Bs3331 Ver 1 - 16 Electronica Analogica

Arieh Nachum
Electrnica Anloga
TPS-3331
O
TPS-3371 + KIT-A
Scientific Educational Systems

Arieh Nachum
Electrnica Anloga
TPS-3331
O
TPS-3371 + KIT-A
1_16
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I
Contenido
Prefacio ........................................................................................................................................ IV
Captulo 1 - Diodos........................................................................................................................ 1
Experimento 1.1 - Diodo estabilizado por cristal piezoelctrico ............................................... 1
1.1.1 Dispositivos de estado slido ............................................................................................ 1
1.1.2 Unin P-N ......................................................................................................................... 2
1.1.3 Circuitos de diodos ........................................................................................................... 4
1.1.4 Polarizacin directa........................................................................................................... 5
1.1.5 Polarizacin inversa .......................................................................................................... 5
1.1.6 Preguntas ........................................................................................................................... 6
Experimento 1.2 - Diodo Zener .................................................................................................. 11
1.2.1 Preguntas ......................................................................................................................... 14
Captulo 2 - El transistor ............................................................................................................ 17
Experimento 2.1 - Caractersticas del transistor bipolar ........................................................ 17
2.1.1 El transistor bipolar ......................................................................................................... 17
2.1.2 La caracterstica de transicin......................................................................................... 19
2.1.3 Un transistor plano de silicio .......................................................................................... 21
2.1.4 Lnea de carga y punto operativo .................................................................................... 22
2.1.5 Circuito de polarizacin fija ........................................................................................... 24
2.1.6 Circuito de auto polarizacin .......................................................................................... 26
2.1.7 Preguntas ......................................................................................................................... 31
Experimento 2.2 - El amplificador de transistor bipolar ........................................................ 35
2.2.1 Amplificador lineal ......................................................................................................... 35
2.2.2 Parmetros del transistor bipolar h ................................................................................. 36
2.2.3 Amplificador de emisor comn ...................................................................................... 38
2.2.4 Amplificador de seguidor de emisor ............................................................................... 46
2.2.5 Amplificador de base comn .......................................................................................... 48
2.2.6 Cmo medir parmetros de amplificador ....................................................................... 49
Experimento 2.3 - Caractersticas del Transistor de Efecto de Campo ................................. 57
2.3.1 Transistor de efecto de campo ........................................................................................ 57
2.3.2 JFET Transistor de Efecto de Campo de Juntura ........................................................ 58
2.3.3 MOSFET ......................................................................................................................... 61
2.3.4 La caracterstica de transicin......................................................................................... 65
2.3.5 Polarizacin del MOSFET de CC ................................................................................... 66
Experimento 2.4 - El Amplificador de Transistor FET ........................................................... 72
2.4.1 El amplificador FET ....................................................................................................... 72
2.4.2 Amplificador de fuente comn ....................................................................................... 74
2.4.3 Amplificador seguidor de fuente .................................................................................... 76
SES
II
Experimento 2.5 Amplificador de Dos Etapas ...................................................................... 80

Experimento 2.6 Oscilador a Transistor ................................................................................ 88
Captulo 3 - Amplificadores Operacionales .............................................................................. 96
Experimento 3.1 - Amplificador Inversor................................................................................. 96
3.1.1 El amplificador operacional ............................................................................................ 96
3.1.2 El amplificador inversor ................................................................................................ 98
3.1.3 Amplificador Logartmico .............................................................................................. 99
3.1.4 Cmo medir los parmetros del amplificador............................................................... 100
3.1.5 Preguntas ....................................................................................................................... 101
Experimento 3.2 - Amplificador Seguidor y No Inversor ..................................................... 105
3.2.1 Amplificador no inversor .............................................................................................. 105
3.2.2 Amplificador seguidor (amplificador de unidad, amplificador de almacenamiento
intermedio) .................................................................................................................... 106
3.2.3 Preguntas ....................................................................................................................... 107
Experimento 3.3 - Amplificadores de Suma y Diferencia ..................................................... 113
3.3.1 Amplificador sumador .................................................................................................. 113
3.3.2 Amplificador de diferencia ........................................................................................... 114
Experimento 3.4 - Comparador y Comparador Schmitt Trigger ........................................ 119
3.4.1 Un comparador Schmitt trigger .................................................................................... 120
Experimento 3.5 - Amplificadores Integrador y Diferenciador ........................................... 126
3.5.1 Amplificador integrador ............................................................................................... 126
3.5.2 Amplificador diferenciador........................................................................................... 128
Experimento 3.6 - Osciladores ................................................................................................. 132
3.6.1 Oscilador de puente de Wein ........................................................................................ 132
3.6.2 Un Oscilador de onda cuadrada .................................................................................... 135
3.6.3 Oscilador de onda triangular ......................................................................................... 136
Experimento 3.7 El Filtro Pasa Banda ................................................................................. 142
Experimento 3.8 - Transmisor y Receptor ptico ................................................................. 152
3.8.1 Transmisor ptico ......................................................................................................... 152
3.8.2 Receptor ptico ............................................................................................................. 154
Captulo 4 - Amplificadores de potencia ................................................................................. 160
Experimento 4.1 - Amplificador de potencia de transistor ................................................... 160
4.1.1 Introduccin .................................................................................................................. 160
4.1.2 Amplificador de acoplamiento de Capacitor ................................................................ 162
4.1.3 Amplificador de acoplamiento de transformador ......................................................... 164
4.1.4 Distorsin armnica ...................................................................................................... 167
4.1.5 Amplificador equilibrado Clase A ................................................................................ 168
4.1.6 Amplificador equilibrado Clase B y clase AB.............................................................. 170
4.1.7 Distorsiones cruzadas y Amplificador clase AB .......................................................... 172
SES
III
4.1.8 Un amplificador de simetra complementario .............................................................. 173

4.1.9 Amplificador complementario verdadero ..................................................................... 174
4.1.10 Amplificadores de potencia monolticos ...................................................................... 176
Experimento 4.2 - Amplificador de audio monoltico ............................................................ 180
Captulo 5 - Fuentes de poder .................................................................................................. 182
5.1 Introduccin .................................................................................................................. 182
Experimento 5.1 - Rectificadores de voltaje ........................................................................... 189
5.1.1 Rectificador de media onda .......................................................................................... 189
5.1.2 Rectificador de onda completa con transformador de derivacin central .................... 191
5.1.3 Rectificador de onda completa con puente de diodos................................................... 192
Experimento 5.2 - Filtros de voltaje ........................................................................................ 196
Experimento 5.3 - Reguladores de voltaje lineales................................................................. 203
5.3.1 Regulacin de diodo Zener ........................................................................................... 204
5.3.2 Diodo Zener con amplificador de corriente .................................................................. 207
5.3.3 Regulador de voltaje monoltico ................................................................................... 207
Experimento 5.4 - Regulador Conmutante Paso-Bajo .......................................................... 213
Experimento 5.5 - Regulador Conmutante Paso-Arriba ....................................................... 217
Experimento 5.6 - Regulador conmutante de inversin ........................................................ 220
SES
IV
Prefacio
Los experimentos de laboratorio se deben ejecutar en el SES entrenador anlogo TPS-3331.
El entrenador est divido en mdulos, que cubren los siguientes temas:
Diodos y circuitos de diodos.

Transistores FET y bipolares.
Amplificadores operacionales.
Amplificadores de potencia.
Suministros de energa.
El rea de experimentos incluye puntos de prueba y entradas y salidas perifricas. Los

experimentos se realizan conectando componentes mediante cables de conexin y utilizando el
osciloscopio y el multmetro para realizar mediciones.
El TPS-3331 recibe su energa de una fuente de poder externa.
Los experimentos tambin se pueden realizar utilizando el entrenador TPS-3371 con componentes
discretos que se conectan al montaje provisional enchufable TPS-3371 y completando las
conexiones mediante el cableado.
El TPS-3371 incluye:
Dos tableros de conexin sin soldadura.

Una sonda lgica.
Un ohmmetro.
2 osciladores.
8 interruptores.
8 LEDs.
Dos pantallas de 7-SEG. con decodificadores.
Un generador de funciones.
2 potencimetros.
1 fuente de voltaje variable.
1 zumbador.
SES
V
Los reportes de experimento:

Antes de comenzar a trabajar en el experimento de laboratorio es necesario elaborar un reporte de
estudio preliminar. El "reporte preliminar" debe incluir la siguiente informacin:
Nombre y nmero de experimento.

Propsito del experimento/s.
Planos elctricos.
Tablas de Datos/Resultados (que ser completada al realizar el experimento).
En particular, poner atencin a los siguientes puntos:
El(los) propsito(s) del experimento tienen que estar bien definidos y ser claros tanto para la
persona que realiza el experimento como para el Instructor que leer el reporte posteriormente
(cuando sea presentado).
El redactor no debe asumir que el lector est familiarizado con el experimento. El reporte
preliminar debe clarificar si pretendemos probar una regla o ecuacin en particular, o examinar una
solucin a un problema o, nuevamente, realizar un juego de mediciones.
El plano presenta el circuito lgico que ser construido y estudiado. Es habitual utilizar smbolos
comunes de los componentes, tal como aparecen en el rea de Diagrama Lgico de las hojas de
datos del fabricante. Tambin es habitual mantener la direccin de IZQUIERDA DERECHA
para el flujo de seales. Por lo tanto, las entradas deben estar del lado izquierdo y las salidas del
lado derecho.
Resultados de las tablas de experimento:

Estas tablas se deben preparar por adelantado y se deben llenar durante la ejecucin del
experimento. Si el resultado se puede visualizar por adelantado, se prepara una columna extra,
donde escribimos el resultado esperado (el cual posteriormente compararemos con el resultado
obtenido en el laboratorio). Por lo tanto, durante el proceso experimental, podemos ver si los
resultados son buenos o no. En caso contrario, an podemos localizar la fuente de error y
posiblemente corregir el procedimiento. Un error descubierto una vez que el experimento ha sido
concluido no se puede corregir y su fuente no se puede determinar.
Al terminar el experimento, las conclusiones y observaciones se deben aadir al reporte de

laboratorio, proporcionando el "Reporte final". Si algunos de los resultados son errneos, se debe
tratar de explicar la fuente del error o la falta de exactitud.
En el equipo requerido para cada experimento, tambin se encuentran los componentes discretos
necesarios para utilizar el experimento con el TPS-3371.
No son necesarios los componentes discretos al utilizar el entrenador TPS-3331.
El TPS-3371 se puede utilizar para realizar experimentos especiales para probar la capacidad del
estudiante.
SES
VI
Instalacin del software de SESCOPE:

El software de SESCOPE es un ' instrumento virtual ' (un instrumento del laboratorio que cambia su
panel y la funcin segn el instrumento deseado), que funciona con la unidad de SESLAB.
El software est dirigido para funcionar con diversas consolas y adapta la ventana del panel al
sistema de entrenamiento conectado.
El SESCOPE es un programa de uso bajo WINDOWS. No tiene ninguna proteccin y solamente su

copiado hace la instalacin.
1) Encienda la PC.
2) Copie el subdirectorio de SESSCOPE del disquete al disco duro.
3) Cree un acceso directo con SESSCOPE.exe.
4) Coloque este acceso directo en la ventana de escritorio.
Para hacer funcionar el software de SESSCOPE usted tiene que hacer clic en el icono de este acceso
directo.
Uso manual del SESLAB:

Cambiando a Manual usando el interruptor de Manual/Auto, la consola ignora la comunicacin con
la PC. Alternativamente toma la medicin de los dos potencimetros (frecuencia y amplitud) en el
panel y los cambia correspondientemente.
De esta forma podemos usar el generador en la consola con un osciloscopio externo sin el programa
de SESCOPE.
En los experimentos no hacemos referencia al tipo de instrumento. El usuario tiene que adaptarse de
acuerdo al instrumental que posee.
SES
VII
Cmo utilizar el SESLAB:

Paso 1: Conectar la consola con la fuente de poder.
Paso 2: Conectar la fuente de poder a la red.
Paso 3: Encender el interruptor principal de la consola.
Paso 4: Cerciorarse de que la consola est conectada en el puerto de comunicacin serial de la

PC. El cable de comunicacin incluye de un lado, un zcalo para el auricular (debe ser
conectado con el enchufe del auricular en el panel trasero de la consola) y del otro un
zcalo D9 (se debe conectar a COM1 o COM2 de la PC).
Seleccionar Auto en el interruptor de Manual/Auto en el mdulo de SESLAB.
Paso 6: Ejecutar el programa de SESCOPE.
Aparecer la siguiente pantalla.
Paso 6: Fijar el nmero en el campo de COM segn el nmero del canal de comunicaciones en
la PC.
SES
VIII
Paso 7: Hacer clic en el botn OPEN COM.
La PC abrir el canal de comunicaciones, y solicitar el tipo de consola.
Si la comunicacin se completa correctamente, aparecer en el ttulo de la pantalla el

nombre de la consola y la versin de SESLAB.
La pantalla se adapta al tipo de consola.
Paso 8: Si la comunicacin no se completa, hacer clic en el botn de la consola.
Si se establece la comunicacin, la pantalla se actualizar consecutivamente.
En cada comunicacin con la consola, aparecen mensajes de xito o falla en el lado

izquierdo inferior de la ventana.
Paso 9: Si la comunicacin falla:
Comprobar que la consola est encendida.

Comprobar que el interruptor de Manual/Auto est en Auto.
Comprobar que el zcalo del auricular est enchufado correctamente.
Comprobar que el cable est conectado correctamente a la PC.
Comprobar que el canal de comunicaciones en la PC est en orden y no est ocupado
por otro programa.
Paso 10: Si es necesario, mueva el cable a otro canal de comunicaciones en la PC.
De ser asi, usted debe salir del programa de SESCOPE y ejecutarlo nuevamente.
Paso 11: El programa recuerda el canal de comunicaciones anterior que fue abierto.
Si usted no necesita cambiar el canal de comunicaciones, haga clic en el botn OPEN

COM.
Paso 12: La unidad de SESLAB incluye dos entradas anlogas para el osciloscopio (IN1 e IN2) y
una salida anloga para el generador de seal (OUT).
En el estado Auto, los potencimetros en la consola no afectan la frecuencia y energa

del generador. La frecuencia y la energa son fijadas por las barras en la pantalla de la
PC.
Identifique las barras en la pantalla.
Paso 13: Conectar la salida del generador con las dos entradas del osciloscopio (usando 2 cables)
del SESLAB.
Paso 14: Seleccionar Low en el interruptor High/Low.
Esto determina las frecuencias del generador a 6KHz-90KHz.
SES
IX
Paso 15: Seleccionar Sine en el interruptor Triangle/Sine.
Paso 16: Seleccionar Const en el interruptor Sweep/Const.
Paso 17: La pantalla de SESCOPE incluye campos y botones para cambiar la base del tiempo, el
tipo de disparador y el nivel del disparador.
Fijar la base del tiempo a 30s/cm.
Paso 18: El programa muestra el canal 1 (CH1), canal 2 (CH2) o ambos.
La seleccin se hace haciendo clic en el canal requerido. Hacerlo otra vez para la
cancelacin.
Seleccionar ambos canales.
La pantalla puede tambin exhibir el anlisis espectral de la seal muestreada en el

canal 1 (SPC CH1). Seleccionando esta funcin cancela CH2.
Paso 19: El muestreo de las seales y exhibirlas se puede hacer de dos maneras En un ciclo o
en funcionamiento libre.
En un ciclo, la PC pide que la consola realice un ciclo de la muestra y la transmita.

SESCOPE exhibir la informacin sobre la pantalla.
En funcionamiento libre, la PC pide que la consola realice un ciclo de la muestra y la

transmita. Despus que recibe la informacin, el SESCOPE la exhibe en la pantalla y
pide otro ciclo de la muestra de la consola.
En cada peticin del ciclo de la muestra, la PC transmite la velocidad requerida de la

muestra a la consola (segn la base del tiempo) y el nivel del disparador.
La PC tambin informa si se muestrean dos canales o un canal.
Nota:
La cantidad de muestras en cada ciclo de la muestra es 100.
Se puede hacer el muestreo de dos maneras - Chopper (Chop.) o Alternate (Alt)
En el estado Chopper, el regulador del SESLAB muestrea los dos canales

simultneamente. En este caso, el regulador da 50 muestras a cada canal. La
velocidad de la muestra para un canal es tambin ms pequea por la mitad. La
calidad del muestreo y la exhibicin no son tan buenos, pero muestran cmo las
seales reaccionan uno con otra en el eje del tiempo.
La sincronizacin se hace en el canal 1 (CH1).
SES
X
En el estado Alternate, el regulador sincroniza en el canal 1, lo muestrea y lo

transmite. Luego, el regulador sincroniza otra vez en el canal 1, canal 2 de la
muestra y lo transmite.
La seal, en este caso est en calidad mxima.
Si las dos seales son cclicas, tambin sern sincronizados una con la otra.
Las ondas en frecuencia baja pueden ser muestreadas en el estado Chopper y conseguir
una calidad razonable, slo si no hay ms de uno o dos ciclos exhibidos en la pantalla.
Paso 20: Fijar el funcionamiento a Free Run y se podrn observar las seales en la pantalla.
Fijar el osciloscopio a un ciclo.

Se conseguir un cuadro congelado de la ultima muestra.
Nota:
Cuando se desea analizar los datos sobre la pantalla, es mejor utilizar una muestra
de un ciclo.
Paso 21: El programa permite la medicin de las seales muestreadas.
Para hacer esto, se debe activar dos lneas del marcador en la ventana.
Localizar el botn y hacer clic sobre l.
Dos lneas, verde y amarilla del marcador, aparecern en la pantalla.
Paso 22: Usted puede mover cada lnea por separado a la derecha o la izquierda con los botones
de las flechas.
Mueva las lneas y comprubelas.
1
El software calcula el tiempo entre las dos lneas y la frecuencia segn f = T
.
El software tambin indica los valores del voltaje de cada canal para cada lnea y
calcula la diferencia del voltaje.
Paso 23: Cambiar las reglas de la frecuencia y de la energa del generador y observar la reaccin
de la pantalla.
Medir la frecuencia mnima de la seal y la amplitud mxima.
SES
XI
Paso 24: Seleccionar Triangle en el interruptor Triangle/Sine.
La seal debe cambiar a una onda tringular.
Cambiar la amplitud y frecuencia y observar las seales.
Paso 25: Seleccionar nuevamente Sine en el interruptor Triangle/Sine.
Paso 26: Cambiar a anlisis espectral.
Paso 27: Cambiar las frecuencias y comprobar su efecto sobre las seales.
Paso 28: Cambiar la seal a una onda triangular.
Paso 29: Comprobar el anlisis espectral de la seal.
Paso 30: Seleccionar Sweep en el interruptor Sweep/Const.
En este estado, el generador cambia la frecuencia independientemente, de frecuencia

mnima a frecuencia mxima.
Comprobar cmo afecta a la seal.
SES
XII
SES
1
Captulo 1 - Diodos
Experimento 1.1 - Diodo estabilizado por cristal
piezoelctrico
Objetivos:
Caractersticas de los diodos.
Rectificador de diodo.
Circuitos de diodos.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Un Multmetro
Cables de conexin
Diodo de silicio 1N914, diodo de germanio 1N270 y resistores 1K, 100
Discusin:
1.1.1 Dispositivos de estado slido
Los dispositivos de estado slido tambin se denominan semiconductores. Como implica el
nombre, un material semiconductor tiene una conductividad menos eficiente (ms resistencia al
flujo de corriente) que un conductor pero mejor conductividad que un aislante.
Los materiales utilizados ms frecuentemente en dispositivos semiconductores son el germanio y el

silicio. El germanio se utiliza en varios diodos y transistores de poder medio y bajo. El silicio es
ms apropiado para dispositivos de poder ms alto, debido, entre otras cosas, a que puede utilizarse
a temperaturas mucho ms altas.
El silicio tambin tiene caractersticas especiales que el germanio no tiene, que permiten la
produccin en masa y la fabricacin de circuitos integrados (se describe posteriormente).
El germanio y el silicio puro son aislantes. Sus cuatro electrones de la esfera externa de cada tomo
estn atados en su lugar. Cada tomo esta atado a sus vecinos mediante una unin covalente
compartiendo sus electrones. 8 electrones los cuatro propios y otros cuatro electrones rodean a
cada tomo de sus cuatro vecinos. Los electrones estn atados a su lugar y no estn libres para
moverse.
SES
2
Aadiendo pequeas cantidades de elementos conocidos como "adulterantes" o "impurezas", el

germanio y el silicio se convierten en semiconductores.
El boro se puede utilizar como adulterante. Tiene 5 electrones en la esfera externa. Cuatro de estos
estn compartidos con tomos vecinos y el quinto se vuelve un "electrn libre". Este material se
denomina material tipo n.
El aluminio tambin se puede utilizar como adulterante. Tiene 3 electrones en la esfera externa.
Estos estn compartidos con 3 tomos vecinos. El faltante crea un "hueco". Este hueco permite que
los electrones lo llenen y se crea otro hueco. Los huecos se pueden mover como "cargas positivas
libres" en el material. Este material se denomina material tipo p.
Debemos recordar que el nmero de electrones es igual al nmero de protones en cada material
(conductores, aislantes y semiconductores). Al conectar un conductor o semiconductor a una fuente
de voltaje, el terminal positivo absorbe electrones de un lado del conductor mientras que el terminal
negativo suministra los electrones. Esto sucede nicamente cuando hay "electrones libres" en el
material.
El flujo de electrones es desde el polo negativo al positivo. En el material tipo p, los huecos fluyen
del polo positivo al negativo, debido a la direccin contraria del flujo de electrones.
1.1.2 Unin P-N

Cuando se forma una unin de materiales tipo N y P, tal como aparece en la figura 1-1, algunos de
los electrones libres del material tipo N se difunden a travs de la unin y se combinan con los
huecos en el material tipo P.
P - + N
- -
Figura 1-1
Los huecos combinados se vuelven negativos debido al exceso de electrones y el rea de electrones
faltante en el material tipo N se vuelve positiva.
Esta interaccin crea una pequea regin de carga de espacio (frecuentemente denominada regin
de transicin o capa de transicin) cerca de la unin.
Cuando se conecta una fuente de voltaje externa a travs de la unin P-N, su comportamiento es
completamente diferente dependiendo de la polaridad de la conexin.
SES
3
En la figura 1-2 la unin P-N est conectada en polarizacin inversa.
P - + N
-
- +
-V
Figura 1-2
Debido a la fuente de voltaje, ms electrones se difunden del material N al material P. La capa de

transicin se expande. El voltaje de la regin de carga de espacio se vuelve igual a la fuente de
voltaje y la corriente no fluye. Los electrones no pueden fluir del material tipo P al material tipo N.
En la figura 1-3 la unin P-N est conectada en polarizacin directa.
+ P - + N -
- -
+ -
N
Figura 1-3
La regin de carga de espacio se torna ms angosta. El polo negativo de voltaje fuente impulsa
electrones al material tipo N, el exceso de electrones se difunde al material tipo P y fluye a travs de
los huecos al polo positivo de la fuente de voltaje.
La unin P-N es un diodo semiconductor. Su smbolo es:
Ctodo Anodo
Figura 1-4
SES
4
La corriente puede fluir a travs del diodo nicamente en una direccin: desde el nodo al ctodo.
La siguiente figura describe la caracterstica corriente-voltaje.
Figura 1-5
Cuando se aplica polarizacin directa (el nodo es positivo con respecto al ctodo) y la corriente
directa se encuentra sobre cierto valor (0.5V para diodos de silicio y 0.1V para diodos de
germanio), el diodo conduce y acta como un resistor muy bajo. La cada de voltaje directo en el
diodo permanece sustancialmente constante siempre que la corriente promedio se encuentre dentro
del valor bsico del rectificador. Por encima del valor bsico, el rectificador puede daarse.
Bajo condiciones de polarizacin inversa normales, el rectificador limita el flujo de corriente a unos
cuantos micro amperes. Si la polarizacin inversa excede el Voltaje de Rgimen Invertido Pico
(PRV), la corriente inversa se incrementa muy rpidamente. Generalmente, un voltaje sobre PRV
est prohibido y puede daar el diodo.
Hay diodos que tienen el propsito de operarse dentro del rango PRV y se les denominan Diodos
Zener.
1.1.3 Circuitos de diodos

El diodo es un componente muy popular en circuitos electrnicos y tiene muchas aplicaciones. Para
analizar un circuito de diodo utilizamos la caracterstica ptima del diodo:
Figura 1-6
Primero, verificamos si el diodo est bajo polarizacin directa o polarizacin inversa.
SES
5
1.1.4 Polarizacin directa

En la polarizacin directa sobre la tensin umbral, podemos asumir que la cada de voltaje de diodo
constituye la tensin umbral (0.7V para diodo de silicio y 0.1V para diodo de germanio). La
corriente se determina mediante un circuito electrnico.
Ejemplo a):
I R
1K
+
V 12V VD
-
Figura 1-7
ID = IR = I
V = VR + VD = I R + VD
VD = 0.7V
I R = V VD
V VD 12 0.7
I= = = 11.3mA
R 1K
1.1.5 Polarizacin inversa

En la polarizacin inversa podemos asumir que la corriente de diodo es cero (si no se trata de un
diodo Zener). El voltaje de diodo se determina mediante un circuito electrnico.
Ejemplo b):
I R
1K
+
V 12V VD
-
Figura 1-8
ID = IR = I = 0
V = VR + VD = I R + VD = 0 + VD
VD = V = 12V
SES
6
Ejemplo c):
+
V - 2K R1
I2 ID
4K R2 VD
Figura 1-9
El diodo se encuentra bajo polarizacin directa.
VR 2 = VD = 0.7V
V = VR1 + VD = I R 1 + VD
V VD 12 0.7
I= = = 11.3mA
R1 1K
I 2 R 2 = VD
VD 0.7
I2 = = = 1.5mA
R 2 470
I = I2 + ID
I D = I I 2 = 11.3m 1.5m = 12.8mA
1.1.6 Preguntas
1) Repita los tres ejemplos, calcule con una fuente de poder de 5V.
2) Cul es la corriente de R2 en el ejemplo C, cuando el voltaje de la fuente es 12V y

cuando es 5V? Explique por qu.
3) Si invertimos el diodo en el circuito del ejemplo C, cules sern los voltajes del diodo
y los resistores?
SES
7
Procedimiento:
Paso 1: Conectar el Entrenador Anlogo a la fuente de poder y conectar la fuente de poder a la
red de distribucin.
Paso 2: Identificar los componentes del panel del entrenador e implementar el siguiente circuito.
(R = R48, D = D4)
I R
12V DC
1K
VS VD
GND
Paso 3: Encender la fuente de poder.
Paso 4: Utilizar la salida Vvar (12V DC) como Vs. Cambiar Vs conforme a la siguiente tabla y
registrar los valores medidos de VR y VD.
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
VS -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
VR
VD
IR
Paso 5: Calcular IR para cada columna en la tabla.
Paso 6: Trazar los resultados en la siguiente grfica.
IR
0
VD
0
SES
8
Paso 7: Implementar el siguiente circuito.

