenso na rede eltrica
so:

2.4.1 Faltas

Falta em um circuito eltrico caracterizada por qualquer falha que interfira no


fluxo de corrente deste circuito (GRAINGER; STEVENSON, 1996).
Trata-se de sobrecargas excessivas (curtos-circuitos), produzindo o funcionamento
anormal do sistema. Estima-se que as faltas distribuem-se, quanto ao nmero de
ocorrncias, da seguinte maneira: 50% monofsicas; 20% bifsicas e 30% trifsicas
(EPRI, 1983; GMEZ, 2005). Estes valores so restritos a cada situao no se pode
afirmar que so vlidos sempre.
Os curtos-circuitos no sistema eltrico causam a abertura de disjuntores para isolar o
defeito do sistema eltrico restante. Se o defeito no isolado o distrbio transmitido
ao sistema eltrico restante, causando sub-tenses ou sobre-tenses, e tambm
interrupes.
No prximo capitulo, sero descritos os tipos de faltas que podem ocorrer em um
SEP.

2.4.2 Descargas atmosfricas

As descargas atmosfricas tanto diretas e indiretas sobre as linhas de transmisso e


distribuio causam os fenmenos denominados surtos de tenso (sobre tenses), e estes
so caracterizados pelo tempo de subida (ou tempo de crista), tempo de queda (ou
tempo de cauda) e pelo valor de pico da tenso. Em geral, os surtos so caracterizados
por serem de frequncia normalmente superior a 5 kHz e durao menor que 200 s.
Em sistemas com boa manuteno as faltas que acontecem so devidas quase
exclusivamente a fenmenos atmosfricos, e estes podem ser controlados, mas no
evitados. Os supressores de surto (para-raios polimricos) de sobre-tenso impedem os
danos aos dispositivos do circuito, mas a sua interveno gera afundamentos de tenso.
Segundo (GMEZ, 2005; SANKARAN, 2002) em certos sistemas de distribuio as
descargas atmosfricas causam de 70 % a 80 % dos afundamentos de tenso. As sobre
tenses, que em alguns casos rompem a isolao da cadeia de isoladores, ocasionam
curtos circuitos fase-terra. Que pode se correlacionar com o nmero esperado de
afundamentos de tenso como o nvel cerunico da regio (CONRAD; LITTLE;
GRIGG, 1991). De fato no todas as descargas atmosfricas resultam em curtos-
circuitos e consequentemente em afundamentos de tenso; a maioria dos sistemas
eltricos projetado para manter operao normal para perto de 95% das sobre tenses
de origem atmosfricas.
47

2.4.33 Energizaao e parttidas de carrgas

A energizao e partidda de cargass indutivas, tambm chhamadas caargas indiviiduais


ou ccom baixos nveis de agregao, produz traansitrios de d conexo que causaam os
afunddamentos de
d tenso (SA ANKARAM M, 2002). As
A principais cargas cujja partida prroduz
afunddamentos so
s motoress, transform madores e tambm alguns tipos de circuitoos de
ilumiinao (G
MEZ, 20055). O compoortamento da d tenso efficaz provoccada pela paartida
de umm motor se observa na Figura 2.199.

Figgura 2.19: Afundamento


A o de tenso causado
c pella partida dee um motor (IEEE P15664 e
C
CIGRE WG 36-07, 2001).
O chaveam
Os mentos de eqquipamentoos que demaandam altass correntes de energizaao -
por eexemplo: a entrada em m operao o ou a eneergizao dee grandes transformad
t dores,
bancos de capacitores, lonngas linhas de transmissso podeem produziir transitrios ao
sistemma eltrico. Estes em geral, no chegam a interromper
i r o fornecim
mento de ennergia
eltriica, mas podem trazer transtornoss ao processso de produo pois altteram a form
ma da
ondaa da energiaa eltrica forrnecida pelaa concessioonria (IEEE
E Std. 446, 1987; IEEEE Std.
11599, 2009). Poodem-se observar tais comportam mentos da teenso do vaalor eficaz, como
tambbm o valor instantneoo, na Figuraa 2.20.

Figu
ura 2.20: Affundamento de tenso RMS
R e Instaantneo (IEE
EE P1564 e CIGRE
C WG
G 36-
07, 2001).
48

2.4.4 Conexo de parte ou da totalidade do sistema logo aps uma interrupo

A conexo de parte ou da totalidade do sistema, instantes aps uma interrupo,


denomina-se partida em quente se a interrupo foi de uma durao da ordem de 3 a 10
minutos e partida em frio em caso contrrio. Estudos sobre partidas em quente esto
relacionados com esquemas de proteo usando religadores e fusveis (GMEZ, 2005).
A reduo repentina da tenso de fornecimento, seguida por sua recuperao tal como
descrito, causa o fenmeno descrito como afundamento de tenso.

2.4.5 Causas diversas

Existem diversos fatores que contribuem para ocorrncia de curtos circuitos como as
queimadas acidentais ou intencionais debaixo de linhas de transmisso, sub-transmisso
e distribuio, contatos acidentais nas redes de distribuio, vendavais, vandalismo,
acidentes rodovirios, ramos de rvores, contatos de aves e animais, etc. (SANKARAN,
2002; LEBORGNE, 2003).
Outras causas so a poluio ambiental e a maresia. No caso da fuligem ambiental
gerada pelas indstrias, automotores, etc., esta depositada sobre os isoladores e
equipamentos, e em contato com a umidade provoca a ocorrncia de faltas a terra
(correntes de contorno) devido s sobre tenses tanto de manobra ou de origem
atmosfrica (LEBORGNE, 2003).

2.5 Consequncias do Afundamento de Tenso nas Cargas


A sensibilidade dos equipamentos que experimentam o efeito do afundamento de
tenso depende diretamente da capacidade (imunidade) do equipamento de uso final da
energia. A capacidade est relacionada com a tenso mnima para funcionamento
estvel (tenso de projeto) e com a energia armazenada no equipamento em estudo, seja
no campo eltrico, magntico ou na inrcia das massas em rotao.
A competitividade entre os fabricantes provocou a reduo do armazenamento de
energia nos dispositivos, devido a isto so mais susceptveis aos afundamentos de
tenso (GMEZ, 2005).
As fontes de informao atuais so duas:
- Informao fornecida pelo fabricante;
- Resultados de levantamentos de dados experimentais.

2.5.1 Informao fornecida pelo fabricante

Trata-se simplesmente de um par de pontos ou pares ordenados de pontos ou


tambm grficos de coordenadas similares as curvas CBEMA e ITIC. O usurio, ao
contar com coordenadas de um s ponto define dois segmentos, um vertical e outro
horizontal. Significa que o equipamento suporta interrupes de menor durao que a
coordenada de tempo e suporta por tempo indefinido qualquer afundamento de tenso
de magnitude maior que a coordenada do ponto (GMEZ, 2005).
De maior utilidade seria se o fabricante de equipamentos sensveis proporcionasse
informao sobre o nvel de imunidade de seus aparelhos como o caso de curva
tempo-tenso que somente dar um ponto relacionado com a curva.
49

A norma (IEEE Std.1346, 1998), seguindo o critrio do ponto nico, estabelece


valores de tolerncia de tenso para os equipamentos sensveis indicando trs valores
correspondentes faixa tpica superior, meio e baixo, disponveis no mercado.
As cargas mais sensveis aos afundamentos de tenso so: PLCs, Acionamento de
motores (variador de velocidades), Rels, Contatores, PCs. Os citados valores se
transcrevem na Tabela 2.6 seguinte e a modo de exemplo, se mostra na Figura 2.21 os
valores tpicos de acionamento de motores.
A imunidade ou tolerncia de todos estes equipamentos diversa, at para um
mesmo tipo de equipamento a imunidade depende da marca e do modelo do
equipamento. A Tabela 2.6, tomada da norma IEEE Std. 1346, 1998 d faixas de
imunidade de distintos tipos de equipamentos atualmente em uso.

Tabela 2.6: Nveis de imunidade definidos pela IEEE Std. 1346 - 1998.
Imunidade Mnima Mdia Mxima
Equipamento % ms % ms % ms
PLC 75 15 62 270 48 620
Porto (Card) de entrada PLC 82 20 55 40 32 40
ASD 82 15 77 50 60 85
Rel AC 77 10 68 15 60 35
Arrancador 60 15 50 50 40 85
PC 80 35 60 50 50 65

Os valores apresentados na Tabela 2.6 devem ser interpretados da seguinte forma.


Uma imunidade de 15 ms e 75 % implica que o equipamento pode tolerar uma tenso
de zero Volts durante 15 milissegundos e uma tenso de 75 % do valor nominal de
forma indefinida. Um afundamento de tenso de maior durao que 15 ms e de maior
magnitude que 75 % produzir a desconexo ou o mau funcionamento do equipamento.

2.5.2 Resultados de levantamentos experimentais

Devido aos problemas causados pelos afundamentos de tenso e pela falta de


informao dos fabricantes de equipamentos, iniciaram-se levantamentos experimentais
dos equipamentos disponveis no mercado. Primeiramente na dcada de 1970 com os
primeiros PCs, seguindo com equipamentos industriais e eletrodomsticos, continuando
na atualidade com os equipamentos industriais de ltima gerao (GMEZ, 2005).
Na dcada de 1970, quando surgiram os problemas antes nomeados, as cargas
apresentavam uma alta indisponibilidade devido a sua elevada sensibilidade. De fato os
sistemas eltricos nesse momento no se encontravam projetados para as cargas
altamente sensveis.
Na atualidade as curvas de sensibilidade frente a afundamentos de tenso so
determinadas pelos levantamentos nos equipamentos individuais, linhas de produo e
nas plantas industriais completas. Na Figura 2.21 pode-se observar a curva de tolerncia
de afundamento de tenso de um acionamento de um motor de 5 HP (IEC 61000-4-11,
1994; IEEE Std. 1346, 1998).
50

Figgura 2.21: Nveis tpicos de imunidaade dos acion


namentos pa
ara motoress definidos, p
pela
IEEE Std. 1346-1998
1 e IEC 61000--4-11-1994.

2.6 rea de Vulneraabilidade ou Regio de Senssibilidadee


rea de vullnerabilidadde tambm
m chamadaa de zona crtica
c (G
MEZ, 20055) ou
regio de sensibbilidade (DUUGAN; MccGRANAG GHAM; BEA ATY, 2004). O conceiito de
rea de vulnerabbilidade foii desenvolvvido para ajudar na avaaliao da probabilidad
p de de
uma carga espeecfica estaar sujeita a afundameentos de teenso de um ma determminada
ampllitude.
O afundam
Os mentos de tenso
t deveem ser levvados em contac duran
nte o projetto da
topollogia da red
de e especialmente no estudo
e das pprotees em
m circuitos radiais.
r
A zona ondde a ocorrnncia de um ma falta prooduz um affundamento de tenso,, cuja
magnnitude provoca falha no funcionam mento da caarga sensveel na barra de d observao,
denoominada de rea de vulnnerabilidadee.
A reas dee vulnerabillidade estoo relacionadas com o dispositivoo, pois podde ser
As
vulneervel para um PLC mas m no parra um dispoositivo de paartida de motor m ou varriador
de veelocidade (GGMEZ, 20005). imp portante recoordar que quuanto mais sensvel a ccarga,
maioor ser a suaa rea de vulnerabilidad de.
A rea de vulnerabilid
v dade definida para uum consum midor especcfico e parra um
limitte de tenso de afundam mento. Ditoo limite de tenso estaabelecido a partir do tippo de
cargaa do consum midor. Sabeendo a senssibilidade daa carga deteermina-se qual q o vallor de
afunddamento dee tenso quee afeta esta carga podenndo-se defin nir, ento, a rea geogrrfica
ou rrea de vulneerabilidade da carga.
A rea de vuulnerabilidaade feita pelo meio dee clculos de d curto circcuito ao longgo do
sistemma eltrico. A Figura 2.22 mostrra as reas de vulnerab bilidade deffinidas paraa uma
barraa (carga) especfica. Istto significaa, por exempplo, para um ma falta emm qualquer ponto
p
dentrro da reaa de 50% a carga sofrer prroblemas de d mal fun ncionamento ou
desligamentos reeferidos a afundamento
a os com maggnitude de 50%.
5
51

Fiigura 2.22: Linhas


L de iggual magnitu
ude de afund
damentos de tenso (G
MEZ, 20005).

2.7 Normaas ou Recoomendaes Nacionais e Intternacionais


O documenntos da Leggislao Naccional que abordam
Os a diiretamente os
o afundam
mentos
de ttenso so os Proceddimentos de
d Distribuuio PRO ODIST, da ANEEL, e os
Proceedimentos de
d Rede do ONS.

2.7.11 ANEEL Procedim mentos de Distribuio de Eneergia Eltrrica no Sisstema


Eltrico Nacional (PRODIST
( T) Mduloo 8 Qualidaade da Enerrgia Eltricca

Tem porr objetivo esstabelecer os


o procedim
mentos relattivos qualidade da ennergia
eltrica (QEE), aboordando a qualidade do produtoo e a qualiddade do seervio
prestado.
Para a qualidade
q doo produto define
d os conceitos
c (teerminologiaa) caracteriza os
fenmen nos, parmeetros e valores de refferncia relativos conformidad
c de de
tenso em
e regime permanente
p e e s pertuurbaes naa forma de onda de teenso,
estabeleccendo mecaanismos quue possibilittem ANE EEL fixar padres paara os
indicadoores de QEE
E.
Para a quualidade doos servios prestados
p estabelece a metodologgia para apuurao
dos indiccadores de continuidadde, dos temppos de atenndimento deefinindo lim
mites e
responsaabilidades.
Estabelece tambm a metodolo
ogia de monnitoramento automticoo dos indicaadores
de QEE.

2.7.22 ONS Sub-mdulo 2.8


2 Proced
dimentos de
d Rede

N
Neste docummento so definidas
d ass Variaes de Tenso de Curta Durao
D (VT
TCD),
sendoo os afunddamentos ded tenso classificado
c s como affundamento momentnneo e
tempporrio denntro do tippo de VTC CD. Esto descritas asa bases conceituais
c e os
52

procedimentos para o gerenciamento dos indicadores e os padres de desempenho do


Sistema Interligado Nacional (SIN), incluindo os de frequncia, de tenso, de
continuidade de servio e das funes de transmisso da rede bsica (OPERADOR
NACIONAL DO SISTEMA ELTRICO, 2009).
Os documentos no mbito Internacional que abordam os afundamentos de tenso e a
QEE so normas e recomendaes da IEEE, IEC, SEMI, CBEMA e ITIC, que sero
detalhados a continuao.

2.7.3 IEEE Std. 1159-2009 IEEE Recommended Practice for Monitoring


Electric Power Quality

Esta norma auxilia na monitorao e tambm na interpretao de resultados das


medies de distrbios da QEE. Define tambm cada tipo de distrbio em funo das
suas caractersticas como sendo a intensidade e durao.
a. Chama se Voltage Sag, Voltage Dip ou afundamento de tenso a reduo da
tenso eficaz para um valor entre 0,1 e 0,9 pu para o perodo de tempo compreendido
entre 0,5 ciclos e 1 minuto para frequncia nominal do sistema de potencia. Onde,
por sua vez, tem uma classificao adicional que depende da durao do
afundamento:
- Instantneos: entre 0,5 ciclos e 30 ciclos;
- Momentneos: entre 30 ciclos e 3 segundos;
- Temporrios: entre 3 segundos e 1 minuto.

b. A interrupo de curta durao um tipo de interrupo caracterizada por uma


completa perda de tenso, o seja, tenses menores do que 0,1pu (VRMS < 0,1 pu) em
um ou mais condutores de fase para um perodo de tempo entre 0,5 ciclos e 3
segundos;

c. Chama-se Swell a um aumento na tenso eficaz (VRMS) na frequncia de


alimentao para as duraes entre 0,5 ciclos a 1 min. Os valores tpicos de tenso
eficaz esto entre 1,1 a 1,8 pu.

2.7.4 IEEE Std. 1250-1995 IEEE Guide for Service to Equipment Sensitive to
Momentary Voltage Disturbances

Efeitos dos afundamentos de tenso em computadores e em outros equipamentos


sensveis.
Prope mtodos de mitigao para funcionamento satisfatrio de ditos
equipamentos sensvel.

2.7.5 IEEE Std. 446-1995 IEEE Recommended Practice For Emergency and
Standby Power Systems for Industrial and Commercial Applications
(Orange Book)

Conceitua o afundamento de tenso focando a sensibilidade de equipamentos e


os efeitos de partidas de motores e d recomendaes para ser utilizadas no
projeto para evitar os problemas dos afundamentos em aplicaes industriais e
comerciais.
53

2.7.6 IEEE Std. 493-2007 IEEE Recommended Practice for the Design of
Reliable Industrial and Commercial Power Systems (Gold Book)

O objetivo desta atualizao da norma IEEE Std. 493 (1990-1997) apresentar


os fundamentos da anlise econmica da confiabilidade para sistemas de
distribuio industrial e comercial.
As metodologias so apresentadas para estimar as caractersticas dos
afundamentos de tenso (magnitude, durao e frequncia de ocorrncia)
baseadas em simulao de curto circuito, dados de confiabilidade da
concessionria e tempo de atuao da proteo.
A intensidade do afundamento pode ser obtida atravs do clculo do curto
circuito quando so conhecidas as impedncias da rede, a impedncia da falta e a
localizao da falta.
Conhecendo-se os tempos tpicos de atuao das protees envolvidas pode se
estimar a durao do evento.
A frequncia de ocorrncia de afundamentos de tenso, ou seja, o nmero de
afundamentos de tenso para qualquer barra em interesse se pode estimar atravs
do conhecimento das estatsticas de faltas do sistema.
Os afundamentos de tenso so importantes para a confiabilidade industrial.

2.7.7 IEEE Std. 1100-1999 IEEE Recommended Practice For Powering and
Grounding Electronic Equipment (Emerald Book)

Recomendaes para alimentao e aterramento para melhorar o desempenho de


equipamentos eletrnicos e segurana da instalao.
Critrios e metodologias para a monitorao de afundamentos de tenso
baseados nas curvas CBEMA/ITIC.

2.7.8 IEEE Std. 1346-1998 IEEE Recommended Practice For Evaluating


Electric Power System Compatibility With Electronic Process Equipment

Metodologia para avaliao tcnica e financeira de compatibilidade entre a rede


de suprimento de energia e os processos industriais durante um afundamento de
tenso.
Recomenda metodologias de anlise da compatibilidade entre a rede de
suprimento e as cargas. utilizada durante a fase de projeto de instalaes
novas. Tanto que para redes j existentes no prope solues aos problemas da
QEE.

2.7.9 IEEE P1433 A Standard Glossary of Power Quality Terminology

Desenvolvimento de um conjunto nico de definies para todos os tipos de


distrbios da QEE.
54

2.7.10 IEEE P1564 Voltage Sags Indices

Descreve os ndices de afundamentos de tenso atravs da anlise da forma de


onda registrada durante distrbios da QEE.

2.7.11 IEC 61000 Electromagnetic Compatibility

Esta norma descreve os fenmenos (Compatibilidade Eletromagntica) e fornece


parmetros que auxiliam a fabricantes e usurios de equipamentos eletroeletrnicos do
ponto de vista de emissividade e imunidade frente aos distrbios de QEE. A norma est
dividida em normas bsicas e genricas.
As normas bsicas dizem respeito a aspectos gerais como, por exemplo,
caracterizao dos fenmenos, metodologias e tcnicas de ensaio. Em quanto s
genricas dizem respeito as famlias de produtos novos, onde se tem duas categorias:
Residenciais, Comerciais e Industriais Leves.
Industriais.

2.7.12 IEC 61000-4-30*, 2003-2 Electromagnetic Compatibility (EMC) - Part 4-30:


Testing and Measurement Techniques - Power Quality Measurement
Methods

Primeira norma internacional com definio e mtodo de medio para a


caracterizao mais comum de afundamentos de tenso magnitude e durao.
Define mtodos de medio para instrumentos de QEE em 50 e 60 Hz.
Esta norma assegura que diferentes instrumentos de QEE usem as mesmas
definies, e tcnicas de medio, para vrios parmetros de QEE: afundamento,
swells (elevaes), frequncia, harmnicos, flicker (flutuaes), etc.
Equipamentos em no conformidade com a norma podem usar suas definies
prprias.

A norma IEC 61000-4-30 (2003) define Variaes de Tenso de Curta Durao como:

Voltage Sag ou Voltage Dip: a reduo temporria da tenso num ponto do


sistema eltrico abaixo de um limiar.
Interruption: a reduo da tenso num ponto do sistema eltrico abaixo de um
limiar.
Swell: aumento temporal da tenso no ponto do sistema eltrico por acima de
um limiar.

2.7.13 IEC 61000-2-1 (1990-05) clause 8 Voltage Dips and Short Supply
Interruption

Esta norma descreve os afundamentos, considerando os parmetros intensidade e


durao, as causas e os efeitos sobre cargas sensveis.
55

2.7.114 SEMI F42-0999


F Test Method For Semiconducttor Processsing Equipment
Voltage Sag Immu
unity

Esta norrma define a metodollogia de teeste para determinar


d a tolernciaa dos
equipam
mentos frentee a afundam
mentos de teenso, visanndo o atendiimento da norma
n
SEMI F447.

2.7.115 SEMI F47-0200


F
Specificati
ion for Sem
miconductoor Processsing Equipment
Voltage Sag Immu
unity

Indica o nvel de imunidade que devem m possuir os processoos para fabbricar


semicondutores. A Figura 2.23 mostra a curva de tolerncia
t especificada
e a para
afundammentos de teenso cuja durao
d estt entre 50 milissegunddos e 1 seggundo
(sensibillidade mxima admitidda). A norma no permite a utilizao de UPS S com
o objetivvo de melhoorar a tolernncia dos proocessos.

Figurra 2.23: Currva de tolerncia segundo a norma SEMI F47--0200.

2.7.116 SEMI F47-0706


F S
Specificatio
on for Sem
miconductoor Processing Equipment
Voltage Sag Immu
unity

Define o nvel de imunidade


i a afundamento de tennso e interrrupo de curta
durao para os processos de seemicondutoores.
Curva dee tolernciaa especificaada na Figuura 2.24 paara afundam
mentos de teenso
cuja duraao est enntre 1 e 1000 ciclos.
56

Pontos Vermelh
P hos - Puntos de prueba requerida.
T
Tringulos azules - Lugares reccomendados

F
Figura 2.24:: Curva SEM
MI F47-07066.

2.7.117 Curva CBEMA (Compu uter Busiiness Equ uipment Manufactu urers
Associattion) e a cu
urva ITIC (Informatioon Technology Industtry Councill)

N
Nos EUA h instituuies quee relataram m especificaes com respeitoo ao
estabbelecimentoo de nveis ded tolernciaa aos afundamentos de tenso.
A curva CB BEMA uma u das reeferncias amplamente
a e utilizada,, esta curvva foi
apressentada pelaa primeira vez em 19887, na IEEE E Std. 446.. A curva foif originalm mente
criadda pelos fabrricantes de computado ores, os quaiis especificaavam faixass de operao em
que os equipam mentos aprresentavam erros de funcioname
f ento ou dannos. Esta curva
tornoou-se parm metro compparativo dee tolernciaa de microprocessadorres. Contuddo, o
correeto seria dispor de umaa curva espeecfica para cada equipaamento a seer analisado.
A comparao feita atravs da superposio de ponto os referentees amplituude e
durao dos afuundamentoss sobre o plano p da cuurva. Na Figura 2.25 e Figura 2..26, a
regio compreeendida entree as curvass consideerada comoo regio acceitvel para um
distrbio.
N Figura 2.26, a regio acima estt sujeita a danos ao eqquipamento
Na o por elevao de
tenso e chammada regio de susceptib bilidade, coom possibiliidade de rupptura da isoolao
dos equipamento
e os (perda dee hardware)), devido ocorrncia
o d sobre tennses transittrias
de
e elevvaes de teenso. Paraa o caso de sobre
s tensees esta regio de muitto interesse.
A regio infferior est suujeita a mauu funcionammento ou deesligamento do equipam mento
por aafundamentto de tensoo. chamaada regio de d sensibilidade, com possibilidadde de
paradda de operaao dos eqquipamentos, em virtuude da ocorrrncia de afundament
a os de
tenso, juntamen nte com as interrupees momentneas. Para o caso de afundament
a tos de
tenso esta regio de muitto interesse.
57

Figura 2.25: Envvelope de tolerncia de tenso tpicco para sistema computaacional adap
ptado
da norma IEEE
I Std. 446 - 1987. Curva
C CBEM MA (POMILLIO, 2007).

