Estructura molecular

a estructura molecular puede ser descrita de diferentes formas. Lafrmula qumica es til para
molculas sencillas, como H2O para el agua o NH3 para el amonaco. Contiene los smbolos de los
elementos presentes en la molcula, as como su proporcin indicada por los subndices.
Para molculas ms complejas, como las que se encuentran comnmente en qumica orgnica, la
frmula qumica no es suficiente, y vale la pena usar una frmula estructural, que indica
grficamente la disposicin espacial de los distintos grupos funcionales. Cuando se quieren
mostrar variadas propiedades moleculares... (como el potencial elctrico en la superficie de la
molcula), o se trata de sistemas muy complejos, como protenas, ADN o polmeros, se utilizan
representaciones especiales, como los modelos tridimensionales(fsicos o representados por
ordenador).

Modelo de Bohr
Un tomo tiene una dimensin del orden de 10-9 m. Est compuesto por un ncleo relativamente
pesado (cuyas dimensiones son del orden de 10-14 m) alrededor del cual se mueven los
electrones, cada uno de carga e (1.6 10-19 C), y de masa me (9.110-31 kg).

El ncleo est compuesto por protones y neutrones. El nmero Z de protones coincide con el
nmero de electrones en un tomo neutro. La masa de un protn o de un neutrn es
aproximadamente 1850 veces la de un electrn. En consecuencia, la masa de un tomo es
prcticamente igual a la del ncleo.

Sin embargo, los electrones de un tomo son los responsables de la mayora de las propiedades
atmicas que se reflejan en las propiedades macroscpicas de la materia.

El movimiento de los electrones alrededor del ncleo se explica, considerando solamente las
interacciones entre el ncleo y los electrones (la interaccin gravitatoria es completamente
despreciable).

En el modelo de Bohr, solamente estn permitidas aquellas rbitas cuyo momento angular est
cuantizado.

n es un nmero entero que se denomina nmero cuntico, y h es la constante de Planck

6.625610-34 Js

Los radios de las rbitas permitidas son

donde a0 se denomina radio de Bohr. a0 es el radio de la rbita del electrn del tomo de
Hidrgeno Z=1 en su estado fundamental n=1.
La energa total es

En una rbita circular, la energa total E es la mitad de la energa potencial

La energa del electrn aumenta con el nmero cuntico n.

La primera energa de excitacin es la que lleva a un tomo de su estado fundamental a su primer

(o ms bajo) estado excitado. La energa del estado fundamental se obtiene con n=1, E1= -13.6 eV
y la del primer estado excitado con n=2, E2=-3.4 eV. Las energas se suelen expresar en electrn-
voltios (1eV=1.6 10-19 J)

Enlace inico
Este enlace se produce cuando tomos de elementos metlicos se encuentran con tomos no
metlicos.

En este caso los tomos del metal ceden electrones a los tomos del no metal, transformndose
en iones positivos y negativos, respectivamente. Al formarse iones de carga opuesta stos se
atraen por fuerzas elctricas intensas, quedando fuertemente unidos y dando lugar a un
compuesto inico. Estas fuerzas elctricas las llamamos enlaces inicos.

Enlace covalente
Los enlaces covalentes son las fuerzas que mantienen unidos entre s los tomos no metlicos (los
elementos situados a la derecha en la tabla peridica -C, O, F, Cl, ...).

Estos tomos tienen muchos electrones en su nivel ms externo (electrones de valencia) y tienen
tendencia a ganar electrones ms que a cederlos, para adquirir la estabilidad de la estructura
electrnica de gas noble. Por tanto, los tomos no metlicos no pueden cederse electrones entre
s para formar iones de signo opuesto.

En este caso el enlace se forma al compartir un par de electrones entre los dos tomos, uno
procedente de cada tomo. El par de electrones compartido es comn a los dos tomos y los
mantiene unidos, de manera que ambos adquieren la estructura electrnica de gas noble. Se
forman as habitualmente molculas: pequeos grupos de tomos unidos entre s por enlaces
covalentes.

Enlace metlico
El enlace metlico ocurre entre dos tomos de metales. En este enlace todos los tomos envueltos
pierden electrones de sus capas ms externas, que se trasladan ms o menos libremente entre
ellos, formando una nube electrnica (tambin conocida como mar de electrones).
Conductividad
La conductividad es el nombre que designa a una propiedad fsica que est presente en algunos
cuerpos, materiales o elementos y que hace que los mismos sean capaces de conducir a travs de
ellos a la electricidad o al calor. Es decir, aquellos materiales conductores de electricidad o de calor
tienen la facilidad de dejar pasar libremente a travs de ellos a la corriente elctrica.

Ahora bien, existen condiciones bsicas que determinan esa capacidad conductora y que son la
estructura molecular y atmica, la temperatura que presentan ese cuerpo o material y algunas
otras caractersticas particulares.

En tanto, en materia de conductividad se destacan sin dudas los metales, por su elevada
conduccin de la electricidad gracias a su estructura atmica que as lo facilita.

Cabe destacarse que el mecanismo de la conductividad variar en relacin al estado en el que se

presente la materia... por ejemplo, no ser igual la metodologa si se trata de una materia slida o
en su defecto si se trata de un lquido.

Los elementos lquidos disponen de sales que son determinantes en la conductividad. Las mismas
se encuentran en momento de solucin, generndose tanto iones positivos como negativos que se
ocupan de trasladar la energa cuando ese lquido es influido por un campo elctrico. A los
conductores en este sentido se los conoce popularmente como electrolitos.

Mientras que en los materiales slidos cuando estn sometidos a un campo elctrico son sus
bandas de electrones que se superponen y liberan la energa al encontrarse con el mencionado
campo. Y en lo que respecta a la conduccin del calor hablamos formalmente de conductividad
trmica. Hay cuerpos que disponen de una capacidad especial para conducir el calor. Consiste
bsicamente en que un elemento o sustancia transmite la energa cintica (propia de su
movimiento) desde sus molculas hacia otras que se encuentran cercanas pero con las que no est
en contacto directo.

Por qu los electrones buscan tierra?