(R = R43, D = D4)
I R
+12V
1K
+
V - 12V VD
GND
Paso 8: Medir VR y VD.
Paso 9: Calcular IR.
Paso 10: Comparar los resultados de medicin con los resultados de clculo del ejemplo a).
Paso 11: Sacar conclusiones.
Paso 12: Cambiar el voltaje fuente a 5V.
Paso 13: Calcular VR, VD y IR.
Paso 16: Comparar los resultados de medicin con los resultados de clculo.

(R = R43, D = D4)
I R
+12V
1K
+
V - 12V VD
GND
SES
9
Paso 21: Comparar los resultados de medicin con los resultados de clculo del ejemplo b).
Paso 24: Calcular VR, VD y IR.

(R1 = R43, R2 = R69, D = D4)
I
+12V
1K R1
+
V 12V ID
- I2
100 R2 VD
GND
Paso 30: Medir VR1, VR2 y VD.
Paso 31: Calcular IR1 y IR2.
Paso 32: Comparar los resultados de medicin con los resultados de clculo del ejemplo c).
Paso 35: Calcular VR1, VR2, VD, IR1 y IR2.
Paso 36: Medir VR1, VR2 y VD.
Paso 37: Calcular IR1 y IR2.
SES
10
Reporte de Experimento:
1) Escribir el nombre de cada experimento y dibujar a continuacin el circuito electrnico.
2) Incluir las mediciones, resultados y grficos del experimento para cada experimento.
3) Comparar entre las preguntas preliminares y los ejemplos con los resultados de
medicin.
SES
11
Experimento 1.2 - Diodo Zener
Objetivos:
Caractersticas del Diodo Zener.
Circuitos Zener.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Cables de conexin
Diodo Zener 1N4733 (5.1V)
Resistores 2 x 1K
Discusin:
El diodo Zener es el componente bsico en circuitos de regulacin. El diodo Zener es un diodo con
el propsito de operar en voltaje de ruptura invertido. Existen varios diodos Zener con diversos
voltajes de ruptura.
El propsito del regulador es el de suministrar un voltaje directo fijo, que no dependa de cambios en
el voltaje de entrada o en el consumo de corriente.
Los parmetros de regulador importantes son:
a) El coeficiente de la corriente de carga de regulacin que se denomina resistencia de

salida o output:
Vo
Ro =
IL
b) El coeficiente del voltaje de entrada de regulacin:
Vo
SV =
Vi
Cada regulador tiene un voltaje de entrada mnimo, que es necesario para mantener el voltaje de
salida requerido.
SES
12
El voltaje de ruptura Zener se denomina VZ. El smbolo del diodo Zener es:
A C
Figura 1-10
Las caractersticas del Zener son las siguientes:
V
VZ
Figura 1-11
En la polarizacin directa, el diodo Zener acta como un diodo ordinario.
En el voltaje de polarizacin inversa por encima del voltaje Zener, la ruptura del diodo y los
cambios en la corriente prcticamente no afectan el voltaje Zener.
El gradiente de la lnea de rea Zener determina la resistencia dinmica Zener Rd.
El siguiente circuito es un circuito de regulacin Zener.
R
Vo
Vi VZ RL
Figura 1-12
Asumiendo que Vi > VZ y tambin VRL > VZ (Si no hay diodo Zener) entonces VD = VZ.
La R acepta la diferencia de voltaje entre Vi y VZ. An cuando Vi cambia, el voltaje en RL es fijo e

igual a VZ.
SES
13
Cada diodo Zener tiene la ms alta clasificacin de disipasin de potencia. Esta clasificacin
determina la corriente mxima del Zener. Tratamos de operar el Zener al 10-20% de su corriente
mxima. De esta forma, el diodo se encontrar en la parte lineal del rango de ruptura y con una
potencia menor que la clasificacin de potencia mxima.
Ejercicio:
Disear un circuito Zener para los siguientes valores:
Vin = 12 2V
VZ = 6V
PZmax = 3W
RL = 1000
Rd = 5
Vamos a calcular R y VL .
Pz max 3
I z max = = = 0.5A
Vz 6
I z = 0.1 I z max = 0.05A
Vz 6
I2 = = = 0.006A
R L 1000
I R = I Z + I L = 0.05 + 0.006 = 0.056 A
V Vz
R = in
IR
Para determinar el valor de R utilizamos el valor mnimo de Vi, para no salir del rango Zener.
10 6
R= = 71
0.056
Vi R d 45
VO = VL = = = 0.26V
R + R d 71 + 5
VO 0.26
SV = = = 0.065
Vi 4
VO Rd
SV = =
Vi R + R d
SES
14
Si duplicamos la corriente de carga (RL = 500), obtendremos:
6
IL = = 0.012 A
500
V VZ
IR = i
R
IR es constante por lo tanto IZ ser reducido por 0.006A.
Vo cambiar conforme a VZ.
Vo = VZ = I d R d = 0.006 5 = 0.03V
VO 0.03
Ro = SI = = = 5
I L 0.06

Ro = Rd
1.2.1 Preguntas
1) Si VZ = 5.1V y R = 1K, calcule la corriente I, VR y VZ del circuito, para:
Vi = 5V
Vi = 12V
R
VD
Vi VZ
2) Al circuito de arriba agrguele RL = 1K. Calcule I, VR y VZ para:
Vi = 5V
Vi = 12V
SES
15
Procedimiento:
Paso 1: Conectar el Entrenador Anlogo a la fuente de poder y la fuente de poder a la red de
distribucin.

(R = R43, D = D9)
I R
12V
1K
VS D
GND
(With TPS-3371 reverse the diode for the negative voltages).
Paso 4: Cambiar VS conforme a la siguiente tabla y registrar los valores medidos de VR y VD.
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
VS -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8
VR
VD
IR
(With TPS-3371 reverse the diode for the negative voltages).
Paso 5: Calcular IR para cada columna en la tabla.
Paso 6: Trazar los resultados en el siguiente grfico.
IR
0
VD
0
SES
16
Paso 7: Implementar el siguiente circuito en el tablero de enchufe principal.
I R
12V
1K
+ VZ
12V RL 1K
-
GND
Paso 8: Calcular VR, VZ, IR y IL.
Paso 9: Medir VR y VZ.
Paso 10: Calcular IR y IL.
medicin.
SES
17
Captulo 2 - El transistor
Experimento 2.1 - Caractersticas del transistor
bipolar
Objetivos:
El transistor bipolar.
Caractersticas del transistor bipolar.
Lnea y punto operativo.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Cables de conexin
Transistor NPN 2N2222
Resistores 100, 1K, 15K, 91K
Discusin:
2.1.1 El transistor bipolar
El transistor bipolar se puede ver como dos uniones p-n conectados espalda con espalda. Existen
dos tipos de transistores bipolares tal como aparece en la figura 2-1
NPN PNP
C N P N E C P N P E
B B
Figura 2-1
El transistor cuenta con tres terminales:
C - Colector
B - Base
E - Emisor
SES
18
Sus smbolos son:
C C
B B
E E
NPN PNP
Figura 2-2
Explicaremos la operacin del transistor con el transistor NPN. El transistor PNP funciona de la
misma manera, nicamente en flujo de corriente contrario y voltaje medio.
El transistor est conectado en dos circuitos elctricos. Uno utilizando la unin CE y la fuente de
voltaje VCC. El segundo utilizando la unin BE y la fuente de voltaje VBB tal como aparece en la
siguiente figura.
RC VCC
C
RB B N
P
VBB N
E
Figura 2-3
La unin CE vista con dos diodos de espaldas el uno al otro:
Figura 2-4
Si el circuito BE no se activa, la resistencia CE es muy alta y la corriente muy baja.
En el circuito BE la unin BE se encuentra en polarizacin directa y los electrones fluyen de E a B.

Debido a que la base es muy delgada, ms electrones pasan la unin BE de los que pueden ser
absorbidos por la base. La base es llenada por electrones libres, que son jalados por el potencial
positivo de la terminal C (colector). Esa es la razn por la cual obtenemos corriente a travs del
colector y por lo cual no podemos implementar un transistor con dos diodos separados.
SES
19
La corriente a travs del emisor (IE) est dividida en dos corriente, la corriente base (IB) y la
corriente de colector (IC).
IE = IC + IB
Debido a la delgada capa de la base, IB es mucho ms pequeo que IC. La relacin entre IC y IB es
fija y uno de los parmetros de transistor - .
IC
=
IB
2.1.2 La caracterstica de transicin

La caracterstica de transicin del transistor describe la relacin entre IC e IB que aparece en la
siguiente figura:
La base del transistor es significativamente ms delgada que su colector y su emisor. Un cambio en

la corriente base afecta significativamente la corriente del colector. Podemos observar esto en la
siguiente grfica.
IC
1 2 3
IB
Figura 2-5
Esta grfica tiene 3 regiones:
1) La regin de CORTE. En este rango VBE < 0.5V y IB y IC son muy pequeos.
2) La regin LINEAL. En este rango, el transistor acta como un amplificador de

corriente lineal y I C = I B . es uno de los parmetros del transistor, dependiendo del
ancho de la base. Los valores tpicos se encuentran dentro del rango 50 - 200 pero puede
ser tan alto como 800. Dentro del rango lineal VBE = 0.6 - 0.7V.
3) La regin de SATURACIN. En esta regin, cambios en IB no afectan la corriente IC.

Dentro de este rango VBE = 0.7 - 0.8V.
SES
20
4) Otra caracterstica importante es la caracterstica de salida, que describe la relacin

entre IC y VCE para un IB en particular.
IC
1 2 IB = 50A
VCE sat
VCE
Figura 2-6
En la caracterstica de salida, podemos encontrar dos regiones.
1) La regin de SATURACIN. Dentro de este rango VCE < 0.2V (VCE sat) y la relacin
entre IC y IB no es I C = I B .
2) La regin LINEAL. Dentro de este rango, IC es constante y depende de IB nicamente y

no en VCE.
Si cambiamos IB, obtendremos otra caracterstica de salida. Las diferentes caractersticas de salida
se pueden dibujar en un grfica para mostrar la relacin entre IC, IB y VCE tal como aparece en la
figura 2-7:
IC
1 IB = 50A
IB = 40A
IB = 30A 2
IB = 20A
IB = 10A
3
VCE
Figura 2-7
SES
21
Podemos ver cmo IC depende de IB y VCE. En esta grfica podemos encontrar tres regiones:
1) La regin de SATURACIN. En este rango VCE < 0.2V (VCE sat) y I C = I B .
2) La regin LINEAL. En este rango IC no depende de VCE, sino de IB conforme a la

formula I C = I B .
3) La regin de CORTE. Dentro de este rango, IB e IC son muy pequeas.
2.1.3 Un transistor plano de silicio

Anteriormente, el transistor bipolar se produca mediante la inyeccin de impurezas al material
semiconductor en ambos lados.
E C
Figura 2-8
Es muy difcil obtener resultados precisos y la produccin es complicada. Los transistores de

germanio an se fabrican de esta manera.
El silicio tiene una caracterstica que el germanio carece. Cuando el aire caliente fluye sobre el
silicio, una delgada capa de xido de silicio (SiO2) lo cubre. El xido de silicio es un muy buen
aislante y es completamente impenetrable. La produccin de semiconductores se basa en esta
caracterstica. Una rebanada de silicio se cubre con xido de silicio. Se crean huecos en lugares
donde las impurezas se deben difundir. Las rebanadas se colocan dentro de un horno con gas de
impurezas el cual se difunde a travs de los hoyos. Posteriormente aire caliente se fluye nuevamente
sobre la rebanada y se cubre nuevamente con xido de silicio.
SES
22
Un transistor plano de silicio se ve como:
C B E
P N P N
Figura 2-9
Miles de transistores se producen en una rebanada de silicio y posteriormente son cortados y

empaquetados.
Los IC (Circuitos Integrados) son transistores, diodos, resistores, y capacitores que son elaborados
de esta forma sobre un chip de silicio, conectados mediante conductores sobre la capa y cortados
como un circuito completo que puede tener miles de componentes en un solo chip.
2.1.4 Lnea de carga y punto operativo

La idea es determinar el punto operativo del transistor en la regin lineal. De esta forma, pequeos
cambios en IB crearn grandes cambios en IC.
En los siguientes circuitos, mostraremos circuitos NPN y PNP en paralelo. Los clculos son los
mismos. Posteriormente utilizaremos el NPN nicamente debido a que es ms popular en circuitos.
Tambin utilizaremos los parmetros de silicio.
El circuito de polarizacin bsico es el siguiente:
IE RC
VBB VBE
E VCC IC
VCE Q
RB IB B C VCC
C RB IB B
VCE
IC
E
VBB VBE
RC IE
Figura 2-10
SES
23
VCC = 12V
RC = 2K
RB = 40K
VBB = 3V
= 50
Por ejemplo, para encontrar el punto operativo (generalmente denominado el punto Q) significa
calcular o medir IC y VCE.
IC y VCE son parmetros en un circuito denominado el circuito de salida y su ecuacin es:
VCC = I C R C + VCE
VCE = VCC I C R C
Est es una ecuacin lineal, que describe la dependencia entre IC y VCE. RC se denomina la carga de
circuito y es por esto que esta lnea se llama la lnea de carga.
Cuando IC = 0, entonces:
VCE = VCC
Cuando VCE = 0, entonces:
VCC
IC =
RC
IC
VCC
RC
Q
VCE
VCC
Figura 2-11
La solucin comienza con la ecuacin de circuito de entrada:
VBB = I B R B + VBE
SES
24
Podemos asumir que VBE = 0.7V para silicio y 0.1V para germanio.
VBB VBE 3 0.7

IB = = = 0.0575mA
RB 40K
I C = I B = 50 0.0575 = 2.875mA
VCE = VCC I C R C = 12 2.875m 2K = 6.25V
Observacin:
Si por ejemplo RC es igual a 4K entonces:
VCE = 12 5.75m 4K = 11V
VCE no puede ser negativo. Esto significa que el transistor se encuentra en la regin de saturacin e
IC no es igual a I B .
En una regin de saturacin:
VCE = 0.2V
VCC VCE sat 12 0.2

IC = = = 2.95mA
RC 4K
2.1.5 Circuito de polarizacin fija

En el circuito anterior, utilizamos dos fuentes de voltaje, lo que es inusual en el circuito de
transistor. En lugar de esto, podemos conectar RB a VCC y utilizar VCC como VBB.
VCC VCC
IE
RC IB
RB
IC
IC
RB
VCE RC
IB
VBE
Figura 2-12
SES
25
Observar la forma utilizada para indicar las terminales de fuente de poder.
La ecuacin de circuito de entrada es:
VCC = I B R B + VBE
VCC VBE
IB =
RB
Lo dems es igual a lo anterior.
IC = IB
VCE = VCC I C R C
Disearemos el sistema y calcularemos RB. RC es el resistor de carga determinado conforme a la

impedancia de salida y la ganancia del amplificador que deseamos obtener (descrito en el siguiente
captulo). Generalmente es 1K-2K. Asumamos que RC es 2K como anteriormente.
Generalmente queremos que el punto Q se encuentre en medio de la lnea de carga, por lo tanto:
VCC
VCE = = 6V
2
V VCE 12 6
I C = CC = = 3mA
RC 2K
I 3m
IB = C = = 0.06mA
50
La ecuacin de circuito de entrada es:
VCC VBE 12 0.7

VCC = I B R B + VBF R B = = 188K
IBB 0.06m
Requerimos una resistencia ms grande que antes para lograr el mismo punto operativo.
Este circuito se denomina de polarizacin fija porque IB tiene un valor constante.
VCC VBE
IB =
RB
El problema es que IC depende de y VCE depende de IC.
I C = I B
VCE = VCC I C R C
SES
26
Eso significa que el punto operativo depende de .
Cuando utilizamos un transistor bipolar no podemos conocer su .
tiene un rango muy amplio (puede alcanzar 50-400 100-800). Tambin, si tenemos un circuito
que funciona apropiadamente y debemos reemplazar el transistor, el punto operativo puede cambiar
significativamente.
Si duplicamos de 50 a 100 IC se duplicar y el transistor entrar en modalidad de saturacin.

Verificar esto.
Utilizamos la polarizacin fija cuando utilizamos el transistor como interruptor (descrito en el

experimento 2.6). En esta aplicacin el transistor se aplica en dos estados nicamente, el estado de
corte y el estado de saturacin.
2.1.6 Circuito de auto polarizacin

Al utilizar el transistor como amplificador, que amplifica pequeos cambios en el circuito de
entrada a cambios grandes de VCE e IC en el circuito de salida, es muy importante que el punto
operativo est en el centro de la lnea de carga.
Para resolver el problema de polarizacin fija aadimos el resistor RE al emisor.
VCC VCC
RE
IE
RC
RB IB
IC
VCE IC
IB RB
VBE
IE RC
RE
Figura 2-13
RC = 2K
RE = 500
RB = ?
= 50
SES
27
La ecuacin de circuito de entrada es
VCC = I B R B + VBE + I E R E
I E = I B + I C = I B + I B = ( + 1)I B
VCC = I B R B + VBE + I B ( + 1) R E
VCC VBE
IB =
R B + ( + 1)R E
Podemos ver que si se incrementa, IB disminuye y viceversa.
(VCC VBE )
IC = IB =
R B + ( + 1)R E
Si RB << ( + 1) RE podemos asumir:
(VCC VBE ) VCC VBE

IC
( + 1)R E RE
IC ya no depende de al igual que el punto operativo.
VCE = VCC I C R C I E R E
IE IC
VCE = VCC I C ( R C + R E )
Para obtener:
VCC
VCE = = 6V
2
V VCE 12 6
I C = CC = = 2.4mA
RC + RE 2.5K
I C 2.4m
IB = = = 0.048mA
50
VCC = I B R B + I B ( + 1)R E
VCC VBE I B ( + 1)R E 12 0.7 1.2
RB = = = 210K
IB 0.048m
Dupliquemos de 50 a 100.
SES
28
VCE VBE 12 0.7

IB = = = 0.043mA
R B + ( + 1)R E 210K + 101 0.5K
I C = I B = 4.3mA
VCE = VCC I C ( R C + R E ) = 12 4.3m 2.5K = 1.25V
El cambio fue menor que sin RE pero an hay un cambio.
Para incrementar la estabilidad del circuito debemos reducir la resistencia RB. Podemos realizarlo
utilizando VBB un divisor de voltaje tal como aparece en la siguiente figura.
VCC
R1 RC 2K
R2 RE 500
Figura 2-14
Para alcanzar el mismo punto operativo VCE = 6V e IC = 2.4mA debemos realizar los siguientes
pasos:
VRE I C R E = 2.4 0.5K = 1.2V

VB = VBE + VRE = 0.7 + 1.2 = 1.9V
I C 2.4
IB = = = 0.48mA
50
Si IB << I2 entonces cambios en IB no afectarn el voltaje en R2(VR2) por lo tanto VR2 = VB =

constante.
SES
29
Podemos optar por:
I 2 = 10I B = 0.48mA
VB 1.9
R2 = = = 4K
I 2 0.48m
I 1 = I 2 + I B = 0.48m + 0.048m = 0.53m
VCC VB 12 1.9
R1 = = = 19K
I1 0.53m
Podemos verificar la reaccin del circuito utilizando la transformacin de Thevenin de R1, R2, y
VCC.
VCC
RC
IC
RB IB
IE
VBB
RE
Figura 2-15
VCC R 2 12 4K
VBB = = = 2.1V
R1 + R 2 23K
R 1 R 2 19K 4K
RB = = = 3.3K
R1 + R 2 23K
R B << ( + 1)R
E
Verifiquemos el nuevo punto operativo:
VBB VBE 2.1 0.7

IB = = = 0.048mA
R B + ( + 1)R 3.3K + 51 0.5K
E
I C = I B = 2.4mA
VCE = VCC I C ( R C + R E ) = 12 2.4m 2.5K = 6V
SES
30
Al igual que anteriormente. Dupliquemos ahora a 100.
VBB VBE 2.1 0.7

IB = = = 0.026mA
R B + ( + 1)R 3.3K + 101 0.5K
E
I C = I B = 100 0.026m = 2.6mA
VCE = VCC I C ( R C + R E ) = 12 2.6m 2.5K = 5.5V
El punto operativo cambia muy poco a pesar de haber duplicado .
El circuito de transistor bipolar es el siguiente:
+12V
R1 91K 1K RC
VC
2N2222
VB
VE
R2 10K 100R RE
Figura 2-16
El equivalente Thevenin de este circuito es el siguiente:
12V
1K
9K
1.2V
100
Figura 2-17
SES
31
VBB VBE 1.2 0.7 0.5