Figura 2.26: Envvelope de tolerncia de tenso tpicco para sistema computaacional adap
ptado
da normaa IEEE Std.. 446 - 1987. Curva ITIC C (POMILIO, 2007).
Uma nova verso
U v destta curva foii proposta. Tem o objjetivo de trraduzir melhor a
realiddade das especifica
e es dos microprocess
m sadores. A curva ITIIC (Inform mation
Techhnology Inddustry Counncil) possui algumas modificaes
m s de faixa de
d amplitudde em
relao curva da
d CBEMA A.
P
Para o casoo da curva ITIC as regies
r de susceptibiliidade (supeerior), regio de
imunnidade (meio) e a regio de seensibilidadee (inferior) so equivvalentes a curva
CBE EMA.
58

A curva daa CBEMA considerrada uma referncia


r internacionaal, sendo menos
m
exigeente para duuraes de 1/2
1 ciclo quue a curva IT
TIC e mais exigente paara duraess de 1
a 4 ciclos, comoo mostra a Figura
F 2.27.

F
Figura 2.27:: Comparao de curvaas CBEMA, ITIC e SEM
MI F47 (GMEZ, 2005)).

2.8 Resumo
N
Neste captu
ulo foram apresentadas
a s as definies bsicass sobre os afundament
a tos de
tenso e as suaas causas. AAinda, com mentou-se ass consequnncias dos afundamento
a os de
tenso nas cargaas tais como: sensibiliddade dos eqquipamentos, normas e recomendaes
nacioonais e intternacionaiss, informao fornecida pelo fabricante
f e resultadoos de
levanntamentos experimenta
e ais.
A
Apresentaram m-se, tam mbm, os conceitos bsicos sobre caraacterizao dos
afunddamentos ded tenso, tais como: magnitudee, durao, frequnciaa de ocorrncia,
diagrrama fasorial, perfil dee tenso, saalto de nguulo de fase, ponto de incio e ponnto de
fim, e os fatoress que afetam
m estes parmetros e quue permitiro compreeender os asssuntos
que ssero abordados nos caaptulos subsequentes.
59

3 MTODOS DE SIMULAO

3.1 Introduo
Sistemas eltricos de potncia esto frequentemente expostos a interrupes,
principalmente devido s faltas e/ou operao incorreta (HOROWITZ; PHADKE,
2009). Uma falta, no contexto de SEP, definida como qualquer distrbio que interfere
no fluxo de potncia normal da rede eltrica (GRAINGER; STEVENSON, 1996). As
faltas afetam a confiabilidade do SEP, a segurana e a qualidade da energia eltrica
fornecida, e podem ser consideradas como um fenmeno estocstico.
Os mtodos de anlise de faltas so uma importante ferramenta para determinar as
tenses e correntes do SEP durante a ocorrncia de distrbios. Eles fornecem
importantes informaes para o ajuste, a coordenao das protees e para a anlise da
eficincia do sistema, bem como para a especificao de equipamentos. Na atualidade,
so propostas e utilizadas trs abordagens para a anlise de faltas (HALPIN; GRIGSBY,
1994):
- Anlise clssica por meio das componentes simtricas;
- Anlise por componentes de fases;
- Anlise mediante simulaes no domnio de tempo.

A anlise clssica de faltas no SEP se baseia na abordagem de componentes


simtricas (ANDERSON, 1973; HALPIN et al., 1994). O problema de determinar as
correntes e as tenses em curtos circuitos desequilibrados (tais como faltas fase-terra,
faltas fase-fase, faltas fase-fase-terra e abertura de condutores) foi um dos primeiros a
ser solucionados pelo mtodo das componentes simtricas (HARDER, 1937; AMCHIN;
GROSS, 1951). O mtodo das componentes simtricas transforma um conjunto de
correntes e tenses desequilibradas em componentes de sequncia positiva, negativa e
zero. O resultado final obtido pela combinao das diferentes sequncias para assim
achar o conjunto de correntes e tenses da rea em falta (ROYTMAN et al., 1982). No
mtodo das componentes simtricas os alimentadores e linhas de transmisso so
considerados trifsicos e idealmente transpostos e as cargas so consideradas idealmente
equilibradas. Assim, no caso de alimentadores ou linhas no transpostas, ou na presena
de laterais monofsicos, ou bifsicos o mtodo das componentes simtricas no de
fcil implementao (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987).
A abordagem da tcnica de anlise das componentes de fases foi originalmente
proposta por Laughton (1968) para levar em considerao o desequilbrio dos elementos
em sistemas de distribuio (HALPIN; GRIGSBY, 1995). No mtodo das componentes
60

de fases, as tenses e correntes do SEP esto relacionados atravs das matrizes de


impedncia e de admitncia com base na representao de estruturas de fases,
considerando as assimetrias tpicas da topologia de sistemas de distribuio submetidos
a faltas assimtricas (LAUGHTON, 1969). Entretanto, os resultados das anlises de
faltas no SEP dependem da impedncia de falta (DAGENHART, 2000).
No SEP duas faltas podem acontecer ao mesmo tempo em diferentes locais,
particularmente em sistemas com neutro no aterrado. Como conhecida, uma falta a
terra em um sistema no aterrado resulta em um incremento na tenso da fase em falta e
um incremento na sobre tenso de arco. Por outro lado, se no acontecer falta o
sistema pode estar numa condio de carga desequilibrada e pode ser representado por
mltiplas faltas shunt assimtricas (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987).
Quando um condutor avariado por uma falta fase terra ou entre fases pode
acontecer a no simultaneidade da abertura do disjuntor dos circuitos nos terminais da
linha avariada. Similares faltas podem acontecer enquanto o terceiro condutor aberto e
operando a linha com duas fases o sistema pode estar em condio de tenses
desequilibradas (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987).
O nmero de mtodos para a execuo de clculos de faltas simultneas incluindo
duas faltas foi estudado usando a anlise de componentes simtricas (ANDERSON,
1973). Esses mtodos so limitados para pequenos sistemas e envolvem algumas
suposies como assim tambm condutores transpostos e cargas equilibradas.
Em continuao sero apresentadas diversas metodologias de clculo de
afundamentos de tenso, quando da ocorrncia de defeitos no SEP.

3.2 Mtodos de clculo de afundamentos

3.2.1 Metodologia da Distncia Crtica

O Mtodo da Distncia crtica adequado para aplicaes em sistemas eltricos de


potncia radiais. O princpio desse mtodo baseado na determinao da posio da
falta no alimentador que gera um valor pr-determinado de afundamento de tenso
numa barra de interesse. O clculo realizado de forma analtica, usando expresses
simples permitindo localizar, no sistema, a posio da falta que gerou um afundamento
de tenso de determinada amplitude. A distncia deste ponto at barra de interesse
denominada de distncia crtica, sendo que os afundamentos de tenso mais severos
estaro associados ocorrncia de curtos-circuitos aqum da distncia crtica Lcrtica
calculada (CARVALHO FILHO, 2000; LEBORGNE, 2003). Com este mtodo
possvel a diviso do sistema atravs de reas de vulnerabilidade.
Adotando-se a barra mostrada no diagrama da Figura 3.1 como sendo o ponto de
acoplamento comum (PAC), a magnitude do afundamento de tenso registrada nesta
barra, devido a um defeito trifsico no ponto A, pode ser calculada por intermdio da
expresso seguinte, adotando-se tenso pr-falta de 1 pu (LEBORGNE, 2003).

Z2 Zf
VPAC (3.1)
Z1 Z 2 Z f
61

O
Onde:
VPAC Magnitude
M d afundameento de tensso no PAC
do C em pu;
Z2 imppedncia da linha entre a barra de acoplament
a to e o pontoo de falta em
m ;
Z1 imppedncia equuivalente daa fonte no ponto
p de aco
oplamento em
e ;
Zf impeedncia de falta
f em .

Figura 3..1: Diagram


ma simplificaado indicand
do o PAC.

A distncia crtica (Lcrtica) podee ser determ minada em m funo da d tenso ccrtica
admiitida (Vcrticaa), de acordoo com a equuao seguinnte que desppreza a imppedncia dee falta
(CARRVALHO FILHO, F 20000; LEBOR RGNE, 20033):

Z1 Vcrrtica
Lcrticca (3.2)
z 1 Vcrtica

O
Onde:
Lcrtica distncia
d crrtica em km
m;
z impedncia do aalimentador por unidade de compriimento em /km.

Os dados necessrios
O n s para exeecutar uma anlise completa
c n
num sistem
ma de
distriibuio so os seguintees:
- Nmero de alimentaadores ligad
dos no PAC
C;
- Impednncia por unnidade de compriment
c to de cada um dos alimentadore
a es ou
linhas dee transmisso;
- Comprim
mento total dos
d alimenttadores ou linhas de traansmisso.
- Impednncia da fontee.

3.2.22 Metodollogia das poosies de falta


f

O mtodo dasd posiess de falta deetermina o nmero espperado de afundament


a tos de
tenso em funo da sua am mplitude paara uma barrra especficca do sistem
ma. Esse mtodo
tem sido amplaamente utiliizado no clculo dos afundamen ntos de tensso em sisttemas
eltriicos de pottncia de grande
g portte (CARVA ALHO FILH HO, 2000).. Este mtoodo
baseaado na sisteemtica de simulao de faltas em e posiess progressivvas ao longgo do
sistemma eltrico,, principalm
mente nas linnhas de trannsmisso e distribuio
d o. Desta manneira,
podee-se avaliar a influnciaa da posioo da falta taanto na ampplitude comoo na durao dos
afunddamentos de tenso (CARVAL LHO, 19999; LEBOR RGNE, 20003). Tambm
conhhecido comoo mtodo doo curto-circcuito deslizaante. Este mtodo
m encoontra-se ilusstrado
na Fiigura 3.2, onde
o se poddem observaar diversos pontos de simulao de d curto-cirrcuito
ao loongo da linhha. Neste caaso, deseja--se conheceer o comporrtamento daa tenso na barra
do coonsumidor i (CARGA)) medida que q o ponto de defeito deslocadoo de posioo.
62

F
Figura 3.2: Diagrama
D u
unifilar, mttodo do curtto-deslizantee.

C
Cada posio de faltaa representaa faltas num
ma certa parte
p do sisstema, faltaas na
subestao e falltas entre 0 %, 25 %, 50 %, 75 % e 100 % da linha so mostraddas na
Figurra 3.3 e Tabbela 3.1.

Figura 3.3:
3 Posiess de falta.

Tab
bela 3.1: Desscrio das posies
p de falta.
f
Po
osies de faalta D
Descrio
1 Fallta no barram
mento da subbestao locaal
2 Faalta numa linhha, prxima subestao
o
3 Falta a 25% da linnha
4 Falta a 50% da linnha
5 Falta a 75% da linnha
6 Falta a 100% da liinha
7 Faltaa a 0% da lin
nha
8 Faltta no barrameento da subeestao remotta

A cada posiio de faltaa associaddo um nm mero esperad do de faltass. Atravs de


d um
progrrama de cllculo de currto circuito feito o clculo da am
mplitude doos afundameentos.
A preeciso destee resultado maior se forem
f acrescentadas mais
m posies de falta.
63

3.2.3 Metodologia das Posies de Falta versus Metodologia da Distncia Crtica

Os mtodos anteriormente citados so bem diferentes. Sendo o mtodo das posies


de falta um mtodo mais preciso e de uso mais geral, porem o mtodo da distncia
crtica tem bons resultados quando utilizado para sistemas radiais ou em sistemas
eltricos em que esta aproximao pode ser feita.
O mtodo das posies de falta necessita de uma modelagem de todo o sistema,
enquanto o mtodo das distncias crticas necessita dos seguintes dados:
- O nmero de linhas que se originam na subestao;
- O nvel de falta na subestao;
- A impedncia por unidade de comprimento de cada alimentador;
- As taxas de faltas das linhas.

3.3 Desempenho de uma barra


As linhas de transmisso e de distribuio so normalmente os principais
componentes considerados para determinar o desempenho de uma barra (ou
desempenho do SEP) ante os afundamentos de tenso.
Para a estimao do nmero de ocorrncias dos afundamentos de tenso por ano, so
utilizadas as estatsticas de taxas mdias de falta em linhas.
Os resultados de magnitude de afundamento dado em pu em cada barra observada
Bm obtidos para cada local de falta simulado fpn podem ser armazenados em uma
matriz conhecida como matriz de afundamento Vsag. A dimenso da matriz Vsag
dada pelo nmero de pontos de faltas simulados fpn e pelo nmero de barras
observadas Bm (OLGUIN; VUINOVICH; BOLLEN, 2006). A matriz afundamento de
tenso [Vsag] de dimenso [Bm x fpn] da forma do exemplo abaixo.

fp1 fp2 fp3 fp4 ... fpn


B1 0,50 0,92 0,96 0,77 ... 0,57
B2 0,23 0,98 0,49 0,82 ... 0,82
B3 0,66 0,78 0,99 0,95 ... 0,78

Bm 0,78 0,55 0,91 0,93 ... 0,69

Ou na forma matricial:
0,50 0,92 0,96 0, 77 0,57
0, 23 0,98 0, 49 0,82 0,82

Vsag 0, 66 0, 78 0,99 0,95 0, 78 (3.3)


0, 78 0,55 0,91 0,93 0, 69

A matriz Vsag transformada em uma matriz binria, onde seus elementos so 0


(zero) se a magnitude do afundamento de tenso maior do que o valor de limiar
escolhido (tipicamente 0,9 pu) e os elementos da matriz so 1 (um) se a magnitude do
64

afundamento de tenso menor do que o limiar de afundamento. A matriz afundamento


de tenso binria Vsag_b de dimenso [Bm x fpn] para o exemplo considerado:

fp1 fp2 fp3 fp4 ... fpn


B1 1 0 0 1 ... 1
B2 1 0 1 1 ... 1
B3 1 1 0 0 ... 1

Bm 1 1 0 0 ... 1

Ou na forma matricial:

1 0 0 1 1
1 0 1 1 1

Vsag _ b 1 1 0 0 1 (3.4)


1 1 0 0 1

Para obter o desempenho de cada barra, ou seja, o nmero esperado de


afundamentos de tenso por ano, necessrio conhecer a frequncia de ocorrncia de
cada uma das faltas simuladas. Estas frequncias podem ser organizadas em um vetor
chamado de vetor frequncia de ocorrncia ou frequncia de faltas:

1

2
3 (3.5)


n

Onde os i representam a frequncia de ocorrncia de afundamentos de tenso em


cada barra do sistema, da barra 1 at a barra n.
O produto da matriz de afundamentos de tenso binria Vsag_b vezes o vetor de
frequncia de faltas chama-se desempenho de cada barra #sags.

# sags Vsag _ b (3.6)

Assim, o vetor desempenho de cada barra #sags possui tantos elementos quantas
barras observadas, e cada elemento indica o nmero de afundamentos por ano em cada
barra, ou seja, o desempenho de cada barra (OLGUIN, 2005).
65

3.4 Ferramentas de Simulao de curtos-circuitos (Programas)


A seguir sero apresentados e detalhados os distintos softwares disponveis no
mercado que so utilizados pelas companhias de energia eltrica. Um deles o
programa ANAFAS baseado no mtodo das componentes simtricas e os outros so:
ATP/EMTP, PSCAD/EMTDC, PSS/E, Simulink e SimPowerSystems de MatLab, entre
outros. Estes ltimos baseiam-se na simulao de transitrios eletro-magnticos dando
solues no domnio do tempo, ou seja, o comportamento instantneo da tenso e da
corrente (ZAMORA et al., 2005).

3.4.1 Programa ANAFAS - Modelo de Componentes Simtricas (Sistemas


Equilibrados)

O programa ANAFAS fornece solues no regime permanente, ou seja, fasores do


afundamentos de tenso (ANAFAS, 2007). uma ferramenta interativa para anlise de
faltas em sistemas eltricos de qualquer porte, permitindo a modelagem fiel do sistema
(carregamento pr- falta, representao das cargas e da capacitncia das linhas, etc.) e a
simulao de diversos tipos de defeito, que podem ser compostos para definio de
faltas simultneas (CARVALHO, 1999).
um programa flexvel, permitindo a execuo de estudos individuais, onde o
usurio define cada caso; estudos macros, onde os casos so gerados automaticamente
pelo ANAFAS; soluo orientada a ponto de falta, cujo relatrio de resultados apresenta
as tenses e correntes de falta e de contribuio; soluo orientada a ponto de
monitorao, cujo relatrio de resultados apresenta o valor de grandezas definidas pelo
usurio (combinao linear de medies). Tambm permite que uma linha seja dividida
em intervalos de at 1 %, o que significaria 101 pontos intermedirios (de 0 % a 100
%). Para um sistema em estudo pode-se simular curtos circuitos FT, FF, FFT e FFFT
em todos os 101 pontos em cada linha do sistema (ANAFAS, 2007).

3.4.2 Programas de Transitrios Eletromagnticos (Sistemas equilibrados e


desequilibrados)

A simulao do SEP atravs softwares de transitrios eletromagnticos fornece


como resultado a forma de onda da tenso no domnio do tempo, a fim de se obter a
oscilografa do afundamento de tenso.
O estudo dos transitrios em SEP possibilita a compreenso dos distrbios que
podem ocorrer, auxiliando o projeto destes sistemas de forma a aumentar a
confiabilidade e segurana na operao dos mesmos, diminuindo a probabilidade de
falhas em equipamentos.
O software ATP/EMTP (Alternative Transients Program / Electro Magnetic
Transients Programs) mundialmente utilizado para estudo que envolve o regime
transitrio (transitrios eletromagnticos) em SEP e possui comprovada eficincia
(ZAMORA et al., 2005). Tambm possui uma extensa capacidade de modelagem e
recursos adicionais importantes (BONNEVILLE, 2010).
O programa ATP/EMTP permite a simulao de transitrios eletromagnticos em
redes polifsicas (trifsicas sem neutro, trifsicas com neutro, bifsicas e monofsicas),
com configuraes arbitrrias, atravs de um mtodo que utiliza a matriz de admitncia
de barras. A formulao matemtica baseada no mtodo das caractersticas chamado
mtodo de Bergeron utilizado para elementos com parmetros distribudos e o mtodo
66

da regra de integrao trapezoidal para elementos com parmetros concentrados


(DOMMEL, 1987; BIANCHI LASTRA, 1991; CAUE, 2001).
Como um programa digital no permite obter uma soluo contnua no tempo so
calculados valores em intervalos de tempo discretos (BIANCHI LASTRA, 1991).
O programa permite a representao de no linearidades, elementos com parmetros
concentrados, elementos com parmetros distribudos, chaves, transformadores,
reatores, geradores, etc., como assim tambm incorporar modelos especficos para casos
particulares por meio de cartes de programao (GISEP-CAUE, 1997).
De uma forma geral, so considerados parmetros em componentes de fases e em
componentes de sequncia (zero e positiva), dependendo do tipo de modelo.
A ferramenta a ser utilizado para automatizar as simulaes dos diversos casos de
faltas no software ATP/EMTP, atravs de uma interface em sistema operacional
Windows, chamada de F-Sim e programada atravs da linguagem C++, torna possvel
simulaes automticas dos casos de faltas pr-selecionadas pelo usurio (SALIM,
2007).
Os parmetros de falta so:
Tipo da falta (Fase-Terra, Fase-Fase Terra, Fase-Fase, Trifsica Terra);
Resistncia de falta;
Local da falta;
Instante de inicio de ocorrncia da falta e instante de extino da falta (para
faltas temporrias).
Aps escolher os parmetros da falta, so realizadas as simulaes. A simulao
alm de determinar os casos de falta a serem analisados, ao usurio cabe, ainda escolher
quais os tipos de arquivo que deseja manter aps as simulaes, ou seja, resultados das
simulaes no formato padro do ATP (*.pl4) ou ainda arquivos com resultados de
simulaes no formato (*.mat) de MatLab (2001), no caso do ATP (SALIM, 2008). A
ferramenta desenvolvida basicamente l o carto de entrada que representa o sistema em
regime permanente e cria novos cartes sistematicamente, inserindo as informaes da
falta nestes novos cartes. Para tanto, utilizada a linguagem de programao especfica
de cada um dos softwares de simulao (DOMMEL, 2002).
Em funo da complexidade na modelagem dos componentes do sistema, os
programas de transitrios eletromagnticos exigem maior esforo computacional.
Atualmente a grande evoluo da tecnologia dos microprocessadores, realiza
processamentos dentro de limites de tempo aceitveis.
As vantagens da simulao destes programas so: a exatido dos resultados e o
completo fornecimento de informaes relativas aos parmetros do distrbio
(DOMMEL; LIU, 1995), ou seja, a intensidade, durao e evoluo do valor eficaz do
afundamento de tenso em funo do tempo.
67

3.5 Clculoo de faltas pelo mtodo das componeentes de fa


ases
A representaao do sisttema eltricco de potnncia trifsicoo para conddies de reegime
perm
manente mostrada
m na Figura
F 3.4.

Figu
ura 3.4: Rep
presentao trifsica doo sistema de potncia (S
STAGG; EL
L-ABIAD, 19968).

E geral coom suficiennte exatidoo os estudos de curto circuito po


Em odem ser obbtidos
com a representao simpliificada (STAAGG; EL-A ABIAD, 19668).
A representaao simplifficada do sistema eltriico de potn
ncia trifsico obtida pela:
p
Represenntao de caada mquinna pela tenso constantte e sua reattncia transsitria
ou sub-trransitria.
Ajuste doos taps dos transformad
dores nos valores
v nomiinais.

O mtodo das d compoonentes de fases origiinalmente foi f proposto o por Laugghton


(1968), e tem siido usado para
p resolveer os probleemas de desequilbrio,, e como diiz seu
nomee, utiliza a estrutura ded fases paara a representao dos elementos do circuiito. O
deseqquilbrio coondicionadoo pelas granndes cargas monofsicaas, alimentaador ou linhha no
transsposta, pacoote de conddutores, enntre outros, refletidoo na matrizz de impeddncia
poliffsica. Conssequentemennte a remoo e adioo de linhas,, a mudanaa na impedncia,
aberttura de fasees e conduutores podem m ser simuuladas pela modificao da matrriz de
impeedncia basse. Assim, o mtodo de compoonentes de fases ttil para annalisar
qualqquer tipo ded falta mltipla ou siimples ocorrrendo em qualquer lugar do sisstema
(MAAKRAM; BO OU-RABEE E; GIRGIS, 1987; HAL LPIN; GRIG GSBY, 19955).
O uso da matriz impeddncia de baarra ZBarra ffornece um meio prticco de clcuulo de
correentes de currto-circuito e tenses du urante a faltta.
U dos avanos que,, uma vez que
Um q a matrizz de impedncia de barrra formadda, os
elem
mentos destaa matriz poodem ser usados u direetamente paara calcularr as correnntes e
tenses associaddas a vrioss tipos de faaltas e localiizao de faaltas (STAGGG; EL-AB BIAD,
19688).
A representaao do sisttema com faalta na barra p mostrrada na Figuura 3.5. A matriz
m
impeedncia de barra ZBarrra representada poor meio do o teorema de Thevennin, a
impeedncia inteerna com as derivaes representtada, incluin ndo a reatnncia da mqquina,
68

d barra anttes da falta (pr-


e a tenso de ciircuito aberrto represeentado pelaas tenses de
falta)).