Lo que ocurre es que la Tierra, el planeta, es un gigantesco depsito de cargas positivas y

negativas en razn de sus componentes atmicos (protones y electrones).
Eso genera una diferencia de potencial entre la Tierra y cualquier punto elctricamente cargado,
de modo que cuando es posible se genera una corriente desde el polo positivo (las cargas
negativas en exceso) y el polo negativo (las cargas negativas en defecto). Siempre circularn
electrones negativos, por supuesto. Lo harn desde el polo ms positivo al menos positivo (a veces
neutro).
Fjate en los rayos. Una nube positiva (con exceso de electrones) los descargar hacia algn punto
del lugar en el que se facilite el ingreso de ellos: un pararrayos, un alambre, un bol. (recuerda que
la electricidad tiende a circular hacia y desde los objetos puntiagudos) y eso har que "caiga" un
rayo desde la nube hacia la Tierra. Pero si la nube es negativa (con defecto de electrones)
entonces partirn desde el objeto puntiagudo terrestre electrones hacia esa nube y eso har que
"suba" un rayo. Un rayo es simplemente una chispa que salta cuando puede romper la capacidad
aislante del aire, al que comprime violentamente generando un ruido que llamas "trueno".
Cuando un rayo salta de una nube con exceso negativo a una nube con defecto relativo se produce
un "relmpago" con su correspondiente "trueno".

Lo que dices de la mayor intensidad a menor resistencia es la famosa ley de Ohm, para un
determinado voltaje (diferencia de potencial) constante.

Eso que pasa entre las cargas elctricas y la Tierra se facilita si en vez de aire colocas un metal
conductor entre ambas. Es el fundamento de la corriente elctrica.

Arco elctrico
Un arco elctrico se define como un tipo de explosin elctrica, debida a un cortocircuito
sostenido en el tiempo a travs del aire ionizado. Este es causado por una rpida liberacin de
energa debido a una deficiencia en el aislamiento elctrico entre una parte energizada y otra a
otro potencial (falla entre barras, falla a tierra, fallas fase-neutro). Un arco elctrico se genera
generalmente a partir de un error en la manipulacin de los sistemas elctricos o bien por la falla
en los aislamientos elctricos en un punto determinado de un sistema elctrico.

En el momento de un arco elctrico, las temperaturas pueden alcanzar hasta 20.000C. Esta
descarga repentina de energa tiene la capacidad de destruir barras de cobre o aluminio (usadas
generalmente para la distribucin de energa) hasta su fase de vaporizacin. El resultado es un
aumento brusco del volumen de los materiales contenidos en en el aire (explosin), la explosin
de arco, estimada en una expansin de 40.000 a 1. Una explosin de arco puede devastar todo a
su paso, produce los niveles de sonido superiores a 120 dB, y puede crear una metralla mortal
durante su ocurrencia.

Un arco elctrico puede ser causado por distintos factores. Estos incluyen los accidentes, fallas de
equipos, y procedimientos de trabajo inadecuado. Los accidentes pueden incluir herramientas que
se dejan caer, ponerse en contacto accidental con elementos energizados o la acumulacin de
polvo conductor (residuos de metal, polvo conductor), suciedad, corrosin, y acumulacin de otras
partculas. Las fallas en los sistemas elctricos pueden incluir fallas en cualquiera de los equipos
elctricos o en el aislamiento de los mismos. Un arco elctrico tambin puede ser causado por el
uso indebido o el diseo inadecuado de equipos elctricos, incluidos los errores de cableado, y los
procedimientos de trabajo inapropiados.

Se estima que el 80% de los accidentes de trabajo en sistemas elctricos tienen asociados arcos
elctricos y en un menor porcentaje incluyen quemaduras y/o lesiones causadas por la exposicin
directa al calor intenso, a la lluvia de metal fundido o residuos o bien por las quemaduras
indirectas de la ropa que el afectado viste al momento de un arco elctrico. Adems se produce
humo txico, una onda expansiva termoacstica, la creacin de un destello intenso (flash). Este
destello causa lesiones y/o daos a la visin de forma inmediata y pueden aumentar el riesgo de
un trabajador de deterioro de la visin futura.

Las lesiones en el trabajo elctrico se producen cada ao y muchos de los trabajadores son
enviados a centros hospitalarios con graves quemaduras en la piel y otras lesiones que inclusive
conllevan a la invalidez. Por ejemplo entre 2004 y 2008, la provincia de Alberta (en Canad) se
presentaron 178 heridos y 10 muertes relacionadas con accidentes elctricos. En los Estados
Unidos, 4.000 accidentes generaron lesiones no invalidantes y 3.600 generaron lesiones
incapacitantes (definidas como una lesin que impide a un trabajador regresar al trabajo de forma
temporal o definitiva). Se ha estimado que, cada da, una persona muere a causa de un accidente
elctrico. Las vctimas de accidentes elctricos suelen experimentar sensibilidad al fro de toda la
vida, la movilidad impedida, y otras discapacidades fsicas.

Un arco elctrico es una explosin potencialmente mortal que causa el calor intenso, ondas de
choque termoacstica, metralla, destello intenso y el humo txico. El arco es causado por una
rpida liberacin de energa debido a un error o falla de los aislamientos entre dos barras
elementos a distinto potencial.

La posibilidad de un evento de arco elctrico en el lugar de trabajo supone un riesgo importante

para los trabajadores en forma de lesiones o incluso la muerte y de all la aparicin de una
variedad de estndares y reglamentos de seguridad que buscan proteger a los trabajadores de los
peligros asociados con un arco. Los anlisis de arco elctrico en su fin ltimo buscan seleccionar
apropiadamente las protecciones elctricas y los elementos de proteccin personal adecuados
para intervenir un punto en un sistema elctrico de forma segura a la vez que permiten cumplir
con la identificacin de los equipos o puntos del sistema que reglamentariamente se exigen para
todos los sistemas elctricos.

Rigidez dielctrica
Entendemos por rigidez dielctrica o rigidez electrosttica el valor lmite de la intensidad del
campo elctrico en el cual un material pierde su propiedad aisladora y pasa a ser conductor. Se
mide en voltios por metro V/m (en el SI). Tambin podemos definirla como la mxima tensin que
puede soportar un aislante sin perforarse. A esta tensin se la denomina tensin de rotura de un
dielctrico.

El trmino rigidez se utiliza porque cuando la materia transmite energa, vibra en su extensin
llevando su mensaje de una molcula a otra. Cuando no vibra, pues est rgida y no transmite
nada. Cuanto ms rgida es, ms aislante resulta. Se denomina dielctricos a los materiales que no
conducen la electricidad, por lo que se pueden utilizar como aislantes elctricos.

Algunos ejemplos de este tipo de materiales son el vidrio, la cermica, la goma, la mica, la cera, el
papel, la madera seca, la porcelana, algunas grasas para uso industrial y electrnico y la baquelita.