IB = = = = 26A
R B + ( + 1)R E 9K + 101 100 19K
Calcular IC, VRC, VRE y VCE Asumiendo que = 100.
2.1.7 Preguntas
1) Repita el clculo de los tres ejemplos con VCC = 5V.
SES
32
Procedimiento:
distribucin.
Paso 2: Implementar el siguiente circuito utilizando el amplificador de transistor bipolar.
+12V
1K
91K
IC
VC
VB
Vvar (12V)
VE
IE
VS
15K 100
Utilizar Vvar como VS.
Paso 3: Encender el entrenador.
Paso 4: Cambiar VS conforme a la siguiente tabla y registrar los valores medidos de VB, VC y
VE. VB es en realidad equivalente a VS.
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
VS 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2
VB
VC
VE
VBE
VCE
IE
IC
Paso 5: Calcular VCE para cada columna conforme a la siguiente frmula:
VCE = VC VE
Paso 6: Calcular VBE para cada columna conforme a la siguiente frmula:
VBE = VB VE
SES
33
Paso 7: Calcular IE para cada valor de VE conforme a la siguiente frmula:
VE
IE =
RE
Paso 8: Calcular IC para cada valor de VC conforme a la siguiente frmula:
IC = (VCC VC )/RC
Paso 9: Trazar los resultados en la siguiente grfica.
IC
0 VCE
0
Paso 10: Marcar las tres regiones en la grfica:
A) La regin de corte.
B) La regin lineal.
C) La regin de saturacin.
Paso 11: Desconectar VS del circuito. Obtendremos el siguiente circuito.
+12V
R1 91K 1K RC
VC
VB 2N2222
VE
R2 15K 100R RE
Paso 12: Medir VB, VC y VCE.
SES
34
Paso 13: Calcular IC = (VCC - VC) / RC.
Paso 14: Marcar el punto operativo en el grfico que trazaste en el paso 9.
Paso 15: Haz un corto circuito en el resistor RE con los cables de conexin. Obtendremos el
siguiente circuito.
+12V
R1 91K 1K RC
VC
VB 2N2222
VE
R2 15K
Paso 16: Medir VB, VC y VCE.
Paso 17: Calcular IC = (VCC - VC) / RC.
Paso 18: Marcar el punto operativo en el grfico que trazaste en el paso 9.
medicin.
SES
35
Experimento 2.2 - El amplificador de transistor

bipolar
Objetivos:
Medicin de la ganancia de amplificador.
Medicin de la impedancia de Entrada.
Medicin de la impedancia de salida.
Medicin del cambio de fase.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Un osciloscopio o PC con SESCOPE
Cables de conexin
Un transistor 2N2222
Resistores 2 x 100, 2 x 1K, 15K, 91K
Capacitors 10F, 100F
Discusin:
2.2.1 Amplificador lineal
Una de las aplicaciones ms importantes del transistor es en la forma de amplificador.
Suministramos una pequea seal AC a su entrada y obtenemos una seal amplificada (voltaje o
corriente) en su salida.
Para distinguir entre un parmetro DC y un parmetro AC (voltaje o corriente) utilizamos la letra
mayscula para DC y letra minscula para AC.
Describimos un amplificador de la siguiente manera:
ii Ro
io
Vi Vo
Figura 2-18
SES
36
Los parmetros del amplificador son AV, Ai, Ri, Ro.
AV es la ganancia de voltaje:
Vo
AV =
Vi
Ai es la ganancia de corriente:
io
Ai =
ii
AV y Ai no tienen unidades de medicin.
Ri es la impedancia de entrada:
Vi
Ri =
ii
Ro es la impedancia de salida del amplificador. Acta como resistencia serial ubicada en la salida
del amplificador.
2.2.2 Parmetros del transistor bipolar h

Para entender el comportamiento de las partes internas del transistor a seales AC, se desarroll un
modelo de parmetro h.
Este modelo aparece en la siguiente figura:
ib hie ic
B C
+ 1
Hre VCE Hfe i b
- hoe
ie
Figura 2-19
SES
37
hie es una resistencia de entrada. Su valor tpico es 1-2K. hie depende del punto operativo
conforme a la siguiente frmula:
26
hie =
I E (mA )
hoe representa la resistencia de salida pero el valor del parmetro muestra su continuidad.
1 1
Preferimos utilizar resistencia y por lo tanto utilizamos . El valor tpico de es 40K.
hoe hoe
Generalmente, encontramos en la hoja de datos del transistor el parmetro hFE que es .
La seal en la entrada del transistor afecta la salida. Podemos ver una fuente de corriente con el
valor hfe i b en la rama de salida. Esta es la ganancia de corriente AC del transistor. El valor tpico
de hfe es 50-200.
La salida tambin afecta la entrada. Podemos verlo como una fuente de voltaje en la rama de
entrada con el valor hre VCE . El valor tpico de hre es 2.5 10 4 . Es tan pequeo que generalmente
lo ignoramos.
Generalmente utilizamos el siguiente modelo de parmetros h.
ib ic
B C
1
hie Hfe i b
hoe
ie
Figura 2-20
SES
38
1
Si RC es menor de 4K podemos ignorar tambin la resistencia . Obtendremos el siguiente
hoe
modelo, el cual es fcil de calcular y es bastante certero.
ib ic
B C
hie Hfe i b
ie
Figura 2-21
Utilizaremos este modelo para el siguiente ejemplo.
En AC as como en DC:
I e = ib + ic
2.2.3 Amplificador de emisor comn

En el amplificador de emisor comn (CE), la seal de entrada se suministra a la base y la seal de
salida es recibida en el colector.
VCC
RC
R V
1 o
Vi
R
2
Figura 2-22
En el modelo de parmetro h, nos referimos a un Capacitor y una fuente de voltaje como corto
circuito. De esta forma R1 y R2 estn conectados en paralelo en AC.
SES
39
El modelo de parmetro h del circuito anterior es el siguiente.
b ib c ic
Vi Vo
R1 R2 hie Hfe i b RC
Figura 2-23
Reemplazaremos R1 en paralelo a R2 con el resistor equivalente RB.
R1 R 2
RB =
R1 + R 2
b ib ic c ii
Vi Vo
iL
RB hie Hfe i b RC
e
Ri R i
Figura 2-24
Si utilizamos el resistor RE para auto polarizacin pero no queremos afectar AC, lo saltamos con un
Capacitor.
VCC
RC
CC
R1 V
C B1 o
Vi
R2
RF CE
Figura 2-25
SES
40
Como dijimos anteriormente, nos referimos a un Capacitor como un corto circuito en corriente
alterna. La forma para seleccionar capacitores tales como CB, CC y CE se describe en el experimento
2.5.
Av Ganancia de voltaje:
VO
AV =
Vi
Vi = i b hie
Vo = I L R C
I L = i C = hfe i b
Vo = hfe i b R C
A pesar de que estamos tratando con corriente y voltaje AC, utilizamos polaridad. Es importante ya
que de esta forma podemos ver que la seal de salida se encuentra en la misma fase de la seal de
entrada o invertida. Est en direccin opuesta a ic.
Vo hfe i b R C hfe R C
AV = = =
Vi i b hie hie
La meta es tener una frmula sin variables (como ib, Vi, Vo) y nicamente con parmetros h y
resistores.
El signo negativo indica que este amplificador est invertido. La seal de salida se movi 180 en
relacin con la seal de entrada.
Vi
R i =
ib
Vi = i b hie
i b hie
R i = = hie
ib
R i = R B R i
SES
41
AI Ganancia de corriente:
io
Ai =
ii
La forma sencilla de calcular es utilizando Av y Ri para calcular AI.
Vo = i o R 2 Vi = i i R i
Vo Vi
io = ii =
RL Ri
Vo

i RL V R
AI = o = = o i
ii Vi Vi R L
Ri
Ri
AI = AV
RL
SES
42
Avs Ganancia de voltaje fuente:

Si una fuente de voltaje VS se conecta al amplificador a travs del resistor RS.
RS
Vi
VS ~ RL
Ri
Figura 2-26
Vo
A VS =
VS
VS R i
Vi =
Ri + RS
Vi ( R i + R S )
VS =
Ri
Vo Vo Vo
A VS = = =
VS VS R + RS
Vi i
Ri
Vo Ri
A VS =
Vi R i + R S
Ri
A VS = A V
Ri + RS
SES
43
RO impedancia de output:
La impedancia de salida es una resistencia imaginaria, que est en serie con la lnea de salida.
Nuestra salida est compuesta de una fuente de corriente hfe i b y un resistor paralelo RC.
Vo
Hfe i b RC
Figura 2-27
Con el transformador Norton, podemos transformarlo en fuente de voltaje y un resistor en serie de

la siguiente manera:
RC
Vo
~ hfe i b R C
Figura 2-28
Aqu es fcil ver que:
Ro = RC
Emisor comn con amplificador RE (CE+RE):

Dos problemas que tenemos en el amplificador CE:
hfe R C
AV =
hie
Al igual que no podemos saber exactamente los valores hfe y es diferente en cada transistor,
incluso del mismo tipo.
Ri = RB || hie
Generalmente hie es muy pequeo por lo tanto Ri hie. En el amplificador de voltaje, preferimos
una impedancia de entrada alta.
SES
44
El amplificador CE+RE resuelve estos dos problemas.
VCC
RC
R1 Vo
Vi
R2
RE
Figura 2-29
El modelo de parmetros h es el siguiente:
ii ib ic
Vo
hie Hfe i b
iL
RB ie
RC
RE
Ri R i
Figura 2-30
SES
45
AV
Vi = i b hie + i e R E
Vi = i b hie + (i b + hfe i b )R E
Vi = i b hie + i b (hfe + 1)R E
Vi = i b [hie + (hfe + 1)R E ]
Vo = i L R C
Vo = i b hie R E
Vo i b hie R C hfe R C
AV = = =
Vi i b [hie + (hfe + 1)R E ] hie + (hfe + 1)R E
hie << (hfe + 1)R E
hfe R C
AV
(hfe + 1)R E
RC
AV
RE
La ganancia ya no depende de hfe o hie. Con RC y RE podemos determinar la ganancia de

amplificador.
Ri
Vi i b [hie + (hfe + 1)R E ]
R i = =
ib ib
R i = hie + (hfe + 1)R E
R i = R 2 R i
Ahora debemos seleccionar R1 y R2 con resistencia alta ya que tiene una impedancia de entrada alta.
Hay un conflicto con el requerimiento de resistencia RB baja para la estabilidad del punto operativo
DC. Como todo en la vida, debemos hacer ajustes.
AI
Ri
AI = A V
RI
A VS
Ri
A VS = A V
Ri + RS
Ro
Ro = RC
SES
46
2.2.4 Amplificador de seguidor de emisor

Este circuito tambin se denomina amplificador de colector comn (CC).
VCC
RC
R1
Vi
R2 Vo
RE o
Figura 2-31
El modelo de parmetro h es el siguiente:
RS ii ib hie ic
Vo
Vi Hfe i b iL o
VS ~ RB RC RE
o
Ri R i
Figura 2-32
SES
47
AV
Vi = i b hie + i e R E
Vi = i b hie + i b (hfe 1)R E
Vo = i L R L = i e R L = i b (hfe 1)R E
Vo i b (hfe + 1)R E
AV = =
Vi i b [hie + (hfe + 1)R E ]
(hfe + 1)R E
AV = 1
hie + (hfe + 1)R E
Las seales de entrada y salida son casi iguales y con la misma fase. Por eso se denomina seguidor
de emisor. El emisor sigue la base.
Utilizamos este circuito como un regulador. Tiene impedancia de entrada alta e impedancia de
salida baja.
Ri
Vi
R i = = hie + (hfe + 1)R E
ib
R i = R B R i
AI
Ri
A I = AV
RE
A VS
Ri
A VS = AV
Ri + RS
Para poder calcular Ro debemos hacer que est en corto circuito VS. La rama de entrada entonces se
compone por RS || RB+hie. La corriente a travs de esta rama es ib.
Esta rama est en paralelo con RE que tiene la corriente ib(hfe+1) .
Si convertimos la fuente de corriente en una fuente de voltaje, su Ro ser:
R S R B + hie
RE
hfe + 1
Esta es una impedancia muy baja.
SES
48
2.2.5 Amplificador de base comn

En el amplificador de base comn (CB), la seal de entrada es suministrada al emisor y la seal de
salida se recibe en el colector.
VCC
RC
R1 Vo
o
R2 Vi
RE
Figura 2-33
Este circuito era comn, anteriormente, en amplificadores de frecuencia alta. Hoy en da, la
respuesta de frecuencia del transistor es mucho mejor, por lo tanto, este circuito es menos popular.
Su Ri es bajo y su Ro es alto (lo opuesto de caractersticas de un amplificador bueno).
El modelo del parmetro h es el siguiente:
RS ie Hfe i b c
Vo
Vi iL
VS ~ hie RC
o
Ri Ro
Figura 2-34
SES
49
Analizar el circuito y probar:
hfe
Ai =
1 + hfe
hie
Ri =
1 + hfe
hfe R C
AV =
hie
Ro RC
2.2.6 Cmo medir parmetros de amplificador

Para medir los parmetros de un amplificador, lo conectamos a una fuente de voltaje alterna VS a
travs de una resistencia en serie RS y su salida a una resistencia de carga RL de la siguiente manera:
RS Vi ii Ro iL
Vo VL
VS
RL
Figura 2-35
El valor absoluto de io es equivale a iL que equivale:
VL
iL =
RL
ii es equivalente a la corriente a travs de RS:
VRS = VS V :
VRS
ii =
RS
SES
50
Para calcular Ro medimos VL sin RL (Vo) y con RL (VL).
Ro se determina conforme a la siguiente frmula:
Vo I L R o = VL
VL
Vo R o = VL
RL
Vo VL
Ro = RL
VL
SES
51
Procedimiento:
distribucin.

(RS = R43, RC = R69, C2 = C43)
+12V
RC
R1 1K C2
91K Vo
VC 10F
RS C1
VS
1K 10F VCE
R2
15K RE
2 100
No conectar fuente de voltaje alguna al punto VS.
Paso 4: Medir VB, VC, VCE y VE.
Paso 5: Calcular IC:
IC = (VCC - VC)/RC = (12 - VC)/1000
Paso 6: Trazar la lnea operativa y el punto operativo en el grfico.
IC
VCC
RC + RE
VC
VCE
VCC
SES
52
Para calcular los parmetros de los amplificadores, no importa si usamos Vpico o VP-P o
un voltaje efectivo, mientras seamos constantes.
Para anotar parmetros de CA usamos letras pequeas.
Usamos el resistor de 1K como resistencia RS.
Amplificador CE:
Paso 7: Conectar la sonda de salida OUT/10 del generador de funciones al punto VS. Ajustar el
generador de funciones para generar una onda senoidal de 1VP-P 1KHz (VOUT/10 =
0.1VP-P).
Paso 8: Conectar un capacitor de by-pass de 100F (C41) paralelo a RE haciendo corto circuito
en los voltajes AC de RE. No hacemos corto circuito en RE para no cambiar su punto
operativo DC.
+12V
RC
R1 1K C2
91K Vo
VC 10F
RS C1
VS
1K 10F VCE
R2
15K RE
100 CE
2
Paso 9: Calcular y anotar AV, AI, Ri, Ro conforme al modelo de parmetro h.
Paso 10: Conectar la sonda CH2 al punto Vo.
Paso 11: Medir los voltajes VC (Vo), VRS y Vi.
Haz la medicior de voltaje usando el multimetero en CA.
Paso 12: Conectar un resistor 1K entre el colector del transistor y la tierra. Este resistor acta
como RL.
Medir VL.
Paso 13: Calcular y anotar AV, AI, Ri, Ro conforme a tus mediciones al paragrofo 2.2.6.
SES
53
Paso 14: Comparar las caractersticas de clculo del amplificador y las caractersticas de
medicin.
Paso 15: Trace la figura del osciloscopio en el grfico siguiente:
VCH1
VCH2
Paso 16: Cul es el desplazamiento de fase del amplificador?
Amplificador CE con RE:
Paso 17: Desconectar el Capacitor by-pass de RE.
Paso 18: Conectar la sonda de salida OUT del generador de funciones al punto VS. Ajustar el
generador de funciones para generar una onda senoidal de 1VP-P 1KHz.
Paso 19: Calcular y anotar el AV, AI, Ri, Ro conforme al modelo de parmetro h.
Paso 21: Conectar el resistor 1K resistor entre el colector del transistor y la tierra. Esta resistencia
se utiliza como RL.
Medir VL.
Paso 22: Calcular y anotar AV, AI, Ri, Ro conforme a las mediciones al paragrofo 2.2.6.
Paso 23: Comparar las caractersticas de clculo y las caractersticas de medicin.
SES
54
VCH1
VCH2
Amplificador de seguidor de emisor:
+12V
RC
R1 1K
91K
VC
RS 10F
VS VCE
1K 10F
R2 Vo
15K RE
2 100
Paso 28: Medir los voltajes VE (Vo), VRS y Vi.
Paso 29: Conectar el resistor 1K entre el emisor del transistor y la tierra. Esta resistencia se
utiliza como RL.
Medir VL.
SES
55
Paso 31: Comparar las caractersticas de clculo del amplificador y las caractersticas de
medicin.
VCH1
VCH2
Amplificador CB:
+12V
RC
R1 1K 10F
VO
91K
VC
VCE
VE RS 100F
R2 VS
15K RE 1K
2 100
Paso 36: Ajustar el generador de funciones para generar una onda senoidal de 1VP-P 1KHz.
SES
56
Paso 38: Conectar el resistor 1K entre el colector del transistor y la tierra. Esta resistencia se
utiliza como RL.
Medir VL.
Paso 40: Comparar las caractersticas de clculo de amplificador y las caractersticas de

medicin.
medicin.
SES
57
Experimento 2.3 - Caractersticas del Transistor de

Efecto de Campo
Objetivos:
El transistor FET.
Las caractersticas de CC del FET.
Lnea de operacin y punto de operacin.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Transistor FET 2N5457
Resistores 1K, 5.1K, 1M
Discusin:
2.3.1 Transistor de efecto de campo
En el transistor bipolar, la corriente del circuito de entrada afecta el punto de operacin del circuito
de salida.
El Transistor de Efecto de Campo (FET) trabaja diferente. Un campo elctrico en el circuito de

entrada afecta el circuito de salida. No hay corriente en su terminal de control.
Hay dos tipos de FET. Uno se llama JFET (FET de Juntura) y el otro se llama MOSFET (Metal
Oxide Silicon FET).
Los dos tipos son transistores de 3-piernas. Las piernas son D (Drenaje/Drain), S (Fuente/Source) y
G (Puerta/Gate).
El campo elctrico del JFET es uno que existe en una juntura inversa PN. La puerta es la juntura
inversa PN.
La puerta del MOSFET es una puerta de metal aislada del dren y la fuente, con xido de silicio.
SES
58
2.3.2 JFET Transistor de Efecto de Campo de Juntura

Hay dos clases de JFET de canal N y de canal P. Son construidos como sigue:
Canal N Canal P
G G
P N
S N D S P D
P N
G G
Figura 2-36
Sus smbolos son como sigue:
Canal N Canal P
D D
G G
S S
G Gate
D Drain
S Source
Figura 2-37
Describiremos el canal N, que es el ms comn. El canal P trabaja igual con los voltajes opuestos.
Cuando no hay voltaje en la puerta, el JFET conduce. El material N incluye tres electrones, as la
corriente puede fluir de D a S y de S a D. Generalmente, D es positivo con respecto a S y la
corriente fluye de D a S.
P
IS S +D ID
Figura 2-38
SES
59
Cuando la puerta del canal N tiene voltaje negativo se remite a los voltajes de S y D, las reas de
agotamiento estn rodeando al material P (los electrones libres consiguen un camino libre a la
puerta) como sigue:
G Depletion
-
P
IS S +D ID
0V
P
-
Free Electrons G
Figura 2-39
D es positiva se remite a S, as es ms positiva se remite a G. Esta es la razn por la cual el rea de

agotamiento es ms ancha en el lado de D que en el lado de S. ID es igual a IS.
Cuando el voltaje VDS aumenta, ID aumenta, pero las reas de agotamiento cerca al lado D se
expanden, hasta que chocan unas con otras. Este voltaje se llama Vp (Voltaje de Perforacin).
G
-
P
S +D
P
-
G
Figura 2-40
SES
60
En este punto, el aumento de VDs no afecta a ID e ID llega a ser constante. Si VDs es muy alto (sobre
la valoracin mxima), el transistor pica y la corriente se eleva inmediatamente. La caracterstica de
salida del transistor es como sigue:
ID
VGS = -1V
VDS
VP VA
Figura 2-41
De ahora en adelante, desatendemos el VA, porque sta es el rea de ruptura y generalmente daa el
transistor.
El rea entre VP y VA se llama el rea lineal y todos los clculos del FET se relacionan con esta
rea.
Las caractersticas del JFET dependen del voltaje VGS. Cuanto ms alto es el voltaje (ms negativo)
crea una perforacin ms rpida.
Para valores diferentes de VGS conseguimos las caractersticas de salida siguientes:
ID
VGS = -1V
VGS = -2V
VGS = -3V
VGS= -4V
VDS
Figura 2-42
Para un cierto voltaje de VGS, ID es muy pequea, llamamos a esta rea, el rea de corte.
SES
61
2.3.3 MOSFET
El segundo tipo de FET es el MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Semiconductor de
xido de Metal). Este transistor se puede hacer de silicio solamente, porque se basa en las
caractersticas del xido de silicio. El MOSFET tiene 3 terminales el Dren, la Fuente y la Puerta. La
puerta est aislada del material del semiconductor por el xido de silicio, segn lo mostrado en la
figura siguiente:
G
S D
B D Drain
G Gate
N P N S Source
- - -
Silicon oxide
- - - -
Metal
s
Figura 2-43
Cuando no hay voltaje en la fuente, no hay corriente entre D (Dren) y S (Fuente). El sustrato P tiene
huecos como portador de carga, pero slo unos pocos electrones libres como portador de carga
menor.
Cuando aplicamos un voltaje positivo en la puerta (entre la puerta y los electrodos S y B (Substrato-
Grueso), los portadores de menor carga (los electrones libres) del substrato-P son atrados a la
puerta. Se acumulan cerca de la puerta y crean un canal de tipo-n y el FET conduce.
G
S - + +
D
B D Drain
G Gate
N P N S Source
- - -
Silicon oxide
- - - -
Metal
s
Figura 2-44
El voltaje entre la puerta y la fuente se llama VGS. Cuanto ms alto es VGS, ms ancho es el canal
tipo-n y ms grande es ID.
SES
62
Hay otra clase de MOSFET llamado MOSFET de canal-P.
G
S D
B D Drain
G Gate
P N P S Source
Silicon oxide
Metal
s
Figura 2-45
En este transistor, los huecos son los portadores de carga.
El MOSFET se llama MOSFET de realce y sus smbolos son:
D D
G G
S S
N Channel Enhancement P Channel Enhancement

MOSFET MOSFET
Figura 2-46
La caracterstica de salida del MOSFET es como sigue:
ID
VGS = 4V
VDS
Figura 2-47
SES
63
Hasta cierto valor de VDS ID aumenta y viceversa. Despus de que alcanza este valor, ID permanece
constante y no depende de VDS. Depende solamente del ancho del canal, que depende de VGS.
Para valores diferentes de VGS conseguimos las caractersticas de salida siguiente.
ID
VGS = 4A
VGS = 3A
VGS = 2A
VGS= 1A
VDS
Figura 2-48
El MOSFET antedicho es un FET de tipo mejorado. Se realza el canal dependiendo de VGS.
Otra clase de MOSFET es el MOSFET de agotamiento/mejoramiento. En este tipo de MOSFET, un

canal de tipo-n se inyecta entre D y S.
S G
D
N
N N
P
Figura 2-49
Cuando VGS=0V, el FET conduce. Cuando VGS aumenta, la conductancia aumenta, debido a la
acumulacin de electrones en el material tipo-P cerca al canal-n.
Si proveemos un VGS negativo, los electrones libres en el canal-n son rechazados bajo la puerta y
conseguimos un rea de agotamiento, que disminuye la corriente y la conductancia.
SES
64
Los smbolos de este tipo de MOSFET son:
D D
G G
S S
N Channel depletion/enhancement P Channel depletion/enhancement
MOSFET MOSFET
Figura 2-50
El MOSFET de agotamiento/mejoramiento se llama en forma corta MOSFET de agotamiento.
Las caractersticas de salida son como sigue:
ID
VGS = 2A
VGS = 1A
VGS = 0A
VGS= -1A
VGS= -2A
VDS
Figura 2-51
El valor de VDS donde la ID se hace constante y no depende de VDS, se llama VP (V de perforacin).