Figu
ura 3.5: Representao trifsica
t do sistema de potncia
p com
m falta na barra p (STA
AGG;
EL-ABIAAD, 1968).

D acordo com a Figuraa 3.5 a equaao do sisteema durantee a falta :


De

F ) E(0) Z Baarra I ( F )
E(abc abc abbc abc
(3.4)

abc
O
Onde E(0) o vetor tenso pr-falta e I (abc
F ) o vetor corre
ente de faltaa na barra p::

E1(0
abcc
)



abc
E(0) E pabcc
(00) (3.5)


E abcc
n (00)
0


I (abc
F) I pabc
(F )
(3.6)


0

A matriz imp
pedncia dee barra Z Bar
abcc
rra

Z11abbc Z1abpbc Z1abc


n
c



abc
Z Barra Z pab1bc Z pp
abbc
p
abcc
Z pn (3.7)


Z abbc Z abbc Z abcc
n1 np nn
69

Para caso genrico

( F ) E n (0) Z np I p ( F )
Enabc abc abc abc
(3.8)

Os elementos de Z Barra
abc
so matrizes de dimenso 3x3. A equao E pabc
( F ) pode ser

escrita da forma:

E1(abcF ) E1(0)abc
Z1abc abc
p I1( F )



E pabc
(F )
E abc
p (0) Z abc abc
I
pp p ( F ) (3.9)


E abc E abc Z abc I abc
n ( F ) n (0) np p(F )

O vetor de tenso durante a falta na barra p da forma indicada na equao (3.5).

(F ) Z f I p(F )
E pabc abc abc
(3.10)

Onde Z abc abc


f a matriz impedncia de falta. Os elementos da matriz Z f so de
dimenso 3x3 e dependem do tipo de falta.

3.5.1 Falta Fase-Terra

Para calcular uma falta fase (a) para-a terra (g), a matriz impedncia de barra Z Barra
abc

modificada para considerar a impedncia de falta (resistncia de arco) Rf nos


elementos diagonais da falta na barra p. Se a falta sobre o alimentador, um novo n K
automaticamente introduzido sobre esse alimentador ou linha, como mostrado na
Figura 3.6. A matriz impedncia de barras se torna de dimenso (n + 3) x (n + 3) em
lugar de n x n, onde n o nmero e ns.
A matriz impedncia de barras modificada Znova pode se ento expressar como:

Z nova Z Barra Z f (3.11)

Onde:
Zf = Rf + j 0;
Rf = resistncia de arco em .

A diferena entre Znova e ZBarra a impedncia Zf no ponto de conduo na fase


faltosa em um n K. Assim:

Z nova ( K , K ) Z Barra ( K , K ) Z f (3.12)

A corrente de falta If calculada por:

I f V f / Z nova ( K , K ) V pr falta / Z nova ( K , K ) (3.13)


70

O
Onde:
Vf = valor
v negatiivo da tenso pr-falta Vk em um n
n faltoso K (Vk = Vpr--falta =
1
1pu).

Figura 3.6:
3 Falta Faase-Terra (M
MAKRAM; BOU-RABE
EE; GIRGIIS, 1987).

Agora, conssiderando o n K coomo o n faltoso na Figura 3.66, utilizanddo os


A
princcpios de suuperposio de tenso eme cada barrra devido injeo da corrente dee falta
calcuulada, If , e usando
u a maatriz impeddncia de baarras, vem:

Vi Z (i , K ) I f Z nova I f ((3.14)

O na form
Ou, ma matricial:

V1 Z 1,1 Z 1, K Z 1, N 0
V Z 2,1 Z 2, K Z 2, N 0
2

((3.15)
VK Z K ,1 Z K , K Z K , N I f


VN Z N ,1 Z N , K Z N , N 0

O
Onde i =1
N e K esccolhido com mo o n falttoso. Vi so a superpoosio de tennses
deviddo injeoo da correntte de falta. A soma da superposio de tenses devido a uma
falta fase-terra (a-g)
( e as tenses
t pr--falta nas barras,
b d o valor finall das tensees em
cada barra, ou seeja:

V ps faltta Vi V pr
p falta ((3.16)

Logo que so obtidas as


L a tenses emm cada barrra (Vps-falta),
) o sentido de correntee Ilinha
em ccada alimenntador podee ser facilm
mente enconntrado utiliizando a matriz
m admittncia
para cada alimeentador e a diferena de
d tenso, coomo desccrito na equuao (3.17)) e na
Figurra 3.7.
abc
I mn Ymnabc (Vmabc Vnabc ) ((3.17)
71

F
Figura 3.7: Corrente
C de linha no aliimentador trrifsico (MA
AKRAM; BOU-RABEE
E;
GIRGIS S, 1987).

3.5.22 Falta Faase-Fase-Teerra

N caso de uma falta fase-fase-te


No f erra (bc-g) nos
n ns L e M, como mostra a Figura
F
3.8, a matriz im mpedncia ded barras modificadaa para incluuir as duas impednciias de
falta ZfL e ZfM , como
c seguee:

( L , L ) Z Barra
Z nova ( L , L ) Z nova B ( L,L ) Z f ( L ) ((3.18)


n ( M , M ) Z Barra ( M , M ) Z f ( M )
Z nova ( M , M ) Z nova ((3.19)

Figura 3.8: Falta Fasee-Fase-Terra


a (MAKRAM
M; BOU-RA
ABEE; GIR
RGIS, 1987).

A corrente de
d falta paraa falta fase-ffase-terra dada por:
1
I fL Z (L , L ) a ( L , M ) V fLf
Z nova
I Z Z (M , M ) V fM
((3.20)
fM novva ( M , L )

O na formaa genrica:
Ou
I f Z nova 1V f ((3.21)
72

O
Onde:
VfL = -VL (Tenso pr-falta no n L);
VfM = -VM (Tensso pr-falta
a no n M).

A tenses sobrepostass devido injeo da corrente de


As d falta nos ns M e L so
obtiddas por:
V1 Z 1,1 Z 1, N 0
V Z 2,1 Z 2, N 0
2

VL Z L,1 Z L, N I fL ((3.22)

VM Z M ,1 Z M ,1 I fM

V Z N ,1
N Z N , N 0

O na form
Ou, ma genrica:

Vi Z (i , j ) I f Z nova I f ((3.23)

O
Onde:
i = 1 N , j = 1 N.
A tenso tottal de cada barra Vps-ffalta e a corrrente em cada fase do
o alimentaddor ou
linhaa Ilinha, so obtidas
o das equaes
e (3
3.16) e (3.177).

3.5.33 Falta Faase-Fase

A falta fase--fase (bc) reesulta quanddo duas fasees so curtoo-circuitadaas em p e q como


mosttra a Figura 3.9.

Figura 3.9: Falta Fase-Fase


F (M
MAKRAM; B
BOU-RABE
EE; GIRGIS
S, 1987).
73

A matriz Zbarra modificada como foi descrito previamente para incluir o novo n
bifsico onde acontece a falta. Os elementos de Zbarra correspondentes ao n p e q so
aumentados para incluir a resistncia de falta, visto j na equao (3.12). Assim tem-se:

( p , p ) Z Barra ( p , p ) R f / 2
Z nova ( p , p ) Z nova (3.24)

( q ,q ) Z Barra ( q ,q ) R f / 2
Z nova ( q ,q ) Z nova (3.25)

As correntes de falta injetadas nos ns p e q so obtidas como segue:

V fp Z (p , p ) ( p ,q ) I f
Z nova
V Z Z (q ,q ) I f
(3.26)
fq nova ( p ,q )

Isolando a corrente de falta:

Vf
If (3.27)
Z (p , p ) 2Z nova
( p , q ) Z (q , q )

Onde a tenso de falta :

V f V fq V fp (3.28)

Assim, as tenses superpostas so obtidas como: (V = Znova Ifalta).

V1 Z (1,1) Z (1, p ) Z (1,q ) Z (1, N ) 0




V p Z ( p ,1) Z( p, p) Z(q, p) Z( p,N ) I f
(3.29)
Vq Z ( q ,1) Z(q, p) Z ( q ,q ) Z(q,N ) I f


VM Z (1, N ) Z( p,N ) Z(q,N ) Z ( N , N ) 0

Ou na forma genrica:

Vi Z (i , j ) I f Z nova I f (3.30)

Onde i = 1 N , j = 1 N.

A tenso total de cada barra Vps-falta e a corrente em cada fase do alimentador Ilinha,
so obtidas das equaes (3.16) e (3.17).
74

3.5.44 Falta Trrifsica

A falta trifsica-terra (abc-g) ou s


s trifsica so as falttas menos provveis.
p C
Como
semppre, este tippo de falta a mais seevera de toddas. Ela representada
r a na Figuraa 3.10
juntoo com as tennses superppostas.

Figura 3.10: Falta Trifsica


T (M
MAKRAM; BOU-RABE
EE; GIRGIS
S, 1987).

A matriz im mpedncia dee barra ZBarrra modificcada para quue os elemeentos da diagonal
dos nns R, S e T incluam a resistncia
r de
d falta Rf como nas seguintes eqquaes:

va ( R , R ) Z Barrra ( R , R ) R fR / 2
Z noova ( R , R ) Z nov ((3.31)

va ( S , S ) Z Barrra ( S ,S ) R fS / 2
Z noova ( S , S ) Z nov ((3.32)

a (T ,T ) Z Barrra (T ,T ) R fT / 2
Z novva (T ,T ) Z nova ((3.33)

A correntes de falta em
As ( S e T) so IfR, IfS, IfT. A corrrente
e este n trifsico (R,
injetaada no resto dos ns zero. Por tanto, as correntes
c dee falta If nesstes trs ns so
obtiddas como:
1
I fR Z (R , R ) Z (R , S ) Z (R ,T ) V fR
f


I fS Z (S , R ) Z (S , S ) Z (S ,T ) V fSf ((3.34)
I fT Z (T , R ) Z (R , S ) Z (T ,T ) V fTf

O
Onde:
V fR = - tenso pr-falta
p no n R.
V fS = - tenso pr-falta
p no n S.
V fT = - tenso pr-falta
p no n T.
75

A tenses superpostas
As s s Vi em caada n so obtidas
o usaando a matrriz ZBarra oriiginal
comoo:
V1 Z (1,11) Z (1, R ) Z (1, S ) Z (1,T ) Z (1, N ) 0


VR Z ( R ,11) Z ( R,R) Z ( R,S ) Z ( R ,T ) Z( R,N ) I R

VS Z ( S ,11) Z(S ,R) Z ( S ,S ) Z ( S ,T ) Z(S ,N ) I S ((3.35)
VT Z (T ,11) Z (T , R ) Z (T , S ) Z (T ,T ) Z (T , N ) I T


V Z ( N , Z( N ,R) Z ( N ,S ) Z ( N ,T ) Z ( N , N ) 0
N 1)

A tenso tottal de cada barra


b Vps-faalta e a correente em cad
da fase do alimentador
a Ilinha,
so oobtidas das equaes
e (33.16) e (3.177).

3.6 Clculoo de faltas pelo Mtodo de Compone


C ntes Simtricas

3.6.11 Compon
nentes Simtricas

E mais de 70% dos cuurtos-circuittos, a falta do tipo fasse-terra, maas podem occorrer
Em
faltass bifsicas 15%, bifsiicas terra 10% ou at mesmo trrifsicas 5% % (ANDERSON,
19733). Apenas no n curto-cirrcuito trifssico, os conndutores daas trs fasess so igualm
mente
solicitados, comm as correnttes de falta de mesmo valor, mas defasados de d 120 enttre si.
Podee-se, ento, representarr apenas um m condutor de d quaisqueer das fases. Para os deemais
tiposs de faltas, originam-sse comportaamentos asssimtricos no sistemaa eltrico, sendo s
necessrios clcculos para determinar a assimetria das tensess e correntess.
A componeentes simttricas perm
As mitem que quantidades
q de correnttes e tenses de
fasess desequilib bradas posssam ser suubstitudas separadameente por trrs componnentes
equillibradas liinearmente independeentes cham madas de componeentes simtricas
(SAA ADAT, 200 02), cuja som
ma igual ao
a sistema original
o (FOORTESCUE E, 1918). Este o
teoreema de Forrtescue: podde represenntar-se qualquer sistem ma trifsico (equilibraddo ou
deseqquilibrado) como combbinao lineear deles. Para
P determiinar a respoosta de tenso ou
correente de tod do o sistem ma basta addicionar ass respostas dos vetorees de sequuncia
(FOR RTESCUE, 1918).
O fasores trrifsicos de correntes de
Os d sequnciaas so mostrrados na Figgura 3.11.

Figu
ura 3.11: Reepresentao vetorial daas Componeentes Simtrricas (FORT
TESCUE, 19918).
76

Os trs fasores so escritos como:

I a1 I a1 0 I a1
I b1 I a1 240 a 2 I a1 (3.36)
I c1 I a1 120 aI a1

Onde se define o operador a, tal que:

a 1120 0,5 j 0,866


a 2 1240 0,5 j 0,866 (3.37)
a 1360 1 j 0
3

Sabendo que:

1 a a2 0 (3.38)

No caso da sequncia positiva a sequncia de fases dos fasores abc mostrado na


Figura 3.11(a). Para o caso de sequncia negativa a sequencia de fases acb
representada na Figura 3.11(b):
I a2 I a2 0 I a2
I b2 I a2 120 aI a2 (3.39)
I c2 I a2 240 a 2 I a2

Os fasores de sequncia zero, os quais esto em fase, como mostrado na Figura 3.11
(c), so dados por:
I a0 I b0 I c0 (3.40)

Os ndices 1, 2, 0 so usados para representar a sequncia positiva, negativa e zero,


respectivamente.
A teoria de componentes simtricas foi desenvolvida por Dr. Charles LeGeyt
Fortescue em 1918 e trata-se de uma poderosa ferramenta matemtica que converte um
sistema de n fasores desequilibrados em n sistemas equilibrados, denominados
componentes simtricas dos fasores originais, sendo muito til no clculo de curtos-
circuitos desequilibrados conhecido como Mtodos de Componentes Simtricas
aplicado a solues de sistemas polifsicos. O mtodo consiste em determinar as
componentes simtricas da corrente de falta. A teoria bsica para resolver um sistema
trifsico de trs fasores desequilibrados, segundo o Teorema de Fortescue
(FORTESCUE, 1918) pode ser decomposto em trs sistemas trifsicos de trs fasores
equilibrados chamados de componentes simtricas de sequncia que so
(STEVENSON, 1986):
- Componente de sequncia positiva, composto por trs fasores equilibrados de
igual magnitude defasados de 120 graus um de outro, com a sequncia de fase
idntica do sistema trifsico original. Convencionalmente adota-se sequncia
abc e ndice 1 (um);
77

- Componente de sequncia negativa, composto por trs fasores equilibrados de


igual magnitude, defasados de 120 graus, que tem uma sequncia de fase oposta
do sistema trifsico original e convencionalmente adota-se sequncia acb e
ndice 2 (dois);
- Componente de sequncia zero, composto por trs fasores equilibrados de igual
magnitude e com deslocamento de fase zero um de outro. Convencionalmente
adota-se ndice 0 (zero).
Considerando o sistema trifsico com correntes desequilibradas, na equao (3.40),
acha-se como a soma das trs componentes de sequencias:

I a I a0 I a1 I a2
I b I b0 I b1 I a2 (3.40)
Ic I I I
0
c
1
c
2
c

Considerando a definio das componentes simtricas pode-se reescrever em termos


de componentes de fase, onde:

I a I a0 I a1 I a2
I b I a0 a 2 I a1 aI a2 (3.41)
I c I a0 aI a1 a 2 I a2

Ou tambm da seguinte forma:

I a 1 1 1 I a0
I 1 a 2
b a I a1 (3.42)
I c 1 a a 2 I a2

Em notao matricial:

I abc A I a012 (3.43)

Na equao (3.43) a matriz A conhecida como a matriz de transformao de


componentes simtricas que transforma os fasores de fase Iabc em fasores de
componentes simtricas I012.

1 1 1
A 1 a 2 a (3.44)
1 a a 2

Pode-se achar a corrente de componentes simtricas em notao matricial, atravs


de:

I 012 A1 I aabc (3.45)


78

Onde A-1 dada por:

1 1 1
1 1
1
A 1 a a 2 A * (3.46)
3 3
1 a 2 a

Sendo A* o conjugado complexo. Assim substituindo em (3.45) vem:

I a0 1 1 1 Ia
1 1
I a 3 1 a a 2 I b (3.47)
I a2 1 a 2 a I c

Expresses similares tambm existem para as tenses no sistema. Assim, para


tenses de fase desequilibrada em termos de componentes simtricas tem-se:

Va 1 1 1 Va0
V 1 a 2
b a Va1 (3.48)
Vc 1 a a 2 Va2

Em notao matricial, pode-se escrever:

V abc A Va012 (3.49)

As componentes simtricas em termos de tenses desequilibradas so:

Va0 1 1 1 Va
1
Va 1 a
2
a Vb (3.50)
Va2 1 a a 2 Vc

Em notao matricial, vem:

V 012 A1 Vaabc (3.51)

A potncia aparente pode ser expressa em termos de componentes simtricas. A


equao (3.52) mostra que a potncia total desequilibrada pode ser obtida como:

S(3 ) V abcT I abc* 3(V 012 I abcT ) 3Va0 I a0* 3Va1I a1* 3Va2 I a2* (3.52)
79

3.6.22 Modelo de impedncias de sequncias

D
Descrevem- se as imppedncias queq os differentes eqquipamentoss ou elem mentos
utilizzados no SEP
S apresenntam as differentes coorrentes de sequnciass. A impeddncia
ofereecida ao flu
uxo da correente de sequ
uncia posittiva conheecida comoo impednccia de
sequncia posittiva e denotada
d or Z1, a dee sequnciaa negativa por Z2, e a de
po
0
sequncia zero por
p Z.

3.6.22.1 Impedncias de cargas con


nectadas em
mY
U carga trifsica
Uma t equuilibrada com elementoos ou imped dncias prp prias Zs e mtuas
m
Zm coomo a mosttrada na Figgura 3.12, e o neutro daa carga aterrrado atravs da impeddncia
de neeutro ou terrra Zn.

Figura
a 3.12: Cargga equilibrada conexo estrela Y (SAADAT,, 2002).

A tenses fase-terra
As f so:

Va Z s I a Z m I b Z m I c Z n I n
Vb Z m I a Z s I b Z m I c Z n I n ((3.53)
Vc Z m I a Z m I b Z s I c Z n I n

P
Pelas leis dee Kirchhoff das correntes, tem-se:

I n I a Ib Ic ((3.54)

S
Substituindo
o (3.54) em (3.53), e reescrevendo em forma matricial,
m vem:

Va Z s Z n Zm Zn Zm Zn Ia
V Z Z Zs Zn Z m Z n I b ((3.55)
b m n

Vc Z m Z n Zm Zn Z s Z n I c

D forma co
De ompacta, esccreve-se:
V abc Z abc I aabc ((3.56)

E
Escrevendo V abc em term
mos das com
mponentes simtricas, obtem-se:

Va012 Z abc A I a012


AV ((3.57)
80

Multiplicando ambos os membros por A-1 vem:

Va012 A1Z abc AI a012 Z 012 I a012 (3.58)

Fazendo as multiplicaes das matrizes de impedncias resulta:

Z s 3Z n 2 Z n 0 0
Z 012 1
A Z abc
A 0 Zs Zm 0 (3.59)
0 0 Z s Z m

Para o caso em que as cargas no apresentam as impedncias mutuas Zm = 0, resulta:

Z s 3Z n 0 0
Z 012
0 Zs 0 (3.60)
0 0 Z s

3.6.2.2 Impedncias de Linhas (Sistemas Equilibrados)


Para dispositivos estticos como as linhas, a sequncia de fase no tem efeito na
impedncia; porque as tenses e correntes encontram a mesma geometria na linha,
independentemente da sequncia. Assim, as impedncias de sequncia positiva e
negativa tm o mesmo valor, Z1 = Z2 (SAADAT, 2002). As impedncias de sequncia
positiva e negativa de circuitos lineares, simtricos e estticos so idnticas, pois nestes
as impedncias independem da ordem das fases, desde que as tenses sejam
equilibradas (ROBBA et al., 1996). A impedncia de sequncia zero de uma linha difere
da impedncia de sequncia positiva e negativa (STEVENSON, 1974).
As correntes de sequncia zero esto em fase e fluem atravs dos condutores a, b e c
da linha, retornando pelo condutor de neutro aterrado. A impedncia de sequncia zero
Z0 inclui o caminho de retorno atravs do solo (SAADAT, 2002). A determinao da
impedncia de sequncia se faz pelas equaes de Carsons (CARSON, 1928). Para
uma linha, como a mostrada na Figura 3.13. A reatncia de sequncia zero pode ser
expressa como:

X 0 X 1 3X n (3.61)

Pode-se mostrar que (CARSON, 1928):

D
X n 2 f 0, 2 ln n (3.62)
D

Onde:
D Distncia entre condutores de linha;
Dn Distncia entre condutores e terra;
f Frequncia da rede;
Xn Reatncia de sequncia zero em m/km.
81

A impednccia de sequncia zero de d linhas dde transmissso normalm


mente maais do
que ttrs vezes a impednciaa de sequnncia positivaa (SAADATT, 2002).

Figu
ura 3.13: Flu
uxo de correente de sequ
uncia zero com
c retorno
o de terra (S
SAADAT, 20002).

3.6.22.3 Impedncias srries de linh


has areas aassimtricaas
C
Considerand
do a Figuraa 3.14 (AND DERSON, 1973), ondde as impeddncias sriies de
cada fase so distintas,
d a equao
e (3.63) mostra as tenses de fase noo trecho da linha
mn.

Vmn a Z aa Z abb Z ac I a
V Z bc I b
mn b Z ba Z bbb ((3.63)
Vmn c Z ca Z cbb Z cc I c

Figura 3..14: Linha assimtrica


a (
(ANDERSO
ON, 1973).

E termos de
Em d componeentes simtrricas, tem-see:

Vmn 0 Z aa Z ab Z ac I a Vmn 0 Z aaa Z ab Z acc I a


A Vmn 1 Z ba Z bb 1
Z bc A I b Vmn 1 A Z baa Z bb Z bcc A I b ((3.64)
Vmn 2 Z ca Z cb Z cc I c Vmn 2 Z caa Z cb Z ccc I c
82

Ou seja, pode-se definir:

Z S 0 2 Z M 0 Z S 2 Z M 2 Z S1 Z M 1

Z mn 012 A Z abc A Z S 1 Z M 1
1
Z S 0 2Z M 0 Z S 2 Z M 2 (3.65)
Z S 2 Z M 2 Z S1 Z M 1 Z S 0 2Z M 0
Onde:
ZS0 = (1/3)(Zaa+Zbb+Zcc) (3.66)

ZS1 = (1/3)(Zaa+aZbb+a2Zcc) (3.67)

ZS2 = (1/3)(Zaa+ a2Zbb+aZcc) (3.68)

ZM0 = (1/3)(Zbc+Zca+Zab) (3.69)

ZM1 = (1/3)(Zbc+aZca+a2Zab) (3.70)

ZM2 = (1/3)(Zbc+ a2Zca+aZab) (3.71)

Se as impedncias prprias forem iguais entre si e mtuas das trs fases tambm
iguais entre si (linha simtrica), tem-se o seguinte caso particular:

ZS0 = Zaa (3.72)

ZS1 = ZS2 = 0 (3.73)

ZM0 = Zbc (3.74)

ZM1 = ZM2 = 0 (3.75)

Ou seja, os termos fora da diagonal da matriz Zmn-012 so nulos.