Resistencia de aislamiento
La resistencia del aislamiento es un indicador de resistencia paralelo con relacin a la resistencia
medida, que en consecuencia llega a disminuir la temperatura indicada. En la produccin y en la
aplicacin de los termmetros de resistencia hay que considerar la importancia de asegurar una
suficientemente alta resistencia del aislamiento entre alambres y la vaina protectora del sensor,
as como entre los respectivos alambres. La norma DIN EN 60751 exige que la resistencia del
aislamiento que debe ser alcanzada, ha de ser medida a una temperatura de ambiente (15C do
35C) con tensin continua (de 10 a 100 V), a una humedad relativa del aire <80% y deber tener el
valor mnimo de 100 ohmios.
Como con el aumento de temperatura baja la resistencia del aislamiento dependiendo de la
temperatura, la resistividad del aislamiento tambin fue adecuadamente determinada en las
normas. La medicin deber ser realizada a una corriente continua de 10 V como mximo entre
todos los alambres y el tubo de proteccin.

Nanotecnologa
La nanotecnologa es la manipulacin de la materia a escala nanomtrica. La ms temprana y
difundida descripcin de la nanotecnologa se refiere a la meta tecnolgica particular de manipular
en forma precisa los tomos y molculas para la fabricacin de productos a microescala, ahora
tambin referida como nanotecnologa molecular. Subsecuentemente una descripcin ms
generalizada de la nanotecnologa fue establecida por la Iniciativa Nanotecnolgica Nacional, la
que define la nanotecnologa como la manipulacin de la materia con al menos una dimensin del
tamao de entre 1 a 100 nanmetros. Esta definicin refleja el hecho de que los efectos de la
mecnica cuntica son importantes a esta escala del dominio cuntico y, as, la definicin cambi
desde una meta tecnolgica particular a una categora de investigacin incluyendo todos los tipos
de investigacin y tecnologas que tienen que ver con las propiedades especiales de la materia que
ocurren bajo cierto umbral de tamao. Es comn el uso de la forma plural de "nanotecnologas"
as como "tecnologas de nanoescala" para referirse al amplio rango de investigaciones y
aplicaciones cuyo tema en comn es su tamao. Debido a la variedad de potenciales aplicaciones
(incluyendo aplicaciones industriales y militares), los gobiernos han invertido miles de millones de
dlares en investigacin de la nanotecnologa. A travs de su Iniciativa Nanotecnolgica Nacional,
Estados Unidos ha invertido 3,7 mil millones de dlares. La Unin Europea ha invertido 1,2 mil
millones y Japn 750 millones de dlares.

Nano es un prefijo griego que indica una medida (10-9 = 0,000 000 001), no un objeto; de manera
que la nanotecnologa se caracteriza por ser un campo esencialmente multidisciplinar, y
cohesionado exclusivamente por la escala de la materia con la que trabaja.

La nanotecnologa definida por el tamao es naturalmente un campo muy amplio, que incluye
diferentes disciplinas de la ciencia tan diversas como la ciencia de superficies, qumica orgnica,
biologa molecular, fsica de los semiconductores, microfabricacin, etc. Las investigaciones y
aplicaciones asociadas son igualmente diversas, yendo desde extensiones de la fsica de los
dispositivos a nuevas aproximaciones completamente nuevas basadas en el autoensamblaje
molecular, desde el desarrollo de nuevos materiales con dimensiones en la nanoescalas al control
directo de la materia a escala atmica.

Actualmente los cientficos estn debatiendo el futuro de las implicaciones de la nanotecnologa.

La nanotecnologa puede ser capaz de crear nuevos materiales y dispositivos con un vasto alcance
de aplicaciones, tales como en la medicina, electrnica, biomateriales y la produccin de energa.
Por otra parte, la nanotecnologa hace surgir las mismas preocupaciones que cualquier nueva
tecnologa, incluyendo preocupaciones acerca de la toxicidad y el impacto ambiental de los
nanomateriales, y sus potenciales efectos en la economa global, as como especulaciones acerca
de varios escenarios apocalpticos. Estas preocupaciones han llevado al debate entre varios grupos
de defensa y gobiernos sobre si se requieren regulaciones especiales para la nanotecnologa.
Varios fenmenos se vuelven pronunciados a medida de que el tamao del sistema disminuye.
Estos incluyen efectos mecnicos estadsticos, as como efectos mecnicos cunticos, por ejemplo
el efecto del tamao del Cuanto donde las propiedades electrnicas de los slidos son alteradas
con grandes reducciones en el tamao de la partcula. Este efecto no se ponen en juego al ir desde
las dimensiones macro a las dimensiones micro. Sin embargo, los efectos cunticos pueden
convertirse en significantes cuando el tamao del nanmetro es alcanzado, normalmente en
distancias de 100 nanmetros o menos, el as llamado dominio cuntico. Adicionalmente, una
variedad de propiedades fsicas (mecnicas, elctricas, pticas, etc.) cambian cuando se les
compara con los sistemas macroscpicos. Un ejemplo es el aumento en la proporcin del rea
superficial al volumen alterando las propiedades mecnicas, termales y catalticas de los
materiales. La difusin y reacciones a nivel de nano escala, los materiales de las nanoestructuras y
de los nanodispositivos con rpido transporte de iones generalmente son conocidas como
nanoinicas. Las propiedades mecnicas de los nanosistemas son de inters en la investigacin de
la nanomecnica. La actividad cataltica de los nanomateriales tambin abren potenciales riesgos
en su interaccin con los biomateriales.

Los materiales reducidos a la nanoescala pueden mostrar propiedades diferentes cuando se les
compara con las que ellos exhiben a macroescala, permitiendo aplicaciones nicas. Por ejemplo,
las substancias opacas pueden convertirse en transparentes (cobre); materiales estables pueden
convertirse en combustible (aluminio); materiales insolubles pueden convertirse en solubles (oro).
Un material tal como el oro, que es qumicamente inerte a escala normales, puede servir como un
potente catalizador qumico a nanoescalas. La mayor parte de la fascinacin con la nanotecnologa
surge de estos fenmenos cunticos y de superficie que la materia exhibe a nanoescala.

Aplicaciones actuales

Nanotecnologa aplicada al envasado de alimentos

La conservacin de los alimentos es una idea que viene desde los inicios de la historia humana. A
partir de la edad prehistrica, la necesidad de mejorar la preservacin del alimento mediante
diferentes tcnicas ha sido un caracterstica del comportamiento humano. Fermentacin,
salinizacin, secado al sol, rostizacin, curado, irradiacin, carbonacin y la adicin de
preservantes qumicos y fsicos, se han desarrollado desde el inicio de la humanidad. Todos estos
mtodos tienen la misma idea central. Evidencia arqueolgica soporta la idea que las tcnicas de
preservacin fueron desarrolladas en las civilizaciones Greca, Romana y Egipcia. Sin embargo, los
diversos mtodos presentan el desafo de mantener las condiciones originales por periodos de
tiempo prolongados.

