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Jos Simancas
Corporacin Universidad de la Costa
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Artculo de Investigacin Cientfica - Fecha de recepcin: 20 de junio de 2012 - Fecha de aceptacin: 20 de marzo de 2013
J. L. Simancas, Diseo de un amplificador operacional CMOS de amplio ancho de banda y alta ganancia para aplica-
ciones de alta velocidad, INGE CUC, vol. 9, no. 1, pp. 163-182, Jun 2013.
RESUMEN
Se disea un amplificador operacional de topologa estndar CMOS con proceso
tecnolgico de 0,12 um, de gran ancho de banda (97 MHz) y alta ganancia (136 dB),
para ser utilizados en la elaboracin de filtros activos integrados. Para tal fin se
realiza inicialmente un estudio terico de los diferentes conceptos relacionados con
el funcionamiento de los amplificadores operacionales, segn se presenta en la lite-
ratura para la tecnologa CMOS. Posteriormente se establecen las especificaciones
de un amplificador para una aplicacin en filtros activos y se disea aquel. Luego se
muestra el correcto funcionamiento del circuito diseado a travs de simulaciones
en el software de aplicacin Multisim de NI, y se verifica si se cumplen las espe-
cificaciones evaluadas de ancho de banda y ganancia. Por ltimo, se presenta un
cuadro comparativo que permite contrastar los resultados obtenidos en este trabajo
con los exhibidos por un diseo acadmico y un amplificador operacional comercial.
Palabras clave
Amplificadores operacionales, filtros activos, topologa cascodo, microelectrnica.
1 Este trabajo fue realizado como parte de las actividades de investigacin del Grupo de Investigacin GIACUC, del
programa de Ingeniera Electrnica de la Corporacin Universidad de la Costa.
163
DISEO DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL CMOS DE AMPLIO ANCHO DE BANDA
Y ALTA GANANCIA PARA APLICACIONES DE ALTA VELOCIDAD
ABSTRACT
A standard topology CMOS operational amplifier is designed with 0.12 um technolo-
gical process, and wideband (97 MHz) and high gain (136 dB) to be used in the ma-
nufacturing of embedded active filters. For this goal, it is necessary to make a theo-
retical study of the different concepts related to the work of operational amplifiers
according to the CMOS technological literature. After that, technical specifications
are established for active filter implementation for its subsequent design. Then, the
correct performance of the designed circuit is presented through simulations on the
NI MULTISIM software to verify if the technical specifications regarding wide-
band and gain were accomplished. Finally, a comparative table is presented to allow
the reader to contrast the results obtained in this paper with the ones showed by an
academic design and a commercial operational amplifier.
Keywords
Operational amplifier, active filters, cascode topology, microelectronics.
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DISEO DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL CMOS DE AMPLIO ANCHO DE BANDA
Y ALTA GANANCIA PARA APLICACIONES DE ALTA VELOCIDAD
tinuacin estn los resultados del diseo por parte del circuito obtenido. Se pre-
propuesto a travs de simulaciones de- sentan en este artculo las grficas arro-
talladas por computador. Por ltimo, se jadas por la herramienta de simulacin y
relacionan las conclusiones. se condensan despus los resultados de
las especificaciones en una tabla para ser
comparados con los objetivos propuestos
METODOLOGA DE TRABAJO para el diseo, y de esa manera compro-
bar que se lleg a la solucin correcta.
Esta investigacin se llev a cabo por la
Las simulaciones se ejecutaron a nivel
necesidad de disear un amplificador
de transistores, utilizando un modelo de
operacional CMOS de amplio ancho de
MOSFET BSIM3, de la Universidad de
banda para uso en filtros activos integra-
Berkeley, y para un proceso tecnolgico
dos. Como actividad inicial se estudiaron
descrito posteriormente. Los resultados
las especificaciones de inters en los am-
del diseo propuesto en esta investiga-
plificadores operacionales y los mtodos
cin son luego comparados con los re-
de diseo bsico de los mismos, que se
sultados de un diseo de tipo acadmico
presentan en los libros de diseo micro-
[15] y los de un amplificador operacional
electrnico [1], [2]. Posteriormente se es-
comercial [16]. Una ltima etapa, no in-
tudiaron referencias ms especializadas
cluida en este artculo, fue la inclusin
[3]-[9]. Estudiado el caso particular pre-
de este diseo en el sistema propuesto en
sentado en [14], se establecieron las espe-
[14], cuyos resultados se presentarn en
cificaciones particulares requeridas por
un prximo trabajo.
el diseo y se seleccion el mtodo ms
adecuado para llevarlo a cabo.