Portanto, as correntes de componentes simtricas em impedncias que circulam
atravs de linhas simtricas originam apenas quedas de tenso de igual sequncia, ou
seja, os circuitos de sequncia positiva, negativa e zero esto desacoplados. Contudo, se
as impedncias das linhas forem distintas, as quedas de tenso de qualquer sequncia
so dependentes das correntes das trs sequncias, ou seja, existe um acoplamento entre
as sequncias e o dito acoplamento no recproco (ANDERSON, 1973; ROBBA et al.,
1996). Desta maneira, o clculo utilizado pelo mtodo de componentes simtricas se
torna mais complexo para circuitos ou sistemas desequilibrados com suas impedncias
em srie desiguais.

3.6.2.4 Impedncias de sequncia de transformadores


Em transformadores de potncia, as perdas e as correntes de magnetizao so da
ordem de trs por cento (3 %) (SAADAT, 2002). Os transformadores so modelados
com as impedncias srie de disperso. Como o transformador um dispositivo esttico,
a impedncia de disperso no muda seu valor se a sequncia de fase trocada
(SAADAT, 2002). Por essa razo, as impedncias de sequncia positiva e negativa so
83

as m
mesmas. Em um banco de d transform madores, a impedncia
i de sequnccia zero siimilar
imppedncia dee disperso ZL, portantoo temos:

Z0 = ZL ((3.76)

O equivalennte do circuiito de impedncia paraa sequncia zero depennde das coneexes


dos bbobinados e do aterraamento do neutro
n (KU
UNDUR, 19994). A Fig gura 3.15 mostra
m
algum
mas das configuraees dos tran nsformadorres e seus circuitos equivalentees de
sequncia zero.

F
Figura 3.15: Equivalentte trifsico de
d sequnciaa zero de ban
ncos de tran
nsformadorees
(KUNDUUR, 1994).

3.6.22.5 Impedncias de sequncia de mquin


na sncronaa
C
Como se estt consideraando o desaacoplamento entre as impedncia
i s de sequnncia
possvel represeent-las porr meio de circuitos
c eqquivalentes monofsicoos, chamadoos de
redess de sequnncia, um circcuito para cada
c sequncia. Essas redes
r podem m ser interliggadas
para representarr as vrias condies dee faltas assimmtricas (STEVENSO ON, 1974).
N Figura 3.16,
Na 3 est representadoo o diagram ma de um gerador
g snccrono em vvazio,
aterraado por meeio de uma impednciaa. Este exem mplo serve para ilustraar a obteno de
84

suas equivalentees redes de sequnciass. No caso, sero vistass as reatnccias sncronas, as


quaiss so validaas para a conndio de reegime perm
manente da mquina
m sncrona.
E uma mquina posssvel ter-see o regime permanente
Em p e e regimes sub-transitrio e
transsitrio. Paraa a maioriaa das mquuinas sncroonas, o perrodo de prredominnccia da
correente sub-traansitria de
d at 2 cicllos (33 ms) para rede de 60 Hz; e para a corrrente
transsitria, de at
a 30 cicloss (0,5 s) (GGROSS, 19886). Assim,, para projeetar uma redde na
proxiimidade de mquinas sncronas,
s c
com seus dispositivos de
d proteo,, necessrrio ter
em conta as correntes
c n
nos regimees citados, pois podeem ser preeponderantees no
dimeensionamentto. Contuddo, esse trabalho
t see restringirr ao estuudo em reegime
perm
manente. Caso contrrioo, outros mtodos
m de soluo
s dev
vem ser utilizados com mo o
caso de soluo por meeio de equuaes differenciais (programas ( de transittrios
eletroomagnticoos).
A indutncias das mqquinas sncrronas depenndem da seqquncia de fase da corrrente,
As
ondee:
A reatn
ncia de sequuncia positiva varivel de acordo com ass reatnciass Xd,
Xd ou Xd.
A reatn
ncia de sequuncia negattiva aproxximadamen
nte a reatnccia subtranssitria
de sequncia positivva.
X2 Xd ((3.77)

A reatncia de sequncia zero aproximaddamente a reatncia de disperso XL.


X0 XL ((3.78)

3.6.22.6 Redess de sequn


ncia para geradores
g carregados
A Figura 3.116 apresentaa um geradoor sncrono trifsico coom o neutro
o aterrado attravs
de um
ma impednncia Zn. Ondde o geradorr alimenta uuma carga trrifsica desequilibradaa.

F
Figura 3.16: Gerador triifsico equillibrado (SAA
ADAT, 20022).

A mquina sncrona geera trs FEM MS internaas balanceaddas, e reppresentado como


um vvetor de fasoores de sequuncia posittiva.

1
E abc
a 2 Ea ((3.79)
a
85

A mquina geradora abastece a uma carga trifsica equilibrada. Aplicando a lei de


Kirchhoff das tenses no circuito das cargas equilibradas, obtido:

Va Ea Z s I a Z n I n
Vb Eb Z s I b Z n I n (3.80)
Vc Ec Z s I c Z n I n

Substituindo In = Ia + Ib + Ic em (3.81) e escrevendo em forma matricial, tem-se:

Va Ea Z s Z n Zn Zn Ia
V E Z Zs Zn Z n I b (3.81)
b b n

Vc Ec Z n Zn Z s Z n I c

Na forma matricial compacta vem:

V abc = Eabc Zabc I abc (3.82)

Transformando as tenses e correntes para componentes simtricas e operando nas


equaes, obtm-se:

AVa012 = AEabc Zabc AIa012 (3.83)

Va012 = E012 A1Zabc AIa012 = E012 Z012 Ia012 (3.84)

Onde:

Z s 3Z n 0 0 Z 0 0 0

Z 012
0 Zs 0 0 Z1 0 (3.85)
0 0 Z s 0 0 Z 2

O gerador gera FEMS equilibradas, somente existem tenses de sequncia positiva.

0
E 012
a Ea (3.86)
0

Finalmente substituindo:

Va0 0 Z 0 0 0 I a0
1
Va Ea 0 Z1 0 I a1 (3.87)
Va2 0 0 0 Z 2 I a2

Tm-se trs circuitos independentes e s um deles tem a fonte de tenso, como se


apresenta na Figura 3.17.
86

Figura 3.17:
3 Redes de sequncias (SAADA
AT, 2002).

importantee fazer as seeguintes obsservaes:


As trs sequncias so
s indepenndentes.
Somentee a rede de sequncia positiva
p a mesma quee o diagram
ma unifilar uusado
no estuddo de curto circuito
c trifsico.
Somentee a rede de sequncia positiva
p tem
m fonte de tenso;
t porm s a corrrente
de sequncia positivva causa queeda de tenso de sequncia positivva.
As correentes de seqquncia neggativa e zerro s ocasioonam quedaas de tenso nas
redes das mesmas sequncias.
O neutro
o do sistemaa a refernncia para as redes de seequncia possitiva e negativa,
mas a teerra a refeerencia paraa a rede de sequncia zero.
z Porm
m as correnttes de
sequnciia zero s podem fluir pelo
p circuito se o neutrro estiver atterrado.
A imped
dncia de atterramento influencia na
n rede de sequncia zero
z como sendo
s
3Zn.
Os trs sistemas
s de sequncia podem ser resolvidos separadameente por fasses. A
corrente e a tenso podem ser determinaddas pelo priincpio da superposi
s o das
correntess e tenses dde componeentes simtrricas, respecctivamente.
As tens
es pr-faltaa so considderadas iguaais a 1 pu em
m todas as barras
b do SE
EP.

3.6.33 Mtodoss para clculo de impednccias de seequncias para Sisttemas


Desequilibrados

O mtodo das
d Componnentes Simtricas convvencional considera
c q o sistem
que ma de
alimeentao trrifsico, sim quilibrado, ou seja, a matriz imppedncia de cada
mtrico e eq
mento do sisttema estudaado: linhas,, cargas, traansformadorres, bancos de capacitoores e
elem
demaais elementtos componnentes do siistema siimtrica. Onnde, na equuao (3.888), os
elem
mentos da diaagonal da matriz
m impeddncia so chamados
c d impednccias prprias e os
de
elem
mentos fora da
d diagonal principal so chamadoos de impeddncias mtuuas. Assim,,

Z aa
a Z ab a
Z ac
Z abc
Z ba Z bb Z bc ((3.88)
b b

Z ca
c Z cb Z cc
c

U caso paarticular o sistema ser


Um s simtricco e equilibbrado. Equilibrado signnifica
que ttodos os eleementos da diagonal prrincipal (im
mpedncias prprias)
p so iguais enntre si
e o ttermo simtrico signiffica que toddos os elem
mentos foraa da diagonnal (impedncias
87

mtuas) tambm so iguais entre si. Resultando, assim, uma matriz onde as impedncias
prprias so iguais ZP = Zaa = Zbb = Zcc e as impedncias mtuas tambm so iguais ZM
= Zab = Zba = Zbc = Zcb = Zca = Zac. Na equao (3.89), apresenta-se o conceito antes dito.
Zabc uma matriz de um elemento qualquer do SEP, ou seja:

ZP ZM ZM
Z abc
Z M ZP Z M (3.89)
Z M ZM Z P

Onde:
ZP impedncias prprias Zaa, Zbb e Zcc ,

ZM impedncias mtuas Zab, Zbc, e Zca .

Tais consideraes do bons resultados em sistemas de transmisso de alta e extra


alta tenso onde as impedncias prprias da linha so iguais e so linhas transpostas ao
longo de seu percurso de modo que as impedncias mtuas so idealmente zero. No
entanto apresentam inconvenientes em sistemas de distribuio de mdia e baixa tenso
onde raramente as linhas so transpostas e o acoplamento mtuo entre as fases no so
iguais resultando assim uma linha com impedncias prprias e mtuas da matriz
impedncia diferentes entre elas (ZPZaa Zbb Zcc e ZMZab Zbc Zca). Devido ao
fato de serem sistemas trifsicos de distribuio desequilibrados e no transpostos com
cargas tambm desequilibradas, resulta ento que a matriz de impedncia de sequncia
tem elementos fora da diagonal distintos de zero.
Para achar a matriz impedncia de Componentes Simtricas Z012 de cada elemento
do sistema de distribuio, pre-multiplica-se e pos-multiplica-se a matriz Zabc pela
matriz de transformao A, como mostrado na equao (3.90).

Z 012 A1Z abc A (3.90)

Esta matriz tem seus elementos todos distintos entre si. Na literatura pesquisada
encontra-se uma aproximao para sistemas desequilibrados (KERSTING, 2007;
GLOVER; SARMA; OBERBYE, 2008), onde se prope modificar a matriz de
impedncia Zabc de uma linha assimtrica do sistema, idealizando como uma
impedncia de linha transposta onde suas impedncias mtuas so iguais e com
impedncias prprias iguais. Os autores propem aproximar a impedncia prpria
Z P como uma mdia entre as impedncias prprias, e uma impedncia mtua Z M como
a mdia entre as impedncias mtuas. Ditas impedncias so definidas como:

1
ZP Z aa Z bb Z cc (3.91)
3

1
ZM Z ab Z bc Z ca (3.92)
3
88

A matriz de impedncia mdia de fases :

ZP ZM ZM

Z abc
ZM ZP ZM (3.93)
Z M ZM Z P

A equao (3.93) usada como a matriz de impedncia de fases, resultando uma


matriz de impedncia de sequncia diagonal, onde os termos fora da diagonal so zero
(KERSTING, 2002). A matriz de impedncia de sequncia determinada como:

Z 00 Z P +2Z M (3.94)

Z 11 Z 22 Z P - Z M (3.95)

Z 00 0 0

Z 012
0 Z 11 0 (3.96)
0 0 Z 22

Outra aproximao apresentada pelos mesmos autores (KERSTING, 2007;


GLOVER; SARMA; OBERBYE, 2008). Esta segunda aproximao, a qual
comumente usada para determinar as impedncias de sequncia diretamente do conceito
de Distncia Mdia Geomtrica (GMD), em ps. A GMD entre as fases ij (Dij), em ps,
definida como:

Dij GMDij 3 Dab Dbc Dca (3.97)

A GMD entre a fase i e o neutro n (Din), em ps, dada por:

Din GMDin 3 Dan Dbn Dcn (3.98)

A unidade de Dij e Din em ps.


Para determinar os valores de impedncias prprias e mtuas de uma linha,
utilizam-se as seguintes equaes:
1
zii ri 0, 0953 j 0,12134 ln 7,93402 (3.99)
GMRi

1
znn rn 0, 0953 j 0,12134 ln 7,93402 (3.100)
GMRn
89

1
zij 0, 0953 j 0,12134 ln 7,93402 (3.101)
Dij

1
zin 0, 0953 j 0,12134 ln 7,93402 (3.102)
Din

Onde:
zii impedncia prpria do condutor i, em /milha;
zij impedncia mtua entre os condutores i e j, em /milha;
znn impedncia prpria do neutro n, em /milha;
zin impedncia mtua entre o condutor i e o neutro n, em /milha;
ri resistncia do condutor i, em /milha;
rn resistncia do neutro n, em /milha;
GMRi radio mdio geomtrico do condutor i, em ps;
GMRn radio mdio geomtrico do neutro n, em ps.
Aplicando a reduo de Kron na equao (3.102) e fazendo a transformao de
impedncia de fases a impedncia de sequncias nas seguintes equaes se obtm as
impedncias de sequncias zero, positiva e negativa, em /milha.

z 2
z00 zii 2 zij 3 in (3.103)
znm

Dij
z11 z22 zii zij ri j 0,12134 ln (3.104)
GMRi

As equaes (3.103) e (3.104) so conhecidas como as equaes padro para o


clculo de impedncias de linhas quando se assume que o sistema trifsico equilibrado
e transposto (KERSTING, 2007).
No entanto, a principal aplicao de componentes simtricas para o estudo das
faltas assimtricas; proteo de sequncia negativa, clculos de estabilidade e
modelagem de mquinas so alguns outros exemplos. Supe-se que o sistema
perfeitamente simtrico antes que ocorra uma condio de desequilbrio, a assimetria
ocorre apenas no ponto de falta. A parte simtrica da rede considerada isolada, para
que uma condio desequilibrada seja aplicada no ponto de falta. Em outras palavras, a
parte desequilibrada da rede pode ser pensada para ser conectada ao sistema equilibrado
ao ponto de falta. Praticamente, os sistemas de potncia no so perfeitamente
equilibrados e alguma assimetria sempre existe. No entanto, o erro introduzido por
ignorar essa assimetria pequeno. Isto pode no ser verdadeiro para os sistemas
altamente desequilibrados e com cargas monofsicas.
90

3.6.44 Clculo de faltas

F visto quue se a redde equilibbrada, a maatriz de im


Foi mpedncias simtricaa. Foi
obserrvado que, para uma falta na barra b k, os elementos da diagonnal da matrriz de
impeedncia de barra
b Zbarra so as imppedncias de
d Thveninn em cada fase
f no ponnto da
falta.. Para obter a soluoo do SEP para
p faltas simtricas e assimtriccas, a matrriz de
impeedncia de barra Zbarrra para cadda uma dass sequnciaas obtidaa separadam mente
(SAA ADAT, 200 02), onde ass impednciias de sequncias Z0kk , Z1kk e Z2kk
k so conecctadas
de accordo com cada
c tipo dee falta.
A seguir, appresentam-sse as equaes para calcular
c as faltas simtricas (FFFFT) e
assim
mtricas (FTT, FF, FFT).

3.6.44.1 Falta Fase-Terrra


C
Considerand do uma faltaa entre a faase a e a terrra atravs de
d uma imppedncia dee falta
Zf, naa barra k, coomo se apreesenta na Figura 3.18.

Figuraa 3.18: Falta


a Fase-Terraa (SAADAT, 2002).

A
Assim, em geral para uma falta na barra k,
k as correentes de sequncias so as
seguiintes:

Vk (0)
I k0 I k1 I k2 (33.105)
Z Z Z kk0 3Z f
1
kk
2
kk

Onde Z1kk , Z2kk , Z0kk so os elemeentos das diagonais


O d daas corresponndentes maatrizes
mpedncias das barras e Vk (0) a tenso pr-falta na baarra k. As co
de im orrentes de falta,
por ffase, so:

I kabc A I k0112 (33.106)

A equao (3.105) reepresenta um u circuitoo onde as redes de sequncia esto


conectadas em srie,
s conforrme mostrado na Figuura 3.19.

Figu
ura 3.19: Coonexo das redes
r de sequncia paraa uma falta fase-terra
f (S
SAADAT, 20002).
91

3.6.44.2 Falta Fase-Fase


C
Considere-see uma falta entre as fasses b e c, atrravs de um
ma impednccia de falta Zf na
barraa k, como mostrado
m na Figura 3.200.

Figuraa 3.20: Falta


a Fase-Fase (SAADAT, 2002).

A componeentes de seqquncia da corrente


As c de falta
f so as seguintes:

I ko 0 (33.107)

Vk (0)
(
I k1 I k2 (33.108)
Z Z kkk2 Z f
1
kk

Onde Z1kk , Z2kk , so os


O o elementoos das diaggonais das matrizes
m de impednciias de
barraas, Vk(0) a tenso pr--falta. As coorrentes de falta por fasse so:

I kabc
a
A I k012 (33.109)

A equao (3.105)
( reprresenta o ciircuito cujaas redes de sequncia esto
e conecctadas
comoo mostradoo na Figura 3.21.
3

Figura 3.21: Coonexo das redes de seq


quncia paraa uma falta fase-fase (SAADAT, 20002).

3.6.44.3 Falta Fase-Fase-Terra


Seja a falta entre as fasses c e b e a terra, atravs da impeedncia Zf , como mosstrado
S
na Fiigura 3.22.
92

Figura 3.222: Faltas Fasse-Fase-Terrra (ANDER


RSON, 1973).

A componeentes de seqquncias dass correntes de


As d faltas soo as seguinttes:

Z kk2 Z f
I k0 I k1 (33.110)
Z Z 2Z f
2
kk
0
kk

Vk (0))
I k1 (33.111)
( Z kk2 Z f )( Z kk0 Z f )
Z Zf
1
kk
Z kk2 Z kk0 2 Z f )

Z kk0 Z f
I
2
k I k1 (33.112)
Z Z 2Z f
2
kk
0
kk

Onde Z1kk , Z2kk , Z0kk so os elemenntos das diaagonais das matrizes dee impednciias de
O
barraas e Vk(0) a tenso pr-falta. A coorrente de falta:
f

I k ( F ) I kb I kc (33.113)

O
Onde a correente de faltaa em coordeenadas de faase ;

I kabc AI k0122 (33.114)

A equaess (3.111) e (3.112) reepresentam um circuitoo cujas red


As des de sequuncia
estoo conectadas como mosstra a Figurra 3.23.

Figura 3.23: Con


nexo das reedes de sequ
uncia para uma falta fa
ase-fase-terrra (ANDER
RSON,
19773).
93

3.6.44.4 Faltas Trifsica-Terra


C
Considere-se
e a falta triffsica terra, atravs da
d impednccia Zf , como
o se mostrado na
Figurra 3.24.

Figura 3.244: Faltas Triifsica-Terrra (ANDERS


SON, 1973)..

P impedncias de falta Zf iguaiis, as correnntes de faltaa nas trs fasses so iguaais. A


Para
correente de faltaa, em formaa genrica, :

V (00)
I k120 ( F ) k
(33.115)
Z Zf
120
kk

A componeentes de seqquencia das correntes de faltas so as seguintees:


As

Vk (0)
I k1 (33.116)
Z kk1 Z f

Vk (0)
I k2 (33.117)
Z kk2 Z f

Vk (0)
I k3 (33.118)
Z kk3 Z f

Onde Z1kk , Z2kk , Z0kk so


O s os elem mentos da diiagonal das matrizes ded impednccia de
barraa e Vk(0) a tenso pr--falta. Ondee a corrente de falta em
m coordenad
das de fase :

I kabc AI k012 (33.119)

3.6.44.5 Tenses e corren


ntes de barrra durantee as faltas
Usando as componentes de seq
U quncia dass correntess de falta ( I k0 , I k1 e I k2 ),
substtituindo-se na equaoo (3.120) ob
btm-se as tenses
t de componente
c es de sequncias
na baarra i, durannte a falta.

Vi 0 ( F ) 0 Z ik0 I k0
Vi1 ( F ) Vi1 (0) Z ik1 I k1 (33.120)
Vi ( F ) 0 Z I
2 2 2
ik k
94

O
Onde Vi1(0)) = Vi (0) a tenso
o pr-falta na barra i e Z ik0 , Z iki0 e Z ik0 so as
012
d matriz Z barra
impeedncias de sequncia da da barrra em falta k.
k
A tenses de
As d barras duurante a faltaa so:

Vi abc
a
AVi 012 (33.121)

A componeentes de seqquncia das correntes nas linhas i - j sero ento:


As

Vi 0 ( F ) V j0 ( F )
I
0
k (33.122)
zij0

Vi1 ( F ) V j1 ( F )
I k1 (33.123)
zij1

Vi 2 ( F ) V j2 ( F )
I k2 (33.124)
zij2

Onde zij0, zij1, zij2 so as impedncias das linhas de sequncia zero, posittiva e
O
negaativa, respecctivamente, que unem as
a barras i e j. As correnntes nas fasses sero:

Iijabc AIij012 (33.125)

A equaes (3.122), (3.123) e (3.124)


As ( reppresentam um
u circuitoo cujas redees de
sequncia esto conectadass como mosttra a Figuraa 3.25.

Figura 3.2
25: Conexoo das redes de
d sequnciaa para uma Falta Trifssica-Terra
(ANDERSO ON, 1973).

3.7 Aproxiimao proposta para clculo de imp pedncias de


Sequuncias para
p Sistem
mas Deseequilibrad
dos
J visto as distintas aproxima
J a es para obbteno de matrizes ded Componnentes
Simtricas de caada elementto do SEP (supondo
( o sistema equuilibrado e simtrico), neste
trabaalho, proposta uma aproximao para obbteno da matriz dee impedncia de
sequncia de cadda elementoo do SEP, para
p a resoluuo pelo MCS.
M
descrito, a seguir um
m exemplo de mao proposta para obbter a
d aplicaoo da aproxim
impeedncia de linha do SEP P.
95

Pode-se observar na equao (3.126) a matriz de impedncia de fase de um


segmento de linha entre duas barras em /km (estudado no captulo 4).

0, 2153 j 0, 6325 0, 0969 j 0,3117 0, 0982 j 0, 2632


Z abc
0, 0969 j 0,3117 0, 2097 j 0, 6511 0, 0954 j 0, 2392 (3.126)
0, 0982 j 0, 2632 0, 0954 j 0, 2392 0, 2121 j 0, 6430

A matriz de impedncia de fase Zabc pode ser transformada em uma matriz de


impedncia de sequncia Z012, aplicando a transformao de sequncias, resultando na
equao (3.127).

Z 00 Z 01 Z 02

Z 012 A1Z abc A Z 10 Z 11 Z 12 (3.127)
Z 20 Z 21
Z 22

Na matriz de impedncia de sequncia, o termo 1,1 a impedncia de sequncia


zero, o termo 2,2 a impedncia de sequncia positiva, e o termo 3,3 a impedncia de
sequncia negativa. Os termos 2,2 e 3,3 so iguais, o que demonstra que para os
segmentos de linha, as impedncias de sequncia positiva e negativa so iguais. Note-se
que os termos fora da diagonal no so zero. Isto implica que existe acoplamento mtuo
entre as sequncias. Este um resultado da assimetria no espaamento entre as fases.
Como os termos fora da diagonal no so zeros, a linha representada com trs redes de
sequncia linearmente dependentes ou mtuas entre elas. Na equao (3.128) se observa
a matriz de impedncia de sequncia com todos os elementos em /km.

0, 4060 j1,1849 0, 0185 j 0, 0123 0, 0142 j 0, 0102


Z 012
0, 0142 j 0, 0102 0,1155 j 0,3708 0, 0256 j 0, 0371 (3.128)
0, 0185 j 0, 0123 0, 0257 j 0, 0370 0,1155 j 0,3708

No entanto, note-se que os termos fora da diagonal Z M012 so pequenos em relao


aos termos diagonais Z P012 , em uma relao entorno de 5 % no mximo.