Para cada valor de VGS, VP es ligeramente diferente.
En las caractersticas de salida, podemos ver como ID depende de VGS y VDS. Podemos hallar 3
regiones:
1) La regin de SATURACIN En este rango VDS < VP e IB depende de VDS.
2) La regin LINEAL En este rango VDS > VP e ID depende slo de VGS y no de VDS.
3) La regin de CORTE En este rango VGS < VPO (VGS APAGADO). En esta regin, ID
es muy pequeo.
La ventaja principal del MOSFET es su puerta aislada. Crea una impedancia de entrada muy alta.
SES
65
Esta puerta aislada crea dos problemas. Uno es que acta como condensador y disminuye la
velocidad de los transistores del componente.
El otro problema es que la puerta acumula cargas estticas elctricas cuando est abierta. Ello
significa que antes de poner el componente en un circuito, su puerta puede tener un muy alto voltaje
que la rompa y dae el componente.
Esta es la razn por la cual el MOSFET se embala en paquetes de materiales antiestticos.
La mayora de los componentes MOSFET de hoy son de puerta protegida por diodos.
2.3.4 La caracterstica de transicin

La relacin entre ID (la corriente de Dren) y VGS se describe en la caracterstica de transicin
siguiente.
ID ID ID
IDSS
IDSS
IDSS
VPO VGS VPO VGS VPO VGS
JFET MOSFET Enhancement MOSFET

Depletion/Enhancement
Figura 2-52
El FET no tiene corriente IG. (IG=0) as ID=IS siempre.
En el transistor bipolar, necesitamos solamente un parmetro () para la relacin entre IC e IB. Aqu
necesitamos dos parmetros (IDSS e VPO) para la relacin entre ID y VGS.
2
V
I D = I DSS 1 GS
VPO
Como podemos ver es la ecuacin de una parbola.
IDSS es el valor de ID cuando VGS=0
VPO es el valor de VGS para ID=0. Se llama VGS APAGADO.
Generalmente VPO es negativo.
No hay conexin entre VP (V de Perforacin), que relaciona a VDS y VPO (que es VGS APAGADO).
SES
66
2.3.5 Polarizacin del MOSFET de CC

VDD
VDD
RD
RD
R1 ID
ID
D G
RG D
G S
S
VGG IS
R2 IS
Figura 2-53
Si usamos un divisor de voltaje como en el circuito de la izquierda, entonces:
VDD R 2
VGS = VR1 =
R1 + R 2
I D = IS
2
V
I D = I DSS 1 GS
VPO
VDS = VDD I D R D
La lnea de carga y el punto de operacin son similares al transistor bipolar.
ID
VDS
RD
VDS
VDD
Figura 2-54
SES
67
Cuando usamos una polarizacin del MOSFET de agotamiento/mejoramiento podemos entregar en

R1, VGS=0V e ID=IDSS que no es pequeo en este tipo de transistor.
Usamos resistores de resistencia alta para la polarizacin del MOSFET para no estropear su alta
impedancia de entrada (descrita en el captulo siguiente).
Podemos agregar un resistor RS para la estabilidad del punto de operacin.
VDD
VDD
RD
RD
R1 ID
ID
RG IG
IS IS
VGG
R2
RS RS
Figura 2-55
IG = 0
VDD R 2
VGG = VR 1 =
R1 + R 2
R1 R 2
RG =
R1 + R 2
VGG = I G R G + VGS + I S R S = VGS + I S R S
ID = IS
VGS = VGG I S R S = VGG I D R S
2
V
I D = I DSS 1 GS
VPO
2
V I D R S
I D = I DSS 1 GG
VPO
SES
68
Obtenemos una ecuacin de segundo grado que tenemos que resolver para calcular ID.
VDD = I D R D + VDS + I S R S
VDS = VDD I D ( R D + R S )
Como en el transistor bipolar, intentamos conseguir:
VDD
VDS =
2
La adicin de RS permite crear VGS negativo, que se requiere para JFET. Un JFET (y tambin en
algn MOSFET de agotamiento), el circuito comn es el siguiente:
VDD
RD
Vo
RG RS
Figura 2-56
ID = IS
I G R G = 0V
VGS = I D R S
2
V
I D = I DSS 1 GS
VPO
2
I R S
I D = I DSS 1 + D
VPO
Debemos recordar que en un JFET y en un MOSFET de agotamiento VPO es negativo.
SES
69
Procedimiento:
Paso 1: Conectar el Entrenador Anlogo a la fuente de poder y la fuente de poder a la red.
Paso 2: Implemente el circuito siguiente:
+12V
5.1K
VD
VG
VS
VGG
1M 1K
Paso 3: Encienda la fuente de poder.
Paso 4: Cambie VGG segn la tabla siguiente y mida y registre los valores de VG, VD y VS.
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
VGG [V] 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 -0.5 -1 -1.5 -2
VG [V]
VD [V]
VS [V]
VGS [V]
ID [mA]
IS [mA]
VDS [V]
Paso 5: Calcule VGS para cada valor de VGG segn las frmulas siguientes:
VG = VGG
VGS = VG VS
Paso 6: Calcule ID para cada valor de VD e IS para cada valor de VS segn las frmulas
siguientes:
ID = (VDD - VD)/RD
IS = V S / R S
SES
70
Paso 7: Calcule VPO e IDSS del componente.
Paso 8: Trace sus resultados en el grfico siguiente:
ID
0
VGS
0
Paso 9: Marque las tres regiones en el grfico:
A) La regin de corte.
B) La regin lineal.
C) La regin de saturacin.
Paso 10: Calcule VDS para cada VD y VS segn la frmula siguiente:
VDS = VD - VS
Paso 11: Trace sus resultados en el grfico siguiente:
ID
0
VDS
0
SES
71
Paso 12: Desconecte VGG del circuito:
+12V
5.1K
VD
VG
VS
1M 1K
Paso 13: Mida VGS, VD y VS.
Paso 14: Calcule ID = (VDD - VD) / RD.
Paso 15: Marque el punto de operacin en el grfico que usted trazo en el paso 11.
Reporte del experimento:

1) Escriba el nombre de cada experimento y dibuje debajo el circuito electrnico.
2) Para cada circuito incluya las mediciones, los resultados y los grficos de los
experimentos.
3) Compare entre las preguntas preliminares y los ejemplos con los resultados medidos.
SES
72
Experimento 2.4 - El Amplificador de Transistor

FET
Objetivos:
Medida de la ganancia del amplificador.
Medida de la impedancia de entrada.
Medida de la impedancia de salida.
Medida del desplazamiento de fase.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Transistor FET 2N5457
Resistores 100, 1K, 5.1K, 1M
Capacitors 10F, 100F
Discusin:
2.4.1 El amplificador FET
El transistor FET tiene un modelo similar al modelo bipolar de parmetro h. Se llama modelo del
parmetro g.
G D
rGS gmVGS rDS
Figura 2-57
SES
73
rDS tiene alta resistencia as que podemos despreciarla y conseguir el modelo siguiente del
parmetro g.
id
G D
rGS gmVGS
Figura 2-58
rGS tambin tiene alta resistencia y tambin est en paralelo con los resistores de polarizacin. La
resistencia de entrada equivalente generalmente es la resistencia de polarizacin.
gm se llama la conductancia de transicin.
i d = g m VGS
id
gm =
VGS
gm depende del punto de operacin.
V
g m = g m o 1 GS
VPO
gmo es el gm cuando VGS=0 y es dado por el fabricante.
2
VGS
gmo es la gradiente de la funcin I D = I DSS 1
en el punto VGS=0.
VPO
gmo tambin nos permite calcular VPO (que no siempre es dado por el fabricante).
2I DDS
VPO =
g mo
SES
74
2.4.2 Amplificador de fuente comn

V Dn V Dn
RD RD
R1
Vo Vo
o o
Vi Vi
R2 RG RS CE
MOSFET JFET
Figura 2-59
El modelo del parmetro g es como sigue:
C D
Vi Vo
RG rGS gm VGS RD
Ri R i
Figura 2-60
SES
75
AV
Vo = g m VGS R D
Vi = VGS
g m VGS R D
AV =
VGS
A V = g m R D
Ri
R i = rGS
R i = R E R i
AI
Ri
AI = AV
RD
A VS
Ri
A VS = A V
Ri + RS
Ro
Ro = RD
RD
Si agregamos la resistencia RS, AV ser cambiado a .
RS
Compruebe esto.
SES
76
2.4.3 Amplificador seguidor de fuente
V Dn V Dn
RD RD
R1
Vi Vi
Vo Vo
R2 o RG RS o
RS
MOSFET JFET
Figura 2-61
El modelo de parmetro g:
G S
Vi Vo
gm VGS
RG RS
D
RD
Figura 2-62
AV
Vo = g m o VGS R S
Vi = VGS + g m VGS R S
Vo g m VGS R S
AV = = 1
Vi VGS (1 + g m R S )
SES
77
Procedimiento:
Paso 2: Implemente el circuito siguiente.

(R1 = R43, C2 = C43)
VDD
RD
5.1K C2
Vo
R1 C1 10F o
VS
1K 10F
RG RS
1M 1K
Paso 3: Encienda el entrenador.
Paso 4: Mida los voltajes de CC en los puntos de prueba VG, VD y VRS.
Paso 5: Calcule ID:
ID = (VDD - VD)/RD = (12 - VD)/5100
Paso 6: Trace la lnea de operacin y el punto de operacin en el grfico.
ID
VDD
RD + RS
VD
VDS
VDD
SES
78
Para calcular los parmetros de los amplificadores, no importa si usamos Vpico o VP-P o
un voltaje efectivo, mientras seamos constantes.
Para anotar parmetros de CA usamos letras pequeas.
Usamos el resistor de 1K como resistencia RS.
Amplificador CS con RS:

Paso 7: Conecte la punta de la salida OUT del generador de funcin al punto VS. Ajuste el
generador de funcin para generar una onda sinusoidal de 1VP-P 1KHz.
Paso 8: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la salida del generador de funcin y
la punta de prueba CH2 al punto VD.
Paso 9: Medir los voltajes VD (Vo), VRS y Vi.
Paso 10: Conectar el resistor 1K resistor entre el colector del transistor y la tierra. Esta resistencia
se utiliza como RL.
Medir VL.
Paso 11: Calcular y anotar AV, AI, Ri, Ro al paragrofo 2.2.6.
VCH1
VCH2
SES
79
Amplificador seguidor de fuente:
VDD
5.1K
RD
10
1K 10
VS
Vo
RG RS
1M 1K
Paso 15: Medir los voltajes VS (Vo), VRS y Vi.
Paso 16: Conectar el resistor 1K resistor entre el colector del transistor y la tierra. Esta
resistencia se utiliza como RL.
Medir VL.
Paso 17: Calcular y anotar AV, AI, Ri, Ro al paragrofo 2.2.6.

experimentos.
SES
80
Experimento 2.5 Amplificador de Dos Etapas

Objetivos:
Medida de la ganancia del amplificador.
Medida de la impedancia de entrada.
Medida de la impedancia de salida.
Medida del desplazamiento de fase.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Transistors 2N2222, 2N5457
Resistors 100, 3 x 1K, 5.1K, 15K, 91K, 1M
Capacitors 3 x 10F, 100F
Discusin:
Cuando necesitamos un amplificador de alta ganancia, conectamos en cascada varias etapas que
amplifican como sigue:
RS i i2 R o1 i i1 R o2 iL
V i1 V i1 V o2
VS V o1 RL
VL
Figura 2-63
El voltaje de salida Vo es de hecho igual a Vo2.

La corriente de entrada ii es de hecho igual a ii1.
La resistencia de entrada es Ri = Ri1.
La resistencia de salida es Ro = Ro2.
SES
81
La ganancia total AV es:
Vo Vo 2
AV = =
Vi Vi 1
Ahora multiplicamos y dividimos AV por Vo1, que es igual a Vi2
Vo 2 Vo 1 Vo 1 Vo 2 Vo 1 Vo 2
AV = = =
Vi 1 Vo 1 Vi 1 Vo 1 Vi 1 Vi 2
AV = AV 1 AV 2
De la misma manera obtenemos:
AI = AI 1 AI 2
El acoplamiento entre las etapas es generalmente hecho por el capacitor, que se llama capacitor de
acoplamiento. El valor de la capacitancia depende de la Ro de la primera etapa y de la Ri de la
segunda etapa.
R o1 Cb
V i2
V o1 ~ R i2
Figura 2-64
La impedancia del capacitor depende de la frecuencia de la seal.
1
XC =
C
Mientras ms baja es la frecuencia, Vi2 se hace ms bajo. Para determinar Cb, primero
comprobamos cul es la frecuencia ms baja que el amplificador debe amplificar. Esta frecuencia
est marcada como f1 o 1 .
Cuando XC es igual a Ro + Ri2, la mitad de la potencia mxima que puede venir de Vo1 ser
desarrollada en los resistores. Esta es la condicin para determinar Cb. esta es la razn por la que f1
se llama frecuencia de potencia media.
SES
82
1
= Ro1 + Ri 2
1Cb
1 1
Cb = =
1 ( R o 1 + R i 2) 2 f1 ( R o 1 + R i 2)
para un amplificador de audio usamos f1 como 50Hz o 100Hz como la frecuencia ms baja a ser
amplificada.
Usamos reglas similares para calcular el capacitor de by-pass CE o CS. Nuevamente usamos la
frecuencia f1.
X CE = R E
1
CE =
2 f 1 R E
X CS = R S
1
CS =
2 f 1 R S
Combinaremos el amplificador bipolar del transistor y el amplificador FET en el amplificador de

dos etapas.
Acoplamos las dos etapas con el capacitor a fin de prevenir la etapa de salida del primer
amplificador para afectar la polarizacin y el punto de operacin del segundo amplificador.
Hay otros mtodos de acoplamiento acoplamiento directo y acoplamiento por transformador.

Estos mtodos estn explicados en el captulo del amplificador de potencia.
SES
83
Procedimiento:
Amplificadores CS + CE con RE:
+12V
R1 RC 5.1K
91K 1K
10F
Vo
R1 10F
Q1 10F Q2
Vi
1K
R2 RE RG RS RL
10K 100 1M 1K 1K
Paso 4: Conecte la punta de prueba de la salida OUT/10 del generador de funcin al punto VS.
Ajuste el generador de funcin para generar una onda sinusoidal de 2VP-P 1KHz
(VOUT/10 = 0.2VP-P).
Paso 5: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la salida OUT del generador de
funcin y la punta de prueba CH2 al punto Vd.
Para calcular los parmetros del amplificador, no importa si utilizamos Vpico o VP-P o
un voltaje eficaz, mientras seamos constantes.
Usamos el resistor de 1K como la resistencia RS.
Paso 6: Mida los voltaje de CA VD (Vo), VRS y Vi.
SES
84
Paso 7: Conecte el resistor de 1K entre el Vo y tierra. Esta resistencia se usa como RL.
Mida VL.
Paso 8: Calcule y registre AV, AI, Ri, Ro.
Paso 9: Compare sus resultados con los resultados de los experimentos previos.
Compruebe si:
A V = A V1 A V 2
A I = A I1 A I 2
R i = R i1
R O = R O2
VCH1
VCH2
SES
85
Amplificadores CS + CE:
Paso 12: Conecte el capacitor en by-pass de 100F paralelo a RE, esto pone en corto circuito los
voltajes de CA en RE. No corto circuitamos RE para no afectar su punto de operacin en
CC.
+12V
R1 RC 5.1K
91K 1K
10F
Vo
R1 10F
10F
Vs
1K
R2 RE RG RS
15K 100 1M 1K
100F
Paso 13: Mida los voltajes VD (Vo), VRS y Vi.
Paso 14: Conecte el resistor de 1K entre Vo. Esta resistencia se usa como RL.
Compruebe si:
A V = A V1 A V 2
A I = A I1 A I 2
R i = R i1
R O = R O2
SES
86
VCH1
VCH2
Amplificadores Seguidor Emisor + CS:
+12V
R1 RC 5.1K
91K 1K
10F
Vo
R1 10F
10F
Vs
1K
R2 RE RG RS
15K 100 1M 1K
Paso 20: Mida los voltajes VD (Vo), VRS y Vi.
Paso 21: Conecte el resistor de 1K entre Vo. Esta resistencia se usa como RL.
SES
87
Compruebe si:
A V = A V1 A V 2
A I = A I1 A I 2
R i = R i1
R O = R O2
VCH1
VCH2

experimentos.
SES
88
Experimento 2.6 Oscilador a Transistor
Objetivos:
El oscilador Hartley.
El oscilador Colpietz.
Oscilador a cristal.
Equipo requerido:
Entrenador anlogo
Fuente de poder
Un multmetro
Alambres de conexin
2N2222
Resistors 100, 15K, 11K
Capacitors 10n, 3 x 0.1
Coils 47, 390
Discusin:
Cuando tenemos una realimentacin positiva de la etapa de salida de un amplificador a su etapa de
entrada, el amplificador puede oscilar. Las condiciones de la oscilacin se describen en el
experimento 3.6.
El oscilador a transistor se utiliza principalmente como oscilador de alta frecuencia, especialmente

en circuitos de RF (Frecuencia de Radio).
El Oscilador Local es un oscilador de onda sinusoidal de frecuencia variable.
El oscilador ms comn en receptores de RF es el oscilador Hartley. En este circuito existe una

realimentacin positiva entre el colector y el emisor.
Un capacitor est conectado en paralelo con uno de los resistores de polarizacin, para regular el
voltaje VB. Esta regulacin causa cambios de voltaje en el emisor al cambio del VBE y ste afecta
el voltaje de colector y de nuevo al emisor.
SES
89
El circuito siguiente es un oscilador Hartley:
VCC
L1
C2
R1
L2
Q1
C1 R2
R3
Figura 2-65 Oscilador Hartley
El voltaje de realimentacin es aceptado por el divisor de voltaje, basado en dos bobinas. Los
cambios de corriente a travs de ellas crean los cambios del voltaje que se transfieren al emisor.
SES
90
Para determinar la frecuencia requerida de las oscilaciones, se conecta un capacitor o un capacitor

variable (si se requiere un oscilador variable) en paralelo a las bobinas.
VCC
L1
C2
C
R1
L2
Q1
C1 R2
R3
Figura 2-66 Oscilador Hartley Variable
SES
91
Otra posibilidad es utilizar un diodo VVC (Capacitor Variable de Voltaje) que cambie su frecuencia
segn la cada de voltaje sobre ella.
VCC
L1
C2
R1
L2
C3
P1
Q1
VVC
C1 R2
R3
Figura 2-67 Oscilador Hartley Variable VVC
SES
92
Un oscilador similar se llama oscilador Colpietz. Este oscilador se basa en dos capacitores como
divisor de voltaje con una bobina en paralelo.
VCC
C2 C3
R1 L
C4
Q1
C1 R2
R3
Figura 2-68 Oscilador Colpietz
La razn por la que este oscilador no es comn es la dificultad para fabricar una bobina variable
confiable para sintonizar la frecuencia deseada.
Cuando necesitamos un oscilador de frecuencia fija y exacto, utilizamos el oscilador de cristal.
Un oscilador de cristal a transistor se basa en un circuito a transistor con una realimentacin

positiva, que se alcanza con un capacitor entre el emisor y la base.
La realimentacin positiva hace oscilar al transistor en una frecuencia determinada por las
capacidades internas en el transistor. Esta frecuencia es muy alta.
SES
93
Para hacer oscilar al transistor en una frecuencia determinada, conectamos un cristal con la base,
que fuerza al transistor a oscilar en la frecuencia del cristal, como sigue:
VCC
C1
Vo
C2
Figura 2-69
El capacitor C1 es el capacitor de realimentacin.
El capacitor C2 no es un capacitor de desviacin (de otra manera no habramos conseguido una

seal en la salida). Su funcin es crear el desplazamiento de fase para conseguir la realimentacin
positiva.
Este capacitor es de 200pF.
SES
94
Procedimiento:
Paso 1: Conecte el Entrenador Anlogo a la fuente de poder.
Paso 2: Conecte la fuente de poder a la red y ENCINDALA.
Paso 3: Implemente un oscilador Hartley usando un transistor bipolar.
VCC
L1 47
C2
R1 91K 0.1
L2 390
Q1
C1 0.1
R2 15K
R3 100
Paso 4: Conecte la punta de prueba del osciloscopio CH1 al emisor del transistor.
Usted debe ver una onda sinusoidal.
Paso 5: Mida la frecuencia de la seal.
SES
95
Paso 6: Implemente un oscilador Colpietz usando un transistor bipolar.
VCC
C2 10n C3
R1 91K L 47 0.1
0.1 C4
Q1
C1 0.1
R2 15K
R3 100
Paso 7: Conecte la punta de prueba del osciloscopio CH1 al emisor del transistor.
Usted debe ver una onda sinusoidal.
Paso 8: Mida la frecuencia de la seal.
Reporte del Experimento:

1) Recolecta todas las mediciones y los resultados de los experimentos. Sobre cada
resultado en la tabla escribe el nombre del experimento y dibuja el circuito del
experimento.
2) Compara el valor medido con el valor escrito.
SES
96
Captulo 3 - Amplificadores Operacionales

Experimento 3.1 - Amplificador Inversor
Objetivos:
El amplificador operacional.
Construir un amplificador inversor.
Medir los parmetros del amplificador.
Equipo requerido:
Entrenador anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
LM358 or 741
Resistors 2 x 1K, 4.7K, 10K
Discusin:
3.1.1 El amplificador operacional
El amplificador operacional es un amplificador con las caractersticas casi ideales del amplificador,
para implementar su uso, tanto como sea posible.
El amplificador operacional ideal tiene los parmetros siguientes:
Ri =
Ro = 0
AV =
BW =
De hacho, no hay amplificador ideal. Cuando diseamos un circuito, elegimos un amplificador

operacional segn el parmetro ms importante que necesitamos.
Para muchas aplicaciones, un amplificador operacional puede ser suficiente. Esta clase de
amplificadores tienen:
Ri 10M
R0 = 25
AV = 50,000 100,000
BW = 20KHz 100KHz
SES
97
La mayora de los usos del amplificador se basan en una realimentacin. Una seal que se toma de
la salida del amplificador y se alimenta a su entrada.
El amplificador operacional bsico es un componente electrnico, que tiene dos entradas (inversora
y no inversora) y una salida. Tiene una entrada diferencial para facilitar la implementacin de una
realimentacin positiva o negativa. El amplificador operacional ideal es un amplificador con
ganancia infinita y resistencia de entrada infinita con el smbolo y los principios siguientes.
+V
V1
Vo
V2 +
-V
Figura 3-1
En una realimentacin negativa, la seal de entrada se suministra a la lnea de entrada (+) y la seal
de realimentacin se suministra a la lnea de entrada (-).
En una realimentacin positiva, la seal de entrada se suministra a la lnea de entrada (-) y la seal
de realimentacin se suministra a la lnea de entrada (+).
En un rango abierto (sin ninguna realimentacin), la ganancia del amplificador tiende al infinito.
Vout
AV = =
V( + ) V( )
Debido a la alta polarizacin de entrada del amplificador, las corrientes de polarizacin son muy
bajas y podemos asumir que tienden a cero.
I(+) = I(-) = 0
El voltaje de salida es igual a la diferencia de los dos voltajes de entrada multiplicados

infinitamente. La ganancia real no es infinita, pero es muy alta y puede encontrarse en la hoja de
datos del amplificador operacional. Las corrientes de entrada son muy pequeas y se pueden
despreciar.
SES
98
Vo
+V
0
V2 V1
-V
Figura 3-2
Si V1 < V2, entonces Vo = +V.

