Nama : Achmad Ali Izzudin

NIM : 150230004

Pengertian Junction field-effect transistor ( JFET)

JFET (junction field effect transistor ) atau yang disebut juga dengantransistor efek medan
persambungan merupakan salah satu jenis transistorunipolar yang pengoperasiannya
dikendalikan oleh tegangan (voltage-controlled device), tentu hal tersebut sangat berbeda
dengan sebuah transistor yangpengoperasiannya dikendalikan oleh arus listrik ( current -
controlled device).JFET adalah perangkat semikonduktor tiga terminal yang dapat digunakan
sebagai saklar elektronik dikontrol , amplifier , atau resistor tegangan dikendalikan .
Tidak seperti transistor bipolar , JFET secara eksklusif tegangan - dikontrol dalam bahwa
mereka tidak membutuhkan arus biasing . Muatan listrik mengalir melalui saluran
semikonduktor antara sumber dan tiriskan terminal . Dengan menerapkan tegangan bias balik
ke terminal gerbang , saluran tersebut " terjepit " , sehingga arus listrik terhambat atau
dimatikan sama sekali . Sebuah JFET biasanya pada saat tidak ada perbedaan potensial antara
gerbang dan sumber terminal . Jika perbedaan potensial dari polaritas yang tepat diterapkan
antara gerbang dan sumber terminal , JFET akan lebih resistif terhadap aliran arus , yang
berarti lebih sedikit saat ini akan mengalir dalam saluran antara sumber dan tiriskan terminal .
Dengan demikian , JFET kadang-kadang disebut sebagai perangkat penipisan -mode .
JFET dapat memiliki tipe-n atau tipe-p channel . Dalam tipe-n , jika tegangan diterapkan
ke pintu gerbang kurang dari yang diterapkan ke sumber , saat ini akan berkurang ( sama
dalam tipe-p , jika tegangan diterapkan ke pintu gerbang lebih besar daripada diterapkan ke
sumber ) . Sebuah JFET memiliki impedansi masukan yang besar ( kadang-kadang di urutan
1.010 ohm ) , yang berarti bahwa ia memiliki efek yang dapat diabaikan pada komponen
eksternal atau sirkuit terhubung ke gerbang .
 Simbol JFET (Junction Field Effect Transistor)

Gambar 1 : Simbol JFET kanal-n dan kanal-p

Simbol JFET (junction field-effect transistor) untuk kanal-N dan kanal-P ditunjukkan
pada gambar diatas. Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada gate merupakan arah arus
pada persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi perlu diingat bahwa daerah kerja
JFET adalah bila persambungan tersebut diberi bias mundur. Oleh karena itulah, maka arus
gate IG adalah nol (sangat kecil) dan akibatnya resistansi input dari JFET adalah tinggi sekali
(dalam orde puluhan mega ohm).
 Konstruksi JFET (Junction Field Effect Transistor) Kanal- N dan Kanal- P

Gambar 2 : Konstruksi JFET kanal-n dan kanal-p

Konstruksi dasar komponen JFET (junction field-effect transistor) kanal-N adalah

seperti pada gambar diatas. Terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan
tipe-N yang membentuk kanal. Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal yang disebut
Drain (D) dan bagian bawah dihubungkan ke terminal yang disebut Source (S). Pada sisi kiri
dan kanan dari kanal-N dimasukkan bahan tipe P yang dihubungkan bersama-sama ke
terminal yang disebut dengan Gate (G).
Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya saja
kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan dan
arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n. Simbol rangkaian
untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.

Struktur Junction field-effect transistor ( JFET)