Los mtodos de envasado de alimentos tienen como objetivo asegurar la calidad de los alimentos
para que permanezcan con sus propiedades de manera intacta. Los principales envases tienen
como objetivo entregar proteccin fsica con el propsito de prevenir la contaminacin de los
alimentos con otros alimentos o con microorganismos.Los materiales de envasado estn
confeccionados preferentemente de materiales biodegradables, con el propsito de reducir la
contaminacin medioambiental. Esta idea se ha llevado a cabo gracias a la introduccin de la
nanotecnologa.
Una de las aplicaciones de la nanotecnologa en el campo de envases para alimentacin es la
aplicacin de materiales aditivados con nanoarcillas, que mejoren las propiedades mecnicas,
trmicas, barrera a los gases, entre otras; de los materiales de envasado. En el caso de mejora de
la barrera a los gases, las nanoarcillas crean un recorrido tortuoso para la difusin de las molculas
gaseosas, lo cual permite conseguir una barrera similar con espesores inferiores, reduciendo as
los costos asociados a los materiales.

Los procesos de incorporacin de las nanopartculas se pueden realizar mediante extrusin o por
recubrimiento, y los parmetros a controlar en el proceso de aditivacin de los materiales son: la
dispersin nanopartculas, la interaccin de las nanopartculas con la matriz, las agregaciones que
puedan tener lugar entre las nanopartculas y la cantidad de nanopartculas incorporada.

Los nanosensores ayudan a detectar cualquier cambio en el color de los alimentos y ayuda a la
deteccin de gases dentro del producto. Estos sensores son usualmente sensibles a gases como el
hidrgeno, sulfuro de hidrgeno, xido de nitrgeno, dixido de sulfuro y amonio. Los
nanosensores son dispositivos que procesan datos capaces de detectar cambios a nivel de luz,
calor, humedad, gases y seales del tipo elctricas y qumicas.

Las nanoemulsiones son utilizadas para producir alimentos para aderezo de ensaladas, aceites
saborizantes, endulzantes y otros- Ayudan en la liberacin de diferentes sabores con la
estimulacin que tienen relacin con calor, pH, ondas de ultrasonidos. etc. Las nanoemulsiones
pueden retener los sabores eficientemente y prevenir la oxidacin y las reacciones enzimticas.
Las nanoemulsiones son creadas principalmente a travs del compromiso de alta energa con
homogeneizacin de alta presin, mtodos de ultrasonido, chorros coaxiales lquidos de alta
velocidad y mtodos con dispositivos de alta velocidad. De forma similar, los mtodos de baja
energa, compromete emulsificacin de membranas, emulsificacin espontnea, desplazamiento
de solventes, punto de inversin de emulsiones y mediante puntos de inversin de fases. Las
nanoemulsiones son creadas por dispersin de la fase lquida en una fase acuosa continua. Los
componentes que son utilizados para la creacin de nanoemulsiones son del tipo lipoflicos.

Nanotecnologa aplicada a la administracin de frmacos

Dentro de las posibilidades de administracin de frmacos, ha surgido la posibilidad de utilizar la

nanotecnologa como un sistema de liberacin del principio activo. En general los vehculos
utilizados para administrar un frmaco, deben ser de baja toxicidad, con propiedades ptimas para
el transporte y liberacin y vida media larga. Ejemplos de nanosistemas son: micelas, liposomas,
dentrmeros, nanopartculas, nanotubos y bioconjugados.

Las nanopartculas son partculas slidas coloidales con un tamao de 1 nm a 1000 nm que son
utilizadas como agentes de administracin de frmacos. Con esto se logra un aumento en la
velocidad de disolucin y el lmite de saturacin de la solubilidad. Existe adems un tipo especial
llamadas, nanopartculas lipdicas slidas (SLN). Estas nanopartculas protegen al principio activo
contra la degradacin qumica, adems de generar una mayor flexibilidad en la modulacin de la
liberacin del frmaco.
Los liposomas son molculas amfiflicas, como los fosfolpidos, que forman vesculas de
membranas en bicapas que pueden llevar a vesculas. Los liposomas son estructuras esfricas
formadas por una o ms capas que contienen en su interior una fase acuosa. Los liposomas se han
utilizado para mejorar el efecto teraputico de frmacos muy potentes. Se considera que este
sistema de distribucin reduce la toxicidad.

Los bioconjugados o conjugados polimricos actan como transportadores y como componentes

biolgicos (pptidos, protenas, nucletidos) que actan como ligandos para efectos teraputicos
especficos o dianas. Un ejemplo de bioconjugados con los productos obtenidos de la adicin de
polietilenglicol (PEG) a frmacos o protenas teraputicas.

Los dendrones o dendrmeros son nanomateriales que pueden incorporar bloques polimricos
sintticos o componentes naturales. Su estructura factorial jerrquica presenta numerosos sitios
de conjugacin para cargos o motivos diana.

Las nanopartculas inorgnicas son nanopartculas construidas a partir de materiales inorgnicos.

Los materiales ms comunes son puntos cunticos junto con oro, plata, xido de hierro o
nanopartculas mesoporosas. Las propiedades caractersticas de cada material son el tamao, la
carga, la qumica de la superficie y la estructura

Uno de los primeros frmacos en nanomedicina que mostr ser seguro para la FDA fue obtenido
por la encapsulaciones de doxorrubicina dentro de los liposomas. Esta nanoformulacin mejor las
caractersticas farmacocinticas y de distribucin de doxorrubicina, lo que lleva a la prolongacin
de la vida media y generar un proceso de acumulacin en el tejido tumoral.

En los ltimos aos se han desarrollado dispositivos implantables de distribucin de frmacos. La

principal funcin de esta nueva tecnologa es la administracin controlada de frmaco durante
varias semanas a meses, de acuerdo las necesidades teraputicas de un paciente individual.
Terapias a largo plazo pueden ayudar a mejorar el cumplimiento y la adherencia de los pacientes a
los tratamientos farmacolgico. Los dispositivos implantables utilizan una estrategia on demand
de los agentes teraputicos y algunas tecnologas ayudaran a controlar la liberacin de manera
remota, mediante radiofrecuencia, energa de ultrasonido y de campos magnticos, se podran
activar y controlar las administraciones. A pesar del gran nmero de estudios reportados acerca de
los dispositivos mdico auto-regulados y de los esfuerzos tecnolgicos, no se ha logrado probar los
beneficios de este tipo de tecnologas.