Si V1 > V2, entonces Vo = -V.
De esta manera, podemos crear un sistema que compare entre dos valores o entre una seal y un
cierto voltaje de referencia.
Adems del amplificador comparador, la mayora de las aplicaciones del amplificador operacional
incluyen realimentacin negativa. Hay tambin algunos circuitos con realimentacin positiva.
En una aplicacin con realimentacin negativa, un componente (generalmente una resistencia)

conecta la salida del amplificador con su entrada negativa (V-). El anlisis del amplificador depende
de sus caractersticas bsicas - ganancia infinita e impedancia de entrada infinita.
3.1.2 El amplificador inversor
IR2 R2
R1 IR1
Vi -
Vo
Figura 3-3
En este amplificador V+ = 0V.
Debido a la realimentacin negativa y a la ganancia infinita, V- = V+ = 0V.
V- se llama "Tierra Virtual".
SES
99
Si V- es mayor que V+, entonces Vo se hace negativo y baja el voltaje a cero.
Si V+ es mayor que V-, entonces Vo se hace positivo y sube el voltaje a cero.
Debido a la resistencia de entrada infinita, las corrientes de entrada son iguales a cero y luego:
IR1 = IR2
Porque V- = 0 entonces:
VR 1 = Vi
Vi
I R1 =
R1
Vo = 0 VR 2 = I R 2 R 2 = I R 1 R 2
Vi
Vo =
R1
Vo R
AV = = 2
Vi R1
3.1.3 Amplificador Logartmico

Al sustituir R2 por un componente de funcin especial cambia la reaccin de la ganancia.
El diodo tiene una curva exponencial de reaccin, as que al sustituir R2 por un diodo crea un
amplificador logartmico como sigue:
R
Vi -
Vo
Figura 3-4
La corriente del diodo depende del voltaje del diodo segn la frmula siguiente:
V
I = I O F 1
VT
Cuando el diodo conduce y VF > 0.2V el VF >> VT.
SES
100
VF
I = IO
VT
I
VF = VT ln
IO
Vi
VO = VT ln
R
3.1.4 Cmo medir los parmetros del amplificador

Para medir los parmetros del amplificador, lo conectamos con una fuente de voltaje alterna VS a
travs de una resistencia en serie RS y su salida a una resistencia de carga RL como sigue:
RS ii Ro IL
Vi
VS VL RL
Figura 3-5
VL es realmente Vo.
El valor absoluto de io es equivalente a iL que es igual a:
VL
iL =
RL
Es equivalente a la corriente a travs de RS:
VRS
ii =
RS
Para calcular Ro medimos VL sin RL (Vo) y con RL (VL).
SES
101
Ro se determina conforme a la siguiente frmula:
Vo I L R o = VL
VL
Vo R o = VL
RL
Vo VL
Ro = RL
VL
3.1.5 Preguntas
1) Disee un amplificador inversor con una impedancia de entrada de 5K y una ganancia
de 2.
2) Mejore el amplificador anterior a un amplificador de ganancia variable de 1-10 usando

un potencimetro.
3) Dibuje el circuito y explique qu clase de potencimetro usted utiliz y por qu?
SES
102
Procedimiento:
Paso 1: Conecte el entrenador anlogo a la fuente de poder y la fuente de poder a la red.
Amplificador Inversor:
10K
+12V
4.7K
Vi -
Vo
-12V
Circuito para fuento de alimentacion unica:
10K
+12V
4.7K
Vi -
+12V
Vo
1K
+
1K
Paso 3: Conecte Vi a la fuente de voltaje variable, cambie el voltaje de entrada Vi, mida el
voltaje de salida Vo y llene la tabla siguiente.
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Vi -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
Vo
AV
SES
103
Paso 4: Trace sus resultados en el grfico siguiente.
Vo
Vi
Paso 5: Conecte el terminal Vi del amplificador operacional al terminal de salida OUT del
generador de funcin. Ajustar el generador de funcin a una onda sinusoidal de 1VP-P
1KHz.
Paso 6: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la salida del oscilador y la punta de
prueba CH2 a la salida del amplificador.
VCH1
VCH2
SES
104
R2
+12V 10K
RS Vi
VS -
1K 4.7K
Vo
-12V
R2
+12V 10K
RS Vi R1
VS -
1K 4.7K +12V
Vo
1K
+
1K
como RL.
Medir VL.

experimentos.
SES
105
Experimento 3.2 - Amplificador Seguidor y No

Inversor
Objetivos:
Construccin y medicin de un amplificador comparador.
Construccin y medicin de un amplificador no inversor.
Equipo requerido:
Entrenador anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
LM358 or 741
Resistors 1K, 4.7K, 10K
Discusin:
3.2.1 Amplificador no inversor
Vi +
Vo
-
R2
R1
Figura 3-6
En este amplificador, la seal es suministrada directamente a V+, de tal manera que la impedancia
de entrada de este amplificador es muy alta.
Debido a la realimentacin negativa,
V = V + = Vi VR 1 = Vi
SES
106
Debido a que la corriente en la entrada inversora (-) es insignificante, entonces la corriente que
fluye a travs de R1, fluye a travs de R2, as:
Vo = I R1 ( R 1 + R 2 )
VR1 V (R + R 2 )
Vo = (R 1 + R 2 ) = i 1
R1 R1
Vo R 1 + R 2 R
AV = = =1+ 2
Vi R1 R1
La corriente en R2 depende de Vi pero no es afectada por la misma R2. Si R2 es nuestra carga,

conseguimos un convertidor de corriente a voltaje para una carga virtual.
3.2.2 Amplificador seguidor (amplificador de unidad,

amplificador de almacenamiento intermedio)
-
Vo
Vi +
Figura 3-7
Aqu tambin la seal se provee directamente a la entrada de V+, de modo que la impedancia de
entrada de este amplificador sea muy alta.
Debido a la realimentacin negativa, V- = V+ = Vi.
Debido a que V- est conectado a la salida del amplificador, obtenemos Vo = Vi, que significa
AV = 1.
Este amplificador se usa como amplificador de almacenamiento intermedio (buffer), lo que nos
permite transferir una seal a cualquier carga sin afectar la fuente de seal.
SES
107
En el entrenador anlogo y digital TPS-3337, usamos esta clase de almacenador intermedio en la

salida del potencimetro ms a la izquierda. Los terminales del potencimetro estn conectados con
la fuente de alimentacin y de esta manera, conseguimos una fuente de poder variable, que no es
afectada por la carga conectada con ella.
+12V
-
Vo
+
Figura 3-8
3.2.3 Preguntas
1) Disee un amplificador no inversor con ganancia de 1.5.
2) Mejore el amplificador anterior por un amplificador de ganancia variable de 1-10

usando un potencimetro.
3) Dibuje el circuito y explique qu tipo de potencimetro usted us y por qu?
SES
108
Procedimiento:
Amplificador no inversor:
+12V
Vi +
Vo
-
R2
4.7K
-12V
R1
10K
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Vi -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
Vo
AV
Vo
Vi
Paso 5: Conecte el terminal Vi del amplificador operacional al terminal de salida del generador
de funcin. Ajuste el generador de funcin a una onda sinusoidal de 10VP-P 1KHz.
prueba CH2 a la salida del amplificador. Ajuste los potencimetros del oscilador hasta
que usted forme ondas sinusoidales lisas en ambos canales.
SES
109
VCH1
VCH2
Paso 9: Suministre 6V a la entrada Vi.
Paso 10: Mida el voltaje en R2 (4.7K) y calcule su corriente.
Paso 11: Cambie R2 a 1K.
Paso 12: Mida el voltaje en R2 y calcule su corriente.
El cambio de valor de R2 afecta a su corriente?
Paso 13: Cambie el voltaje Vi a 3V.
Paso 14: Mida el voltaje en R2 y calcule su corriente.
Paso 15: Dibuje sus conclusiones.
+12V
RS Vi
VS +
1K Vo
-
R2
4.7K
-12V
R1
10K
SES
110
como RL.
Medir VL.
Amplificador seguidor:
+12V
-
Vo
Vi +
-12V
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Vi -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
Vo
AV
Vo
Vi
Paso 24: Conecte la punta CH1 del osciloscopio a la salida del oscilador y la punta CH2 a la
salida del amplificador.
SES
111
VCH1
VCH2
+12V
-
RS Vi Vo
VS +
1K
-12V
como RL.
Medir VL.

experimentos.
SES
112
SES
113
Experimento 3.3 - Amplificadores de Suma y

Diferencia
Objetivos:
Construccin y medicin de un amplificador sumador.
Construccin y medicin de un amplificador de diferencia.
Equipo requerido:
Entrenador anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
LM358 or 741
Resistors 2 x 1K, 4.7K, 2 x 10K, 100K
Discusin:
3.3.1 Amplificador sumador
Un amplificador sumador es de hecho un amplificador inversor con varias entradas de seal.
R1 Rf
V1
R2
V2
R3
V3 -
Vo
+
Figura 3-9
Debido a la realimentacin negativa:
V- = V+ =0V
SES
114
Debido a la alta impedancia de entrada:
V = V + = 0V I f R f
V1 V2 V3
I f = I1 + I 2 + I 3 = + +
R1 R 2 R 3
Por lo tanto:
R R R
Vo = V1 f + V2 f + V3 f
R 1 R2 R 3
Si:
Rf = R1 = R2 = R3
Obtendremos:
Vo = -(V1 + V2 + V3)
3.3.2 Amplificador de diferencia

Un amplificador de diferencia es un amplificador con una seal de entrada para V+ y una seal de
entrada V- como sigue:
R4
R2
V2 -
Vo
R1
V1 +
R3
Figura 3-10
El voltaje de salida se comporta segn la ecuacin siguiente:
R 2 + R 4 R3 R 4
Vo = V1 V2
R 2 R 1 + R 3 R 2 + R 4
SES
115
Si:
R1 = R2 = R3 = R4
Entonces obtendremos:
Vo = V1 - V2
El amplificador de diferencia se usa tambin para rechazar una seal comn.
Un amplificador de una entrada amplifica la seal que el tiene en su entrada.
Vi2
A1 A2
Figura 3-11
Si hay diferencia entre las tierras de los dos amplificadores, el amplificador A2 la amplificar como
una seal de CC (a veces no podemos usar un capacitor de acoplamiento).
Si un ruido elctrico es inducido a la lnea de seal, tambin ser amplificado.
El amplificador de diferencia soluciona estos dos problemas.
Vi2
A1 A2
Figura 3-12
La seal comn (el nivel de CC en el ruido) aparecer en ambas lneas. El amplificador de

diferencia amplifica la diferencia entre las lneas y rechaza la seal comn.
SES
116
Procedimiento:
Amplificador Sumador:
Paso 2: Implemente el circuito siguiente en el tablero principal de conexin.
4.7K 10K
V1
+12V
100K
V2 -
Vo
+
-12V
4.7K 10K
V1
+12V
100K
V2 -
+12V
Vo
+
1K
1K
Paso 4: Conecte V2 al terminal +12V.
Paso 5: Conecte V1 a la fuente de voltaje variable.
Paso 6: Cambie el voltaje de entrada V1 y mida el voltaje de salida Vo y llene la tabla siguiente.
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
V1 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Vo
SES
117
Paso 8: Conecte el terminal V1 del amplificador operacional al terminal de salida del generador
de funcin. Ajuste el generador de funcin a una seal sinusoidal de 3VP-P 1KHz.
Paso 9: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la salida OUT del oscilador y la
punta de prueba CH2 a la salida del amplificador.
VCH1
VCH2
Amplificador de diferencia:
4.7K
10K
V1 -
10K
V2 +
4.7K
Paso 12: Conecte V2 al terminal +12V.

Paso 13: Conecte V1 a la fuente de voltaje variable.
SES
118
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
V1 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Vo
Paso 16: Conecte el terminal V1 del amplificador operacional al terminar de salida del generador
VCH1
VCH2

experimentos.
SES
119
Experimento 3.4 - Comparador y Comparador

Schmitt Trigger
Objetivos:
Construccin y medicin de un amplificador comparador.
Construccin y medicin de un amplificador comparador Schmitt Trigger.
Equipo requerido:
Entrenador anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
LM358 or 741
Resistors 2 x 1K, 4.7K, 10K
Discusin:
El amplificador operacional bsico es un componente electrnico, que tiene dos entradas (inversora
y no inversora) y una salida. Tiene una entrada diferenciada para facilitar la ejecucin de una
realimentacin positiva o negativa. El amplificador operacional ideal es un amplificador con
ganancia infinita y resistencia infinita de entrada, con el smbolo y los principios siguientes
+V
V1
Vo
V2 +
-V
Figura 3-13
En una realimentacin negativa, la seal de entrada se suministra a la lnea de entrada (+) y la seal
de realimentacin se suministra a la lnea de entrada (-).
En una realimentacin positiva, la seal de entrada se suministra a la lnea de entrada (-) y la seal
de realimentacin se suministra a la lnea de entrada (+).
SES
120
En un rango abierto (sin ninguna realimentacin), la ganancia del amplificador tiende al infinito.
Vout
A = =
V V( + ) V( )
Debido a la alta polarizacin de entrada del amplificador, las corrientes de polarizacin son muy
bajas y podemos asumir que tienden a cero.
I(+) = I(-) = 0
El voltaje de salida es igual a la diferencia de los dos voltajes de entrada multiplicados

infinitamente. La ganancia real no es infinita, pero es muy alta y se puede encontrar en la hoja de
datos del amplificador operacional. Las corrientes de entrada son muy pequeas y pueden ser
despreciadas.
Vo
+V
0
V2 V1
-V
Figura 3-14
Si V1 < V2, entonces Vo = +V.
Si V1 > V2, entonces Vo = -V.
De esta manera, podemos crear un sistema que compare entre dos valores o entre una seal y una
cierta referencia de voltaje.
3.4.1 Un comparador Schmitt trigger

Cuando un voltaje de entrada del comparador es igual a la referencia, el voltaje de salida del
comparador puede saltar y oscilar entre +V y V. Podemos ver este problema cuando el voltaje de
entrada cambia lentamente.
SES
121
Para superar este problema, agregamos una regeneracin positiva.
Vi -
Vo
+
R2
R1
Figura 3-15
Cuando Vo = +V entonces:
R2
VA = + V
R1 + R 2
Cuando Vi excede ligeramente a VA, Vo cambia a V y:
R2
VA = V
R1 + R 2
Ahora Vi va debajo de un voltaje negativo para cambiar la salida del comparador.
No tendremos ningn salto ni oscilaciones.
SES
122
Procedimiento:
Amplificador Comparador:
+12V
Vi +
Vo
-
-12V
+12V
+12V Vi +
Vo
-
1K
1K
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Vi -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
Vo
SES
123
Vo
Vi
Paso 6: Conecte el terminal V1 del amplificador operacional al terminal de salida del generador
de funcin. Ajuste el generador de funcin a una seal sinusoidal de 8VP-P 1KHz.
Paso 7: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la salida del generador y la punta de
VCH1
VCH2
SES
124
Comparador Schmitt Trigger:
Vi -
Vo
+
10K R2
4.7K R1
+12V
Vi -
Vo
+
+12V 10K R2
4.7K
4.7K R1
de funcin.
Paso 11: Conecte la punta CH1 del osciloscopio a la salida OUT del generador y la punta CH2 a
la salida del amplificador.
SES
125
VCH1
VCH2

experimentos.
SES
126
Experimento 3.5 - Amplificadores Integrador y

Diferenciador
Objetivos:
Construccin y medicin de un amplificador integrador.
Construccin y medicin de un amplificador diferenciador.
Equipo requerido:
Entrenador anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
LM358 or 741
Resistors 1K, 10K
Capacitors 2 x 0.1
Discusin:
3.5.1 Amplificador integrador
En un amplificador integrador el componente de la realimentacin es un capacitor.
R
Vi -
Vo
Figura 3-16
V- = V+ = 0V
SES
127
As:
VR = Vi
Por lo tanto:
Vi
iR =
R
Debido a la alta impedancia:
iC = iR
Por otro lado:
1
Vo = VC = i C dt
C
Por lo tanto:
1 Vi
Vo = dt
C R
1
Vo = Vi dt
RC
El voltaje de salida es una integral del voltaje de entrada.
Una seal de entrada de onda cuadrada crear una seal de salida de onda triangular. Por qu?
Qu clase de seales de salida conseguiremos de una onda triangular y de una onda sinusoidal?
SES
128
3.5.2 Amplificador diferenciador

En un amplificador diferenciador, el componente de realimentacin es un resistor y el componente
de entrada es un capacitor.
C
Vi -
Vo
Figura 3-17
V- = V+ = 0V
As:
VC = Vi
Debido a la alta impedancia:
iC = iR
Por otro lado:
Vo = i r R
Por lo tanto:
dvc dvi
iC = C =C
dt dt
dvi
Vo = RC
dt
El voltaje de salida es un diferencial del voltaje de entrada.
Una seal de entrada de onda triangular crear una seal de salida de onda cuadrada. Por qu?
Qu clase de seales de salida conseguiremos de una onda cuadrada y de una onda sinusoidal?
SES
129
Procedimiento:
Amplificador integrador:
0.1F
+12V
1K
Vi -
Vo
-12V
Paso 4: Conecte el terminal Vi de la salida de un generador de onda sinusoidal de 1KHz y 4VP-P.
Paso 6: Trace la figura del osciloscopio.
VCH1
VCH2
Paso 7: Cambie la seal de entrada a onda triangular de 1KHz 1VP-P y trace las seales de
salida.
Paso 8: Explique los resultados.
SES
130
Amplificador diferenciador:
1K
+12V
0.1F
Vi -
Vo
0.1F 10K -12V
Paso 10: Conecte el terminal Vi de la salida de un generador de onda sinusoidal de 700Hz 8VP-P.
Paso 12: Trace la figura del osciloscopio.
VCH1
VCH2
Paso 13: Cambie la seal de entrada a onda triangular de 3.5KHz 12VP-P y trace las seales de
salida.
Paso 14: Explique los resultados.
SES
131

experimentos.
SES
132
Experimento 3.6 - Osciladores
Objetivos:
Un amplificador con realimentacin positiva.
Construccin y medicin de un oscilador de puente de Wein.
Construccin y medicin de un oscilador de onda cuadrada.
Construccin y medicin de un oscilador de onda triangular.
Equipo requerido:
Entrenador anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
LM358 or 741
Resistors 2 x 1K, 4.7K, 10K, 2 x 100K
Capacitors 2 x 0.1F
Potentiometer 10K
Coils 2 x 47Hy
Discusin:
3.6.1 Oscilador de puente de Wein
Un Oscilador de Puente de Wein es un circuito especial, que incluye un amplificador con
realimentacin positiva.
Un amplificador con realimentacin positiva se ve como el que sigue:
Vi
A Vo
+
Figura 3-18
SES
133
es el factor de realimentacin, que indica qu parte de la salida retorna y se agrega a la entrada.
La realimentacin positiva conduce al amplificador a uno de sus puntos extremos (+V o V).
Hay un caso especial donde el voltaje de realimentacin es la seal de entrada del amplificador.
A Vo
Figura 3-19
En este amplificador:
Vo = AVo
Hay tres casos:
A < 1. En este caso, el voltaje de salida se limitar a 0.

A > 1. En este caso, la salida ser limitada a uno de los voltajes extremos.
A = 1. En este caso, el amplificador acta como un oscilador.
Un oscilador de puente de Wein es el amplificador siguiente:
R3
R4
-
Vo
+ C1
Z1
R1
R3 C2
Z2
Figura 3-20
SES
134
Si consideramos la entrada V+ como la entrada del amplificador, podemos tratar al amplificador

como un amplificador no inversor:
R3 R4 + R3
AV = 1 + =
R4 R4
La seal de realimentacin es igual a:
Vo Z 2
V+
Z1 + Z 2
Por lo tanto:
Z2
=
Z1 + Z 2
Para que el amplificador oscile debemos tener:
R 3 + R4 Z2 + R4
A = =1
R4 Z1 + Z 2
Puede ser descrito como sigue:
R 1
A = 1 + 3
R 4 Z
1+ 1
Z2
La condicin oscilante se aplica solamente a una frecuencia especfica. Para calcular esta
Z
frecuencia, es suficiente hallar la condicin en que el desplazamiento de fase de Z1 es igual a cero.
2
1
R1 +
Z1 jwc1
=
Z2 1
R2
jwc2
En nuestro circuito:
R3 = R1 = R
C1 = C2 = C
SES
135
Obtendremos:
1
f=
2 R C
Compruebe esto.
Calcule la frecuencia del oscilador segn los valores de los componentes en los valores siguientes:
R1 = 4.7K
R2 = 4.7K
R3 = 1K
R4 = 1K
C1 = 0.1F
C2 = 0.1F
3.6.2 Un Oscilador de onda cuadrada

El circuito siguiente es un generador de onda cuadrada.
VA -
C Vo
VB
+
R1
R2
Figura 3-21
Vo tiene slo dos estados debido a la realimentacin positiva - +V y V del amplificador

operacional.
Cuando Vo = +V entonces:
R2
VB = + V
R1 + R 2
SES
136
El capacitor C se carga y VA aumenta.
Cuando VA excede ligeramente a VB, Vo cambia a V y:
R2
VB = V
R1 + R 2
Ahora, el capacitor C se carga y se descarga a un valor negativo.
Cuando VA es ms bajo que VB, Vo cambia a +V y viceversa.
La siguiente es la onda de salida de la aplicacin antes mencionada.
+V
-V
Figura 3-22
El capacitor C se carga exponencialmente segn los valores de RC.
3.6.3 Oscilador de onda triangular

Para conseguir una onda triangular necesitamos cargar el capacitor con una fuente de corriente. Para
esto utilizamos un circuito integrador.
El circuito siguiente es un generador de onda triangular.
- -
VB R3
A1 A2 Vo
+ +
R1
VA R2
Figura 3-23
VB tiene solamente dos estados debido a la realimentacin positiva - +V y V del amplificador
operacional.
SES
137
Cuando VB es igual a +V entonces el capacitor se carga en la direccin negativa de Vo (Vo ser

negativo). El proceso termina cuando VA = 0.
( V Vo )R 2
VA = + Vo = 0
R1 + R 2
Despus de extraer Vo, conseguiremos:
V R2
Vo =
R1
Ahora el capacitor se carga a la otra direccin, hasta:
V R2
Vo =
R1
Vo es el voltaje del capacitor. En un perodo de carga su cambio de voltaje es:
V R2
V = 2
R1
V R2
Vo =
R1
R2
R 3 2V C
V C V C R 3 V C R1
t= = = =
I V V V
R3
2 R2 R3 C
t=
R1
4 R2 R3 C
T = 2t =
R1
1 R1
f= =
t 4 R2 R3 C
SES
138
Vo
VB t
+V
-V
Figura 3-24
SES
139
Procedimiento:
Oscilador de puente de Wein:
R1
R2 +12V
2 -
8
1
Vo
3 C1
+ 4
Z1
-12V
R3
R4 C2
Z2
Use los valores siguientes:
R1 = Potencimetro de 10K
R2 = 4.7K
R3 = 1K
R4 = 1K
C = 0.1F
1
C2 = 0.1F
Paso 4: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la salida del oscilador.
Paso 5: Ajuste el potencimetro del oscilador hasta que usted forme ondas sinusoidales lisas a la
salida del oscilador.
Paso 6: Mida la frecuencia de la seal. Compare el valor medido con el valor calculado.
SES
140
Oscilador de onda cuadrada:
R
+12V
VA -
C Vo
VB
+
R1
-12V
R2
R1 = 100K
R2 = 4.7K
R3 = 100K
C = 0.1F
Paso 8: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la salida del oscilador.
Paso 10: Conecte CH2 al VA. Observe la seal en ella.
SES
141
Oscilador de onda triangular:

+12V
+12V
-
VB R3
A1 -
A2 Vo
+ +
R2 R1 47
H 47
H
-12V
-12V
R1 = 100K
R2 = 10K
R3 = 4.7K
C = 0.1F
Paso 12: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la salida (Vo) del oscilador.
Paso 14: Conecte CH2 al terminal VB. Observe la seal en ella.

experimentos.
SES
142
Experimento 3.7 El Filtro Pasa Banda
Objetivos:
Transmisin de seales en diferentes frecuencias a travs de un filtro pasa banda.
Clculo y medicin del filtro de banda ancha.
Anlisis espectral de la curva de respuesta.
Equipo requrido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Alambres de conexin
LM358 or 741
Resistors 100, 1K, 4.7K
Capacitors 2 x 0.1F
Discusin:
Un amplificador pasa banda es un amplificador de banda angosta que transfiere una gama dada de
frecuencias. Requerimos tal amplificador para filtrar y recibir nicamente la onda portadora en la
que estamos interesados.
Filtrado usando el mtodo de realimentacin mltiple:

Un mtodo comn para construir diversos tipos de filtros se basa en la realimentacin mltiple. La
figura 3-25 ilustra un circuito con dos realimentaciones:
Y4 Y5
Y1
Vin
V1 Y3 - Vout
Y2
+
Figura 3-25 Filtro de Realimentacin Mltiple
SES
143
Por la opcin correcta de las admitancias Y1 a Y5, es posible obtener un filtro pasa bajo, un filtro
pasa alto, un filtro de bloqueo de banda o un filtro pasa banda. El anlisis del circuito se realiza
segn las admitancias y no a las impedancias, porque se utilizan capacitores y no inductores, y es
ms conveniente describir el comportamiento del circuito de acuerdo a la admitancia de los
capacitores (jC) y no a su impedancia (1/jC).
Si asumimos que el voltaje de entrada es sinusoidal con frecuencia obtenemos las relaciones
siguientes entre los fasores Vin, Vout y V1.
La suma de corrientes en el punto V1 is 0:
Y1(Vin V1) + Y4(Vout - V1) Y2V1 Y3V1 = 0
La entrada negativa (-) del amplificador constituye una tierra virtual; por lo tanto la corriente a
travs de Y3 pasa a Y5.
Y3V1 = Y5Vout
De las dos ecuaciones, obtenemos la relacin:
Vout Y1 Y3
=
Vin Y3 Y4 + Y5 (Y1 + Y2 + Y3 + Y4 )
Cuando Y2 e Y5 son capacitores y el resto son resistores, obtenemos un filtro pasa bajo.
Cuando Y2 e Y5 son resistores y el resto son capacitores, obtenemos un filtro pasa alto.
Cuando Y3 e Y4 son capacitores, obtenemos un filtro pasa banda como se ilustra en la figura 3-26:
C4
R5
R1
Vin -
Vout
C3
R2 +
Figura 3-26 Filtro Pasa Banda
La respuesta de este filtro a una seal sinusoidal es:
Vout jC 3 / R 1
=
Vin 2 C 3 C 4 + j ( C3R+5C4 ) + 1
R5 (
1
R1 + 1
R2 )
SES
144
Esta formula tambin se puede escribir como sigue:
Vout j / R 1C4
= 1 + 1
Vin
2 + j RC53C+3CC44 + R1 R 2
R 5C3C4
La forma general de tal ecuacin es:
Vout jHo
= 2
Vin 2 + j o + o
La mxima amplificacin se obtiene cuando la parte imaginaria de la ecuacin es igual a 0.
2 1 1 1
o = [ + ]
C 3C4C5 R 1 R 2
Entonces:
1 1 1
0 = [ + ]
C 3C4 R 5 R 1 R 2
1 1 C 3 C4
= = +
Q R 5 R11 + [ 1
R2 ]
C
4 C
3
R 5 R 1R 2
1 R 1R 2
Q= =
C4 C3
C3 + C4
Si C3=C4, obtenemos:
1 R 5 R1R 2
Q=
2 R1 + R 2
1
H = R1
(C4
R 5 1 + C3 )
Esto es, si C3 = C4:
R5
H=
2R 1
SES
145
La amplificacin en la frecuencia central es (0):
A0 = H
Los dos puntos de media potencia denotan el ancho de banda f del filtro, y mantienen las
relaciones:
0
f0 =
2
f
Q= 0
f
f
f = 0
Q
Si Q es 10 o menos, entonces f0 y Q no son tan sensibles a cambios en los valores del capacitor y
del resistor.
Preferimos ajustar un filtro usando pocos componentes y es mejor si estos son resistores.
Planear un filtro en el mtodo de realimentacin mltiple:

Cuando conocemos f0, Q y A0 (o H), tenemos que cerciorarnos que la ganancia del filtro en la
frecuencia f0 sea por lo menos 100 veces ms pequea que la ganancia del amplificador operacional
en lazo abierto. Esto asegura incluso que si la ganancia en lazo abierto cambia dos veces la ganancia
en lazo cerrado cambia solamente en el 1%.
Se eligen C3 y C4 de tal forma que sean idnticos y con un valor razonable.
C3 = C4 = C
Ahora podemos calcular los resistores de acuerdo a:
2Q
R5 =
0 C
Q R5
R2 = =
( 2Q H )0 C 2( 2Q 2 H )
2
Q R
R1 = = 5
H0 C 2H
El resistor R5 determina el voltaje OFFSET en la salida. Debido a la corriente de POLARIZACION

negativa de entrada, su valor est limitado por la conexin:
VOS( out )
R5 <
IB
SES
146
Si el resultado de R5 es muy grande, usted debe tomar un valor ms grande para C y realizar
nuevamente el clculo.
Sintonizar un filtro con componentes diferentes:

Cambiar los componentes Y1 Y5, puede cambiar las caractersticas del filtro tales como f0 y Q.
Usualmente es muy difcil cambiar capacitores, as intentamos disear los filtros, para que los
resistores determinen sus caractersticas. La situacin ideal es alcanzar un estado en el cual un
resistor determine f0, un resistor determine Q, y un resistor determine A0, etc.
En el filtro, que se describe en la figura 2-2, podemos cambiar la frecuencia central f0 cambiando
R5, R1, o R2. Como generalmente R1 > > R2, podemos utilizar R1 para la sintona fina de la
frecuencia y R2 para una sintona ms gruesa. El cambio de R1 y R2 en la misma medida (en
porcentaje) nos permite cambiar f0 sin influenciar en Q.
En este experimento, usamos un filtro que incluye los valores siguientes:
R1 = 1K
R2 = 100
R5 = 4.7K
C3 = 0.1F
C4 = 0.1F
C3
0.1
+12V
R5
4.7K
-
R1 C4 So
Si +
1K 0.1
R2 100
-12V
Figura 3-27 Filtro Pasa Banda
Calcule la frecuencia central, el factor de calidad Q y el ancho de banda del filtro en el equipo.
En este experimento, examinamos la curva de respuesta, el factor de calidad y el ancho de banda del
filtro y los comparamos con los valores calculados.
SES
147
Filtro Pasa Bajo:

El filtro pasa bajo de primer grado se puede alcanzar por el circuito siguiente:
R
Vi +
Vo
C
Figura 3-28
La frecuencia de corte es:
1
fO =
2RC
El amplificador es un amplificador de ganancia 1 que se usa como una memoria intermedia entre el
filtro y la carga.
La reaccin de frecuencia de este circuito es como sigue:
Vo
db
20 decade
f
fo
Figura 3-29
Filtro Pasa Alto:

El filtro pasa alto de primer grado se puede obtener por el circuito siguiente:
C
Vi +
Vo
R
Figura 3-30
SES
148
La frecuencia de corte es tambin:
1
fO =
2RC
La reaccin de frecuencia de este circuito es como sigue::
Vo
f
fo
Figura 3-31
SES
149
Procedimiento:
Paso 1: Conecte el equipo a la fuente de poder.
Paso 2: Conecte la fuente de poder a la red y ENCINDALA.
Paso 3: Implemente el filtro pasa banda siguiente.
C3
0.1
+12V
R5
4.7K
-
R1 C4 So
Si +
1K 0.1
R2
100
-12V
Paso 4: Fije el interruptor High/Low a la posicin LOW.
Esta posicin fija el rango de frecuencia del generador de funcin a 600Hz 8KHz.
Paso 5: Fije el interruptor Triangle/Sine a la posicin Sine.
Paso 6: Fije el interruptor Sweep/Const a la posicin Const.
Paso 7: Conecte la salida del generador de funcin (OUT) a la entrada del filtro pasa banda.
Paso 8: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la entrada del filtro.
SES
150
Paso 9: Conecte la punta CH2 del osciloscopio a la salida del filtro.
Signal Scope
Generator
CH1 CH2
BPF
Sin Sout
Paso 10: Aumente la frecuencia en el generador hasta que obtenga una onda sinusoidal de
amplitud mxima a la salida del filtro.
Mida esta amplitud y regstrela.
Registre tambin la amplitud del voltaje de entrada al filtro.
Paso 11: Registre la frecuencia de la seal en este estado. La frecuencia debe ser
aproximadamente 2.3KHz.
Paso 12: Aumente la frecuencia hasta que usted reciba una seal con una amplitud de 0.7Vmax.
Cercirese de que el voltaje de entrada permanezca sin cambio.
Registre la frecuencia de la seal recibida.
Paso 13: Baje la frecuencia de modo que se aumente la intensidad de la seal en la salida y luego
disminuya hasta que obtengamos otra vez una amplitud de 0.7Vmax.
Cercirese de que el voltaje de entrada permanezca sin cambio.
Registre la frecuencia de la seal recibida.
Paso 14: Calcule y registre el ancho de banda del filtro.
Paso 15: Calcule el factor de calidad del filtro:
f0
Q=
f
SES
151
Paso 16: Complete la tabla siguiente:
Vin = 2VP-P
F(KHz) 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1
Voutp-p
Con cada medicin , compruebe que la amplitud del voltaje de entrada permanence
igual.
Paso 17: Dibuje la curva de respuesta del filtro.
Paso 18: Marque las frecuencias de los puntos de potencia media en la curva de respuesta.
Paso 19: Implemente un filtro pasa bajo siguiente.
R
Vi +
Vo
C
R= 1K
C= 0.1F
Paso 20: Repita los pasos 7-18 con este filtro y registre la frecuencia de paso.
Paso 21: Implemente un filtro pasa alto siguiente.
C
Vi +
Vo
R
R= 1K
C= 0.1F
Paso 22: Repita los pasos 4-14 con este filtro y registre la frecuencia de paso.

1) Recolecta todas las mediciones y los resultados de los experimentos. Sobre cada
resultado en la tabla escribe el nombre del experimento y dibuja el circuito del
experimento.
2) Compara el valor medido con el valor escrito.
SES
152
Experimento 3.8 - Transmisor y Receptor ptico
Objetivos:
Implementacin de un sistema de comunicacin ptico.
Linealidad de un sistema de comunicacin ptico.
Equipo Requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Generador de seal
Alambres de conexin
LM358 or 741
Red LED and phototransistor
Infra red LED and Infra red photodiode
Resistors 2 x 1K, 4.7K, 2 x 10K
Discusin:
3.8.1 Transmisor ptico
El Entrenador Anlogo incluye los componentes opto-electrnicos siguientes:
LED rojo de 3mm contra foto-transistor de luz visible.

LED infra rojo de 5mm contra foto diodo infra rojo
Usaremos estos componentes para aplicaciones de transmisin y recepcin pticas.
El LED es un diodo. Su smbolo es:
Figura 3-32
La corriente puede fluir a travs del diodo solamente en una direccin - del nodo al ctodo como
en un diodo ordinario. La caracterstica voltaje-corriente del LED es similar a la del diodo.
SES
153
Hay dos diferencias principales entre el LED y un diodo ordinario:
a) El LED se basa en los elementos Ga (Galio) y As (Arsnico) y el diodo se basa en el

Germanio o el Silicio.
b) El LED tiene un paquete transparente y cuando la corriente lo atraviesa, se enciende. El

color de la luz depende de sus impurezas.
Los colores comunes del LED son rojo, Amarillo y verde. Hay tambin LED azul. Generalmente, la
cubierta del LED tiene el mismo color de la luz del LED, para indicar el color del LED.
Hay LED con luz invisible, que se llaman LED infrarrojos. Solamente los sensores de luz
infrarrojos especiales pueden detectar la luz de estos LED.
El anlisis de los circuitos de LED es similar a los circuitos de diodo. Generalmente, porque
utilizamos el LED como una pantalla o lmpara indicadora, agregamos un elemento de
conmutacin en el circuito. Este elemento interrumpe la corriente conducida por intervalos.
La intensidad de luz del LED lineal depende de la corriente del LED. Por ejemplo, si duplicamos la
corriente a travs del LED, la intensidad de luz se duplicar.
El valor comn de la corriente del LED para la luz visible que est entre 2mA a 10mA, depende de
las caractersticas del LED.
La polarizacin directa del LED es ms alta que el LED ordinario. Est entre 1V a 1.8V.
Para transmitir en forma ptica seales anlogas y digitales de una manera lineal, utilizamos un
circuito de fuente de corriente como sigue:
LED1
R1
5.1K 4
U38A
2
- 1
3
Sin +
TL072
R2 8
91K
+12V
Figura 3-33
El voltaje Vin aparece en la entrada no inversora.
Debido a la realimentacin negativa y la alta ganancia, el voltaje en la entrada no inversora es igual

al voltaje de la salida.
SES
154
El resultado es que el voltaje en R1 iguala el voltaje de la fuente y la corriente en este resistor es:
Vi
IR =
R1
Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador operacional, la corriente del LED iguala a
la corriente que fluye a travs de R1. As, ID es tambin dependiente en una manera lineal del voltaje
de salida.
Vi
ID = IR =
R1
El voltaje de salida recuerda e iguala el voltaje de entrada ms el voltaje del LED que fluye en la
corriente deseada.
3.8.2 Receptor ptico

El receptor ptico se basa en un fototransistor. El fototransistor es un transistor NPN sin el pin de la
base. En lugar de ste, el componente est en una envoltura plstica transparente, que permite que la
luz alcance su base.
Figura 3-34
El circuito de conversin es simple. Todo lo que usted tiene que hacer es conectar un resistor (en
conexin serie) con el componente. El voltaje, que caer en el resistor de conversin, ser la
funcin de la luz que cae en el sensor.
SES
155
Podemos utilizar un potencimetro para cambiar la sensibilidad del sistema. Mientras la resistencia
a la conversin sea ms pequea, la sensibilidad del sistema ser ms pequea.
+12V
Q5
Photo NPN
Sout
P6
Pot-100K
R58
1K
Figura 3-35 Receptor ptico

El problema en este circuito es el cambio de la cada de voltaje en el fototransistor (entre el receptor
y el emisor). Mientras la intensidad de luz es ms fuerte, la corriente en el resistor es ms grande y
el voltaje se hace ms grande, el voltaje de VCE se hace ms pequeo y viceversa.
Este comportamiento es similar al comportamiento del resistor en carga y descarga.
Si la luz que llega, es una seal alterna, sobre puesta al componente de CC., entonces la
componente de CC. afectar la ganancia del receptor ptico.
Si comprobamos la respuesta ptica del receptor a la frecuencia, veremos que la ganancia cae
mientras que la frecuencia crece.
Para solucionar este problema, utilizamos un circuito, que se llama Trans Impedancia.
+12V
P2
+12V
2K
-
Vo
+
10K
Figura 3-36
SES
156
La entrada no inversora consigue el voltaje de referencia de 10V.
Debido a la realimentacin negativa, este voltaje tambin aparece en la entrada no inversora. Esto
determina un voltaje de 2V en el fototransistor independiente de la corriente que la atraviesa.
El cambio de la luz, que cae en el fototransistor causa cambios en la corriente. Esta corriente
atraviesa el potencimetro de realimentacin (debido a la polarizacin de entrada del amplificador
operacional). El voltaje de salida cambia dependiendo de la luz y del potencimetro.
El potencimetro determina la ganancia del sistema, pero no influye en la curva de respuesta del
receptor.
SES
157
Procedimiento:
Paso 1: Conecte el Entrenador Anlogo a la fuente de poder.
Paso 2: Conecte la fuente de poder a la red.
Paso 4: Implemente el circuito siguiente con un LED rojo de 3mm.
12V
1K
Vvar
Paso 5: Conecte Vvar al LED (LED2).
Paso 6: Cambie el voltaje de Vvar y observe los cambios de intensidad de la luz en el LED. El
LED es el LED1.
Paso 7: Implemente el circuito siguiente con el fototransistor de luz visible.
+12V
Q5
Photo NPN
Vout
R66
10K
Paso 8: Cambie Vvar (Vin) y mida el voltaje de Vo con multimetro.
Paso 9: Repita el proceso y llene la tabla siguiente:
Vin 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Vout
SES
158
Comprobacin lineal del sistema:
Paso 10: Conecte el generador de seal del entrenador a la entrada del transmisor ptico.
Paso 11: Fije el generador a una seal sinusoidal en frecuencia de 1KHz en la potencia mxima.
Paso 12: Conecte la punta de prueba CH1 del osciloscopio a la entrada del transmisor ptico.
Paso 13: Conecte la punta de prueba CH2 del osciloscopio a la salida del transmisor ptico.
Paso 14: Dibuje las dos seales que usted consigui en la pantalla del osciloscopio.
Paso 15: Cambie la seal del generador a una onda triangular.
Paso 16: Compruebe la linealidad del sistema de transmisin y recepcin.
Comprobacin del ancho de banda:

Paso 17: Cambie la seal del generador a una seal sinusoidal.
Paso 18: Cambie la frecuencia del generador y compruebe la intensidad de la seal a la salida del
receptor en frecuencias diferentes.
Despus de cada cambio de frecuencia, compruebe que el voltaje de salida del

generador se mantiene igual.
Vmax es en frecuencia debajo.
Registre la frecuencia que Vo = 0.7Vmax
f2 = ____ Hz
Paso 19: Implemente una trans impedancia con un amplificador operacional como se describe en
el circuito siguiente.
+12V
10K
+12V
+12V
1K
1K
-
Vi 4.7K Vo
+
10K
SES
159
Paso 20: Repita los pasos 10-18 con el receptor de trans impedancia.
f2 = ____ Hz
Sistema de comunicacin Infra Roja:
Paso 21: Reemplace el LED rojo del transmisor ptico con el LED Infra Red (LED3).
Paso 22: El sensor Infra Rojo es un foto diodo. Puede ser utilizado solamente en un amplificador
de trans impedancia.
Implemente el circuito siguiente con el foto diodo.
+12V
+12V +12V 10K
1K
+12V
4.7K
IR 1K
Vi -
Vo
+
10K
Paso 23: Repita los pasos 23-33 con el sistema de comunicacin Infra Red.
f2 = ____ Hz

2) Para cada circuito incluya las mediciones, los resultados y los grficos del experimento.
SES
160
Captulo 4 - Amplificadores de potencia

Experimento 4.1 - Amplificador de potencia de
transistor
Objetivos:
El amplificador de audio
Medicin y clculo de voltaje y ganancia de potencia.
Diversos amplificadores de potencia
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
2 x 2N2222
BC307
Resistors 2 x 10, 2 x 100, 2K, 10K, 100K
Capacitors 10, 220
Diode 1N914
Discusin:
4.1.1 Introduccin
Los amplificadores descritos en los captulos 2 y 3 se denominan amplificadores de pequea seal.
En pequea seal asumimos que el amplificador es lineal y que no tenemos problemas de potencia.
Si se debe obtener una potencia de salida apreciable, se requiere de seales de entrada grandes al
transistor. Las caractersticas dinmicas no son lineales para variaciones de voltaje tan amplias, por
lo tanto, no se pueden utilizar mtodos de anlisis de circuito equivalentes.
El amplificador de potencia generalmente es la ltima etapa del amplificador. Est impulsado por
una seal de las etapas previas. Generalmente, estas etapas amplifican la variacin total de voltaje.
El amplificador de potencia se requiere para suministrar una variacin total de voltaje grande y una
variacin de corriente grande en una carga de impedancia baja.
SES
161
El rea operativa del transistor est limitada por 3 parmetros:
ICmax - La corriente mxima momentnea IC.

VCEmax - El voltaje mximo momentneo VCE.
Pcmax - La disipacin de potencia mxima del transistor.
Estos parmetros se pueden dibujar en la caracterstica de salida del transistor de la siguiente

manera:
IC
ICmax
PCmax
VCE
VCEmax
Figura 4-1
La lnea PCmax describe todo punto donde IC * VCE es equivalente a PCmax (que es constante).
Esta es una funcin de hiprbola.
Los amplificadores de potencia estn clasificados de acuerdo a su punto operativo.
Amplificador clase A - En estos amplificadores, el punto operativo del transistor se encuentra

en el centro de la lnea operativa.
Amplificador clase B - En estos amplificadores, el punto operativo del transistor se encuentra
en el rea de corte.
Amplificador clase AB - En estos amplificadores, el punto operativo es el rea umbral lineal.
El amplificador de potencia obtiene su energa de la fuente de poder (VCC VDD). Parte de la

potencia es dirigida a la carga y otra parte se disipa en los transistores de potencia. El ndice entre la
potencia, que se transfiere a la carga y la potencia suministrada por la fuente de poder, describe la
eficiencia del amplificador de potencia.
PLoad
(%) = 100
PSource
SES
162
4.1.2 Amplificador de acoplamiento de Capacitor

El acoplamiento de Capacitor es una forma para transferir una seal a una carga.
VCC
RC
R1
1
Vi
RL
R2
2
Figura 4-2
En el amplificador de potencia tratamos de obtener la variacin total mxima posible de seal

(corriente y voltaje). Por esto, utilizaremos el amplificador en modalidad de clase A, lo que
significa que el punto operativo se encuentra en el centro de la lnea operativa.
IC
VCC
RC

VCE
VCC VCC
2
Figura 4-3
Esta es la lnea operativa esttica (sin afectar RL). Su gradiente es RC
VCC
tg = VCC
= RC
RC
SES
163
Cuando aadimos RL, afecta la gradiente de la lnea y las variaciones totales de seal. La gradiente
(tg) es RC || RL.
VCC VCC R 2
VCE max = +
2 RC + RL
IC
AC line
VCC
RC
IC
DC line
VCE
VCC VCC
2
Figura 4-4
En amplificadores de potencia la resistencia de carga (generalmente la resistencia pico) es muy baja

(4-8) y obtendremos una variacin total de voltaje muy pequea.
Este es un amplificador clase A. La potencia suministrada por la fuente de poder equivale al voltaje
de la fuente de poder multiplicado por la corriente promedio.
2
V V
PS = VCC I C = VCC CC = CC
2R C 2R C
Si la lnea AC se superpone a la lnea DC, entonces:
VCC
Vmax =
2
V
Icmax = CC
2R C
VCC
V I 2 2VRCCC V
2
PL = max max = = CC
2 2 8R C
SES
164
La eficiencia mxima del amplificador es:
VCC2
P 8 RC
= L 100 = = 25%
PS VCC2
2 RC
Esta es la eficiencia mxima que podemos obtener de un amplificador de acoplamiento de

Capacitor. Generalmente es mucho menos que eso.
4.1.3 Amplificador de acoplamiento de transformador

Utilizamos el transformador para incrementar la variacin total de voltaje y para cambiar la
gradiente de lnea AX. El transformador adapta la impedancia de la bobina a la impedancia
requerida para obtener variaciones totales mximas de voltaje y de corriente (gradiente de 45)
I1 I2
V1 N1 N2 V2 RL
1
Figura 4-5
El amplificador percibe una impedancia imaginaria R'L que equivale a:
V1
R L =
I1
Las frmulas de conversin de transformacin son:
N 1 V1 I 2
n= = =
N 2 V2 I 1
P1 = P2
V1 I 1 = V2 I 2
V1 V2 n V2 2
R L = = I2 = n
I1 n
I 2
R L = R L n 2
R'L es mucho ms alto que RL.
SES
165
El amplificador de acoplamiento de transformador es de la siguiente manera:
VCC
N1 N2 RL
R1
1
Vi
R2
2
Figura 4-6
En condicin DC la resistencia de la bobina es muy pequea (unos cuantos ohms). En condicin

AC la impedancia de la bobina es la impendacia R'L reflejada.
Las lneas operativas son las siguientes:
IC
DC line
2 VCC
2I C = RL

IC
AC line
VCE
VCC 2VCC
Figura 4-7
En la condicin DC el VCE se encuentra muy cerca de Vcc (la disminucin de voltaje en la bobina
es muy pequea).
Si R'L cambia, la lnea operativa a 45, el voltaje mximo VCE es 2Vcc.
IC es determinado por el circuito de polarizacin.
I C = I B
SES
166
La amplitud de corriente mxima es:
I C max = I C
Vmax = VCC
Vmax I max VCC I C
PL = =
2 2
PS = VCC Ic
V I
P CC C
= L 100 = 2
100 = 50%
PS VCC I C
Obtenemos 50% de eficiencia con variaciones totales mximas de voltaje y corriente. Si reducimos
las variaciones totales, PL disminuye pero PS permanece igual.
Ejemplo:
Cul es el ndice de transformacin (n) requerido para un amplificador de 2W con PL=8 y