El proceso de diseo de este tipo de cir-
DISEO DE AMPLIFICADORES
cuitos es iterativo, y en ocasiones se debe OPERACIONALES
emplear el ensayo y el error, y se vuelve
a empezar hasta que se va logrando el El amplificador operacional se ha trans-
cumplimiento de los parmetros objeti- formado en uno de los bloques constituti-
vo. Una visin simplificada del proceso vos ms importantes en el diseo anal-
de diseo puede ser el establecimiento de gico. Este dispositivo es denominado un
la geometra inicial de los transistores circuito electrnico complejo, en un nivel
que componen el amplificador operacio- superior al de los sub-circuitos analgi-
nal y la posterior variacin de aquella cos, hasta el punto de que su estructura
hasta que se logra el cumplimiento de es una combinacin de estos sub-circui-
las especificaciones. Las dos especifica- tos. Un amplificador operacional consiste
ciones principales de inters son el ancho de una etapa de entrada diferencial se-
de banda y la ganancia del circuito. Una guida de una etapa de amplificacin de
vez obtenido el diseo final, se llevaron a alta ganancia. Esta ltima se conecta
cabo una serie de simulaciones de algu- a su vez a una etapa de salida que ade-
nas configuraciones de circuito para la ms de adecuar la impedancia, hace los
medicin de parmetros en el software ajustes a los niveles de tensin continuo
de aplicacin Multisim de National Ins- para que en reposo mantenga una ten-
sin nula. Como elementos adicionales,
truments, que evidenciaban el cumpli-
el amplificador operacional posee refe-
miento de las especificaciones de diseo
166
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Vdd
Q8 Q5 Q7
PMOS PMOS PMOS
(-) Q1 Q2 (+)
PMOS PMOS R
Cc
Iref
Q6
NMOS
Q3 Q4
NMOS NMOS
Vss
rencias de tensin y espejos de corrien- Como se sabe del estudio de los amplifi-
te utilizados para polarizar las diferen- cadores diferenciales con cargas activas,
tes etapas que lo componen. En la Fig. los valores de los parmetros expuestos
1 se muestra un esquema general de un en (1) se determinan as:
amplificador operacional [1], [2]. A conti-
nuacin se describen las especificaciones
principales de un amplificador operacio- (2)
nal, las cuales estn en funcin de unas
relaciones geomtricas de los transisto-
res que lo componen. (3)
Ganancia de DC
La ganancia de la segunda etapa est
Esta especificacin se divide en dos par- determinada por la ecuacin (4).
