ELECTRNICA DE POTENCIA ESPOCH

FACULTAD DE MECNICA - ESCUELA DE INGENIERA DE MANTENIMIENTO

ELECTRONICA DE POTENCIA

Trabajo grupal No 01

TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR DE PUESTA DE SALIDA(IGBT)

Integrantes del grupo:

lvarez Cristian
Freire Darwin
Guajan Alex
Soliz Erick
Zhune Jos Luis

FECHA DE ENTREGA: 25-10-2017

DOCENTE: ING. GABRIEL MOREANO

RIOBAMBA ECUADOR

Pgina 1 de 5
 ELECTRNICA DE POTENCIA ESPOCH

Transistor Bipolar de Puerta de Salida

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
INTRODUCCION
Durante mucho se tiempo se busc la forma de obtener un dispositivo que tuviera
una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a
altas velocidades, esto dio lugar a la creacin de los Transistores bipolar de
puerta aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no
haban sido viables hasta entonces y se describirn ms adelante.
Este dispositivo aparece en los aos 80.
Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET
La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no
por corriente
Que es el IGBT
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los
atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada.
Un IGBT combina las ventajas de los BJT y de los Mosfet.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que
generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la
conmutacin en sistemas de alta tensin.
SIMBOLOGA:
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta,
COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura
siguiente

Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN)
que son controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la
puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder
de la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de
colector, formando una lnea vertical del transistor de unin bipolar de PNP.

Pgina 2 de 5
 ELECTRNICA DE POTENCIA ESPOCH

Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los

transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT. En la figura II se observa la
estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor
(E) y Colector (C).
Tipos de encapsulados:

Parmetros fundamentales para la seleccin

Tensin de ruptura
Corriente mxima
Tensin colector-emisor en saturacin

Pgina 3 de 5
 ELECTRNICA DE POTENCIA ESPOCH

Caractersticas bsicas

Caractersticas electricas

Caractersticas trmicas

Caractersticas dinmicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutacin del IGBT no dan
informacin sobre las prdidas de conmutacin.
Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta
tensin. Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones
en mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada
da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso:
Automvil
Tren
Metro
Autobs
Avin

Pgina 4 de 5
 ELECTRNICA DE POTENCIA ESPOCH

Barco
Ascensor
Electrodomstico
televisin
Domtica,
Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

CONCLUSIONES

Al realizar esta consulta se logr determinar el funcionamiento y

aplicaciones de los IGBT
Se determino las caractersticas que poseen los IGBT.
Se identifico como saber si es un IGBT

Bibliografa:
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par%C3%
A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento
https://www.slideshare.net/alfredoafg/2-tipos-y-pruebas-de-estado
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT

Pgina 5 de 5