Z M012
100% 5% (3.129)
Z P012

Na aproximao proposta uma vez calculada a matriz de componentes simtricas


Z012 de um sistema desequilibrado por meio da transformao de sequncias, so
escolhidos somente os elementos da diagonal principal. Porm a matriz Z 012 ser
diagonal, com as impedncias de sequncias zero, positiva e negativa, desprezando-se
as impedncias mtuas para os clculos, devido a que seus valores so desprezveis em
comparao com os valores da diagonal principal. A matriz de impedncias de
sequncia para sistemas desequilibrados pela aproximao proposta mostrada na
equao (3.130), onde se pode observar que s existem elementos na diagonal principal.
96

Z 00 0 0 0,4060 j1,1849 0 0
(3.130)
Z 0 Z
012 11
0 0 0,1155 j0,3708 0
0 0 Z 22
0 0 0,1155 j 0,3708

Ainda, os termos fora da diagonal so todos iguais a zero, significando que no h


acoplamento mtuo entre as redes de sequncia, considerao feita que as trs
sequncias sejam linearmente independentes. tambm de salientar que na matriz de
impedncia aplicando a simplificao proposta, os elementos de sequncia zero,
positiva e negativa so exatamente iguais s impedncias de sequncia que foram
inicialmente calculados da matriz de impedncia de fase original. Os resultados deste
exemplo, no devem ser interpretados para significar que uma linha de distribuio
trifsica pode-se presumir ter sido transposta.
Outro exemplo, onde se compara a simplificao proposta neste trabalho e a
aproximao para sistemas desequilibrados utilizados por vrios autores (KERSTING,
2007; GLOVER; SARMA; OBERBYE, 2008) equaes (3.91) e (3.92) apresentado a
seguir.
Seguindo com o modelo de linha Zabc da equao (3.126) aplique-se a simplificao
de acordo com a equao (3.91) e a equao (3.92), dadas em /km:

1 1
ZP Zaa Zbb Zcc (0, 2153 j0,6325) (0, 2097 j 0,6511) (0, 2121 j 0,6430)
3 3

Z P 0,2124 + j 0,6422

1 1
ZM Zab Zbc Zca (0,0969 j0,3117) (0,0954 j0, 2392) (0,0982 j0, 2632)
3 3

Z M 0,0968 + j 0,2714

Substituindo na equao (3.94) e na equao (3.95) e logo na equao (3.96) obtm-


se a seguinte matriz de impedncias de sequencias:

0,4060 + j1,1849 0 0
Z 012
0 0,1155 + j 0,3708 0

0 0 0,1155 + j 0,3708

No caso da simplificao proposta nesta dissertao para a matriz de impedncias de


fases da equao (3.126) aplica-se a transformao de sequencias segundo a equao
(3.127), no exemplo seguinte:

Z 00 Z01 Z02 0,4060 + j1,1849 0,0185 + j0,0123 -0,0142 + j0,0102



Z 012 A1Z abc A Z10 Z11 Z12 -0.0142 + j0.0102 0,1155 + j0,3708 -0,0256 - j0,0371
Z 20 Z 21 Z 22 0.0185 + j0.0123 0,0257 - j0,0370 0,1155 + j0,3708

97

So selecionados somente os elementos da diagonal (impedncias prprias) e


desprezados os valores fora da diagonal (impedncias mtuas). Onde a matriz de
sequncias fica da seguinte forma:

0,4060 + j1,1849 0 0
Z 012
0 0,1155 + j0,3708 0

0 0 0,1155 + j0,3708

Observa-se que a matriz de impedncias de sequencias obtida pela aproximao da


012
bibliografia Z exatamente igual matriz de impedncias de sequencias obtida pela
012
simplificao proposta nesta dissertao Z .

3.8 Resumo
Neste captulo foram apresentadas as metodologias mais utilizadas para simulao e
clculo das caractersticas dos afundamentos de tenso. O mtodo mais apropriado para
anlise em sistemas radiais o mtodo da distncia crtica. Enquanto para sistemas
malhados recomendada a utilizao do mtodo das posies de falta associado a um
programa de curto-circuito.
Em funo da aleatoriedade de ocorrncias de afundamentos de tenso, os mtodos
de simulao so apropriados para obter, estatisticamente, os parmetros destes
distrbios. As ferramentas computacionais utilizadas para determinar os parmetros dos
afundamentos de tenso so muito conhecidas e podem-se agrupar, basicamente, em
duas classes: a primeira simulao com programas de transitrios eletromagnticos no
domnio de tempo utilizado neste caso o programa ATP/EMTP, e a segunda simulao
por meio dos mtodos de faltas em regime permanente, onde existem dois mtodos de
simulao de faltas j conhecidos: o Mtodo das Componentes Simtricas e o Mtodo
das Componentes de Fases.
Os mtodos baseados em programas de clculo de faltas em regime permanente so
os mais utilizados para clculo da magnitude dos afundamentos de tenso, pois a
maioria dos afundamentos de tenso so provocados por curtos-circuitos na rede
eltrica.
A nica diferena entre os trs modelos para o estudo de caso, para a anlise de
faltas: o MCS e o MCF, o valor da tenso pr-falta em todas as barras do SEP
considerado como sendo Vpr-falta = 1pu ou tambm chamado de perfil flat. Para a
simulao no programa ATP/EMTP as tenses pr-faltas do SEP so os valores
resultantes do fluxo de potncia, ou seja, os valores reais de tenses Vpr-falta do sistema.
Tambm foi apresentada uma nova aproximao de obteno da matriz de
impedncia de sequncia de cada elemento do sistema eltrico de potncia, por meio da
resoluo do Mtodo das Componentes Simtricas para sistemas desequilibrados.
98

4 IMPLEMENTAO DOS MTODOS DE CLCULO DE


CURTO-CIRCUITO

4.1 Introduo
Neste captulo, sero apresentados o SDEE (Sistema de Distribuio de Energia
Eltrica) e a modelagem de seus componentes. O estudo de curto-circuito abrange uma
variedade de variveis que devem ser levadas em considerao, tais como: impedncia
de falta, tenso pr-falta, alimentadores ou linhas, cargas e impedncia de curto-circuito
equivalente da rede at a subestao. descrita tambm a anlise estatstica para o tipo
de faltas.

4.2 Impedncia de Falta


Estudos determinaram que cerca de 80 % de todas as faltas no SEP correspondem a
faltas no sistema de distribuio (BOLLEN; SABIN; THALLAM, 2003). As faltas em
sistemas de distribuio distribuem-se da seguinte maneira: 30 % Trifsica-Terra, 10 %
Fase-Fase-Terra, 10 % Fase-Fase e 50 % Fase-Terra (EPRI, 1983, GMEZ, 2005).
Ainda segundo (GRAINGER; STEVENSON, 1996; EL-HAWARY, 2000), 70 % dos
defeitos tpicos em sistemas de transmisso so do tipo Fase-Terra, 10 % Fase-Fase-
Terra, 15 % Fase-Fase e 5 % so faltas Trifsicas-Terra. Outros autores
(WESTINGHOUSE, 1964; ANDERSON, 1973; RAVINDRANATH; CHANDER,
1987, KOTHARI; NAGRATH, 2008) apresentam distribuies semelhantes.
A maioria das faltas no SEP do tipo resistivo e podem ter resistncia de arco e
resistncia de terra (WARRINGTON, 1968). Esta resistncia pode ser constante para
toda a durao da falta ou pode variar com a elongao e extino do arco. Em falta
fase-fase, a resistncia de falta se deve completamente ao arco eltrico. Para faltas que
envolvem a terra, a resistncia de falta inclui ambos os tipos de resistncia, da torre e do
p da torre, se no se utilizam cabos de guarda. A resistncia de p de torre forma a
maior parte da resistncia entre a linha e a terra e depende das condies do solo
(GRAINGER; STEVENSON, 1996). Em (DAS, 1998) apresenta-se uma anlise
adicional da resistncia de arco e a resistncia de terra. Segundo (DAGENHART, 2000)
para linhas de distribuio, os valores tpicos de resistncia de falta Rf a considerar so
menores ou iguais a 40 .
99

Curtos-circuitos no SEP raramente possuem impedncia de falta nula (Rf = 0 ).


Normalmente, eles ocorrem atravs de uma resistncia de falta que constituda pela
associao dos seguintes elementos:
Resistncia do arco eltrico entre o condutor e a terra, para defeitos fase-terra;
Resistncia do arco eltrico entre dois ou mais condutores, para defeitos entre as
fases;
Resistncia de contato devido oxidao no local da falta;
Resistncia do p de torre, para defeitos englobando a terra.

O arco eltrico devido ao aquecimento provocado pela corrente de curto-circuito,


que permite a ionizao do ar. A resistncia de falta de um arco eltrico (Rarco-eltrico),
por sua vez, varivel com o tempo, sendo desprezvel nos primeiros milissegundos e
apresentando posterior crescimento exponencial. Contudo, em estudos de curto-circuito
e neste trabalho, a resistncia do arco eltrico considerada constante ao longo do
tempo. Diversas estimativas para a resistncia do arco eltrico foram propostas por
distintos autores, tendo como base a relao entre a tenso do sistema e a capacidade de
curto-circuito do local da falta, ou seja (HOROWITZ; PHADKE, 2009):

76 V 2
Rarco eltrico (4.1)
S SC

Ou entre o comprimento do arco eltrico e sua corrente, respectivamente


(WARRINGTON, 1968; BLACKBURN, 1998), conforme as expresses (4.2) e (4.3):

8750 L
Rarco eltrico (4.2)
I 1,4

440 L
Rarco eltrico (4.3)
I

Sendo:
L L0 3vvento t (4.4)

Onde:
Rarco-eltrico resistncia do arco, em ;
V tenso do sistema, em kV;
L comprimento do arco eltrico, em ps;
L0 comprimento inicial do arco, correspondente ao espaamento entre os
condutores, em ps;
I valor eficaz da corrente de falta, em Ampres;
vvento velocidade do vento transversal, em milhas/hora;
t durao, em segundos.
100

Segundo (ORTMEYER; HIYAMA; SALEHFAR, 1996; CARVALHO FILHO


et.al., 2002), os valores mais comuns de resistncia de arco variam de 1 a 5 .
Segundo os trabalhos do (OPERADOR NACIONAL DO SISTEMA ELTRICO, 2002)
a impedncia de falta mdia da ordem de 5 , observado que a resistncia de falta
chega a atingir valores extremos em casos excepcionais de 55 a 70 (OLIVEIRA,
2004). No caso de resistncia de falta nula se obtm valores de afundamentos de tenso
mais severos, sobretudo em sistema de distribuio onde este efeito mais acentuado
(BLACKBURN, 2007).
Os defeitos que envolvem a terra possuem resistncias de falta mais elevadas (DAS,
1998). Para uma falta que resulta no rompimento da cadeia de isoladores, o arco eltrico
conectado em srie resistncia de aterramento da torre de transmisso, cuja
impedncia varia entre 5 e 50 (DAS, 1998).
Em sistemas areos de distribuio os valores tpicos, estimados, de resistncia de
faltas para descargas atmosfricas so entre 0 e 10 . Para defeitos provocados por
rvores prximas a condutores ou s estruturas so de aproximadamente de 70 e
faltas ocasionadas pela queda de estrutura resultam em resistncias de falta entre 20 e
30 (SOUSA; COSTA; PEREIRA JR, 2005).
Para este trabalho se adotou um valor de resistncia de falta entre 0 at 25 .
A Tabela 4.1 mostra a distribuio de probabilidade de ocorrncia para cada valor
de resistncia de falta adotada para o estudo de caso neste trabalho.

Tabela 4.1: Distribuio de probabilidade de impedncia de falta.


Impedncia de Falta () 0 1 5 15 25
Probabilidade (%)* 20 20 20 20 20
* Taxa de falta adotada pelo autor para este sistema em particular.

4.2.1 Frequncia de ocorrncia de faltas em linhas de distribuio

De acordo com (GMEZ, 2005) a Tabela 4.2 mostra a frequncia de ocorrncia de


faltas em linhas de distribuio para cada tipo de falta. De acordo com esta tabela a
probabilidade de ocorrncia de falta depende do tipo de falta.

Tabela 4.2: Distribuio de probabilidade de tipos de falta.


Tipos de Falta FFFT FFT FF FT
Probabilidade (%) 30 10 10 50

4.2.2 Anlise probabilstica de faltas em linhas de acordo com o nvel de tenso

A quantidade de faltas previstas no sistema de acordo com o nvel de tenso


mostrada na Tabela 4.3 (RAMOS, 2009), usada pela CELG (Centrais Eltricas de Gois
S.A.). De acordo com estas taxas de falta e com o comprimento de cada linha, obtm-se
a quantidade esperada de faltas por ano.

Tabela 4.3: Taxa de falta para linhas de transmisso e distribuio.


Tenso (kV) 230 138 69 13,8*
Taxa de falhas
0,0232 0,0399 0,06 2,4
= N falha/kmano
* Taxa de falta adotada pelo autor para este sistema em particular.
101

O nmero de faltas/kmano adotado pelo autor nesta dissertao foi de acordo a o


clculo seguinte:

12 faltas / 5km ano 2, 4 faltas / km ano (4.5)

Finalmente com o ndice de faltas previstas anual e o ndice de probabilidade de


ocorrncia do tipo de falta , o vetor frequncia de ocorrncia ou frequncia de faltas
para cada tipo de falta o seguinte:

FT FT 0,50 2, 4 faltas / km ano 1, 2 faltas / km ano (4.6)

FFT FFT 0,10 2, 4 faltas / km ano 0, 24 faltas / km ano (4.7)

FF FF 0,10 2, 4 faltas / km ano 0, 24 faltas / km ano (4.8)

FFFT FFFT 0,30 2, 4 faltas / km ano 0, 72 faltas / km ano (4.9)

4.3 Tenso Pr-Falta


As concessionrias de energia eltrica em condies normais de operao buscam
fornecer energia a seus consumidores com tenses de operao dentro dos limites de
acordo com as normas, tenses que variam desde 0,95 a 1,05 pu.
Em regime permanente o perfil de tenso funo da carga do SEP e tambm da
disponibilidade dos equipamentos de regulao de tenso como compensadores
sncronos, banco de capacitores, reatores de linha, etc. (SILVA, 2004).
O perfil de tenso do sistema varia de acordo a curva de carga diria, observando-se
durante perodos de carga leve elevaes de tenso, e nos perodos de carga pesada
redues de tenso.
Na maioria dos casos, em estudos de curto circuito no SEP adotado que o valor de
tenso pr-falta seja igual a 1,0 pu. No entanto, em funo da curva de carga do SEP na
maior parte das vezes esse valor no exato, o que implica erros de clculo (CONRAD;
LITTLE; GRIGG, 1991).
Estes erros adquirem importncia quando se analisa o impacto sobre uma carga, por
exemplo: uma queda de tenso de 0,20 pu poder afetar uma carga, cujo limiar de
sensibilidade 0,80 pu o qual est dependendo do valor da tenso pr-falta. Se a tenso
pr-falta da barra 0,95 pu, a tenso durante o afundamento de tenso ser de 0,75 pu,
sensibilizando a carga analisada como pode ser observado na Tabela 4.4.

Tabela 4.4: Exemplo da influncia da tenso pr-falta.


Exemplo A Exemplo B
Tenso pr-falta [pu] 1,05 0,95
Tolerncia da carga 0,8 0,8
V 0,2 0,2
Afundamento de tenso [pu] 0,85 0,75
Carga Funciona Desliga
No estudo de caso, para a anlise de faltas pelo mtodo das Componentes Simtricas
e pelo mtodo das Componentes de Fases, o valor da tenso pr-falta em todas as barras
do SEP considerado como Vpr-falta = 1pu, tambm chamado de perfil flat. Para a
102

simuulao no programa
p A
ATP/EMTP, as tensess de pr-falltas do SEP P so os vaalores
resulltantes do flluxo de potncia, ou sejja, os valorees reais de Vpr-falta do sistema.
s

4.4 Sistema
a eltrico estudadoo
Para este esstudo foi uttilizada um
P ma alteraoo no modello IEEE 133 bus test ffeeder
(KER RSTING, 2001), onde existem dois tipos disttintos de linnhas trifsiccas: linha area e
outraa subterrneea. O diagraama da rede de distribuio trifsicca se ilustra na Figura 4.1.
4
O sistema inerentemeente desequiilibrado devvido aos alim mentadores no transpoostos,
as coonexes e caargas monofsicas e as cargas trifsicas deseqquilibradas.

Figura 4.1: Diagrama unifilar


u do sistema
s testee de 13 barras do IEEE modificadoo.

4.4.11 Alimenttadores

A caractersticas dos alimentad


As dores so aapresentadass na Tabella 4.5, ondde as
confi
figuraes 601
6 e 606 reepresentam
m os tipos dee alimentaddores areoss e subterrneos,
respeectivamentee.

T
Tabela 4.5: Dados
D dos Alimentadore
A es.
N N Comprim
mento
Con
nfiguraoo
DE PARA (m))
2 11 152,44 601
2 3 152,44 601
11 10 91,44 601
1 2 609,66 601
8 7 243,88 606
2 4 609,66 601
4 8 91,44 601
4 6 304,88 601
8 9 91,44 601
4 5 152,44 606

D acordo com o tipoo de conduutor e conffigurao do


De d sistema, as matrizees de
impeedncia sriee dos alimentadores em
m / km (K
KERSTING
G, 2001) so:
103

0, 2153 j 0, 6325 0, 0969 j 0,317 0, 0982 j 0, 2632


Z 601
abc 0, 0969 j 0,3117 0, 2097 j 0, 6511 0, 0954 j 0, 2392 (4.10)
0, 0982 j 0, 2632 0, 0954 j 0, 2392 0, 2121 j 0, 6430

0, 4960 j 0, 2773 0,1983 j 0, 0204 0,1770 j 0, 0089


Z 606
abc 0,1983 j 0, 0204 0, 4903 j 0, 2511 0,1983 j 0, 0204 (4.11)
0,1770 j 0, 0089 0,1983 j 0, 0204 0, 4960 j 0, 2773

As equaes (4.10) e (4.11) so semelhantes a (3.93). A transformao de


coordenadas a Componentes Simtricas utilizando mtodo proposto, resulta em uma
matriz diagonal como em (3.109), onde os elementos da matriz fora da diagonal so
nulos. Os valores de impedncias sries dos alimentadores em coordenadas de
sequncias so os seguintes:

0, 4060 j1,1849 0 0
Z 601
0 0,1155 j 0,3708 0 (4.12)
012
0 0 0,1155 j 0,3708

0,8766 j 0, 2898 0 0
Z 606
0 0,3028 j 0, 2579 0 (4.13)
012
0 0 0,3028 j 0, 2579

4.4.2 Cargas

Em estudos de curto-circuito no SEP as cargas podem ser ignoradas ou modeladas


da seguinte maneira: os motores representados por uma fora eletromotriz e uma
impedncia (reatncia) e as demais cargas podem ser consideradas como impedncia
constante, potncia constante e corrente constante. Para o sistema estudado neste
trabalho todas as cargas so modeladas como impedncia constante.
A representao da carga atravs da modelagem de impedncia constante pode ser
realizada conforme os valores de Vk, Pk e Qk , que podem ser obtidos de um estudo de
fluxo de potncia ou por medies. No caso de estudo, mudaram-se os valores das
cargas com respeito referncia original (KERSTING, 2001) pelos seguintes valores
que so mostrados na Tabela 4.6 e na Tabela 4.7.
A partir das grandezas Vk, Pk e Qk, obtm-se Rk e Xk, utilizando as equaes (4.14) e
(4.15) respectivamente.

Vk2 Pk
Rk (4.14)
Pk Qk
2 2

Vk2Qk
Xk (4.15)
Pk Qk
2 2
104

Onde:

Rk Resistncia da carga em ;
Xk Reatncia da carga em ;
Pk Potncia ativa da carga em MW;
Qk Potncia reativa da carga ou capacitiva do banco de capacitores em
MVAR;
Vk Tenso do fluxo de potncia em kV;
Zk Impedncia da carga em ;
k Barra de interesse.

Para o caso estudado consideram-se duas diferentes condies operacionais do


sistema considerando desequilbrios de tenses (Vdeseq) no barramento da subestao. O
desequilbrio de tenso calculado como a razo da magnitude da componente de
sequncia negativa e da componente de sequncia positiva, (IEEE Std. 1159, 2009).

V2
Vdeseq 100% (4.16)
V1

O primeiro caso de estudo chama-se de caso A, onde Vdeseq = 0%. As cargas


consideradas no caso A esto na Tabela 4.6.

Tabela 4.6: Dados das cargas caso A (Vdeseq = 0 %).


Fase a Fase b Fase c
N
kW kVAR kW kVAR kW kVAR
2 34 20 34 20 34 20
3 134 97 134 97 134 97
5 281 154 281 154 281 154
6 419 239 419 239 419 239
7 43 29 43 29 43 29
8 57 50 57 50 57 50
9 57 26 57 26 57 26
10 77 44 77 44 77 44
11 57 42 57 42 57 42

Para o segundo caso, chamado de Caso B, o desequilbrio Vdeseq = 3,65 %. Este


valor foi adotado acima do valor mximo de desequilbrio de servio aceitvel segundo
a norma (IEEE Std. 1159, 2009), que de 3 %. O desequilbrio para o caso B devido
s configuraes das cargas no sistema, como mostrado na Tabela 4.7.
105

Tabela 4.7: Dados das cargas caso B (Vdeseq = 3,65 %).


Fase a Fase b Fase c
N
kW kVAR kW kVAR kW kVAR
2 84 49 8 5 84 49
3 312 247 33 24 312 247
5 1057 611 104 59 1057 611
6 708 374 69 38 708 374
7 141 123 14 12 141 123
8 106 71 10 7 106 71
9 141 64 14 6 141 64
10 190 108 19 10 190 108
11 141 104 14 10 141 104

4.4.3 Impedncia de curto circuito equivalente da rede e do transformador

Para o caso estudado considera-se a impedncia equivalente de curto circuito como


sendo a soma da impedncia de curto circuito da rede at a subestao mais a
impedncia do transformador em pu, ou seja:

Z cc _ equivalente Z cc_Rede ZTrafo ( Rcc jX cc ) ( RTrafo jX Trafo ) (4.19)

Na forma matricial e com valores do circuito analisado, tem-se:

0,10885 j1, 2445 0 0


Z abc
0 0,10885 j1, 2445 0 (4.20)
cc _ equivalente
0 0 0,10885 j1, 2445

A equao (4.20) semelhante equao (3.93). De acordo com a transformao de


coordenadas a componentes simtricas utilizando o mtodo proposto, resulta em uma
matriz diagonal como a mostrado em (4.21), onde os elementos da matriz fora da
diagonal so nulos. Os valores de impedncias de curto circuito na subestao (PAC),
em pu, so as seguintes:

0,10885 j1, 2445 0 0


012
Z cc _ equivalente 0 0,10885 j1, 2445 0 (4.21)

0 0 0,10885 j1, 2445

4.5 Comparaes das metodologias


O conjunto de simulaes inclui faltas em todas as barras e monitoradas no
barramento da subestao e na barra 9, onde h um consumidor sensvel de
afundamentos de tenso. As tenses de falta nos locais das faltas foram calculadas pelos
mtodos de componentes simtricas, de componentes de fases e o programa
ATP/EMTP.
Por meio da anlise da frequncia de ocorrncia se comparam os distintos mtodos
ante variaes de desequilbrio, da resistncia de faltas e do tipo de falta.
106

O erro no clculo da tenso calculado de acordo com a equao de Erro Mdio


Quadrtico (RMSE), em pu. As tenses obtidas atravs da simulao com o programa
ATP/EMTP foram consideradas como valores de referncia para os clculos dos erros,
como mostrado na equao (4.22).

n
1
RMSE [ pu ]
n
(v
1
ATP vM ) 2 (4.22)

Onde vATP so as tenses calculadas pelo programa ATP/EMTP em pu, e vM so as


tenses calculadas pelos mtodos de clculo de curto-circuito (MCF e MCS).
Os resultados das simulaes feitas pelo programa ATP/EMTP foram considerados
como valores de referencia devido a sua grande exatido nos resultados e pela completa
caracterizao de qualquer tipo de SEP.