tes: una ganancia de la etapa de entrada
diferencial y la ganancia de la etapa de (4)
salida [7]. La ganancia total del circuito
es el producto de las dos antes mencio- Como es sabido, para este tipo de siste-
nadas [8]. La ganancia de la etapa di- mas, la ganancia global viene dada por:
ferencial, que se encuentra formada por
los transistores M1 y M2 y que tiene A = A1 A2 (5)
como carga activa a la fuente de corrien-
te formada por M3 y M4, viene dada por:
Ahora, haciendo uso de (1), (2), (3) y (4), y
(1)
un poco de manipulacin algebraica que
se omite aqu por simplicidad, se obtie-
nen las siguientes expresiones:
167
DISEO DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL CMOS DE AMPLIO ANCHO DE BANDA
Y ALTA GANANCIA PARA APLICACIONES DE ALTA VELOCIDAD
(10)
(7)
(11)
Hasta aqu, se obtuvieron las expresio-
nes de ganancia para cada una de las Entonces se debe ajustar la tensin VGS3
-
etapas del amplificador operacional. para que cumpla con el CMR especifi-
Usando (5), (6) y (7), se pudo encontrar cado. Ahora, para determinar CMR+ se
una ecuacin para la ganancia total del tiene la siguiente expresin:
sistema en DC:
(12)
168
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Cc
+ + +
R1 C1 Gm2Vi2 R2 C2
Vid Gm1Vid Vi2 Vo
- -
-
Fig. 2. Circuito equivalente de pequea seal del amplificador operacional CMOS sin la inclusin de R [6]
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Y ALTA GANANCIA PARA APLICACIONES DE ALTA VELOCIDAD
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R Cc
+ + +
R1 C1 Gm2Vi2 R2 C2
Vid Gm1Vid Vi2 Vo
- -
-
Fig. 3. Circuito equivalente de pequea seal del amplificador operacional CMOS con la inclusin de R [6]
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Y ALTA GANANCIA PARA APLICACIONES DE ALTA VELOCIDAD
M8 M5 M7
PMOS PMOS PMOS
R1
1k
M1 M2 (+)
M12 PMOS PMOS Out
NMOS
(-)
M13
NMOS C1
0.443nF
M14
NMOS M9
NMOS
M10
NMOS
M3 M4 M6
M11 NMOS NMOS NMOS
NMOS
Vss
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DISEO DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL CMOS DE AMPLIO ANCHO DE BANDA
Y ALTA GANANCIA PARA APLICACIONES DE ALTA VELOCIDAD
PRUEBAS Y RESULTADOS
Llegado este punto, es preciso realizar
pruebas al amplificador operacional a
nivel de transistores, y con ellas verifi-
car el funcionamiento especificado para
el mismo. Como ya se dijo en la meto-
dologa, estas pruebas se realizaron
por medio de simulaciones de circuitos Fig. 5. Configuracin lazo abierto del amplificador
operacional
en el software Multisim de National
Instruments, y basadas en un mode-
lo de MOSFET BSIM3 y en el proceso superado el valor especificado de 85 dB,
tecnolgico presentado en la seccin de lo que resulta satisfactorio porque acer-
diseo. La primera prueba que se rea- ca an ms al comportamiento ideal del
liz fue el anlisis para la obtencin de circuito. Ambas grficas se muestran en
la ganancia en DC. Para realizar esta la Fig. 6.
simulacin, el amplificador operacional
La siguiente prueba fue el clculo del
estaba en lazo abierto, como se muestra ancho de banda de ganancia unitaria.
en la Fig. 5, y se calcul su respuesta Para llevar a cabo esto, se configur el
en frecuencia, tanto en magnitud como amplificador operacional como seguidor,
en fase, de all se pudo extraer la ga- tal como se muestra en la Fig. 7, y se
nancia buscada, la cual tena un valor calcul su repuesta en frecuencia. Los
de 132,59 dB. Como se puede notar, fue resultados se visualizan en la Fig. 8.
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DISEO DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL CMOS DE AMPLIO ANCHO DE BANDA
Y ALTA GANANCIA PARA APLICACIONES DE ALTA VELOCIDAD
Fig. 10. Seal rampa de entrada al amplificador operacional para medir los lmites mximos
de la seal de entrada antes de la saturacin
Fig. 11. Seal de salida del amplificador operacional que establece los lmites mximos
de la seal de entrada antes de la saturacin.