Nanotecnologa aplicada a la terapia del cncer

Los de distribucin de frmacos aplicados a distribucin sistmica de frmacos antivirales podra
tener ventajas similares a los ejemplos exitosos en la terapia contra el cncer. Los sistemas de
liberacin controlada podra aumentar la vida media de los frmacos, manteniendo
concentraciones plasmticas en niveles teraputicos por periodos de tiempo ms prolongados que
tengan finalmente impactos en la eficacia de la terapia farmacolgica. Adicionalmente se podra
obtener un mejor perfil de seguridad que lleve una mejor adherencia de los pacientes. De manera
especfica, la distribucin dirigida de frmacos antivirales frente a clulas CD4+ y macrfagos,
tanto como la distribucin a rganos de difcil acceso como el cerebro, que podran asegurar la
mantencin de las concentraciones a travs de la generacin de reservas latentes. De forma
conjunta a la mejora de la terapia farmacolgica, ha nacido la idea de lograr realizar terapia gnica
a travs de la nanotecnologa. Al parecer es una promisoria la terapia gnica, en la cual un gen es
insertado dentro de una clula para llevar a un interferencia de los proceso de infeccin o
replicacin. Existe evidencia que indica que el silenciamiento de genes podra ser una potencial
herramienta para atacar los genes de inters. Se ha descrito tambin que podra ser posible
generar vacunas que sean eficaces y seguras en contra del VIH/SIDA. Es posible utilizar antgenos
encapsulados en su centro desde los cuales las clulas presentadoras de antgenos pueden
procesar, presentar y cross-presentar antgenos a las clulas CD4+ y CD8+, respectivamente, o
absorber antgenos en su superficie, permitiendo a las clulas B generar una respuesta humoral.
Por otro lado, la inmunoterapia para VIH/SIDA basada en agentes virales y administracin de
clulas dendrticas autlogas generadas ex-vivo.
Grafeno
El carbono es uno de los elementos qumicos ms importantes en la naturaleza. Se encuentra en
todos los seres vivos y, segn se distribuyan sus tomos, puede formar sustancias con distintas
caractersticas.

A partir del carbono se consigue el grafeno. Este material surge cuando pequesimas partculas
de carbono se agrupan de forma muy densa en lminas de dos dimensiones muy finas (tienen el
tamao de un tomo), y en celdas hexagonales. Para que te hagas una idea, su estructura es
similar a la que resulta de dibujar un panal de abejas en un folio. Por qu en un folio? Porque es
una superficie plana, de dos dimensiones, como el grafeno.

El grafeno se obtiene a partir de una sustancia abundante en la naturaleza, el grafito. sta, forma
parte de nuestra vida cotidiana, ya que se emplea para fabricar muy variados objetos, desde la
mina de los lpices hasta algunos ladrillos.

Pese a que el grafeno se conoce desde la dcada de 1930, fue abandonado por considerarlo
demasiado inestable. No fue hasta muchos aos despus, en 2004, cuando los cientficos de
origen ruso Novoselov y Geim consiguieron aislarlo a temperatura ambiente. Este descubrimiento
no fue balad, pues gracias a l obtuvieron el Premio Nobel en 2010.

Para poder hacernos una idea de en cuntos campos distintos puede aplicarse el grafeno, es
necesario echar un vistazo a nuestro alrededor y ver todo lo que nos rodea. Ordenadores, coches,
telfonos mviles y equipos de msica son, por mencionar slo algunos de ellos, cosas que
encontramos frecuentemente en nuestra vida cotidiana en las que el grafeno se podra llegar a
aplicar.

Por sus propiedades, el grafeno puede servir como material en la fabricacin de aviones, satlites
espaciales o automviles, hacindolos ms seguros. Tambin en la construccin de edificios, pues
los convertira en ms resistentes.

Pero, sobre todo, destacan sus aplicaciones en el campo de la electrnica, donde a travs de su
capacidad para almacenar energa puede dotar a las bateras de una mayor duracin y un menor
tiempo de carga, establecer conexiones ms rpidas e incluso contribuir a mejorar el medio
ambiente sustituyendo a materiales contaminantes que hoy en da nos vemos obligados a utilizar.

No hay que olvidar su relevancia en el mbito de la salud. Las prtesis de grafeno podran sustituir
a las actuales, de diversos materiales. O incluso se podra aplicar para mejorar el tratamiento de
algunas enfermedades.

Por todo esto, no es de extraar que se diga que su utilidad es prcticamente ilimitada y que las
barreras a su aplicacin nicamente son las de la imaginacin humana.

El grafeno es un material que combina una gran cantidad de propiedades que no se dan juntas en
cualquier otro compuesto. Qu significa esto? Que es capaz de mejorar por completo las
condiciones de cualquier superficie donde se aplique.

Y es que es un material muy duro, resistente, flexible y muy ligero; lo que permite moldearlo
segn las necesidades de cada caso. Conduce muy bien tanto el calor como la electricidad; y
permanece en condiciones muy estables cuando se le somete a grandes presiones.

Su futuro en terrenos como la medicina se presenta realmente prometedor. Un ejemplo de en

qu se podra usar? En las mquinas con las que se realizan las radiografas. stas funcionan
mediante radiaciones ionizantes, unas formas de energa que hacen que los materiales que se
encuentran a su alrededor se desgasten muy pronto. Pues bien, el grafeno ofrecera una duracin
casi infinita, por lo que la inversin que habra que realizar en la adquisicin del material sera, a la
larga, mucho menor.

Pero adems, el grafeno es capaz de generar electricidad a travs de la energa solar, lo que le
convierte en un material muy prometedor en el campo de las energas limpias. Para que te hagas
una idea de su potencial, si se construyeran con grafeno las placas solares, podran generar varias
veces ms energa por hora que las actuales. Ser este material una de las herramientas
necesarias para superar la crisis energtica que previsiblemente se desatar cuando se agoten las
reservas de petrleo?

Llegados a este punto, seguramente te preguntars por qu, si el grafeno tiene tantas cualidades y
ofrece tantos beneficios, no se emplea para mejorar nuestra calidad de vida.

La respuesta es sencilla. Para que conserve todas sus propiedades, el mineral ha de ser de la
mayor calidad posible. Con el mtodo tradicional de obtencin a base de deshojar el grafito con
cinta adhesiva, se consigue grafeno de muy alta calidad, pero la cantidad producida es mnima y
resulta insuficiente para su uso industrial.

Por otro lado, el empleo de otros mtodos para su obtencin enfocados en aumentar la cantidad
producida no consiguen un producto con la calidad suficiente.

Actualmente, se comercializa el grafeno bajo dos formas: En lmina y en polvo. En qu se

diferencian?