4.6 Resumo
Neste capitulo, foram apresentados as principais caractersticas do estudo de caso,
como sendo: a resistncia de falta, a frequncia de falta para cada valor especfico de
resistncia de falta, a tenso pr-falta, o sistema estudado (linhas, cargas, impedncia de
curto-circuito na barra da subestao, ndice de desequilbrio, etc.). Foi realizada uma
anlise estatstica e probabilstica de ocorrncia para os distintos tipos de faltas e nveis
de tenso.
A anlise comparativa dos mtodos ser atravs de frequncia de ocorrncia pela
anlise de erros de acordo com a equao de Erro Mdio Quadrtico. No captulo a
seguir sero abordados e comparados os mtodos de clculo de faltas para cada tipo de
falta e para distintas condies de desequilbrio do SEP considerando tambm a
variao da resistncia de falta.
107

5 RESULTADOS OBTIDOS

5.1 Introduo
Neste captulo sero apresentados os resultados obtidos do estudo de caso onde se
utilizaram os diversos mtodos de clculo de curto-circuito para estimao de
afundamentos de tenso, apresentados no captulo 3. As tenses durante a falta foram
calculadas pelos mtodos de Componentes Simtricas e Componentes de Fases.
Na seo 5.2 ser feita uma anlise da influncia do desequilbrio no SEP em
estudos dos afundamentos de tenso. Para avaliar o desempenho dos mtodos de clculo
de afundamentos de tenso foram consideradas duas condies de operao do sistema
com ndices de desequilbrio diferentes.
Avalia-se, na seo 5.3, a influncia do valor da impedncia de falta no desempenho
dos mtodos de clculo para os estudos dos afundamentos de tenso.
Apresenta-se na seo 5.4 uma anlise do desempenho dos mtodos de clculo de
afundamentos de tenso perante os diferentes tipos de faltas.
Em cada seo comparam-se os mtodos por meio dos grficos de frequncia
relativa de ocorrncia de afundamentos de tenso. Na seo 5.2 e 5.4 tambm se
apresenta uma anlise de erros dos mtodos de Componentes de Fases e de
Componentes Simtricas no clculo de afundamentos de tenso, utilizando-se como
referncia os resultados do programa ATP/EMTP.
relevante observar que so simuladas faltas em todas as barras do SEP e
monitorados os afundamentos de tenso no barramento da subestao chamado de
Ponto de Acoplamento Comum (PAC). O segundo conjunto de simulaes inclui,
tambm, faltas em todas as barras e neste caso monitorada a barra nove (9) onde se
tem consumidores sensveis a afundamento de tenso.

5.2 Influncia do desequilbrio

5.2.1 Influncia do desequilbrio na barra da Subestao

O efeito do desequilbrio do sistema no desempenho dos mtodos de clculo de


afundamentos de tenso pode ser avaliado por meio dos grficos de frequncia relativa
de ocorrncia. As figuras (Figura 5.1 e Figura 5.2) mostram a distribuio de frequncia
relativa de ocorrncia acumulada de afundamentos de tenso para o caso com
desequilbrio nulo e com desequilbrio de tenso de 3,65 % da barra da subestao do
sistema eltrico IEEE 13 barras modificado apresentado no captulo 4.
108

A
Ambas as figuras moostram afun ndamentos de tenso monitoraddos na barrra da
subestao quanndo so sim mulados toddos os tipos de faltas (F FFFT, FT, FFT, FF) e com
todoss os valoress de resistncias de faaltas (0, 1, 5, 15 e 25 ). Observ va-se que ppara o
prim
meiro caso com deseqquilbrio nuulo (Figuraa 5.1), os mtodos de d Componnentes
Simtricas e de fases tm umu comporrtamento sem melhante aoo programa ATP/EMT TP em
toda a faixa de valores de afundamen ntos de tensso. O messmo no ocorre para o caso
ondee o desequilbrio do sisttema de 3,65%
3 (Figuura 5.2), ondde as curvass dos mtoddos se
diferrenciam siggnificativam
mente da reeferncia. No N caso do o Mtodo de d Componnentes
Simtricas maais marcadaa a irregularridade na faaixa entre Vsags = 0,4 puu e Vsag = 0,,9 pu,
afasttando-se doss valores dee referncia..

Figura 5.1: Distribuio de frequn


ncia relativaa acumulada
a de afundaamentos SEP
P
equilib
brado.

Figura 5.2: Distribuio de frequn


ncia relativaa acumulada
a de afundaamentos SEP
P
desequillibrado.

Os erros obtidos nas teenses estim


O madas, de acordo
a com
m a equaoo de Erro Mdio
M
Quaddrtico, em
m funo daa resistncia de falta para os caasos do SE EP equilibraado e
deseqquilibrado, so descritaas a seguir.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.1.
109

Tabela 5.1:
5 Desempenho total do
d SEP monitorado na barra
b da Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 3,839 3,6366
MCS 3,839 3,0344
MCF 3,599 3,3599

Mostra-se naa Figura 5.33 o Erro Qu


M uadrtico Mdio
M em funno da ressistncia de falta,
possvel observar as currvas dos mtodos utilizados para SEP equiliibrado quanndo
moniitorado na barra da suubestao. O erro nos valores de d afundam mentos de teenso
usanddo o MCS praticameente zero paara a condio de curto o-circuito slido. Na medida
m
q aumentaa a resistnccia de falta Rf, so incrrementados os erros at chegar ao valor
em que
de 0,,053 pu parra manter-se constantee nesse valoor. Para o MCFM na con ndio de curto-
c
circuuito slido possui um erro de 0,0310 pu e vai aumenntando at chegar ao valor
mxiimo de 0,0667 pu para Rf = 5 , a curva
c diminnui para elev
vados valorres de resisttncia
de faalta. No valoor de Rf = 17 se interrceptam as curvas, porm para vallores menorres de
Rf = 17 o MCS M apreseenta menores valores de erros que q o MCF, e para vaalores
maioores de Rf = 17 aconttece o contrrio.

Figura 5.3:
5 Erro Qu
uadrtico Mdio
M SEP eq
quilibrado barra
b da sub
bestao.

O
Observa-se na
n Figura 5.4
5 que o errro das tensses calculaado pelo mtodo MCS S com
SEP desequilibrrado na conndio de curto-circuit
c to slido de 0,016 ppu, sendo menor
m
valorr que o MCF
F que para esta
e condio de 0,0441 pu.

Figura 5.44: Erro Quaadrtico Mdio SEP dessequilibradoo barra da su


ubestao.
110

P os dois mtodos os erros se in


Para ncrementamm com o aum mento da Rf at chegar a um
valorr mximo de
d 0,075 puu para o MCFM e de 0,093
0 pu para o MCS S. Em ambos os
mtoodos, posssvel observvar que comm elevadoss valores dee resistnciaa de falta Rf os
erross diminuem at se mantter constantte.

5.2.22 Influnccia do deseq


quilbrio naa barra do consumido
or sensvel (barra 9)

P
Pode-se percceber na Fiigura 5.5 e na Figura 5.6
5 as curvaas de frequncia relativva de
ocorrrncia de afundamento
a os de tenso simuladoos utilizanddo MCF, MCS
M e proggrama
ATP/EMTP, coorrespondennte a monnitorao da d barra 9 para SEP P equilibraado e
deseqquilibrado respectivam mente. Os resultados
r d mtodo
dos os tm um comportam mento
semeelhante baarra da subeestao quaando o SEP P equilibraado (Figuraa 5.5). O mesmo
m
no ocorre
o quanndo o sistemma deseq quilibrado, como
c se poode observaar na Figuraa 5.6,
ondee as curvas do MCS e do MCF se afastam m dos valores da curvva de referrncia
(valoores obtidoss com o programa ATP P/EMTP). O MCS apreesenta maior erro afastaando-
se accima da currva do proggrama ATP//EMTP na faixa f entre Vsag = 0,1 pu
p at Vsag = 0,8
pu. O MCF ap presenta meenores diveergncias coom respeitoo aos valorres da curvva do
progrrama ATP/E EMTP.

Figura 5.5: Distribuio de frequn


ncia relativaa acumulada
a de afundaamentos SEP
P
equilib
brado.

O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.2.

T
Tabela 5.2: Desempenho
D o total do SE
EP monitoraado na barraa do consum
midor sensveel.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 3,959 5,0155
MCS 3,839 3,2744
MCF 3,599 3,3599
111

Figura 5.6: Distribuio de frequn


ncia relativaa acumulada
a de afundaamentos SEP
P
desequillibrado.

O erros obttidos nas tenses para os casos eqquilibrado e desequilib


Os brado monitorada
na baarra do connsumidor seensvel so mostrados na Figura 5.7 5 e na Figgura 5.8. Nessas
N
figurras o erroo pelo MCF M para a condio de currto-circuito slido de,
aproxximadamennte, 0,04 pu e para o MCS M de 0,011 pu. O mximo vaalor do erroo pelo
MCF F de 0,0666 pu para um ma resistnccia de falta de 5 , loggo diminui para prxim mo de
0,05 pu para maiores
m valoores de resistncia de falta. O errro pelo MC CS aumentaa para
elevaados valoress de resistnncia de faltaa at se mannter constannte no valor de 0,065 puu.

F
Figura 5.7: Erro
E Quadrtico Mdio SEP equilib
brado barraa do consum
midor sensveel.

N Figura 5.8
Na 5 se obserrva que os erros das ttenses calcculadas peloos mtodoss para
SEP desequilibrrado na conddio de cu
urto-circuitoo slido so praticamennte iguais, onde o
erro pelo MCF de 0,046 pu e o errro pelo MCS de 0,0447 pu. O mximo m erroo de
0,0899 pu para o MCF e para o MCS de 0,102 pu, p que log go diminuem m para se manter
m
no vvalor de 0,0067 pu e 0,0085 pu, resspectivamennte. possvel observvar em ambos os
mtoodos que co om o aumennto da resistncia de falta Rf oss erros tend dem a se manter
m
consttantes.
112

Figgura 5.8: Errro Quadrttico Mdio SEP


S desequilibrado barra do consumidor sensvel.

N
Nesta seoo se observou que as curvas de distribuio o de frequncia relativva de
ocorrrncia acum mulada de afundamenntos de tensso na conndio de SEP S equilibbrado,
moniitoradas naa barra da subestao e na barrra do consuumidor sennsvel so muito m
semeelhantes. Quuando o sistema deseequilibrado os mtodoos apresentaam erros maaiores
com relao cu urva de refeerncia.
A curvas doos erros nass tenses dee fase para a barra da subestao
As s e para a barrra do
consuumidor sen nsvel so prraticamentee de igual comportame
c ento. Nota-sse que o grau de
deseqquilbrio infflui no com
mportamentoo das curvass para as duaas barras mo
onitoradas.

5.3 Influn
ncia do vaalor da im
mpednciaa de falta

5.3.11 Influnccia do valorr da impedncia de faalta na barrra da Subesstao

N
Nesta seoo avaliar-se-- a influnncia da resiistncia de falta Rf. Para tanto, foram
f
2 ) e forram monitorados
simuulados valorres extremoos de resistncias de faalta (0 e 25
os affundamentos de tenso na barra daa subestaoo.
P
Pode-se observar na Figura 5.9 e na n Figura 55.10 que a curva
c de freequncia relativa
de ocorrncia acumulada
a de afundammentos paraa curtos-circcuitos sliddos (Rf = 0 ),
tantoo em SEP equilibrado comoc deseqquilibrado, apresentam
a iguais com
mportamentoos e a
curvaa do MCF mostra
m frequuncias mennores.
O MCF apreesenta maioores desvioss de frequnncia de ocorrrncia de afundament
a tos de
tenso para valo
ores compreeendidos na faixa de Vsag = 0,1 pu at Vsag = 0,35
0 pu e na faixa
de Vssag = 0,47 puu at Vsag = 0,65 pu.
P tanto, para
Por p Rf = 0 , o desempenho do d MCS superior ao o MCF, ou seja,
segunndo os reesultados mostrados
m na
n Figura 5.9 e na Figura 5.10, quanddo os
afunddamentos ded tenso soo simuladoss a partir dee faltas com impednciaas de falta nula
n
convveniente utillizar o MCS S, inclusive quando o siistema dessequilibradoo.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.3.
113

T
Tabela 5.3: Desempenho
D o do SEP parra Rf = 0 monitoradoo na barra da
d Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 1,200 1,2000
MCS 1,200 1,2000
MCF 1,200 1,2000

Figura 5.9:
5 Influnccia da resistncia de faltta SEP equillibrado com
m Rf = 0 .

Figura 5.100: Influnciaa da resistn


ncia de faltaa SEP desequ
uilibrado co
om Rf = 0 .

Para o caso
P o extremo quando
q a reesistncia de
d falta elevada
e (Rf mx. = 25 ) se
obserrva, na Figura 5.11 e na Figu ura 5.12, que
q o comp portamento das curvaas de
frequuncia relatiiva de ocorrrncia do Mtodo
M das Componenntes Simtriccas e do Mtodo
das C
Componentees de Fases so semelhhantes porquue, no sistem ma estudaddo, os valorees das
impeedncias daas cargas so semelhaantes ao vaalor da imp mpedncia de d falta (sisstema
sobreecarregado)), e praticam mente no se registraam afundam mentos de tenso
t quanndo a
impeedncia de falta
f de eleevado valorr.
N caso do SEP equiliibrado (Figuura 5.11), os
No o resultadoos do prograama ATP/E EMTP
apressentam afunndamentos de tenso a partir do valor Vsag = 0,82 pu, enquanto para p o
MCS S a partir doo Vsag = 0,88 pu e o MCF no aprresenta afun ndamento dee tenso emm toda
a faixxa de valorees de Vsag.
114

Figura 5.111: Influnccia da resistncia de faltta SEP equillibrado com


m Rf = 25 .

Figura 5.12
2: Influnciaa da resistn
ncia de falta SEP desequ
uilibrado com
m Rf = 25 .

Entretanto, no
E n caso do SEP deseqquilibrado mostrado
m naa Figura 5.12, nem o MCS
nem o MCF moostraram afuundamentos de tenso eem toda a faixa
fa de valoores de Vsagg. J o
progrrama ATP/EEMTP repeetiu os mesm
mos resultaddos obtidos no caso equuilibrado.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.4.

Taabela 5.4: Desempenho


D do SEP parra Rf = 25 monitorado
o na barra da
d Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afuundamentos//ano)
ATP 1,200 0,1200
MCS 1,200 0
MCF 0 0
115

5.3.22 Influnccia do valorr da imped


dncia de faalta na barra do consu
umidor sen
nsvel
(barra 9)
9

C
Como no ttulo anterioor, avaliar-sse- a influuncia da resistncia
r d falta Rf. Para
de
tantoo, foram sim
mulados valoores extrem mos das resistncias de faltas: 0 e 25 , onnde se
moniitorou os afufundamentoss de tenso na barra doo consumido or sensvel.
O
Observa-se na Figura 5.13
5 e na Figura
F 5.14 que a curvva de frequncia relativva de
ocorrrncia para o caso de curtos-circu
c uitos slidoss (Rf = 0 )), tanto em SEP equilibbrado
comoo desequilibbrado. A cuurva do MCF possui iggual comporrtamento em m toda a faixa de
valorres de tenso, independdente do nvel de deseequilbrio do
d SEP. Na faixa de vaalores
entree Vsag = 0,1 pu e Vsag = 0,55 pu apresenta
a diiscrepncia com respeiito ao MCS S e ao
progrrama ATP/E EMTP. Porrtanto, nestee caso, o dessempenho dod MCS su uperior ao MCF.
M
Ou seja,
s segunddo estes resuultados, quando os afuundamentoss de tenso so simulaados a
partirr de faltas com impedncias de falta nula (condio de curto-ciircuito sliddo)
convveniente utillizar o MCSS, inclusive quando o siistema dessequilibradoo.

Figura 5.13: Influnccia da resisttncia de faltta SEP equiilibrado com


m Rf = 0 .

Figura 5.144: Influnciaa da resistn


ncia de faltaa SEP desequ
uilibrado co
om Rf = 0 .

O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.5.
116

T
Tabela 5.5: Desempenho
D o do SEP parra Rf = 0 monitoradoo na barra do consumidor
sensvel.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 1,20 1,20
0
MCS 1,20 1,20
0
MCF 1,20 1,20
0

No caso extrremo quanddo a resistnncia de faltta elevadaa (Rf mx. = 25


N 2 ) se obbserva
na Fiigura 5.15 e na Figuraa 5.16, o commportamentto das curvas de frequuncia relativa de
ocorrrncia do MCS
M e do MCF.
M m caracterssticas simillares quando so
Estass curvas tm
moniitoradas na barra da subbestao (a caracterstiica que a impedncia
i a de carga igual
imppedncia dee falta), visto que quanndo a impedncia de falta
f elevaada praticammente
no sso registrados afundam mentos de tenso.
t No caso
c do SEP P equilibraddo (Figura 5.15),
5
os reesultados doo programa ATP/EMT TP apresentaam afundam mentos de teenso a partir do
valorr Vsag = 0,82
2 pu, enquaanto para o MCS
M a parttir do Vsag = 0,88 pu e para o MCF F no
apressentam afunndamento dee tenso emm toda a faixxa de valorees de Vsag.

Figura 5.115: Influnccia da resistncia de faltta SEP equillibrado com


m Rf = 25 .

Figura 5.16
6: Influnciaa da resistn
ncia de falta SEP desequ
uilibrado com
m Rf = 25 .

117

Entretanto, no caso do SEP desequilibrado mostrado na Figura 5.16, nem o MCS


nem o MCF mostraram afundamentos de tenso. O programa ATP/EMTP repetiu os
resultados obtidos para o caso equilibrado. O mesmo comportamento das curvas foi
observado tambm quando se monitorou na barra da subestao.
O nmero total de afundamentos/ano, obtido por cada mtodo, apresentado na
Tabela 5.6.

Tabela 5.6: Desempenho do SEP para Rf = 25 monitorado na barra do consumidor


sensvel.
Mtodos Equilibrado (afundamentos/ano) Desequilibrado (afundamentos/ano)
ATP 1,20 0,576
MCS 1,20 0,576
MCF 0 0

possvel observar nas Figuras 5.9 e 5.11 (para as condies de Rf = 0 e de Rf =


25 ) que as curvas resultaram em comportamentos diferentes para a condio do SEP
equilibrado. Observa-se nas Figuras 5.10 e 5.12, para os mesmos valores de Rf , que as
curvas resultaram tambm em comportamentos distintos para o SEP desequilibrado.
Para o caso da monitorao na barra do consumidor sensvel pode se notar nas Figuras
5.13 e 5.15 as curvas resultaram em comportamentos diferentes. Nas Figuras 5.14 e
5.16 apresentam tambm curvas com comportamentos distintos.
O valor da resistncia de falta tem uma importante influncia no comportamento do
sistema, para elevados valores de impedncia de falta no existem diferenas a respeito
do ponto de monitorao nem do desequilbrio.

5.4 Influncia dos tipos de faltas simuladas


Apresentar a influncia dos tipos de faltas no desempenho do MCS e do MCF um
dos objetivos deste trabalho. Portanto, foram considerados todos os tipos de faltas
shunt: trifsica (FFFT) nas fases abc-g, monofsica (FT) na fase a-g, bifsica terra
(FFT) nas fases bc-g e bifsica (FF) nas fases bc.
Para cada tipo de falta se efetuou uma comparao entre o sistema equilibrado e
desequilibrado, monitorada na barra da subestao, e na barra do consumidor sensvel,
considerando para todos os casos de estudo a variao da resistncia de falta Rf na faixa
de valores de 0 at 25 .

5.4.1 Falta Trifsica monitorada na barra da subestao

Observando a Figura 5.17 para o SEP equilibrado monitorado na barra da


subestao, o MCS e o MCF se comportam de maneira similar a curva do programa
ATP/EMTP. O MCF fornece menores valores de frequncias de ocorrncia de
afundamentos de tenso na faixa de Vsag < 0,5 pu, ou seja, subestima a influncia dos
afundamentos de tenso severos causados por faltas trifsicas-terra abc-g.
No caso da Figura 5.18 para SEP desequilibrado se pode observar que o MCF quase
no varia respeito do caso equilibrado. J no MCS, nota-se que se afasta da curva de
referncia detectando maior quantidade de afundamentos de tenso para valores
menores a Vsag = 0,8 pu; e para valores maiores a Vsag = 0,8 pu menor a quantidade
relativa de afundamentos de tenso detectados pelo MCS.
118

Figura 5.17: # Sag Total FFFT


T % barra da
d subesta
o SEP equillibrado.

Figura 5.18: # Sag T


Total FFFT % barra da subestao SEP desequ
uilibrado.

N
Neste caso particular
p d falta trifsica abc-g monitoradaa na barra da
de d subestao, se
podee ver que paara SEP dessequilibradoo a curva dee frequnciaa relativa dee ocorrnciaa pelo
MCF F se mantem m quase iguual e sem variao alguuma com reespeito ao SEP S equilibbrado.
Concclui-se ento, que paraa faltas triffsicas o MCF
M no susceptvell a variaes de
deseqquilbrio doo SEP. Porm para estee tipo de fallta, monitorrado na barrra da subesttao,
o MCCS apresentta sensibiliddade com reespeito varriao do deesequilbrio
o do SEP.
O nmero totalt de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.7.

Tabela 5.7: Deesempenho do


d SEP paraa falta FFFT
T monitorad
do na barra da Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 1,08 1,08
8
MCS 1,08 0,89
9
MCF 1,08 1,08
8

U
Uma anlisee de erros nas
n tenses estimadas obtida dee acordo coom a equao de
Erro Mdio Quuadrtico. So descritoss na Figuraa 5.19 e na Figura 5.20, para os casos
com sistema equ uilibrado e desequilibra
d ado.
119

O resultadoos da Figuura 5.19 mostram


Os m o comportame
c ento das cuurvas para falta
trifssica abc-g quando
q monitorado
m na barra daa subestao com SEP P equilibraddo. O
erro nos valoress de afundaamentos de tenso usaando o MCS praticaamente zeroo para
curtoo-circuito slido. medida que vaai aumentanndo a Rf aum mentam os valores
v dos erros
at cchegar ao valor
v de 0,0061 pu, manntendo-se constante
c neesse valor. Contudo, para
p o
MCF F na condio de curtto-circuito slido, tem m-se um errro de 0,087 7 pu, o quaal vai
diminnuindo at um mnimoo de 0,044 pu p para um m valor de Rf = 5 , veerificando-sse um
increemento do erro
e at cheggar num vallor assintotiicamente co onstante de 0,058
0 pu.

Fig
gura 5.19: Falta
F FFFT barra
b da sub
bestao SE
EP equilibraado.

Observa-se na
O n Figura 5.20 que o erro
e mximoo das tensees calculado o pelo MCF F para
falta trifsica-teerra com SEEP desequillibrado foi de 0,087 pu, p para conndio de curto-
c
circuuito slido, diminuindoo at um vallor de erro mnimo de 0,043 pu e estabilizanndo-se
no vaalor de 0,0557 pu. Enquuanto o erroo pelo MCS S zero paraa curto-circcuito slido,, logo
se incrementa att chegar a um valor mximo
m da ordem
o de 0,103 pu e vaai diminuinddo at
ficar num valorr estvel de d 0,075 puu. Observa--se, em am mbos os mtodos, que com
elevaados valores de resistncia de faltta Rf , os errros tendemm a manter--se constanttes na
vizinnhana de 0,,058 pu para MCF e dee 0,075 pu ppara o MCS.

Figu
ura 5.20: Falta FFFT ba
arra da subeestao SEP
P desequilibrrado.