JFET adalah sebuah bahan semikonduktor yang cukup panjang, dikotori untuk
mendapatkan muatan listrik positif (tipe-p) atau negatif (tipe-n) yang melimpah. Koneksi
pada setiap ujung semikonduktor membentuk sumber dan cerat. Saluran gerbang mempunyai
pengotoran yang berlawanan dengan kanal yang mengelilinginya, jadi terbentuk pertemuan
p-n pada antarmuka. Saluran yang menghubungkan keluar biasanya dibuat ohmik.
 Istilah field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor ini
yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk antara
semikonduktor tipe n dan tipe p, karena bergabungnya elektron dan hole di sekitar daerah
perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil
tergantung dari tegangan antara gate dengan source. Pada gambar di atas, lapisan deplesi
ditunjukkan dengan warna kuning di sisi kiri dan kanan.
JFET kanal-n
Untuk menjelaskan prinsip kerja transistor JFET lebih jauh akan ditinjau transistor
JFET kanal-n. Drain dan Source transistor ini dibuat dengan semikonduktor tipe n dan Gate
dengan tipe p. Gambar berikut menunjukkan bagaimana transistor ini di beri tegangan bias.
Tegangan bias antara gate dan source adalah tegangan reverse bias atau disebut bias negatif.
Tegangan bias negatif berarti tegangan gate lebih negatif terhadap source. Perlu catatan,
Kedua gate terhubung satu dengan lainnya.
Elektron yang mengalir dari source menuju drain harus melewati lapisan deplesi.
Di sini lapisan deplesi berfungsi semacan keran air. Banyaknya elektron yang mengalir dari
source menuju drain tergantung dari ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa
menyempit, melebar atau membuka tergantung dari tegangan gate terhadap source.
Jika gate semakin negatif terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin
menebal. Lapisan deplesi bisa saja menutup seluruh kanal transistor bahkan dapat menyentuh
drain dan source. Ketika keadaan ini terjadi, tidak ada arus yang dapat mengalir atau sangat
kecil sekali. Jadi jika tegangan gate semakin negatif terhadap source maka semakin kecil arus
yang bisa melewati kanal drain dan source.
Jika misalnya tegangan gate dari nilai negatif perlahan-lahan dinaikkan sampai sama
dengan tegangan Source. Ternyata lapisan deplesi mengecil hingga sampai suatu saat terdapat
celah sempit. Arus elektron mulai mengalir melalui celah sempit ini dan terjadilah konduksi
Drain dan Source. Arus yang terjadi pada keadaan ini adalah arus maksimum yang dapat
mengalir berapapun tegangan drain terhadap source. Hal ini karena celah lapisan deplesi
sudah maksimum tidak bisa lebih lebar lagi. Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi
positif, karena kalau nilainya positif maka gate-source tidak lain hanya sebagai dioda.
Karena tegangan bias yang negatif, maka arus gate yang disebut IG akan sangat kecil
sekali. Dapat dimengerti resistansi input (input impedance) gate akan sangat besar. Impedansi
input transistor FET umumnya bisa mencapai satuan MOhm. Sebuah transistor JFET
diketahui arus gate 2 nA pada saat tegangan reverse gate 4 V, maka dari hukum Ohm dapat
dihitung resistansi input transistor ini adalah : Rin = 4V/2nA = 2000 Mohm
 Karena struktur yang sama, terminal drain dan source untuk aplikasi frekuensi rendah
dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak demikian untuk aplikasi frekuensi tinggi.
Umumnya JFET untuk aplikasi frekuensi tinggi memperhitungkan kapasitansi bahan antara
gate dengan drain dan juga antara gate dengan source. Dalam pembuatan JFET, umumnya
ada perbedaan kapasitansi gate terhadap drain dan antara gate dengan source.

Karakteristek Junction Field-Effect Transistor JFET

Beberapa karakteristik JFET adalah sebagai berikut :

Dibuat saluran tipis dari sumber (source) S ke saluran/pembuangan (drain)D.

Sekeliling saluran (channel) berupa sambungan p-n dengan panjar mundur pada
daerah deplesi.
Lebar daerah deplesi akan bertambah jika tegangan sambungan dibuat lebih negatif.
Kemampuan saluran untuk menghantar (dalam hal ini saluran-n) tergantung lebarnya.
Lebar saluran dapat diubah-ubah dengan mengatur lebar daerah deplesi yaitu
sepanjang sambungan panjar-mundur.
Lebar dari daerah deplesi atau kemampuan menghantar pada saluran dapat dikontrol
dengan memberikan tegangan eksternal pada gerbang (gate) G.