Grafeno en lmina: es de alta calidad y se emplea en campos como la electrnica, la informtica

o incluso la aeronutica, donde se requiere un material muy resistente. Su produccin es
actualmente muy costosa.

Grafeno en polvo: se usa en aquellos mbitos que no requieren de un material de alta calidad. Su
proceso de obtencin es ms barato y permite una mayor produccin del producto, pero
renunciando a parte de sus propiedades.

El siguiente gran reto en la historia de este mineral es la bsqueda de un mtodo de obtencin

que supere esta barrera. Diversos equipos de cientficos en todo el mundo dedican sus esfuerzos a
este fin y aunque los resultados obtenidos son prometedores, an queda camino por recorrer.

Semiconductores
Un semiconductor es un material aislante que, cuando se le aaden ciertas sustancias o en un
determinado contexto, se vuelve conductor. Esto quiere decir que, de acuerdo a determinados
factores, el semiconductor acta a modo de aislante o como conductor.

Los semiconductores pueden ser intrnsecos o extrnsecos. Los semiconductores intrnsecos (que
tambin se conocen como semiconductores extremadamente puros) son cristales que, a travs de
enlaces covalentes entre los tomos, desarrollan una estructura de tipo tetradrico A temperatura
de ambiente, estos cristales tienen electrones que absorben la energa que necesitan para pasar a
la banda de conduccin, quedando un hueco de electrn en la banda de valencia.

Los semiconductores extrnsecos, por su parte, son semiconductores intrnsecos a los que les
agregan impurezas para lograr su dopaje (as se conoce el resultado del proceso que se lleva a
cabo para modificar las propiedades elctricas de un semiconductor).

Existen numerosos datos de gran inters acerca de los semiconductores como son los siguientes:

-La primera vez que se considera que se comenz a hablar y a hacer uso de los mismos fue en la
dcada de los aos 20. En los conocidos como radiorreceptores, tambin llamados de galeno,
fue donde se emplearon los mismos y eran unos detectores diodos de reducidas dimensiones.

-En la dcada de los aos 40, ms exactamente en 1947, fue cuando varios investigadores de los
Laboratorios Bell llevaron a cabo el desarrollo del primer semiconductor de germanio. A este le
dieron en llamar transistor y pas a ser un elemento fundamental dentro del mundo de la
electrnica desde ese mismo momento.
-Para poder conseguir aumentar de manera ms o menos notable lo que es la conductividad de un
elemento semiconductor lo que hay que hacer es aumentar su iluminacin, elevar de manera clara
su temperatura o bien realizar lo que se da en llamar dopaje. Este es un procedimiento que
consiste bsicamente en introducir impurezas en lo que es la estructura cristalina de aquellos.

-Hay determinados semiconductores que, a pesar de ser reconocidos como tal, cuentan con una
serie de caractersticas a medio camino entre conductores y aislantes que les lleva al final a tener
dudas sobre si colocarlos en un lugar o en otro. Nos estamos refiriendo en concreto al citado
germanio, al silicio y al selenio.

-Adems de todos los mencionados, otros importantes semiconductores son el cadmio, el boro, el
indio, el galio

Todos los elementos qumicos se califican como conductores, aislantes o semiconductores.

Mientras que las conductores tienen baja resistencia a la circulacin de la corriente elctrica y los
aislantes, alta, los semiconductores se ubican entre ambos ya que permiten el paso de la corriente
slo en ciertos casos. La temperatura, la presin, la radiacin y los campos magnticos pueden
hacer que un semiconductor acte como conductor o como aislante segn el contexto.

Entre los semiconductores ms empleados en el mbito de la industria, se encuentran el silicio, el

azufre y el germanio. Estos elementos se utilizan para la produccin de chips y transistores, entre
otros productos.

Procedimiento de dopado
En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar
impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (tambin referido
como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar.

A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un
semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un
semiconductor, es llamado degenerado.

El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se agregan un pequeo nmero de
tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100 000 000 de tomos) entonces se dice que el dopaje
es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10 000 tomos)
entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

Qu es el material de tipo p y tipo n?

Tipo N

o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco (Grupo V de la tabla peridica), como el
Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el
tomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de
los tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para separarlo del
tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del
semiconductor original).

Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por lo que los primeros sern los portadores
mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcin
directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.

Tipo P

Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos (de
ah que se denominen P o positivos) sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como
ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o
toman un electrn. Suelen ser de valencia tres (grupo III de la tabla peridica), como el Aluminio,
el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la
neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de
valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos,
generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros sern los portadores
mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de
portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.

Diodo
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la
corriente elctrica a travs de l en un solo sentido.1 Este trmino generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal
semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se
usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina
como nodo, y un ctodo.

De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo
de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima
de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de
Lee De Forest.

Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas
constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al
de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming,
empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva
Edison.

Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a
travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con
xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales son
conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada
positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se
calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco
requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se
quemaban con mucha facilidad.

Polarizacin directa e inversa

Directa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo
el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al
nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
Inversa
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona
n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza
el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera.
A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes
eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga
elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que
han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones
de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con
 lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y
una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de
la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de
saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como
su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro
enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie
del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de
saturacin, la corriente superficial de fuga es usualmente despreciable.
nodo y ctodo
nodo

La nocin de nodo se emplea en el mbito de la fsica para nombrar a un electrodo con carga
positiva. Un electrodo, por su parte, es el extremo de un material conductor que, al estar
vinculado con un medio, le transfiere u obtiene de l una corriente elctrica (un flujo de cargas).

En el nodo se genera una reaccin de oxidacin: aumenta su estado de oxidacin a partir de la

prdida de electrones. Cabe recordar que, en este tipo de reacciones, el agente reductor cede
electrones al medio e incrementa su estado de oxidacin (se oxida), mientras que el agente
oxidante recibe dichos electrones y minimiza su estado de oxidacin (se reduce).

El nodo, al oxidarse, permite el paso de la corriente elctrica hacia el polo negativo, llamado
ctodo. En las pilas (tambin llamadas bateras), las fuentes elctricas y las vlvulas electrnicas, el
nodo se caracteriza por ser el electrodo que dispone de mayor potencial.

Ctodo

Se llama electrodo al extremo de un conductor elctrico que recoge o transfiere una corriente
cuando se encuentra en contacto con un medio. En el caso especfico de los ctodos, son
electrodos que tienen carga elctrica negativa.

Los extremos o terminales de una batera o de una pila reciben el nombre de polos, que pueden
ser negativos o positivos. A esta cualidad se la denomina polaridad. El sentido de circulacin de la
corriente elctrica se fij convencionalmente como el flujo de cargas que va desde el polo positivo
hacia el polo negativo.