Segundo a Figura 5.199 e a Figuura 5.20 possvel


S p oncluir que o MCS mais
co
susceeptvel s variaes
v dee desequilb brio do SEP P e apresennta maioress erros do que
q o
MCF F para a conndio de faalta trifsicaa-terra abc-gg monitorad
da na barra da
d subestao.
120

5.4.22 Falta Trrifsica monitorada na barra do consumidoor sensvel (barra 9)

A Figura 5.21 apresennta o compportamento das curvass de frequncia relativva de


ocorrrncia para SEP equiliibrado mon
nitorada na barra
b do co
onsumidor sensvel.
s Noota-se
que aas curvas do
o MCS e doo MCF no se
s afastam da
d curva doo programa ATP/EMTP
A P.

F
Figura 5.21: # Sag Totaal FFFT % barra
b do con
nsumidor seensvel SEP equilibradoo.

Observa-se que, para afundamen


O ntos de tennso de pequena mag gnitude, o MCF
deteccta menor quantidade relativa dee afundameentos de teenso quanddo, em verrdade,
existtem maiorees valores de frequncia de ocorrncia;
o o que esst dando erros
consiiderveis naa deteco para valorees menores a Vsag = 0,225 pu. Para valores maaiores
de Vssag = 0,25 puu as curvas do MCF e do MCS se comportam m de maneirra similar a curva
do pprograma ATP/EMTP
A P, utilizanddo este ltiimo como referncia. O MCS para
afunddamentos de d tenso maiores
m a 0,775 pu apresenta menorres valores ded frequnccia de
ocorrrncia, isto significa que
q a curva est desloccada direiita com respeito curvva de
referrncia e, porrm a deteco de afunndamentos dde tenso incorreta.
i
P
Para a Figuura 5.22 coom SEP desequilibra
d ado monitorrada tambm na barrra do
consuumidor suscetvel a afundamenntos de teenso, se observa o quue na faixxa de
afunddamentos de d tenso menor
m Vsaag = 0,2 puu o MCF detecta
d mennores valores de
frequuncia de ocorrncias,
o quando naa verdade existem
e vallores maiorres, conformme os
resulltados obtiddos com ATP P/EMTP.

Fiigura 5.22: # Sag Total FFFT % baarra do conssumidor sen


nsvel SEP desequilibrad
do.
121

A curva do MCS apressenta valorees 20 % acim ma da curvaa de refernncia para vaalores


de affundamento os de tensoo menores Vsag = 0,3 pu e, quase 35 % supperiores da curva
de reeferncia paara afundammentos de tenso comprreendidos entre Vsag = 0,4 e Vsag = 0,88
pu. N
No entanto, o MCF parra valores dee afundameentos de tenso de Vsag = 0,2 pu at Vsag
= 0,990 pu posssui uma cuurva que taambm aprresenta valoores superio ores curvva de
referrncia.
C
Conclui-se ento
e que para
p o estud
do de frequncia de ocoorrncia com
m falta trifsica-
terra o MCF e o MCS so s suscepttveis varriao de desequilbri
d io do SEP para
moniitorao na barra do coonsumidor sensvel.
s
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.8.

Tabela 5.8: Deesempenho do


d SEP para
a falta FFFT T monitorad
da na barra do consumiidor
sensvel.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 1,08 1,61
MCS 1,08 0,89
9
MCF 1,08 1,08
8

O
Observa-se na Figura 5.23
5 que oss erros das tenses callculadas peelo mtodo MCF
para falta trifssica terra com
c SEP equilibrado
e monitoradoo na barra do consum midor
sensvel tem um m comportamento sem melhante monitorao da barra da subesstao
(Figuura 5.19). O erro mxiimo para o MCF foi de d 0,133 puu para a conndio de curto-
c
circuuito slido, logo diminuui com o auumento da Rf at o vallor mnimo de 0,022 puu que
se esstabiliza no valor de 0,0065 pu paraa elevados valores
v de resistncia de
d falta. J o erro
pelo MCS para curto-circuiito slido praticamennte zero e see incrementaa at chegarr num
valorr estvel de 0,08 pu. possveel observar,, em amboos os mtod dos, que coom o
aumeento da resistncia de falta
f os erros tendem a manter-se assintoticam
a mente constaante.

Figura 5.23: Falta FFFT barra


a do consum
midor sensvel SEP equilibrado.

N Figura 5.24 para um


Na ma falta trifsica-terra abc-g
a e SEP
P desequilibbrado monitorada
na barra do connsumidor sensvel, obbserva-se quue o erro nas n tenses calculadass pelo
mtoodo MCF see comporta de um mod do especial;; quase de maneira
m semmelhante aoo caso
moniitorado na barra
b da subbestao, accentuando-sse nos valoores mximoos e mnimmos. O
erro mximo paara o MCF foi
f de 0,1311 pu para a condio dee curto-circcuito slido (Rf =
0 )), logo dim
minuindo comm o aumennto da Rf att um valorr mnimo de d 0,021 puu e se
122

estabbilizando noo valor de 0,061 pu. J o erro pelo


p MCS para a conndio de curto-
c
circuuito slido praticameente zero in
ncrementanddo-se num valor mxiimo de 0,1338 pu
para um valor de Rf = 5 at cheg gar a uma estabilidad
de de 0,0955 pu. posssvel
obserrvar, em ammbos os mtodos, que com o aum mento da ressistncia de falta Rf os erros
tendeem a se mannter em um valor consttante.

Figura 5..24: Falta FF


FFT barra do
d consumid
dor sensvell SEP desequ
uilibrado.

C
Conclui-se que
q os erros obtidos na barra do consumidorr sensvel ses comportaam de
iguall maneira que
q os erross monitoraddos na barraa da subesttao. Na condio
c dee falta
trifssica o MCSS mais susceptvel aoo desequilbbrio do SEP
P e apresennta maiores erros
que o MCF, para p afundaamentos obbservados monitoradas
m s na barra do consum midor
susceeptvel a afuundamentoss de tenso.

5.4.33 Falta Monofsica monitorada


m a na barra da subestaao

O
Observa-se nas curvass da Figurra 5.25 quee para falttas monofsicas com SEP
equillibrado monnitorada naa barra da subestao,, o MCS e o MCF see comportaam de
maneeira similar ao program
ma ATP/EM MTP. Para vaalores maioores a Vsag = 0,8 pu o MCF
M e
o MC CS apresenntam valorees de frequncia relativva de ocorrrncia de afundamento
a os de
tenso menores que curvaa de refernncia.

Figurra 5.25: # Saag Total FT % barra daa subestaoo SEP equilib


brado.
123

P
Para a Figurra 5.26 na mesma
m conddio de fallta que no caso
c anterior, monitoraada na
barraa da subestaao e com SEP deseqquilibrado se observa que
q o MCF quase no varia
respeeito do casoo equilibradoo.

Figura 5.26: # Sag Total FT % barra da subestao SEP


S desequiilibrado.

No entanto, para o MC
N CS nota-se queq se afastta da curva de refernccia apresenttando
maioor frequnciia relativa de
d afundameentos de tennso a partirr de Vsag = 0,4 pu at Vsag =
0,8 ppu. Acima deste
d limiarr, as curvas do MCS e do MCF apresentam
a valores meenores
ao vaalor de referrncia.
N caso paarticular de falta mono
No ofsica a-gg monitoradda na barraa da subesttao,
obserrva-se que para SEP desequilibra
d ado a curvaa de frequncia relativva de ocorrrncia
pelo MCF manttm seu com mportamentoo quase iguual e sem vaariao algu uma com resspeito
currva do SEP equilibradoo. Conclui-sse ento que o MCF no suscepptvel a variaes
de ddesequilbrioo do SEP. Por outro lado,l o MC CS apresentta sensibiliddade no quue diz
respeeito variao do deseqquilbrio doo SEP.
O nmero totalt de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.9.

T
Tabela 5.9: Desempenho
D o do SEP para falta FT monitoradoo na barra da Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 1,799 1,8366
MCS 1,799 1,5433
MCF 1,799 1,7999

A anlise ded erros obbtida nas tenses


t esttimadas para os caso os equilibraado e
deseqquilibrado apresentadda na Figuraa 5.27 e na FFigura 5.288.
A Figura 5.227 mostra umu comporrtamento sinngular nos erros dos afundament
a tos de
tenso durante uma
u falta monofsica
m a com SEP
a-g P equilibraddo e monitoorado na barrra da
subestao. Os valores doos erros peelos mtodos estudados (MCF e MCS) so de
semeelhante commportamentoo e de mnima variao na faixaa toda de vaalores de Rf. No
incioo o erro praticamennte nulo naa condio de curto-ccircuito sllido (Rf = 0 )
increementando-sse at um valor de 0,029
0 pu paara valores elevados de Rf , ondde se
manttm assintotticamente constante.
124

Figura
F 5.27: Falta FT ba
arra da subeestao SEP
P equilibrado.

N Figura 5..28 observaam-se os errros das tenses durante a falta mon


Na nofsica a-gg com
SEP desequilibrrado e moniitorado na barra
b da subbestao. O MCF e o MCS M apreseentam
distinntos comportamentos, contrrio ao
o que aconteece na figurra anterior (Figura
( 5.277).

Fig
gura 5.28: Falta
F FT barrra da subesstao SEP desequilibra
d ado.

N inicio os
No o erros peelos mtod dos de com mponentes simtricas e de fasess so
praticcamente nuulos para a condio
c dee curto-circuuito slido (Rf = 0 ). Incrementaando-
se noo caso do MCS
M at um
u valor mximo
m de 0,101
0 pu para uma Rf = 5 e logo
diminnuindo at chegar a um m valor esttvel de 0,007 pu para valores
v elev
vados de Rf. No
entannto, para o MCF paraa SEP desequilibrado o comportaamento da curva do erro e
praticcamente semmelhante aoo SEP equilibrado, s que o valorr de erro mximo
m dee 0,06
pu paara o caso do
d SEP com m desequilbrrio de 3,56 %.
C
Conclui-se q segunddo as figuraas de erross (Figura 5..27 e Figurra 5.28) o MCS
que
apressenta maiorres erros e mais susceeptvel ao deesequilbrioo do SEP quue o MCF.

5.4.44 Falta Monofsica monitorada


m a na barra do consum
midor sensvvel (barra 99)

N Figura 5.29
Na 5 se aprresenta o comportame
c ento das cu
urvas para SEP equilibbrado
moniitorada na barra
b do coonsumidor sensvel
s a afundamento
a os de tenso. As curvas do
MCSS e do MC CF so quase coincideentes com os resultad dos da curvva da referncia.
Obseerva-se que para afunddamentos dee tenso com
mpreendidoos entre Vsagg = 0,4 pu e Vsag
= 0,775 pu os mtodos
m de componenntes simtriccas e de faases apresenntam valores de
125

frequuncia de occorrncia cooincidentes com a curvva de referncia. Para afundament


a tos de
tenso com valoores compreendidos naa faixa de Vsag = 0,28 pu at Vsaag = 0,4 pu;; e na
faixaa de Vsag = 0,75 pu att Vsag = 0,99 pu os mtodos estuddados so cooincidentes, mas
com uma diferenna pequena em relao curva de refernciaa.

Figura 5.229: # Sag Total FT % baarra do conssumidor sen


nsvel SEP eq
quilibrado.

N Figura 5.30 com SEP deseqquilibrado monitoradaa na barra do consum


Na midor
sensvel, se obsserva que naa faixa mennor Vsag = 0,3 pu o MCF e o MCS M apreseentam
frequuncia relatiiva de ocorrrncia de affundamentoos de tenso
o 12 % supeeriores as obbtidas
pelo ATP/EMTP P. A partir de Vsag = 0,35 pu at Vsag = 0,7 pu os valores obtidos so at
20 % superiores a curva de d refernciia. No entannto, o MCS S converge para a curvva de
referrncia para afundamenttos de magnnitude supeerior a 0,8 pu.
p Mas no o o MCF, que
q na
faixaa de Vsag = 0,75
0 p apresenta uma diferrencia de freequncia relativa
pu at Vsag = 0,9 pu,
de occorrncia dee 30 % acim ma do valor da curva dee referncia.
C
Conclui-se ento
e que seegundo a Figura 5.29 e a Figura 5.30 de frequ
uncia relatiiva de
ocorrrncia o MC CF e o MC CS so suscceptveis ao desequilbrrio do SEP para falta Fase-
Terraa quando monitorado
m o na barra doo consumiddor sensvel..

F
Figura 5.30:: # Sag Totaal FT % barrra do consu
umidor sensvel SEP dessequilibradoo.

O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.10.
126

Taabela 5.10: Desempenho


D o do SEP paara falta FT monitoradoo na barra do
d consumid
dor
sensvel.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 1,799 2,6855
MCS 1,799 1,7266
MCF 1,799 1,7999

Na Figura 5.31
N 5 apresennta os erross das tensees para umaa falta monnofsica a-gg com
SEP equilibrado o monitoradda na barra do consumiidor sensveel a afundam mento de teenso.
Obseerva-se que o erro mxiimo nas tennses calculadas pelo mtodom MCFF foi de 0,116 pu
para a condio de curto-circuito sliddo (Rf = 0 ). O erro diiminui com o aumento da Rf
at um
u valor mnimo de 0,008 pu paraa uma Rf = 1 , logo o erro se incrementa i at o
valorr de 0,037 pu p mantenddo-se assintoticamente constante. No caso doo erro pelo MCS
para a condioo de curto-ccircuito slido praticaamente zeroo, estabilizaando-se no valor
de 0,,037 pu paraa elevados valores
v de resistncia
r d falta Rf.
de
O
Observa-se que para ambos os mtodos (MCF ( e MCS),
M com
m o aumentto da
m a manter-se constante num mesm
resisttncia de faalta Rf os errros tendem mo valor de 0,037
0
pu.

Figura 5.31: Faltaa FT barra do consumidor sensvell SEP equilib


brado.

A Figura 5.332 corresponnde barra de monitorrao do con nsumidor seensvel com m SEP
deseqquilibrado e falta fasee terra a-g. Observa-see que o errro da tenso o calculadaa pelo
mtoodo MCF sempre infferior ao errro apresentaado pelo MCS.M O erroo pelo MCF F de
0,0822 pu para a condio de
d curto-circcuito slido,, logo o mn nimo valor ded erro dee 0,02
pu, e com o inccremento doo valor da Rf se estabiliza no valoor de 0,0699 pu. Enquaanto o
erro para o MCS na condio de curtoo-circuito slido iguaal ao MCF.. O erro mximo
por o MCS da d ordem dee 0,14 pu para p um vallor de resisttncia de faalta de Rf = 5
aproxximadamennte, diminuinndo com o aumento
a daa Rf at estaabilizar-se no
n valor de 0,087
0
pu, oonde se man ntm num valor estvel. Em ambbos os mto odos se obsserva que ccom o
aumeento da resistncia de falta
f Rf os erros
e tendem
m a manter-sse constantee.
127

Figura 5.32: Falta FT


F barra do
o consumidoor sensvel SEP
S desequiilibrado.

C
Conclui-se q segunddo as figuraas de erros (Figura 5.331 e Figuraa 5.32) o MCS
que M
mais susceptveel ao desequuilbrio do SEP
S e apressenta maiorres erros quue o MCF ppara a
conddio de faalta monofsica monittorada na barra
b do coonsumidor sensvel. Como
C
esperrado o MCFF apresenta baixa sensiibilidade ao desequilbrrio do SEP.

5.4.55 Falta Bifsica-Terrra monitorrada na barrra da Subeestao

C
Comparando o as curvass de frequncia relativva de ocorrrncia de afundamento
a os de
tenso do MCF e do MCS (Figura 5.3 33) para SEPP equilibraddo com falta bifsica a terra
moniitorada na barra
b da subbestao; o MCS se coomporta de maneira sim milar a curvva do
progrrama ATP/E EMTP na faaixa de afun ndamentos de
d tenso co ompreendiddos entre Vsaag = 0
pu e Vsag = 0,7 75 pu. Paraa afundamenntos de tennso menores Vsag = 0,5 pu o MCF
apressenta menorres valores de frequnccia relativa de ocorrnncia. Para vaalores superriores
at Vsag = 0,8 pu
u, as trs cuurvas so co
oincidentes. A partir do
d valor de Vsag = 0,8 pup at
Vsag = 0,9 pu as curvas doo MCS e do MCF aprresentam iggual comporrtamento, porm p
possuuem menores valores de d frequncia relativa dde ocorrncia que a currva de referrncia
(proggrama ATP//EMTP).

Figuraa 5.33: # Sagg Total FFT % barra daa subestao


o SEP equiliibrado.
N Figura 5.34
Na 5 para a mesma conndio de falta
f que noo caso anteerior, monitorada
tambbm na barra da subestaao e com m SEP deseqquilibrado see observa que
q o MCF quase
q
no vvaria respeitto do caso equilibrado.
e .
128

Figura 5.34:
5 # Sag Total
T FFT % barra da subestao
s S
SEP desequ
uilibrado.

Mas para o MCS, nota-se


M n que dita curvva se afastta da curvva de referrncia
apressentando maior frequnncia relativaa de ocorrnncia a partirr de Vsag = 0,4 pu at Vsag =
0,75 pu. Acima de dito limiar a curva do MCS e do d MCF preesentam vallores menorres de
frequuncia relatiiva de ocorrrncia que a curva de referncia.
N
Neste caso de
d falta bifsica terra bc-g
b monitoorada na baarra da subeestao paraa SEP
deseqquilibrado se
s observa queq a curvaa do MCF se comporta quase iguaal e sem varriao
algumma respeito do SEP equuilibrado, como na maioria dos caasos estudad dos.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.11.

Taabela 5.11: Desempenho


D o do SEP parra falta FFT
T monitorad
do na barra da Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 0,360 0,3600
MCS 0,360 0,3455
MCF 0,360 0,3600

C
Conclui-se ento quee segundo as figurass de frequuncias dee ocorrnciia de
afunddamentos de d tenso para falta bifsica a terra o MCF
M no susceptveel ao
deseqquilbrio doo SEP, porm o MCS apresenta sensibilidadde respeito ao desequiilbrio
no SEEP para a mesma
m conddio de faltta.
U anlisee de erros naas tenses estimadas
Uma e dee acordo coom a equao de Erro Mdio
M
Quaddrtico appresentada na n Figura 5.35 para um ma falta biffsica terra bc-g e com
m SEP
equillibrado. Observa-se o comportam
c ento da currva do erro nas tensess calculadass pelo
MCF F monitorad da na barra dad subestao para a coondio de curto-circuiito slido (R Rf = 0
) o valor mx ximo de erroo foi de 0,110 pu. Logoo o erro dim minui com o aumento da Rf
at uum valor mnimo
m de 0,055
0 pu paara uma Rf = 7 e se incremennta at se manter
m
consttante no vallor de 0,06 pup para elevvados valorres de resistncia de fallta.
P
Para o MCS S na condio de curtoo-circuito slido (Rf = 0 ) o erroo praticam mente
zero,, e se incremmenta com o aumento do valor da Rf at se aproximar no n valor dee 0,06
pu para Rf = 10 , logo se manter constante c p
para elevado
os valores ded resistnccia de
falta..
O
Observa-se p ambos os mtodos estudadoss (MCF e MCS)
para M que coom o aumennto da
resisttncia de faalta Rf os errros tendem a se manterr constante na proximiddade de 0,06 pu.
129

Fiigura 5.35: Falta


F FFT barra
b da sub
bestao SEP
P equilibrad
do.

O
Observa-se na Figura 55.36 os erroos das tensses durantee a falta bifsica terraa bc-g
com SEP deseq quilibrado e monitoraado na barrra da subestao. O MCF e o MCS
apressentam com mportamentoos semelhaantes como acontece na n figura annterior comm SEP
equillibrado (Fig
gura 5.35). Na condio de curto--circuito slido (Rf = 0 ) o erroo pelo
MCS S praticam
mente igual ao SEP equ uilibrado loogo vai incrrementandoo-se at um valor
mxiimo de 0,1003 pu para uma
u Rf = 6 e diminuui at chegaar a um valor assinttico de
0,07 pu para vallores de Rf elevados.
e
P o MCF
Para F com SEP desequilibra
d ado o comportamento praticamennte semelhaante
SEP equilibrado o, sendo quee o erro mximo de 00,10 pu paraa condio de curto-cirrcuito
sliddo. medidda que se incrementa o valor da reesistncia dee falta Rf o erro diminuui at
5,8 %%, mantendoo-se constannte.

Figura 5.36: Faalta FFT barrra da subesstao SEP desequilibrado.

Segundo a Figura 5.355 e a Figurra 5.36 o MCS


S M apressenta um bo
om desemppenho
(mnnimo erro no os afundam
mentos de teenso) paraa a condioo de curto-circuito sllido e
para faltas dee alta im mpedncia apresenta erros elevvados, con ntrariamentee ao
compportamento do MCF. Conclui-se tambm que o MC CS maiss susceptveel ao
deseqquilbrio doo SEP e appresenta maaiores erros que o MC CF para a condio dee falta
bifssica terra quuando monnitorada na barra da subbestao.
130

5.4.66 Falta Bifsica-Terrra monitorrada na barrra do conssumidor sen


nsvel (barrra 9)

A Figura 5.37 apresennta o compportamento das curvass de frequncia relativva de


ocorrrncia do MCF
M e do MCS M para SE EP equilibraado monitorrada na barrra do consummidor
sensvel. Observva-se que diitas curvas se
s afastam da
d curva de referncia.
O
Observa-se q as curvas do MCF e do MCS possuem co
que omportamenntos particuulares,
ditas curvas apresentam maiores
m valores de freequncia reelativa de ocorrncia
o q a
que
curvaa de refern
ncia em quase em toda a faixa de aafundamento os de tensoo.
N faixa com
Na mpreendidaa entre Vsag = 0,1 pu ata Vsag = 0,3 pu as cu urvas apreseentam
um vvalor de 10 % acima daa curva do programa
p A
ATP/EMTP, porm na faixa f entre Vsag =
0,35 pu e Vsag = 0,75 pu, o valor dee frequnciaa relativa de d ocorrnciia se increm menta
sobree o valor de refernciaa em 18 %, e na faixaa de Vsag = 0,8 pu at Vsag = 0,9 pu o
increemento mx ximo sobre a refernciaa de 25 % aproximadaamente.

Figura 5.377: # Sag Tottal FFT % barra


b do con
nsumidor sen
nsvel SEP equilibrado.
e .

Na Figura 5.38
N 5 para a mesma condio de falta f que noo caso anteerior e paraa SEP
deseqquilibrado monitorada
m na barra do
d consumiddor sensvel, se observva que as curvas
c
do MMCF e do MCS apressentam com mportamentoos similares que no SEP S equilibbrado.
Ondee o MCS ap presenta maaiores valorres de frequuncia relativa de ocorrrncia num valor
mxiimo de 20 % acima do valor do AT TP/EMTP na n faixa de Vsag = 0,1 pu
p at Vsag = 0,78
pu.

F
Figura 5.38: # Sag Totall FFT % barrra do consu
umidor senssvel SEP deesequilibrad
do.
131

S
Segundo as figuras de frequncia relativa de ocorrncia de afundam mentos de teenso
para falta bifsiica terra see conclui quue o MCF no suscceptvel ao desequilbrrio do
SEP,, pois apreesenta idnttico compo ortamento variando
v o desequilbbrio do sistema.
Pormm o MCS apresenta
a seensibilidadee respeito variao doo desequilbbrio do SEP
P para
a conndio de faalta bifsicaa terra bc-g.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.12.

Taabela 5.12: Desempenho


D o do SEP parra falta FFTT monitorad
do na barra do consumidor
sensvel.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 0,480 0,4800
MCS 0,360 0,3455
MCF 0,360 0,3600

U
Uma anlisee de erro descrita naa Figura 5.339, na conddio de SE
EP equilibraado e
moniitorada na barra do consumidorr sensvel. Observa-se que o erro e das tennses
calcuuladas pelo mtodo MC CF tem um valor de 0,015 pu paraa condio de curto-cirrcuito
sliddo e para o MCS
M tem um
u valor de 0,0003 pu para a mesma condio. Sendo que q na
mediida em que se incremeenta o valoor da Rf os erros aumeentam. dee salientar que q a
curvaa do erro peelo MCF sempre
s mennor que peloo MCS.
O
Observa-se tambm quue os erros pelos mtodos estudaddos (MCF e MCS) tem m um
compportamento semelhantee para elevaados valoress de Rf cheg gando a umm erro mxim
mo de
quasee 0,07 pu.