Vcc=10V?
PS = 2W
VCC = 10V
PS 2
IC = = = 200mA
VCC 10
VCC 10
R L = = = 50
IC 200m
R L 50
n2 = = = 6.25
RL 8
n = 6.25 = 2.5
SES
167
Algunas veces utilizamos el acoplamiento con transformador tambin en la entrada del amplificador
de la siguiente manera:
VCC
RL
R1
1
Vi V i'
R2
2
Figura 4-8
Vi aparece entre la base del transistor y VR2.
4.1.4 Distorsin armnica

En el anlisis de AC del amplificador, asumimos que i C = hfe i b y en el anlisis de DC, que
IC = IB.
Esto es verdadero para seales pequeas nicamente, pero no para seales grandes tales como las
que tenemos en los amplificadores de potencia.
IC
IB
Figura 4-9
SES
168
La relacin real entre IB e IC es:
2 3
I C = 1 I B + 2 I B + 3 I B +
Los parmetros se tornan ms y ms pequeas. Podemos ignorar 3 y los dems.
IB2 crea una distorsin armnica.
Suponer que ib es una onda cosenoidal
i b = I B cos t
2 2
i b = I B cos 2 t
1 + cos 2t
cos 2 t =
2
2 2 1 cos 2t
i b = I B +
2 2
2 1 2 1 2
i b = I B + I B cos 2t
2 2
La variable ib2 crea un componente DC y una seal de doble frecuencia (2). Esta es la principal
distorsin en un amplificador de gran seal.
4.1.5 Amplificador equilibrado Clase A

Para resolver el problema armnico utilizamos dos transistores en configuracin especial que se
denomina Amplificador equilibrado.
Este amplificador est basado en dos condiciones:

Una condicin es que en todo momento el transistor empuja la corriente a la carga y en el otro la
atrae.
La corriente iL equivale:
i L = K(i C1 i C 2 )
La segunda condicin es que las corrientes ib estn invertidas (tienen cambio de fase de 180 entre
ellas).
i b 1 = i b 2
SES
169
Verifiquemos si las dos condiciones existen en iL.
2
I C1 = 1 I B 1 + 2 I B 1
2
I C 2 = 1 I B 2 + 2 I B 2
I B 2 = I B 1
2
I C 2 = 1 ( I B 1 ) + 2 ( I B 1 )
2
I C 2 = 1 I B 1 + 2 I B 1
2
I C1 = 1 I B 1 + 2 I B 1
I L = K (I C 1 I C 2 )
I L = 2K1 I B 1
La distorsin armnica desaparece.
El siguiente circuito es un amplificador equilibrado de acoplamiento de transformador clase A
iC1
ib1
Q1
R1
Vi RL
R2
VCC
Q2
ib2
iC2
Figura 4-10
Este amplificador est compuesto de dos amplificadores con acoplamiento de transformador (Q1 y
Q2) que comparten los mismos resistores de polarizacin (R1 y R2).
Debido al transformador de salida, existe la primera condicin de amplificador equilibrado:
i L = n(ic 1 ic 2 )
SES
170
Debido al transformador de entrada, existe la segunda condicin:
i b 1 = i b 2
De esta forma no encontraremos distorsin armnica an en seales grandes.
La eficiencia mxima de este circuito es de 50%.
4.1.6 Amplificador equilibrado Clase B y clase AB

El problema del amplificador clase A es que el consumo de potencia es constante y es muy alto. Si,
por ejemplo, requerimos un amplificador 5W y utilizamos un amplificador con eficiencia mxima
de 50%, entonces la fuente (buscar eficiencia) suministra 10W.
En la variacin total mxima de seal, la mitad de la potencia se desarrolla en la carga y la mitad se

disipa en los transistores del amplificador.
El problema se incrementa cuando no hay seal. Entonces toda la potencia de 10W se disipa en los
transistores y debemos considerar esto.
En un amplificador de potencia de un solo dispositivo, no podemos hacer nada. Este amplificador

debera ser un amplificador clase A para poder tener variaciones totales mximas de seal.
En un Amplificador equilibrado podemos cambiar el punto operativo al rea de corte de la siguiente

manera:
iC1
ib1
Q1
L1 L2
Vi R2
VCC
Q2
ib2
iL2
Figura 4-11
En condicin DC las bases de los transistores estn en corto circuito a tierra mediante las bobinas L1
y los transistores se encuentran en condicin de corte.
SES
171
iC1 y iC2 estn invertidos de manera que iC1 mostrar la parte positiva de la seal de entrada, e iC2
mostrar la parte negativa. iL est compuesta por las dos partes y mostrar la seal completa.
Vi
iC1
iC2
iL
iL = n(iC1 - iC2)
Figura 4-12
VCEmax de cada transistor es equivalente a VCC.
La corriente de la fuente de poder es una corriente de posicin de la siguiente manera:
iC
imax
Figura 4-13
SES
172
El valor promedio de dicha corriente es:
2
I av = I max

2
PS = VCC I max

VCC I max
P
max = L 100 = 2
2 VCC I max
100 = 100
PS
4
max = 78.5%
Esta es una eficiencia muy buena.
4.1.7 Distorsiones cruzadas y Amplificador clase AB

Las seales de salida anteriores no son certeras. Debido a que los transistores se encuentran en
condicin de corte, toma cierto tiempo hasta que Vi pasa el voltaje umbral y comienzan a conducir.
Las seales de salida reales son las siguientes:
Vi
iC1
iC2
iL
iL = n(iC1 - iC2)
Figura 4-14
SES
173
Estas distorsiones se denominan "Distorsiones cruzadas". Para sobrepasar este problema

regresamos a los resistores de polarizacin pero los diseamos de tal forma que la condicin DC del
transistor se encuentre en el umbral del rea lineal (VBE=0.5V).
Este amplificador se denomina amplificador equilibrado clase AB.
4.1.8 Un amplificador de simetra complementario

La respuesta de frecuencia de los transformadores es muy mala para la frecuencia baja, y no es
lineal. Tampoco podemos utilizarlos en circuitos integrados.
Dicho amplificador equilibrado sin transformadores es el amplificador de simetra complementario.

Para responder a condiciones de equilibrio utilizamos un transistor PNP y un transistor NPN con
parmetros similares.
VCC
ib1
Q1
C iL
A
Q2 RL
ib2
VS ~
Figura 4-15
Para obtener variaciones totales de voltaje simtricas, la fuente de voltaje VS debe tener un nivel
DC de manera que:
VCC
VA =
2
Cuando VS aumenta, Q1 conduce y Q2 se encuentra en posicin de corte y VA aumenta.
Cuando Vs disminuye, Q2 conduce y Q1 se encuentra en posicin de corte y VA disminuye.
La variacin total mxima de VA es entre Vcc y OV. El Capacitor C se utiliza como fuente de
voltaje para RL. Transfiere la seal AC a RL. Su valor es muy alto (miles de F).
VCC
En condicin DC el voltaje en C es 2
.
SES
174
Los transistores estn conectados en el circuito de seguidor de emisor. La ganancia es menos de 1.

Amplifica nicamente la corriente.
En la condicin DC el voltaje VBE de los dos transistores se encuentra en posicin de corte. Este es
un amplificador clase B.
VCC
Vmax =
2
V I V I
PLmax = max max = CC max
2 4
2V I
PS = CC max

VCC I max
PL
max = 100 = 2 VCC4Imax 100 = 100 = 39%
PS
8
4.1.9 Amplificador complementario verdadero

Tal como se indic, el amplificador es un amplificador seguidor de emisor con ganancia de voltaje
menor de 1.
Para poder obtener una ganancia de voltaje ms alta de 1 y el nivel DC requerido, utilizamos un
amplificador de colector comn. El amplificador completo es de la siguiente manera.
VCC
R5
Q2
R1
R4 R6
B A
R7
Vi
Q3
R2
R3
Figura 4-16
VCC
Tal como se indic anteriormente, VA debe ser 2
en condicin DC.
SES
175
Aadimos R4 para poder fijar los transistores en la posicin de conductancia para el amplificador
clase AB.
Si V es el voltaje umbral VBE, entonces:
VB = VA VR 7 V VA V
VR 4 2V (aproximadamente 1V).
Este es un acoplamiento directo entre las dos etapas del amplificador. La primera etapa tambin
determina el punto de operacin de la segunda etapa.
R1 y R2 son los resistores de polarizacin del amplificador. Estn diseados para fijar:
VCC
VA =
2
Q2 y Q3 son amplificadores de corriente y Q1 es amplificador de voltaje. Las cargas de Q1 son R4 y
R5.
R6 y R7 son resistores de emisor diseados para la estabilidad del punto operativo. Su valor es de
aproximadamente 1-2. Podemos renunciar a ellos.
En lugar de R4 podemos utilizar un diodo o 2 diodos en serie para fijar el voltaje umbral del
amplificador clase AB.
Si ponemos en corto circuito R4, obtenemos un amplificador clase B.
Los transistores del amplificador de potencia se calientan y sus parmetros cambian de acuerdo a la
temperatura. Utilizar un diodo es mejor que utilizar un resistor debido a que los parmetros
dependen de la temperatura de manera similar al comportamiento del transistor.
SES
176
4.1.10 Amplificadores de potencia monolticos

Para poder obtener una ganancia ms alta, utilizamos transistores Darlington. Obtener transistores
Darlington con ganancia de potencia alta, con parmetros similares es difcil.
En lugar de transistores Darlington complementarios, utilizamos una configuracin diferente, la

cual se denomina amplificador cuasi complementario, de la siguiente manera:
VCC
Q2
R1
Q4
Q3
Vi Q1 Q5
R2
R3
Figura 4-17
Q2 y Q4 estn en etapa Darlington con dos transistores NPN.
Q3 y Q5 se encuentran en etapa cuasi Darlington, debido a que Q5 es transistor NPN y Q3 es

transistor PNP. Si verificamos el comportamiento de etapa Q3 y Q5, podemos encontrar fcilmente
que es similar al comportamiento Darlington y que:
i2 i
1
i b 2 i b1
Esta es la ltima etapa de muchos amplificadores monolticos. Podemos encontrar muchos y

diversos amplificadores de potencia monolticos de 1W a 40W y dems.
SES
177
Un amplificador de potencia comprende cuando menos dos etapas. Una es un amplificador de

voltaje, que amplifica la amplitud del voltaje de seal. La segunda etapa es un amplificador de
corriente que generalmente no amplifica la amplitud de voltaje sino que amplifica la magnitud de
corriente.
La primera etapa se construye como amplificador de emisor comn (transistor Q4) y la segunda
etapa como amplificador equilibrado (seguidores de emisor Q5 y Q6). La clase de amplificador (A,
B AB) se determina conforme a la configuracin en la cual las bases del transistor estn
conectadas.
SES
178
Procedimiento:
Paso 1: Conectar el entrenador anlogo a la fuente de poder y la fuente de poder a la red de
distribucin.
Paso 2: Conectar la sonda de pantalla CH1 a la salida del generador de funciones.
Paso 3: Fijar el generador de funciones en la onda senoidal de salida de 1000Hz.
Paso 4: Conectar la salida del generador de funciones a la entrada del potencimetro de

volumen con un alambre de conexin.
Paso 5: Conectar la salida del potencimetro de volumen a la entrada del amplificador de audio
con un alambre de conexin.
Paso 6: Verificar que el selector de puente en el amplificador est ubicado contra R52 (JP3) y
conectar la bobina a la salida del amplificador.
Paso 7: Cambiar el potencimetro de volumen y el volumen de sonido debe cambiar.
Paso 8: Conectar la sonda de pantalla CH2 a la salida del amplificador.
Se debe observar una onda senoidal.
Paso 9: Fijar el selector de puente contra el resistor de 100 ohm, contra el diodo D2 y contra el
corto circuito.
Observar las formas de seal.
Explicar las diferencias entre estas conexiones y el tipo de amplificadores que

obtenemos.
SES
179
Paso 10: Conectar el resistor 10 a la salida del amplificar de audio en lugar del altavoz.
Paso 11: Fijar el generador de funciones en la onda senoidal de 1000Hz 0.7VP-P.
Paso 12: Medir el voltaje en el resistor 10.
Paso 13: Bajo la asuncin de que la resistencia de entrada es 1000, calcular la ganancia de
potencia del amplificador.
medicin.
SES
180
Experimento 4.2 - Amplificador de audio

monoltico
Objetivos:
El amplificador de audio monoltico.
Medicin y clculo de ganancia de amplificador.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Discusin:
El amplificador de audio monoltico est basado en un circuito IC. En el TPS-3331 y en el
TPS-3371 est basado en el LM386. Este es un amplificador de potencia con fuente de suministro
de voltaje nica.
SES
181
Procedimiento:
distribucin.
Paso 2: Conectar la sonda de osciloscopio CH1 a la salida del generador de funciones.
Paso 3: Fijar el generador de funciones en la onda senoidal de salida de 1000Hz.
Paso 4: Conectar la salida del generador de funciones a la entrada del potencimetro de

volumen con un alambre de conexin.
Paso 5: Conectar la salida del potencimetro de volumen a la entrada de amplificador de audio

con un alambre de conexin.
Paso 6: Conectar el altavoz a la salida del amplificador de audio monoltico.
Paso 7: Cambiar el potencimetro de volumen y el volumen de sonido debe cambiar.
Paso 8: Conectar el resistor de 10 al amplificador monoltico en lugar del altavoz.
Paso 9: Conectar la sonda de pantalla CH2 al terminal del resistor.
Se debe observar una onda senoidal.
Paso 10: Fijar el generador de funciones en la onda senoidal de 1000Hz 0.2VP-P.
Paso 11: Medir el voltaje en el resistor de 10.
Paso 12: Bajo la asuncin de que la resistencia de entrada es de 100K, calcular la ganancia de
potencia del amplificador.
medicin.
SES
182
Captulo 5 - Fuentes de poder

5.1 Introduccin
El voltaje de la red de distribucin es un voltaje AC (corriente altera) y es muy alto. El voltaje
eficaz es de 220V 110V (depende del pas) y la frecuencia es de 50Hz 60Hz acordemente.
El voltaje de la red de distribucin es AC debido a que se puede cambiar fcilmente (incrementar o

disminuir) mediante un transformador. Las compaas de electricidad prefieren que la corriente en
los cables conductores entre las ciudades sea lo ms baja posible para poder reducir la prdida de
poder de los cables. El voltaje en estas lneas se eleva a miles de voltios mediante un transformador
elevador. El voltaje se transforma a 220V ( 110V), mediante un transformador reductor en cada
calle o bloque de edificios.
En los sistemas electrnicos requerimos una fuente de poder de bajo voltaje DC (corriente directa)
El voltaje debe ser estable y que no cambie debido a cambios en la corriente de carga o el voltaje de entrada
AC.
La fuente de poder incluye cuatro componentes:
Voltaje
Transformador Rectificador Filtro Regulador Vo
red
Figura 5-1
El transformador convierte el voltaje AC alto en voltaje AC bajo y viceversa. Est compuesto por
cuando menos dos bobinas envueltas en el mismo ncleo magntico hecho de material
ferromagntico (generalmente hierro).
Una bobina est conectada a la fuente de voltaje AC y se denomina la bobina primaria. Los cambios
de corriente en esta bobina, crean cambios en el flujo magntico en el ncleo magntico de la
bobina, conforme a la ley de Faraday:
d 1
= V1 (t )
st N 1
V1 - El voltaje en la bobina primaria.
N1 - El nmero de vueltas de la bobina primaria.
Otra bobina est envuelta en esta bobina, la cual se denomina bobina secundaria. Esta percibe el
flujo magntico del ncleo, creado por la corriente en la bobina primaria. Los cambios en este flujo
inducen un voltaje en la bobina secundaria conforme a la siguiente frmula:
d
V2 (t ) = N 2
st
SES
183
V2 - El voltaje en la bobina secundaria.

N2 - El nmero de vueltas de la bobina secundaria.
d
Debido a que en las dos bobinas y en las dos ecuaciones existe obtendremos:
dt
1
V2 = N 2 V1
N1
V2 N 2
= =n
V1 N 1
n es la relacin del nmero de vueltas entre las dos bobinas.
El campo magntico H que se crea, depende del nmero de vueltas de la bobina, de la potencia de la
corriente alterna y de la longitud de la lneas de integracin, segn la frmula:
Ni
H=
l
La lnea de integracin es la longitud promedio de las lneas de flujo magntico. Para disminuir esta
lnea, generalmente arrollamos, la bobina sobre el ncleo de hierro en la forma siguiente:
Figura 5-2
El ncleo de hierro hace que el flujo magntico fluya por el camino ms corto posible (trayecto del
ncleo). Recibiremos un campo magntico mximo, que crear un flujo magntico mximo de
acuerdo con la frmula:
A
= H A = N i
l
- flujo magntico.
A - rea en corte del ncleo.
- constante que depende de la calidad del ncleo.
Una parte del flujo magntico se pierde y crea prdidas en el paso de la bobina primaria a la bobina
secundaria. Por lo tanto, cuanto mayor es el flujo la prdida relativa es menor.
SES
184
Esta es la razn por la que aspiramos a aumentar el nmero de arrollamientos y el rea del ncleo y
disminuir la longitud del ncleo. La corriente se da de acuerdo al circuito elctrico como veremos a
continuacin. Existe aqu una contradiccin especfica. Cuanto ms aumentemos el nmero de
vueltas, mayor ser el tamao y por lo tanto, tendremos que aumentar la longitud del ncleo. El
aumento en el nmero de arrollamientos aumentar tambin los costos.
Por otra razn, tampoco podemos aumentar el nmero de arrollamientos. El flujo magntico entra
en un grado de saturacin de N i . El comportamiento ideal del flujo en el ncleo (sin el efecto de
histresis como se demostrar a continuacin), se muestra en el siguiente grfico:
N*i
Figura 5-3
Cuando el ncleo se satura, los cambios de corriente no crean cambios en el flujo magntico y se
sobreentiende que no influyen en la bobina secundaria.
Por lo tanto, se adecua el nmero de arrollamientos de tal manera que se cree un flujo magntico
mximo, pero donde el ncleo no se sature por la corriente mxima que se ha diseado para el
transformador.
SES
185
Otras prdidas se dan como consecuencia de otro fenmeno. El ncleo tiene un fenmeno de
magnetismo remanente, que se llama histresis. El significado de este magnetismo remanente es
que queda un flujo magntico despus que la fuerza magntica que lo cre, desaparece.
F = N 1 * I1 N 2 * I2
Figura 5-4
Para poder cambiar la direccin del flujo magntico, hay que entregar una fuerza magntica en
sentido contrario hasta que el flujo magntico se anule y entonces comienza a crecer el flujo
magntico con el aumento de la fuerza magntica en sentido contrario. Otra fuerza magntica que
entregamos, crea prdidas de energa, llamadas prdidas en el hierro.
Cuanto ms angosto es el magnetismo remanente (el residuo magntico es menor) menores sern
las prdidas en el hierro. Esta es la razn por la que el ncleo se hace de un hierro liviano, cuya
caracterstica es dejar un menor residuo magntico.
Debido a la tensin regulada, en el ncleo queda un potencial de corriente elctrica. Estas corrientes
se llaman corrientes de drenaje. Para reducir la resistencia del ncleo a estas corrientes y para
reducir estas corrientes y las prdidas de energa que se crean por las prdidas de corriente, se
construye el ncleo del transformador a base de placas baadas en barniz. Si el ncleo fuera
construido de una sola pieza habra una resistencia elctrica pequea.
Otras prdidas de energa que existen en el transformador son las prdidas en los cables de cobre,
como consecuencia de la resistencia hmica de estos. Estas prdidas se llaman prdidas en el cobre.
Esta es la razn por la que cuando el transformador est hecho para corrientes ms altas, los cables
tienen que ser ms gruesos para disminuir las prdidas en el cobre. Este mismo principio se aplica
para la bobina.
A pesar de lo mencionado, es posible acercar en forma razonable las bobinas, de tal forma que las
prdidas de energa sean pequeas en relacin con la misma energa que pasa de la bobina primaria
a la secundaria. El suministro entregado a la bobina primaria es aproximadamente igual al
suministro recibido por la bobina secundaria.
SES
186
V1 I 1 = V2 I 2
V2 I 1 N 2
= = =n
V1 I 2 N 1
La relacin entre las corrientes es opuesta a la relacin entre los voltajes y la relacin del nmero de
vueltas.
Si el transformador reduce el voltaje (V2 < V1, N2 < N1, n < 1), entonces la corriente secundaria es
ms alta que la corriente primaria por el ndice de transformacin. En este tipo de transformador, los
cables secundarios son ms anchos que los cables primarios.
El transformador se dibuja esquemticamente de la siguiente manera:
i1 i2
V1 N1 N2 V2
Figura 5-5
Las dos lneas entre las bobinas representan el ncleo de hierro.
Cuando no existe carga en la bobina secundaria (vaco), entonces la corriente en la bobina primaria
est desfasada.
V1
i1 =
Z1
De cualquier modo, aparece un voltaje en la bobina secundaria.
N2
V2 = V1 = n V1
1
Cuando conectamos una carga RL a la bobina secundaria, fluye una corriente en la bobina
secundaria que es:
V2
i2 =
R2
SES
187
Y esto aumenta la corriente en la bobina primaria hasta el punto en que se pueda despreciar la
corriente que se cre a partir del desfasaje en la bobina. En este caso:
N2
i1 = i2 = n i2
N1
En las fuentes de poder, el transformador se usa para disminuir la tensin de la red a la tensin
requerida. Cuanto mejor diseado est el transformador, las prdidas de energa son menores. stas
prdidas se manifiestan con el calentamiento del transformador. Un transformador sin prdidas de
energa no se calentara en absoluto.
Otros usos del transformador son: coordinaciones de desfase (como se muestra en el captulo 4),
unin y traspaso de seales entre rangos diferentes y al mismo tiempo aislar los componentes de
CC.
El fabricante indica los valores nominales del transformador. Estos valores generalmente son el
ndice de transformacin y la corriente mxima secundaria.
Por ejemplo:
220V / 12V 0.5A
Se sobre entiende, que si conectamos a la bobina primaria otra tensin, recibiremos en el secundario
una tensin V2 correspondiente. Por ejemplo, si conectamos a este transformador una tensin de
110V, recibiremos en su bobina secundaria una tensin de 6V.
La corriente antes mencionada es la corriente mxima permitida en el secundario. La accin de la

corriente en el secundario se fija por medio de un circuito elctrico conectado a l.
El transformador es un componente bidireccional. Si proveemos una tensin alterna a la bobina

secundaria, recibiremos en la bobina primaria una alta tensin en la misma relacin. Por ejemplo, si
proveemos a la bobina secundaria del transformador con una tensin de 12V, recibiremos en la
bobina primaria del transformador una tensin de 220V.
Existen transformadores que incluyen ms de una bobina secundaria. No necesariamente todos

estn hechos para la misma tensin secundaria. Por ejemplo:
220V / 2 x 12V 0.25A
Figura 5-6
SES
188
Convertidor de CC a CA:
En los experimentos siguientes aprenderemos cmo convertir voltaje de CA en voltaje de CC.
Utilizamos el transformador para reducir el voltaje de la red.
A veces necesitamos convertir voltaje de CC. a voltaje de CA. Por ejemplo, cuando necesitamos
proveer energa en casa desde las bateras, cuando hay una falla de energa.
En este caso, utilizamos osciladores de 50Hz o 60Hz con amplificadores de potencia como etapa de
salida para crear voltaje de CA.
Alimentamos este voltaje a un transformador, cuya bobina primaria tiene menos vueltas que su
bobina secundaria.
SES
189
Experimento 5.1 - Rectificadores de voltaje
Objetivos:
Rectificador de media onda.
Rectificador de onda completa.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Discusin:
5.1.1 Rectificador de media onda
Un rectificador de diodo es el rectificador ms simple.
Vo
V1 V2 R2
Figura 5-7
SES
190
El diodo conduce corriente nicamente cuando V2 > VD (V2 > 0.7V). Cuando V2 < VD V2 < 0, no
hay corriente en el circuito secundario y Vo = 0V.
V2
Vo
Figura 5-8
El voltaje en el diodo, cuando no conduce, es el voltaje de la bobina secundaria. Generalmente, es

un voltaje negativo. El voltaje inverso mximo en el diodo es el voltaje mximo de V2. Tenemos
que seleccionar un diodo, que soporte este voltaje.
La desventaja de este rectificador es la alta ondulacin de la seal de salida y su voltaje promedio

bajo.
El voltaje promedio es:
1
V1V = Vmax

Debemos recordar que el voltaje de red de distribucin indicado y los voltajes del transformador
son voltajes efectivos.
1
Veff = Vmax
2
Vmax = 2 Veff
Por ejemplo, el voltaje de salida mximo de un transformador 12V es 16.9V.
Debemos sustraer el voltaje de diodo (0.7 - 1V) para poder calcular el voltaje mximo de salida del
rectificador.
SES
191
5.1.2 Rectificador de onda completa con transformador de

derivacin central
Una manera de obtener un rectificador de onda completa es utilizando un transformador con dos
bobinas de la siguiente manera:
D1
A
R2
Vi
B
D2
Figura 5-9
El voltaje VA es equivalente y contrario al voltaje AB.
Cuando Vi es positivo, VA es positivo y AB es negativo el diodo D1 conduce y el diodo D2 se

corta.
Cuando Vi es negativo, VA es negativo, y AB es positivo - el diodo D2 conduce y el diodo D1 se

corta.
En estos dos casos, el voltaje en R2 es positivo de la siguiente manera:
Vi
VRL
Figura 5-10
El voltaje de salida mximo es el voltaje mximo de la bobina secundaria menos el voltaje de diodo.
El mximo voltaje inverso de diodo es 2 Vmax . Verificar esto.
SES
192
La ondulacin de la seal de salida es ms baja y el valor promedio es dos veces ms alto que el
rectificador de media onda.
2
Vav = Vmax