En los dispositivos que brindan energa, como las bateras, el ctodo tiene polaridad positiva. En
cambio, si el elemento realiza un consumo energtico, el ctodo dispone de polaridad negativa.
Curva diodo

Transformador ideal
Un transformador ideal es una mquina sin prdidas, con una bobina de entrada y una bobina de
salida. Las relaciones entre las tensiones de entrada y de salida, y entre la intensidad de entrada y
de salida, se establece mediante dos ecuaciones sencillas. La figura muestra un transformador
ideal.

El transformador tiene NP espiras de alambre sobre su lado primario y NS de espiras de alambre

en su lado secundario. La relacin entre la tensin VP (t) aplicada al lado primario del
transformador y la tensin VS(t) inducido sobre su lado secundario es

VP(t) / VS(t) = NP / NS = a

En donde a se define como la relacin de espiras del transformador.

La relacin entre la corriente ip(t) que fluye en el lado primario del transformador y la corriente
is(t) que fluye hacia fuera del lado secundario del transformador es

NP *iP(t)= NS * iS(t)

iP(t) / iS(t) = 1 / a

En trminos de cantidades fasoriales, estas ecuaciones son

VP / VS = a
 IP / IS = 1 / a

Ntese que el ngulo de la fase de VP es el mismo que el ngulo de VS y la fase del ngulo IP es la
misma que la fase del ngulo de IS. La relacin de espiras del transformador ideal afecta las
magnitudes de las tensiones e intensidades, pero no sus ngulos.

Las ecuaciones anteriores describen la relacin entre las magnitudes y los ngulos de t3las
tensiones y las intensidades sobre los lados primarios y secundarios del transformador, pero dejan
una pregunta sin respuesta: dado que la tensin del circuito primario es positiva en un extremo
especfico de la espira, cul sera la polaridad de la tensin del circuito secundario? En los
transformadores reales sera posible decir la polaridad secundaria, solo si el transformador
estuviera abierto y sus bobinas examinadas. Para evitar esto, los transformadores usan la
conveccin de puntos. Los puntos que aparecen en un extremo de cada bobina muestran la
polaridad de la tensin y la corriente sobre el lado secundario del transformador. La relacin es
como sigue:

Si la tensin primaria es positiva en el extremo punteado de la bobina con respecto al extremo no

punteado, entonces el voltaje secundario ser tambin positivo en el extremo punteado. Las
polaridades de tensin son las mismas con respecto al punteado en cada lado del ncleo. Si la
intensidad primaria del transformador fluye hacia dentro del extremo punteado de la bobina
primaria, la corriente secundaria fluir hacia fuera del extremo punteado de la bobina secundaria.

La potencia suministrada al transformador por el circuito primario se expresa por medio de la

ecuacin

Pent = VP * IP * cos

La potencia que el circuito secundario suministra a sus cargas se establece por la ecuacin:

Psal = VS * IS * cos

Puesto que los ngulos entre la tensin y la intensidad no se afectan en un transformador ideal, las
bobinas primaria y secundaria de un transformador ideal tienen el mismo factor de potencia.

La potencia de salida de un transformador ideal es igual a su potencia de entrada. La misma

relacin se aplica a la potencia reactiva Q y la potencia aparente S.

Qent = VP *IP *sen = VS *IS *sen = Qsal

Sent = VP *IP = VS *IS = Ssal

La impedancia de un elemento se define como la relacin fasorial entre la tensin y la intensidad

que lo atraviesan:

ZL = VL / IL

Una de las propiedades interesantes de un transformador es que puesto que cambia los niveles de
tensin o intensidad, tambin cambia la relacin entre la tensin y la intensidad y, por
consiguiente, la impedancia aparente de un elemento.
Regiones de funcionamiento del transistor bipolar
Corte

Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.

Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se
cumple la condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la corriente por el emisor
lleva sentido contrario al que llevara en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en
corte basta con no polarizar en directa la unin base-emisor del mismo, es decir, basta con que
VBE=0.

Activa

La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus
terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en directa y la
colectorbase en inversa.

Saturacin

En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la base-colector se

encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa.

Variantes del SCR

GTO
El GTO o Gate Turn-Off SCR es un tiristor que puede ser disparado con un pulso positivo a su
terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso negativo a ese mismo terminal. El GTO se
emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas potencias cuyo
control se realiza fcilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de
potencia de su control facilitan la aplicacin de tcnicas de modulacin de anchura de pulsos.

PUT
El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos
uniunin y sus caractersticas son similares al SCR. En la figura 12.17.a se indica su smbolo. Es un
dispositivo de disparo nodo-puerta (anode-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la
puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por
control de las tensiones en sus terminales. Como ejemplo sencillo, la figura 12.17.b muestra el
esquema de un oscilador de relajacin basado en este dispositivo. La tensin de puerta est fijada
a un valor constante a travs de las resistencias R1 y R2.

Si inicialmente el condensador est descargado, la tensin del nodo es menor que la de la puerta
(VA < VG) y el PUT est cortado. En estas condiciones, el condensador se carga a travs de R
aumentando la tensin del nodo. Llegar un momento en que VA = VG y, en ese instante, se
dispara el PUT el cual descarga bruscamente el condensador C produciendo una cada de tensin
en la resistencia Ro. Si R y Ro tienen un valor que impida circular a travs del PUT la corriente de
mantenimiento mnima de conduccin el dispositivo se cortar y el condensador se carga
nuevamente a travs de R repitindose el proceso.
LASCR
El foto-SCR o SCR activado por luz (light activated SCR o LASCR) es, como su propio nombre indica,
un SCR cuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el
SCR se dispara y permanece en conduccin aunque desaparezca esa luz.

Osciladores
Un oscilador es un dispositivo capaz de convertir la energa de corriente continua en corriente
alterna a una determinada frecuencia. Tienen numerosas aplicaciones: generadores de frecuencias
de radio y de televisin, osciladores locales en los receptores, generadores de barrido en los tubos
de rayos catdicos, etc.

La mayora de los equipos electrnicos utiliza para su funcionamiento seales elctricas de uno de
estos tres tipos: ondas sinusoidales, ondas cuadradas y ondas tipo diente de sierra. Los osciladores
son circuitos electrnicos generalmente alimentados con corriente continua capaces de producir
ondas sinusoidales con una determinada frecuencia. Existe una gran variedad de tipos de
osciladores que, por lo general, se conocen por el nombre de su creador. Igualmente, los
multivibradores son circuitos electrnicos que producen ondas cuadradas. Este tipo de
dispositivos, es utilizado ampliamente en conmutacin.