Figura
a 5.39: Faltaa FFT barraa do consumidor sensveel SEP equiliibrado.

P
Pode-se obsservar na Figura 5.40 que para umau falta bifsica terraa nas fases bc-g
moniitoradas na barra do consumidor
c r sensvel com
c SEP desequilibrad do, e valorres de
resisttncia de faalta Rf mennores de 2,33 o MCF F apresenta menores errros que o MCS.M
Porm m para valoores maiores de Rf os valores
v dos erros do MCS
M diminuem at 0,0558 pu.
Para condio ded curto-circcuito slido (Rf = 0 ) o erro mxiimo para o MCFM de 00,1 pu
e parra o MCS neesta mesmaa condio de 0,006puu aumentan ndo o erro att chegar a 0,108
0
pu e estabilizanddo-se no valor de 0,0888pu.
132

Figura 5.40:
5 Falta FFT
F barra do
d consumid
dor sensvel SEP desequ
uilibrado.

S
Segundo a Figura 5.399 observa-sse que as curvas doss mtodos de componnentes
simtricas e de fases apressentam iguaais comportaamentos coom a variao da resisttncia
de faalta. Na Figgura 5.40 oss mtodos apresentam
a m diferenas. Para a con ndio de curto-
c
circuuito slido o MCS appresenta um m bom dessempenho, ou seja, mnimo m erroo nos
afunddamentos de d tenso, e para faltaas de alta impednciaa apresenta erros elevvados.
Concclui-se tambbm que o MCS
M maiss susceptveel s variaes de desequilbrio doo SEP
e aprresenta maiiores erros que
q o MCF F para a conndio de falta
f bifsica terra quanndo
moniitorada na barra
b da subbestao.

5.4.77 Falta Bifsica mon


nitorada naa barra da Subestao
S o

Os resultadoos exibidos na Figura 5.41 para falta


O f bifsica a terra e SEP equilibbrado
moniitorada na barra
b da subbestao, mostram
m quee o MCS naa faixa de Vsag = 0,1 ppu at
Vsag = 0,75 puu se compporta de maneira
m sem
melhante queq a curvva do proggrama
ATP/EMTP. Seendo que paara valores compreenddidos entre Vsag = 0,78 pu at Vsag = 0,9
pu a curva do MCS
M apreseenta valores de frequnncia relativaa menor quee a refernccia do
ATP/EMTP.

Figurra 5.41: # Saag Total FF % barra daa subestao SEP equilib


brado.

O MCF, parra afundam mentos de teenso menores Vsag = 0,6 pu appresenta meenores
valorres de frequuncia de ocorrncia
o e na faixa de Vsag = 0,6 pu at Vsag = 0,9 pu o
133

compportamento no coinciide com a curvac de referncia appresentando maiores vaalores


de frequncia reelativa de affundamentos de tenso..
O
Observa-se na Figura 5.42
5 para a mesma coondio de falta que no n caso antterior,
moniitorada na barra
b da subbestao, maas com SEP P desequilibbrado, que o MCF quasse no
variaa respeito do
d caso equuilibrado. Para
P o MCS S nota-se que
q varia o comportam mento
sensiivelmente com a variao do deseqquilbrio doo SEP.
O caso de falta
fa bifsicaa nas fases bc, monitoorada na barrra da subeestao paraa SEP
deseqquilibrado se
s observa tambm
t quee a curva doo MCF manntem um coomportamennto si-
milarr e quase sem
s variao respeito do SEP eqquilibrado, assim no susceptvvel ao
deseqquilbrio do
o SEP. Connclui-se tam mbm que o MCS apreesenta sensiibilidade as vari-
aes de desequuilbrio do SEP
S para fallta bifsica monitorada
m na subestao.

Figura 5.42: # Sag Total FF % barra da subestao SEP


S desequilibrado.

O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.13.

Taabela 5.13: Desempenho


D o do SEP paara falta FF monitoradoo na barra da
d Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 0,60 0,60
0
MCS 0,60 0,48
8
MCF 0,36 0,36
6

A seguir apresentada uma anlisee de erros. NNo caso de faltas bifssicas nas fasses bc
moniitoradas na barra da suubestao taanto para o SEP equiliibrado como desequilibbrado
as cuurvas dos errros apresenntam similaares comporrtamentos inndependenttemente doo grau
de deesequilbrio
o. Os valorees mximoss e mnimoss so semelhhantes nas duas figuraas. Na
Figurra 5.43 comm SEP equillibrado o MCS
M possui menor erroo com respeito ao MCF F para
toda a faixa de valores
v de Rf . Na conddio de currto-circuito slido (Rf = 0 ) o errro do
MCF F de 0,04 43 pu e paraa o MCS de 0,014 pu p aproxim madamente. O valor dee erro
mxiimo para MCF
M chega a 0,158 pu para
p uma Rf = 5 , en nquanto paraa o MCS o valor
mxiimo de erro de 0,054 pu para eleevados valorres de Rf .
134

F
Figura 5.43: Falta FF baarra da subeestao SEP
P equilibrado.

No caso de SEP deseqquilibrado observadoo na Figuraa 5.44, paraa a condio de


N
curtoo-circuito slido (Rf = 0 ) o erro pelo MCF de 0,042 pup e para o MCS de 0,033
0
pu approximadam mente. O vaalor mxim mo para MCF chega a 0,160 pu parra uma Rf = 5
aproxximadamennte, sendo quue para o MCSM o valorr mximo de 0,081 pu para Rf = 17,5
. A continuao o erro dim minui a 0,7 pu para eleevados valorres de Rf . O MCF apreesenta
erross maiores naa faixa de valores de Rf compreendidos e Rf = 0 at Rf = 17,5 ..

Figgura 5.44: Falta


F FF barrra da subestao SEP desequilibra
d ado.

S
Segundo a Figura
F 5.43 e a Figura 5.44 se obsserva que ass curvas doss erros dos MCS
e MC CF para o SEP equiliibrado e deesequilibraddo apresentam iguais comportam mentos
com a variao da resistncia de faltaa. Para a conndio de curto-circuit
c to slido o MCS
apressenta um bom desemppenho, ou seja, s mnim
mo erro nos afundamenntos de tensso, e
para faltas dee alta imppedncia apresenta
a e
erros elevaados. Por outro laddo, o
compportamento do MCF na condio de curto--circuito slido apresennta mnimoo erro
nos aafundamenttos de tenso, incremeentando-se para valorees mdios de d resistnccia de
falta e para faltaas de alta im
mpedncia apresenta
a naa ordem de 6,5 %. Conclui-se tam mbm
que ppara a conddio de faltta bifsica o MCS e o MCF
M no so susceptvveis as variaes
de deesequilbrioo do SEP appresentando iguais valoores de erroos quando see varia o grrau de
deseqquilbrio paara afundam mentos moniitorados na bbarra da subbestao.
135

5.4.88 Falta Bifsica mon


nitorada naa barra do consumidor
c r sensvel (barra
( 9)

A Figura 5.45 apresennta o compportamento das curvass de frequncia relativva de


ocorrrncia paraa falta bif
fsica bc comc SEP eequilibrado monitorad da na barrra do
consuumidor sennsvel. Obsserva-se qu ue as curvaas do MCF F e do MC CS para vaalores
menoores ao limiar de Vsag = 0,5 pu ap presentam menores
m vaalores de freequncia relativa
de occorrncia quue a curva do
d program ma ATP/EM MTP. Para vaalores maioores de Vsag = 0,5
o MC CF apresennta maior frrequncia reelativa de ocorrncia
o d afundam
de mentos de teenso.
Na faaixa entre Vsag = 0,5 puu e Vsag = 0,7
0 pu a curvva do MCS coincide coom a refernncia e
para valores maaiores de Vsags = 0,7 puu apresenta menores vaalores que a refernciaa. Por
tantoo, a curva do
d MCS poossui valorees de frequuncia relattiva de oco orrncia menor a
curvaa de refern
ncia em quase toda faixxa de Vsag.
N Figura 5.46,
Na 5 para a mesma coondio de falta que no n caso anteerior, nestee caso
com SEP deseqquilibrado monitorada
m na barra do
d consumiidor sensvel, as curvas de
frequuncia relativa de ocorrrncia do MCF
M e do MCS
M apressentam alterrnncias maaiores
no comportame
c ento com respeito curva de refernciaa. O MCF e o proggrama
ATP/EMTP posssuem compportamentoss iguais quee no caso eqquilibrado, mas m no assim o
MCS S que para valores compreendidoos no limiaar de Vsag = 0,5 pu att Vsag = 0,7 pu
apressenta maiorres valoress de frequncia relativva de ocorrrncia e loogo desse valor
diminnui e se com
mporta commo no caso equilibrado.
e

Figura 5.4
45: # Sag Total FF % ba
arra do conssumidor sen
nsvel SEP eq
quilibrado.

F
Figura 5.46:: # Sag Totaal FF % barra do consu
umidor sensvel SEP dessequilibradoo.
136

N caso de falta bifsicca nas fases bc monitoorada na baarra do conssumidor sennsvel


No
obserrva-se que a curva doo MCF manntem seu comportameento similarr e sem varriao
algumma, indepenndente do desequilbrio
d o do sistem
ma. Assim, para
p faltas bifsicas
b o MCF
no susceptveel as variaes de deseequilbrio doo SEP. Connclui-se tam
mbm que o MCS
apressenta sensibbilidade a variaes de desequiilbrio do SEP na coondio de falta
bifssica monitorrada na barrra do consummidor sensvel.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.14.

Taabela 5.14: Desempenho


D o do SEP paara falta FF monitoradoo na barra do
d consumid
dor
sensvel.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 0,60 0,60
0
MCS 0,60 0,54
4
MCF 0,36 0,36
6

O
Observa-se n Figura 5.47 e na Figura
nas F 5.48 o comportaamento dos erros do MCS M e
do M
MCF para SE EP equilibrrado e deseqquilibrado respectivam
r mente, para falta
f bifsicca nas
fasess bc monitoorada na baarra do connsumidor seensvel. As curvas doss erros do MCF
possuuem comp portamentos e valoress similaress tanto parra SEP eqquilibrado como
deseqquilibrado. Para a conndio de cuurto circuitto slido o erro de 0,003
0 pu, o erro
mxiimo de 0,1 162 pu paraa Rf = 5 e finalmente se estabiliiza no valorr de 0,08 puu para
elevaados impedncias de faaltas indepenndente do grau
g de deseequilbrio do
o sistema.
N caso do MCS o com
No mportamentto dos erros dependennte do grau de desequiilbrio
do sistema.
s Paara a conddio de curto
c circuiito slido com SEP equilibraddo ou
deseqquilibrado o erro de 0,021 pu. Para
P SEP eqquilibrado o erro mnim mo de 0,115 pu
pormm para SEP desequiliibrado o errro mnimo de 0,006 pu increm mentando-sse at
cheggar a 0,08 pu para SEP equiliibrado e 0,11 0 pu paara SEP desequilibra
d ado e
estabbilizando-see em 0,08 puu e em 0,10 pu respectiivamente.

Figurra 5.47: Faltaa FF barra do consumid


dor sensvell SEP equilib
brado.
137

Figura 5.48: Falta FF barra doo consumidoor sensvel SEP


S desequiilibrado.

C
Conclui-se que o MC CF apresen nta elevadoos valores de erros para
p valorees de
resisttncia de faalta, na proxximidade dee 5 , onde o erro mxximo. Pode--se dizer tam
mbm
que o MCF no o dependeente do deseequilbrio do
d sistema. Mas no asssim o MCS S que
apressenta menorres valores de erros paara pequenos valores dee resistnciaa de faltas e para
elevaadas resistncias os erros
e aumenntam signifficativamennte. O MCS S apresentaa alta
dependncia do grau de dessequilbrio do d sistema.
Como sabiido para toddos os casoss descritos aacerca do im
C mpacto da Rf que influuencia
em eestudos do afundamentto de tenso o que a quantidade
q de afundam
mentos de teenso
aumeenta quandoo a Rf tendee a zero, senndo que o vaalor mximo de afundaamento de teenso
aconntece com curto-circuit
c to slido. Caso
C contrrio para faltas
f de altta impednncia a
quanntidade de affundamentoos de tensoo diminui coonsideravelm mente indep
pendente doo grau
de deesequilbrioo do sistemaa.

5.5 Resumo
N
Neste captuulo foram appresentadoss os resultaddos das distintas anlises para annalisar
os mmtodos estuudados, parra o clculo o de afundaamentos dee tenso. O MCF e o MCS
foram m comparad dos com os resultados do program ma ATP/EM MTP, avaliaados nas anlises
de frrequncia relativa
r de ocorrncia e anlise de erros. Para P a anllise de erroos foi
utilizzada a equao do Erroo Mdio Quaadrtico desscrito no caaptulo 4.
N primeiroo e segundoo estudo see avaliaram
No m para cadaa mtodo esstudado (M MCF e
MCS S) a influncia do deseequilbrio do o sistema e da impedncia de faltta; simuladaas em
todass as barras do sistemaa e monito oradas na barra da subbestao e na barra de d um
consuumidor sennsvel. Os estudos
e quanntitativos reealizados na
n barra da subestaoo e na
barraa do consum midor permitiram verifficar a influuncia da reesistncia dee falta e doo grau
de deesequilbrioo do SEP naa anlise de afundamenntos de tenso. As curv vas de frequuncia
relatiiva de ocorrrncia acum mulada foramm analisadaas tambm parap os valoores extrem mos de
resisttncia de faalta (0 e 25
2 ), com o objetivo de d avaliar a influncia desta
d varivvel.
F apresenttado tambm
Foi m um terceeiro estudo para determ minar a inflluncia dos tipos
de faaltas no com
mportamentoo dos mtoddos utilizadoos (MCF e MCS). M Connsiderando o SEP
equillibrado e deesequilibraddo para os distintos tipoos de faltas: falta trifsiica-terra (abbc-g),
falta bifsica-terra (bc-g), falta bifsiica (bc) e falta
f monoffsica-terra (a-g), variiou-se
tambbm os valorres de resisttncias de faltas
f Rf entrre 0 e 25 . Determiinou-se quee cada
tipo de falta appresenta um m comportaamento parrticular, no o podendo generalizaar um
138

comportamento comum a todos os tipos de faltas. Verificou-se tambm que um dos


mtodos analisados depende grandemente do desequilbrio do SEP e dos tipos de faltas.
No foi possvel afirmar qual a maior influncia no comportamento dos mtodos. Uma
questo importante de salientar que para o valor de resistncia de falta Rf = 5
apresentam-se irregularidades no comportamento dos erros de quase todos os tipos de
faltas. Este valor particular de resistncia de falta apresenta uma semelhana ao valor de
impedncia equivalente do SEP chamado tambm de impedncia de Thevenin
equivalente do sistema na barra onde acontece a falta. De acordo a equao formulada
nos mtodos dependendo do tipo de falta, acontece uma indeterminao ou
irregularidade nos clculos que provoca um erro considervel no clculo do
afundamento de tenso.
139

6 CONCLUSES

Os estudos de afundamentos de tenso em SDEE vm recebendo especial ateno


nos ltimos anos por parte das concessionrias de energia eltrica devido crescente
exigncia da QEE entregue aos consumidores. Diferentes metodologias foram
desenvolvidas para a anlise de curtos-circuitos (MCS e MCF) e a eleio da mais
adequada depende do sistema a ser analisado.
As principais contribuies desta dissertao foram a comparao entre as
metodologias apresentadas: MCS e MCF, e o desenvolvimento de uma nova
aproximao de obteno da matriz impedncia de sequncia dos elementos do SEP
considerando o desequilbrio do sistema. Tal aproximao no usualmente
considerada no estudo e anlise de curtos-circuitos em SDEE. Para a avalio da
aproximao proposta e comparao dos mtodos apresentados, foi utilizado um
modelo de sistema de distribuio IEEE 13 barras modificado.
Os resultados das simulaes mostram que, para ambos os casos de desequilbrios (0
% e 3,65 %), o clculo de faltas pelo MCF apresenta valores menores de erros para
elevados valores de impedncias de falta. Por outro lado, o comportamento do erro pelo
MCS aumenta significativamente com o aumento da impedncia de falta. O MCS
tambm d resultados imprecisos no caso do sistema desequilibrado e com valores
elevados de impedncia de falta. Este erro elevado pode ser uma consequncia da
considerao feita dos valores das tenses de pr-falta, iguais a 1 pu para ambos os
mtodos de clculo. Para falta de alta impedncia as tenses na barra da subestao e na
barra da carga so semelhantes, devido a corrente de falta e a corrente da carga serem
semelhantes. Portanto, a desconsiderao da tenso nas barras antes de acontecer a falta
(considerao de sistema esttico com Vpre-falta = 1 pu) produz grandes erros de at
0,162 pu no clculo das tenses. O MCS apresenta erros maiores no caso de sistemas
desequilibrados, como era de esperar, pois este mtodo foi originalmente desenvolvido
para a anlise de sistemas equilibrados (SEP de Extra Alta e Alta Tenso onde o
desequilbrio do sistema desprezvel).
Portanto, o melhor mtodo aquele que apresenta uma soluo simples e eficiente
para o problema que se deseja analisar. Os resultados comparativos obtidos neste
trabalho mostraram que a escolha do mtodo a ser utilizado depende do grau de preciso
dos resultados que se deseja atingir e de outros fatores como: a resistncia de falta e o
grau de desequilbrio do SEP. Sendo o MCF a melhor opo para a anlise de curtos-
circuitos em SDEE para elevadas impedncias de faltas, caso contrario, o MCS
apresenta melhores resultados para baixas impedncias de faltas (Rf < 5) ou faltas
slidas (condio de curto-circuito slido).
Uma das limitaes do MCF a dificuldade de obteno de dados dos componentes
ou elementos do SEP, pois eles esto usualmente dados em valores de sequncia
140

positiva, negativa e zero. A obteno dos dados dos elementos que compem o SEP em
componentes de fases dificultosa e estes dados so de uma quantidade considervel.
Porm, uma grande dificuldade no processamento e anlise dos clculos, alm disso,
so mais dados que acarretam erros. Nesse caso o mtodo mais eficiente para a
resoluo seria pelo mtodo de matrizes trifsicas, com um clculo computacional mais
elevado com respeito do clculo de equaes simples como o MCS.
Uma virtude adicional do MCF para SDEE que se pode fazer uma anlise de fluxo
de potncia trifsico ou tambm chamado de fluxo de carga trifsico, onde se obtm os
valores das tenses pr-falta nas trs fases em forma independente.
O MCS tem como vantagem com respeito ao MCF ser simples tanto nos dados
manipulados, como tambm na obteno de todos os dados do SEP, j que estes
normalmente se encontram em valores de sequncias nas bases de dados das
concessionrias. Os clculos efetuados pelo MCS so equaes simples e de baixo custo
computacional considerando o SEP equilibrado. Porm para SEP desequilibrados como
so os SDEE apresenta inconvenientes nos resultados, devido s consideraes feitas
pelo MCS que considera trs sistemas de sequncias linearmente independentes quando
na verdade eles so dependentes pelos valores mtuos (impedncias mtuas entre as
sequncias devido ao desequilbrio do SEP).
O MCS d bons resultados para SEP de Extra Alta Tenso e Alta Tenso onde o
desequilbrio usualmente desprezvel e as faltas de alta impedncia so pouco comuns.
Estes sistemas so considerados como SEP equilibrados e sua decomposio em trs
sistemas de sequncias independentes entre si fornecem resultados adequados.
Como se observou nos resultados do estudo deste trabalho, o MCS apresenta erros
considerveis nos clculos dos afundamentos de tenso medida que o SEP apresenta
elevados ndices de desequilbrios. A grande limitao a difcil obteno das tenses
pr-falta das barras do sistema desequilibrado em coordenadas de sequncias.

Os resultados do estudo de comparao dos mtodos de curtos-circuitos deram


origem aos seguintes trabalhos:

FERRAZ, R. G.; CABRAL, R. J.; BRETAS, A. S.; BAZANELLA, A. S.; LEBORGNE,


R. C. System unbalance effect on faulted distribution systems: a numerical study. In:
IEEE POWER & ENERGY SOCIETY GENERAL MEETING, 2010, Minneapolis,
MN, USA. Proceedings... Piscataway, NJ: IEEE, 2010. p. 1-6.

CABRAL, R. J.; FERRAZ, R. G.; LEBORGNE, R. C.; BAZANELLA, A. S.;


BRETAS, A. S. Anlise Numrica do Efeito dos Desequilbrios em Sistemas de
Distribuio Faltosos. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE AUTOMTICA (CBA
2010), 18., set. 2010, Bonito, MS, Brasil. Anais... So Paulo: Cultura Acadmica, 2010.

Os estudos de afundamentos de tenso deram origem tambm aos seguintes


trabalhos:

HERNNDEZ GARCA, F.; CABRAL, R. J.; BRETAS, A. S.; GRACA, M. F.;


LEBORGNE, R. C. Estudio numrico de corto circuito monofsico en presencia de
generacin distribuida: mtodos de anlisis y huecos de tensin. In: CONFERENCIA
CIENTFICA ELCTRICA, 6., 2010, Santiago de Cuba. Proceedings Santiago de
Cuba: [s. n.], 2010.
141

CABRAL, R. J.; LEBORGNE, R. C.; BAZANELLA, A. S. Anlisis de la influencia del


desequilibrio de la red y de las condiciones de falta en el clculo de huecos de tensin
utilizando los mtodos de componentes simtricas y componentes de fase. In:
ENCUENTRO IBEROAMERICANO DEL CIGR (ERIAC), 14., Ciudad del Este,
Paraguay. Proceedings [S. l.: s. n.], 2011. Aceito para publicao.

CABRAL, R. J.; LEBORGNE, R. C.; BAZANELLA, A. S. Estudio numrico de


clculo de faltas en Sistemas de distribucin desequilibrados: mtodos de anlisis. In:
ENCUENTRO IBEROAMERICANO DEL CIGR (ERIAC), 14., Ciudad del Este,
Paraguay. Proceedings [S. l.: s. n.], 2011. Aceito para publicao.

6.1 Sugestes para trabalhos futuros


Ainda que este trabalho apresente contribuies importantes para o assunto dos
afundamentos de tenso e das anlises de curtos-circuitos em sistemas de distribuio,
muitas contribuies podem ser incorporadas a este estudo de pesquisa. Tendo em vista
o esquema proposto da matriz de impedncia de sequncias, tornando-lhe mais eficaz,
confivel e com menores erros associados para sistemas desequilibrados, so sugeridas
para o desenvolvimento de trabalhos futuros nesta rea de pesquisa as seguintes
questes:
Validao da aproximao proposta a partir de dados de faltas reais.
Desenvolvimento e implementao de tcnicas para SDEE com ramais
monofsicos e bifsicos para o MCS.
Estudo de expanso do SEP considerando a insero de gerao distribuda.
Implementao nos modelos dos elementos do sistema, considerando
distintos tipos de conexes de cargas, cargas no lineares e compensadores
de potncia reativa.
Desenvolvimento de uma metodologia para obter as tenses de pr-falta para
o MCS em SDEE com alto grau de desequilbrio.
142

REFERNCIAS

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Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico Nacional.
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AGNCIA NACIONAL DE ENERGIA ELTRICA. ANEEL, PRODIST -


Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico Nacional.
Mdulo 8: Qualidade de Energia Eltrica, Seo 8.0: Introduo e Conceituao.
Braslia, DF, 2005. Disponvel em: <
http://www.aneel.gov.br/arquivos/PDF/Modulo8_20122005_R0.pdf >. Acesso em: 01
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