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DISEO DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL CMOS DE AMPLIO ANCHO DE BANDA
Y ALTA GANANCIA PARA APLICACIONES DE ALTA VELOCIDAD
Fig. 14. Seal rampa de entrada al amplificador operacional inversor con realimentacin resistiva
Fig. 15. Seal de salida del amplificador operacional inversor con realimentacin resistiva
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Tabla IV. Comparativa entre los valores de los parmetros especificados durante el diseo
y los obtenidos en las simulaciones
Amplificador
Diseo Diseo
Parmetro Operacional
Propuesto presentado en [15]
Comercial [16]
Proceso Tecnolgico CMOS 0.12 um CMOS 1.6 um Bipolar
Ganancia en DC 132.59 dB 90 dB 3 dB
Rango de Entrada en Modo Comn
Positivo 1.5 V - -
Negativo -1.5 V - -
Intervalo de Tensin de Salida
Positivo 1.5 V 2.1 V 5V
Negativo -1.5 V -2.1 V -5 V
Ancho de Banda de Ganancia
97.69 MHz 116 MHz 1.2 GHz
Unitaria
Tiempo de Establecimiento
Paso de Salida 0V a 1V 30 ns 62 ns 6 ns
Paso de Salida 1V a 0V 17.36 ns 61.5 ns 6 ns
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DISEO DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL CMOS DE AMPLIO ANCHO DE BANDA
Y ALTA GANANCIA PARA APLICACIONES DE ALTA VELOCIDAD
particular en la que se requiera, razn [5] J. Solomon, The monolithic op amp: A tuto-
por la cual existen tantos modelos de rial study. IEEE journal of solid-state cir-
amplificadores operacionales diferentes. cuits. Vol. SC-9, No. 6, (December, 1974); pp.
314-332.
[6] A. Rubio et al., Diseo de circuitos y sistemas
AGRADECIMIENTOS
integrados. Mxico, Alfaomega, 2005. 446 p.
Se hace una dedicatoria especial de [7] S. Franco, Design with operational am-plifiers
este trabajo a Abyghail Simancas Hei- and analog integrated circuits. Third Edition.
ne, hija del autor, cuyo nacimiento es lo United States, McGraw-Hill, 2002. 680 p.
mejor que le ha pasado en la vida y es [8] P. Gray and R. Meyer, Analysis and Design
la fuente de inspiracin de todo cuanto of Analog Integrated Circuits. Third Edition.
hace. El autor agradece a la Universidad United States, Prentice-Hall. 1993. 792 p.
de la Costa la oportunidad de llevar a
cabo estas investigaciones dentro de las [9] Application Note 1108. Understanding Single-
actividades del grupo de Investigacin Ended, Pseudo-Differential and Fully-Diffe-
GIACUC, porque si bien este diseo no rential ADC Inputs. MAXIM.
estaba asociado a los proyectos que ac- [10] MT-044TUTORIAL. Op Amp Open Loop
tualmente adelanta el equipo, el apoyo Gain and Open Loop Gain Nonlinearity. Ana-
y recomendaciones de cada uno de sus log Devices.
miembros fueron muy tiles, especial- [11] T. H. Lee, IC Op-Amps through the Ages. Nov-
mente en momentos en que el trabajo ember 18, 2002.
resultaba frustrante, as como la dispo-
[12] W. G. Jung, Op Amp Applications Handbook.
nibilidad de tiempo proporcionada.
Newnes, 2004.
[13] J. L. Simancas, Diagnstico de circuitos
REFERENCIAS integrados analgicos y de comunicaciones.
IngeUAN. Vol. 1, No. 2, 2011.
[1] A. Sedra and K. Smith, Circuitos microelectr-
nicos. 4 ed. Mxico: Oxford University, 1998. [14] J. L. Simancas, Bloque funcional para prue-
1232 p. bas de circuitos integrados analgicos y de se-
al mezclada. Tesis de Grado. Universidad del
[2] M. Rashid, Circuitos microelectrnicos: Anli-
Norte. Barranquilla, Colombia, 2006.
sis y diseo. Mxico: International Thomson,
1999. 990 p. [15] K. Bult and G. J. G. M. Geelen, A fast-settling
CMOS op amp for SC circuits with 90-dB DC
[3] R. Ruiz, Notas de clase del curso tcnicas de
gain. IEEE Journal of Solid-State Circuits.
anlisis y diseo electrnico UPCT. 179 p. Ma-
Vol. 25, No. 6 (1990). pp. 1379-1384.
terial no publicado.
[16] National Semiconductor Corporation, Comli-
[4] P. Gray and R. Meyer, MOS Operational am-
near CLC449 1.2 GHz Ultra-Wideband Mono-
plifier design: A tutorial overview. IEEE jo-
lithic Op Amp. United States, August 1996.
urnal of solid-state circuits. Vol. SC-17, No. 6,
(December, 1982), pp. 969-982.
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