Los generadores de frecuencia son, junto con los amplificadores y las fuentes de alimentacin, la
base de cualquier circuito electrnico analgico. Son utilizados para numerosas aplicaciones entre
las que podemos destacar las siguientes: como generadores de frecuencias de radio y de televisin
en los emisores de estas seales, osciladores maestros en los circuitos de sincronizacin, en relojes
automticos, como osciladores locales en los receptores, como generadores de barrido en los
tubos de rayos catdicos y de televisores, etc.

Los osciladores son generadores que suministran ondas sinusoidales y existen multitud de ellos.
Generalmente, un circuito oscilador est compuesto por: un "circuito oscilante", "un amplificador"
y una "red de realimentacin".

El circuito oscilante suele estar compuesto por una bobina (o inductancia) y por un condensador.
El funcionamiento de los circuitos osciladores (osciladores de ahora en adelante) suele ser muy
similar en todos ellos; el circuito oscilante produce una oscilacin, el amplificador la aumenta y la
red de realimentacin toma una parte de la energa del circuito oscilante y la introduce de nuevo
en la entrada produciendo una realimentacin positiva.

Hay que tener cuidado y no confundir "circuito oscilante" con "oscilador". El circuito oscilante es el
encargado de producir las oscilaciones deseadas; sin embargo, no es capaz de mantenerlas por s
solo. El oscilador es el conjunto que forman el circuito oscilante, el amplificador y la red de
realimentacin juntos.
Oscilador Hartley
es un circuito electrnico de alta frecuencia basado en un oscilador LC. Fue creado por el inventor
estadounidense Ralph Vinton Lyon Hartley y patentado en 1920.

El circuito bsico usando un transistor bipolar, considerando slo el circuito de oscilacin, consta
de un condensador entre la base y el colector (C) y dos bobinas entre el emisor y la base y el
colector respectivamente. Este montaje fue presentado por el inventor estadounidense Alois Rack
el 26 de abril de 1949. 2 La carga se puede colocar entre el colector y L2. En este tipo de
osciladores, en lugar de dos bobinas separadas, se suele utilizar una bobina con toma intermedia.

Para poder ajustar la frecuencia a la que el circuito oscila, se puede usar un condensador variable,
como sucede en la gran mayora de los receptores de radio que usan este oscilador, o bien
cambiando la relacin entre L1 y L2 variando una de ellas como en los receptores Collins; a esta
ltima tcnica se la llama "sintona por permeabilidad".

El circuito de polarizacin se disea de tal forma que afecte lo menos posible al circuito de
oscilacin, para ello se pueden emplear condensadores de desacoplo o bobinas de choque de
radiofrecuencia.

Oscilador Colpitts
El oscilador Colpitts es un circuito electrnico basado en un oscilador LC (L: bobina, C:
condensador) diseado por Edwin H. Colpitts. Se trata de un oscilador de alta frecuencia que debe
obtener a su salida una seal de frecuencia determinada sin que exista una entrada, a diferencia
de otros circuitos electrnicos, que necesitan de una entrada de seal. Su estabilidad es superior a
la del oscilador Hartley.

Para poder lograr la oscilacin este circuito utiliza un divisor de tensin formado por dos
condensadores: C1 y C2, los cuales se encuentran conectados en serie. De la unin de estos
condensadores sale una conexin a tierra. De esta manera las tensiones en los terminales superior
de C1 e inferior de C2 sern opuestas. La realimentacin positiva se obtiene del terminal inferior
de C2 y es llevada a la base del transistor a travs de una resistencia R2 y un condensador C3. La
bobina L1 (choke) se utiliza para evitar que la seal alterna pase a la fuente Vcc. Este oscilador se
utiliza para bandas de VHF (Very High Frecuency), frecuencias que van de 30 Mhz a 300 Mhz. A
estas frecuencias sera muy difcil utilizar el oscilador Hartley debido a que las bobinas a utilizar
seran muy pequeas. La frecuencia de oscilacin de este tipo de oscilador est dada por:

Oscilador de cambio de fase

El oscilador de cambio de fase (en ingls phase-shift oscillator) es un circuito electrnico que
produce una salida en forma de onda senoidal. Consiste en un elemento amplificador inversor, tal
como un transistor o un amplificador operacional al que se le aade una realimentacin
constituida por una seccin RC de tercer orden en escalera. Esta red de realimentacin introduce
un desfase de 180 a la frecuencia de oscilacin para proporcionar realimentacin positiva. El
oscilador de cambio de fase se utiliza frecuentemente como oscilador de audio.

Transistor de unin bipolar

La idea detrs de esta implementacin, es la que present en 1949 el inventor Alois Rack, que
fuera adaptada posteriormente por la revista estadounidense Popular Electronics para su uso con
transistores bipolares NPN. En la figura que representa este diseo, la red de cambio de fase es
usada para formar una realimentacin positiva. Las resistencias Rb y Rc polarizan el transistor. La
resistencia RS es una resistencia de separacin que se halla a la salida del oscilador.

Transistor JFET

La ventaja de esta configuracin est en que la impedancia de entrada al amplificador es bastante

alta, por lo que los efectos de la carga pueden ser despreciados. La topologa usada para la
realimentacin positiva es la de realimentacin de voltaje en serie.

Amplificador Operacional

Una de la implementaciones ms simples de este tipo de oscilador utiliza un amplificador

operacional, tres condensadores y cuatro resistencias.

Osciladores de relajacin
Un oscilador de relajacin es un oscilador no lineal, obtenido por el aumento continuo de algn
tipo de restriccin, y la posterior liberacin repentina de la misma. Cuando la tensin se vuelve
demasiado fuerte, se descarga, y parte de la energa se disipa, la tensin aumenta de nuevo y el
ciclo se repite. Esto puede ser ilustrado por una corriente de agua que llena un recipiente
articulado alrededor de un eje horizontal. Cuando el recipiente est lleno, se vuelve inestable, se
vaca de repente y luego vuelve a empezar.

En electrnica, se pueden generar oscilaciones de relajacin subiendo lentamente la carga de un

condensador, cuando la tensin alcanza un valor predeterminado para el circuito, se genera una
rpida descarga y se vuelve a empezar. Es el fenmeno por el que se generan oscilaciones de
relajacin no controladas en el caso de chisporroteo, el primer transmisor de Hertz funcionaba con
este principio.

Un ejemplo clsico es Experiencia jarrn de Tntalo, donde la restriccin es el nivel del agua, lo
que aumenta de forma continua con la llegada del agua, y luego cae de golpe cuando el sifn est
activado.

Entre las aplicaciones se encuentra en primer lugar el Tubo fluorescente.

En mecnica, los chirridos son oscilaciones de relajacin.