5.1.3 Rectificador de onda completa con puente de diodos

El rectificador puente de diodos es un arreglo de 4 diodos, que permite la rectificacin de onda
completa con un solo transformador de bobina secundaria. El circuito es de la siguiente manera:
A +
D4 D1
R2
Vi
D3 D2
B -
Figura 5-11
En la parte positiva de Vi - VA es positivo y VB negativo. La corriente fluye de A a B a travs de D1,

RL y D3. D2 bloquea la corriente que fluye directamente de A a B a travs de D1.
En la parte negativa de Vi VB es positivo y VA negativo. La corriente fluye de B a A a travs de

D2, RL (la misma direccin que anteriormente) y D4. D1 bloquea la corriente que fluye directamente
de B a A a travs de D2.
Obtenemos una onda similar a la de la seccin 5.3.2 con una diferencia. El voltaje mximo de
salida es el voltaje mximo V2 menos 2 VD .
Se puede implementar un puente de diodos mediante 4 diodos o mediante un componente sencillo

de 4 pines. El terminal + est indicado por el punto.
SES
193
Procedimiento:
distribucin.
Paso 2: Implementar el siguiente circuito en el Entrenador Anlogo.
D1
Vo
R
VS ~ 1K
Paso 3: Utilizar la fuente de poder Vvar (12V) como fuente de poder AC.
Paso 4: Cambiar Vvar y llenar la siguiente tabla:
t 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
VS -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VO
Paso 5: Utilizar el generador de funciones del entrenador como fuente de poder AC.
Ajustar la amplitud mxima y la frecuencia mnima.
Paso 6: Conectar la punta CH1 del osciloscopio a VS y la punta CH2 a los puntos Vo.
SES
194
Paso 7: Trazar los resultados en los siguientes grficos.
VS
Vo
D1
Vo
R
VS ~ 1K
Paso 9: Utilizar la fuente de poder Vvar (12V) como fuente de poder AC.
t 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
VS -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VO
SES
195
VS
Vo
medicin.
SES
196
Experimento 5.2 - Filtros de voltaje
Objetivos:
Filtros de voltaje con Capacitor.
Clculos de capacitancia
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Discusin:
El voltaje de salida del transformador es voltaje AC. En sistemas electrnicos, necesitamos un
voltaje directo fijo. El diodo se utiliza como rectificador.
La seal de salida del rectificador es una onda positiva pero con ondulacin muy alta, que cambia
de 0V a Vmax. Utilizamos un filtro para obtener un voltaje promedio ms alto y una ondulacin baja.
Generalmente el filtro est compuesto por un solo Capacitor.
Vo
RL
Vi V2 Rectifier C
Figura 5-12
SES
197
Vo
With No filter
Vo With filter
Figura 5-13
Cuando el rectificador conduce, el Capacitor est cargado conforme a V2 hasta Vmax.
Cuando V2 disminuye, el rectificador no puede descargar el Capacitor ya que solamente conduce en

una direccin.
El Capacitor se descarga conforme al consumo de corriente de la carga RL. Se descarga hasta que el
voltaje de salida del rectificador es ms alto que el voltaje del Capacitor.
Cuando la I2 es ms alta, el V es ms grande, la descarga es ms lenta y la onda es ms baja (V

ms pequeo).
El clculo del Capacitor requerido se realiza conforme a la corriente promedio de carga y al V

requerido.
Podemos asumir carga y descarga lineal a la vez, de la siguiente manera:
V T
Figura 5-14
1 1
t= T=
2 2F
La corriente promedio de carga se denomina IDC.
SES
198
El cambio en el cambio de Capacitor es:
1 I
V = I DC t = I DC T = DC
2 2F
Q I DC
V = =
C 2FC
I DC
C=
2F V
Ejercicio:
Disear una fuente de poder, que indique un transformador, un puente de diodos y un Capacitor sin
filtro para un voltaje de salida de 14 1.5V con una corriente de carga de 0.5A. El voltaje de la red
de distribucin es 220V/50Hz.
Solucin:
El voltaje mximo de salida es 15.5V.
El voltaje mximo en el secundario del transformador es:
V2max V0max +2VD = 15.5 + 1.4 = 16.9V

El voltaje efectivo secundario debe ser:
Vmax
Veff = = 12V
2
El valor nominal del transformador requerido es:
220V / 12V 0.5A

F = 50Hz
V = 3V
I DC 0.5 0.5
C= = = = 1666F
2FV 2 50 3 300
Seleccionaremos un Capacitor de 2000F.
SES
199
Tenemos cuatro opciones para reducir la ondulacin del voltaje de salida:
a) Incrementar la capacitancia del Capacitor.
b) Aadir un filtro RC.
Vi C1 C2 Vo
Figura 5-15
Este filtro reduce la ondulacin, pero debemos considerar la disminucin del voltaje en la
resistencia.
c) Utilizar un filtro LC.
Vi C
Figura 5-16
Este es un filtro menor con disminucin de voltaje mnimo. El problema es utilizar una bobina
adecuada para la corriente de carga.
d) Utilizar un regulador de voltaje.
Este es el mtodo aceptado y se describe en la siguiente seccin.
SES
200
Procedimiento:
distribucin.
D1
Vo
+ R
VS ~ C
1K
0.1F
VS
Vo
Paso 6: Medir V.
Paso 7: Reemplazar el Capacitor con un Capacitor de 100F.
SES
201
Paso 8: Medir V.
D1
Vo
+ R
VS ~ C 1K
0.1F
VS
Vo
Paso 13: Medir V.
Paso 14: Reemplazar el Capacitor con un Capacitor de 100F.
Paso 15: Medir V.
SES
202
medicin.
SES
203
Experimento 5.3 - Reguladores de voltaje lineales
Objetivos:
Fuentes de poder.
Mediciones en reguladores de voltaje lineales.
Diversos reguladores de voltaje monolticos.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Discusin:
El propsito de un regulador es el de suministrar un voltaje directo fijo, que no depende de cambios
en su voltaje de entrada o en el consumo de corriente.
Los parmetros importantes del regulador son:
a) El coeficiente de corriente de carga de regulacin, el cual se denomina resistencia de

salida:
VOut
R0 =
I L
b) El coeficiente de voltaje de entrada de regulacin:
VOut
SV =
VIn
Todos los reguladores tienen un voltaje de entrada mnimo, que es necesario, para mantener el
voltaje de salida requerido.
SES
204
5.3.1 Regulacin de diodo Zener

El diodo Zener es el componente bsico en los circuitos de regulacin. El diodo Zener es un diodo
para operar en su voltaje de ruptura invertido. Hay muchos diodos Zener con diversos voltaje de
rupturas.
El voltaje de ruptura Zener se denomina VZ. El smbolo del diodo Zener es:
A K
Figura 5-17
La caracterstica Zener es de la siguiente manera:
V
VZ
Figura 5-18
En polarizacin negativa frontal, el diodo Zener acta como un diodo ordinario.
En voltaje de polarizacin inversa por encima del voltaje Zener, la ruptura del diodo y cambios en
su corriente prcticamente no afectan el voltaje Zener.
La gradiente de la lnea de rea Zener determina la resistencia dinmica Zener Rd.
SES
205
El siguiente circuito es un circuito de regulacin Zener.
Vo
VZ RL
Vi
Figura 5-19
Asumiendo Vi > VZ y tambin VRL > VZ (si no hay diodo Zener) entonces Vo = VZ .
La R acepta la diferencia de voltaje entre Vi y VZ. An si Vi cambia, el voltaje en RL es fijo e igual

a VZ .
Cada diodo Zener tiene un valor nominal de disipacin de potencia mxima. Este valor nominal
determina la corriente mxima Zener. Tratamos de operar el Zener a 10-20% de su corriente
mxima. De esta forma, el diodo se encontrar en la parte lineal del rango de ruptura y con una
potencia menor que la potencia nominal mxima.
Ejercicio:
Disear un circuito Zener de la siguiente manera:
Vi = 12 2V
VZ = 6V
Pzmax = 3W
RL = 1000
Rd = 5
Calculemos R y VL.
Pz max 3
I z max = = = 0.5A
Vz 6
I z = 0.1 I z max = 0.05A
Vz 6
I2 = = = 0.006A
R L 1000
IR = Iz + IL = 0.05 + 0.006 = 0.056A
V VZ
R = in
IR
SES
206
Para determinar el valor de R utilizamos el valor mnimo de Vi, para no salir del rango Zener.
10 6
R= = 71
0.056
Vi R d 45
VO = VL = = = 0.26V
R + R d 71 + 5
VO 0.26
SV = = = 0.065
Vi 4
VO Rd
SV = =
Vi R + R d
Si duplicamos la corriente de carga (RL = 500), obtendremos:
6
IL = = 0.012A
500
V VZ
IR = i
R
IR es constante, por lo tanto IZ se reducir por 0.006A.
Vo se cambiar conforme al VZ.
VO = VZ = I d R d = 0.006 5 = 0.03V
VO 0.03
RO = SI = = = 5
I L 0.06

RO = Rd
SES
207
5.3.2 Diodo Zener con amplificador de corriente

Regulamos el voltaje con diodo Zener para consumidores que no consumen mucha corriente. Lo
utilizamos principalmente como referencia de voltaje.
Podemos mejorar el circuito Zener para suministrar corriente alta con cambios pequeos en la
corriente Zener. Lo logramos aadiendo un transistor en serie de la siguiente manera:
IL
Vi = V V IR IB
RL
Figura 5-20
La corriente de carga que el Zener percibe es IB.
IL
IB =
+1
Debido a que IB es mucho ms pequeo que IL, podemos determinar una R ms grande. Lo que
mejora SV:
Rd
SV =
R + Rd
Los cambios en IZ tambin son ms pequeos por +1, que los cambios en IL por lo tanto:
Rd
RO =
+1
5.3.3 Regulador de voltaje monoltico

Cuando requerimos un voltaje regulado fijo, utilizamos un regulador monoltico. Este es un circuito
integrado, que incluye el circuito regulado, el amplificador de corriente y el limitador de corriente.
Algunas veces tambin cuenta con proteccin terminal.
Los reguladores de voltaje ms populares son los de serie 78XX. Los ltimos dos dgitos indican el
voltaje del regulador. Por ejemplo, 7805 es un regulador para 5V. 7812 es un regulador para 12V y
as sucesivamente.
SES
208
Una serie paralela es la serie 79XX, utilizada para la regulacin de voltaje negativo.
El circuito de regulacin es de la siguiente manera:
V1 7805 V2
C1 C2
Figura 5-21
C1 es el Capacitor del filtro. Lo determinamos conforme a Vi e IL. Debemos cuidar que Vimin no
caiga por debajo de 7V en cualquier momento.
Aadimos otro Capacitor C2 a la salida del regulador para prevenir que los cambios de corriente de
consumo rpidos afecten el voltaje de salida antes de que el regulador reaccione.
A pesar de que el regulador est diseado para suministrar 5V regulados, lo podemos utilizar para
crear cualquier voltaje regulado ms alto. Aadiendo un divisor de voltaje en la salida, de la
siguiente manera, se logra esto:
Vi
7805 +Vo
+
R1 C2
C1
R2
Figura 5-22
Un voltaje de 5V se desarrolla en R2. La corriente en R2 fluye travs de R1 e incrementa el voltaje

de salida. Al calcular el voltaje de salida, debemos considerar el flujo de corriente a travs de R1
desde el regulador.
SES
209
Procedimiento:
distribucin.
R2
Vi Vo
1K
VZ
Paso 3: Conectar Vi a la salida Vvar.
T 1 2 3 4
Vi 7 8 9 10
Vo
Vo
SV
Paso 5: Calcular Vo para cada caso.
Vo(t) = Vo(t + 1) Vo(t)
Paso 6: Calcular el coeficiente de voltaje de entrada de regulacin para cada caso:
VO
SV =
VIn
Paso 7: Sacar las conclusiones, con qu Vin tenemos el SV ms pequeo.
Paso 8: Ajustar Vi a 10V.
Paso 9: Conectar RL registro de carga de 1K (R45) a Vo.
R2
Vi Vo
1K
RL
VZ 10K
SES
210
Paso 10: Medir Vo y Calcular IL.
Paso 11: Cambiar RL a 100.
Paso 13: Calcular el coeficiente de corriente de carga:
VO
RO =
I L
IL
Vi = V V R2 IR IB
RL
1K 10K
Paso 16: Conectar RL registro de carga de 1K a Vo.
VO
RO =
I L
Vi 7805 Vo
SES
211
T 1 2 3 4
Vi 7 8 9 10
Vo
Vo
SV
Paso 23: Calcular Vo para cada caso.
Vo(t) = Vo(t + 1) Vo(t)
Paso 24: Calcular el coeficiente de voltaje de entrada de regulacin para cada caso:
VO
SV =
VIn
Paso 25: Sacar conclusiones, con qu Vi tenemos el SV ms pequeo.
Paso 27: Conectar RL registro de carga de 1K a Vo.
VO
RO =
I L
7805 Vo
R1
1K
VS ~
R2
100
Paso 33: Medir Vo, VR1 y VR2.
SES
212
medicin.
SES
213
Experimento 5.4 - Regulador Conmutante Paso-

Bajo
Objetivos:
Fuentes de poder alternas.
Mediciones en reguladores de voltaje paso abajo.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Discusin:
El regulador lineal es muy fcil de utilizar e implementar. Su desventaja yace en el consumo de
potencia. Este regulador est conectado en serie con la carga y disipa el complemento de potencia
que no llegue a la carga.
Supongamos que utilizamos un regulador de 5V y nuestro voltaje de entrada es de 12V (como en el

entrenador).
12V 7805
RL
Figura 5-23
El voltaje de carga es de 5V a manera que el voltaje que cae en el regulador es de 7V. Si la

corriente de carga es 0.5A, entonces la potencia de carga es de 2.5W y la disipacin de potencia del
regulador es de 3.5W.
Debido a la fluctuacin de voltaje de entrada, tenemos que utilizar un voltaje de entrada de nivel
DC alto.
SES
214
Un regulador conmutante opera de forma completamente diferente. Esta basado en un Capacitor de

reserva grande y una bobina inductora de carga.
Vin
ILimit
+ +
- +
Cin
Oscillator
S
+ R
-
PWM
+
-
L
Thermal
+
Reference
+
+ R1
- Vo
Comparator +
C0
R2
CF
Figura 5-24
El regulador incluye un circuito comparador que compara el voltaje de salida con el voltaje
requerido. Si el voltaje de salida es ms bajo que el voltaje requerido, entonces el regulador carga el
Capacitor a travs de la bobina L, con pulsos de corriente.
En cada pausa de pulsacin, la bobina mantiene la corriente (conforme a la ley de Lenz) a travs de
un diodo Schottky conectado al mismo.
Este tipo de carga nos permite suministrar al regulador voltajes de entrada diferentes, incluso
algunos muy altos. El regulador disipa muy poca potencia.
En el Entrenador Anlogo utilizamos el regulador 34166.
El circuito es para un regulador paso abajo y uno paso arriba, descrito posteriormente.
SES
215
El cambio de funcin lo realizan los alambres de conexin.
SW4
SW5
SW6
Figura 5-25
R1 y R2 determinan la parte de Vo que alcanza la entrada de retroalimentacin (FDBK). Al

cambiarlos, cambia el voltaje Vo.
SES
216
Procedimiento:
distribucin.
Paso 2: Colocar un alambre de conexin en SW4.
SW4
SW5
SW6
Paso 3: Mover a la derecha el interruptor SW6.
R1 = 6.8K
R2 = 47K
Paso 4: Medir el voltaje de salida. Debe ser 5.77V.
Paso 5: Medir los voltajes de R1 y de R2.
Paso 6: Explicar porqu y cmo afectan los resistores el voltaje de salida.
Paso 7: Conectar la sonda de osciloscopio CH1 a la salida SWOUT del regulador.
Paso 8: Conectar el resistor de carga de 100 a la salida del regulador.
Cmo afecta el resistor a los pulsos del regulador?
medicin.
SES
217
Experimento 5.5 - Regulador Conmutante Paso-

Arriba
Objetivos:
Mediciones en reguladores de voltaje conmutantes paso-arriba.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Discusin:
Con reguladores conmutantes podemos crear un voltaje de salida que sea ms alto que el voltaje de
entrada. El principio combina los reguladores paso abajo e invertidor.
Vin
ILimit
+ +
- +
Cin
Oscillator
S
+ R
-
PWM
+ L
-
Thermal
+
Reference
+
+ R1
- Vo
Comparator +
C0
R2
CF
Figura 5-26
SES
218
El regulador paso arriba incluye un transistor conmutante. En el estado de pulsacin de carga, el

transistor conecta la bobina a tierra e impulsa corriente a travs de ella. En el estado de "pausa", la
bobina est desconectada de tierra y la corriente fluye al Capacitor y lo carga con voltaje positivo.
La carga del Capacitor no depende del voltaje de entrada, incluso si es un voltaje ms bajo, debido
al diodo schottky entre el Capacitor y la bobina.
SES
219
Procedimiento:
distribucin.
Paso 2: Colocar un alambre de conexin en SW5.
R1
R2
Paso 3: Mover a la izquierda el interruptor SW6.
R1 = 6.8K
R2 = 2.2K
Paso 6: Explicar porqu y cmo afectan los resistores el voltaje de salida.
Paso 8: Conectar el resistor de carga de 1K a la salida del regulador.
Cmo afecta el resistor a los pulsos de regulador?
medicin.
SES
220
Experimento 5.6 - Regulador conmutante de

inversin
Objetivos:
Fuentes de poder conmutantes.
Mediciones en reguladores de voltaje conmutante.
Equipo requerido:
Entrenador Anlogo
Fuente de poder
Multmetro
Alambres de conexin
Discusin:
En el circuito invertidor, en lugar de cargar la bobina en la direccin del Capacitor, la cargamos en
la direccin a tierra. Cuando se detiene la carga (en la pausa de la pulsacin), la bobina contina
jalando corriente del Capacitor y el Capacitor se carga con voltaje negativo.
SES
221
Observar el siguiente circuito regulador invertidor y analizarlo.
Vin
ILimit
+ +
- +
Cin
Oscillator
S
Q Q1
+ R
-
PWM
+
- L
Thermal
+
Reference
+
+ R1
- Vo
Comparator +
C0
R2
CF
Figura 5-27
El circuito invertidor Entrenador Anlogo es un mdulo diferente tal como se describe

posteriormente.
SES
222
Procedimiento:
distribucin.
Step 2: Observe the inverter circuit.
R1
R2
Paso 3: Escribir los valores de R1 y R2.
Paso 6: Explicar porqu y cmo afectan los resistores el voltaje de output.
Paso 8: Conectar el resistor de carga de 1K a la salida del regulador.
Cmo afecta el resistor a los pulsos de regulador?
medicin.
SES
223
SES

Bs3331 Ver 1 - 16 Electronica Analogica

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Arieh Nachum

Scientific Educational Systems

Derechos Reservados SES Scientific Educational Systems Ltd.

El material de este libro no puede ser copiado, duplicado, impreso, traducido,

6 Elhanan St., Rishon-Lezion P.O.Box 5340, Rishon-Lezion 75151 Israel

Experimento 2.5 Amplificador de Dos Etapas ...................................................................... 80

4.1.8 Un amplificador de simetra complementario .............................................................. 173

El entrenador est divido en mdulos, que cubren los siguientes temas:

Diodos y circuitos de diodos.

El rea de experimentos incluye puntos de prueba y entradas y salidas perifricas. Los

El TPS-3331 recibe su energa de una fuente de poder externa.

Dos tableros de conexin sin soldadura.

Los reportes de experimento:

Nombre y nmero de experimento.

En particular, poner atencin a los siguientes puntos:

Resultados de las tablas de experimento:

Al terminar el experimento, las conclusiones y observaciones se deben aadir al reporte de

No son necesarios los componentes discretos al utilizar el entrenador TPS-3331.

Instalacin del software de SESCOPE:

El SESCOPE es un programa de uso bajo WINDOWS. No tiene ninguna proteccin y solamente su

Uso manual del SESLAB:

Cmo utilizar el SESLAB:

Paso 2: Conectar la fuente de poder a la red.

Paso 3: Encender el interruptor principal de la consola.

Paso 4: Cerciorarse de que la consola est conectada en el puerto de comunicacin serial de la

Seleccionar Auto en el interruptor de Manual/Auto en el mdulo de SESLAB.

Paso 6: Ejecutar el programa de SESCOPE.

Aparecer la siguiente pantalla.

Paso 7: Hacer clic en el botn OPEN COM.

La PC abrir el canal de comunicaciones, y solicitar el tipo de consola.

Si la comunicacin se completa correctamente, aparecer en el ttulo de la pantalla el

La pantalla se adapta al tipo de consola.

Paso 8: Si la comunicacin no se completa, hacer clic en el botn de la consola.

Si se establece la comunicacin, la pantalla se actualizar consecutivamente.

En cada comunicacin con la consola, aparecen mensajes de xito o falla en el lado

Paso 9: Si la comunicacin falla:

Comprobar que la consola est encendida.

Paso 10: Si es necesario, mueva el cable a otro canal de comunicaciones en la PC.

Si usted no necesita cambiar el canal de comunicaciones, haga clic en el botn OPEN

En el estado Auto, los potencimetros en la consola no afectan la frecuencia y energa

Identifique las barras en la pantalla.

Paso 14: Seleccionar Low en el interruptor High/Low.

Esto determina las frecuencias del generador a 6KHz-90KHz.

Paso 15: Seleccionar Sine en el interruptor Triangle/Sine.

Paso 16: Seleccionar Const en el interruptor Sweep/Const.

Fijar la base del tiempo a 30s/cm.

Paso 18: El programa muestra el canal 1 (CH1), canal 2 (CH2) o ambos.

Seleccionar ambos canales.

La pantalla puede tambin exhibir el anlisis espectral de la seal muestreada en el

En un ciclo, la PC pide que la consola realice un ciclo de la muestra y la transmita.

En funcionamiento libre, la PC pide que la consola realice un ciclo de la muestra y la

En cada peticin del ciclo de la muestra, la PC transmite la velocidad requerida de la

La PC tambin informa si se muestrean dos canales o un canal.

La cantidad de muestras en cada ciclo de la muestra es 100.

Se puede hacer el muestreo de dos maneras - Chopper (Chop.) o Alternate (Alt)

En el estado Chopper, el regulador del SESLAB muestrea los dos canales

La sincronizacin se hace en el canal 1 (CH1).

En el estado Alternate, el regulador sincroniza en el canal 1, lo muestrea y lo

La seal, en este caso est en calidad mxima.

Fijar el osciloscopio a un ciclo.

Paso 21: El programa permite la medicin de las seales muestreadas.

Localizar el botn y hacer clic sobre l.

Dos lneas, verde y amarilla del marcador, aparecern en la pantalla.