Arus yang mengalir pada saluran adalah berupa pembawa muatan yang bergerak
(mobile), yaitu dalam hal ini berupa elektron. Perhatikan bahwa tanda panah pada simbol
selalu mengarah ke material tipe-n; dengan demikian dapat dibuat juga jenis saluran-p.
Dengan > 0 DS v , ujung D akan positif terhadap S dan elektron akan mengalir dari S ke D
atau muatan positif mengalir dari D ke S dan arus drain D i berharga positif.

Prinsip Kerja JFET Kanal P dan Kanal N

Seperti Transisitor BJT, jenis Transistor JFET kanal n dan kanal p mempunyai
struktur yang sama namun berbeda pada susunan semikonduktor p dan semikonduktor n nya,
oleh karena itu Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n,
hanya saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas
tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n.
Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.
 JFET mempunyai empat daerah operasi antara lain:
Ohmic Region Ketika VGS = 0 celah deplesi dari kanal sangat kecil, pada daerah
ini karakteristik JFET mengikuti Hukum Ohm.
Cut-off Region Daerah ini juga dikenal dengan pinch-off region dimana tegangan
Gaete,pada daerah ini JFET bersifat seperti rangkaian terbuka (open circuit) dimana
kanal mencapai resistansi maksimum.
Saturation or Active Region JFET menjadi konduktor yang dikontrol oleh tegangan
Gate-Source, ( VGS ).
Breakdown Region Tegangan antara Drain dan Source, ( VDS ) sangat tinggi
sehingga bisa menyebabkan transistor rusak dan menyebabkan araus maksimal yang
tidak terkontrol.

Karakteristek Depletion Junction Field-Effect Transistor JFET

Gambar 3 :Karakteristik Depletion JFET

Pada tegangan yang lebih tinggi, karakteristik diperumit oleh adanya ketidak
simetrian daerah deplesi. S akan lebih positif terhadap G dan D akan lebih positif terhadap S.
Karenanya dekat ujung D dan saluran menjadi paling positif terhadap G, panjar mundur
menjadi terbesar, dan daerah deplesi menjadi paling lebar. Dengan menurunnya vDS, panjar
mundur meninggi sampai kedua daerah deplesi hampir bertemu, terdapat kecenderungan
untuk mencomot (pinch-off) saluran konduksi. Pada gambar diatas, tegangan pinch-off vp
untuk = 0 vGS adalah sekitar 5 V. Di atas pinch-off , kenaikan vDS akan menurunkan lebar
saluran, membuat offset kenaikan kerapatan arus akibat kenaikan tegangan D-S, dan kurva
iD akan menjadi datar.

Karena tegangan saluran-G menentukan lebar lapisan deplesi, dengan adanya

tegangan negatif yang dikenakan pada G, pinch-off terjadi tegangan D-S yang rendah dan
arus D berharga rendah. Perhatikan bahwa untuk vGS = 0 pada gambar diatas, harga vDS
5V memberikan tegangan saluran-G sebesar 5 V dan pinch-off terjadi; jika vGS = -4V,
pinch-off terjadi pada vDS 2V dimana tegangan saluran-G sama dengan Vp. Di atas pinch-
off kurva arus relatif datar sampai tegangan G-D mencapai suatu harga terjadinya patahan
avalanche. Bagian kurva karakteristik i-v dimana iD hampir tidak tergantung pada vDS
disebut arus-tetap atau daerah jenuh (saturation region).

Data Sheet JFET

Seperti juga transistor bipolar maka komponen JFET juga memiliki lembaran data
yang menunjukkan karakteristik dari komponen tersebut. lihat lah datasheet JFET 2N5457.

Gambar 4 : JFET 2N5457

 DAFTAR PUSTAKA

Albert Paul Malvino, M. Barmawi, M.O. Tjia, 1986, Prinsip-Prinsip Elektronika, Jilid 1,
Edisi ketiga, Erlangga, Jakarta.
Michael Tooley, Irzam Harmein, 2003, Rangkaian Elektronik Prinsip dan Aplikasi, edisi
kedua, Erlangga, Jakarta.
Robert T. Paynter, 2006, Introductory Electronic Devices and Circuits Conventional
Current Flow, seventh edition, Prenhall Inc. New Jersey USA.
Thomas Floyd, David Buchla, 2002, Fundamentals of Analog Circuits, second edition,
Prentice Hall Inc. New Jersey, USA