MIKROELEKTRONIKA

Disempurnakan oleh
Bambang Apriyanto
PERTEMUAN 1 & 2

Atom & Struktur Molekul

Struktur Suatu Atom
Teori Atom Carl H. Snyder
Ambil segenggam paper clip dengan ukuran & warna yang sama :
1. Bagi kedalam tumpukan yang sama.
2. Bagi kembali tumpukan yang lebih kecil kedalam 2
tumpukan yang sama.
3. Ulangi langkah 1 & 2 sampai ke suatu tumpukan yang
hanya terdiri dari sebuah paper clip. Paper clip tersebut
masih memiliki fungsi sebagai penjepit kertas yaitu
menjepit kertas agar tidak berantakan.
4. Sekarang ambil gunting potong sebuh paper clip
tersebut menjadi dua bagian. Pertanyaan : Dapatkah
setengah paper clip tersebut memiliki fungsi yang sama
dengan sebuah paper clip?
Jika kita lakukan hal yang sama dengan elemen apa saja, maka
kita akan mencapai suatu kondisi dimana bagian suatu benda tidak
dapat dibagi lagi tetapi masih memiliki sifat yang sama seperti
sebuah paper clip tadi. Bagian yang tidak dapat dibagi lagi inilah
yang disebut Atom.
Teori Atom John Dalton
Setiap Elemen terbentuk dari Atom-atom Tumpukan paper
clip.
Semua atom-atom dari suatu elemen memilki sifat yang
sama Semua paper clip dalam tumpukan memiliki ukuran dan
warna yang sama.
Atoms dari elemen yang berbeda adalah berbeda(ukuran
dan ciri-ciri) seperti perbedaan ukuran dan warna paper clip.
Atoms dari elemen yang berbeda dapat dikombinasikan
untuk membentuk campuran Kita dapat menghubungkan
ukuran dan warna yang berbada dari paper clip untuk membentuk
struktur baru.
Dalam reaksi kimia, atom tidak dapat dibuat, di musnahkan,
atau dirubah tidak ada paper clip baru yang muncul, tidak ada
paper clip yang hilang dan tidak ada paper clip yang berubah dari
satu ukuran/warna ke ukuran/warna lainnya.
Dalam berbagai campuran, nomor dan jenis dari atom tetap
sama Jumlah total dan type paper clip pada saat mulai dan akhir
adalah sama.
PITA ENERGI
Hukum dasar yang menjelaskan hubungan antara elektron dengan
kulit orbit :
elektron bergerak dalam kulit orbit. Elektron tidak dapat
mengelilingi inti atom dalam ruangan yang ada antara dua buah
kulit orbit.
setiap kulit orbit berhubungan dengan sebuah range energi
khusus,elektron-elektron yang bergerak dalam suatu kulit orbit
akan memilki sejumlah energi yang sama.
Catatan : level energi dalam kulit akan meningkat ketika makin
jauh dari inti atom. Hal ini dapat disimpulkan maka elektron
valensi selalu memilki level energi yang tertinggi dalam setiap
atom.
elektron untuk berpindah dari suatu kulit ke kulit yang lain
menyerap energi untuk menyesuaikan level energi antara level
energi kulit awal dengan level energi kulit yang dituju.
Jika suatu atom menyerap cukup energi untuk berpindah dari
suatu kulit yang satu kekulit yang lain, sebenarnya elektron ini
kembali melepaskan energi yang diserapnya dan
mengembalikannya ke kulit energi yang rendah
Celah & level energi Silikon
Pita Konduksi e4=1.8eV

Celah Energi

Pita Valensi
e3=0.7eV

e2
e1
Pita energi untuk Konduktor,
semi konduktor, dan Isolator
PERTEMUAN 3 & 4

Gejala Transport dalam

Semikonduktor
Bahan Semikonduktor
Silikon elemen yang mudah didapat contohnya adalah bahan
utama pasir dan kuarsa. Letak unsur Silikon dalam Tabel Periodik
adalah berada disebelah aluminum, dibawah Karbon dan diatas
germanium.
Karbon, silikon and germanium juga memilki ciri khusus dalam
struktur elektronnya setiap unsur memilki 4 elektron terluar
dalam orbitnya. Ini menyebabkan unsur-unsur tersebut dalam
membentuk kristal yang baik. Keempat elektron tersebut
membentuk ikatan Kovalen yang sempurna dengan atom-atom
tetangga. Bentuk Kristal dari Karbon adalah BERLIAN. IBentuk
Kristal silikon berwarna perak dan kemilau seperti logam.
Logam merupakan konduktor listrik yang baik karena logam
memiliki elektron-elektron bebas yang dapat bergerak mudah antar
atom.
Dampak Ikatan kovalen pada bahan semikonduktor
menyebabkan Semikonduktor lebih menyerupai ISOLATOR.
Tabel Periodik Semikonduktor
 Ikatan Kovalen Pada Silikon

In a silicon lattice, all silicon atoms bond perfectly to four neighbors,

leaving no free electrons to conduct electric current. This makes a
silicon crystal an insulator rather than a conductor.
DOPING pada Semikonduktor
There are two types of impurities:
N-type - In N-type doping, phosphorus or arsenic is added to
the silicon in small quantities. Phosphorus and arsenic each
have five outer electrons, so they're out of place when they get
into the silicon lattice. The fifth electron has nothing to bond to,
so it's free to move around. It takes only a very small quantity
of the impurity to create enough free electrons to allow an
electric current to flow through the silicon. N-type silicon is a
good conductor. Electrons have a negative charge, hence the
name N-type.
P-type - In P-type doping, boron or gallium is the dopant.
Boron and gallium each have only three outer electrons. When
mixed into the silicon lattice, they form "holes" in the lattice
where a silicon electron has nothing to bond to. The absence of
an electron creates the effect of a positive charge, hence the
name P-type. Holes can conduct current. A hole happily accepts
an electron from a neighbor, moving the hole over a space. P-
type silicon is a good conductor.
PERTEMUAN 5 & 6

Diode Semikonduktor
Pengenalan Diode
Diode merupakan peranti semikonduktor yang dasar.
Diode memiliki banyak tipe dan tiap tipe memiliki
fungsi dan karakteristik masing-masing.
Kata Diode berasal dari Di (Dua) & Ode (Elektrode),
jadi Diode adalah komponen yang memiliki dua
terminal atau dua electrode yang berfungsi sebagai
penghantar arus listrik dalam satu arah. Dengan kata
lain diode bekerja sebagai Konduktor bila beda
potensial listrik yang diberikan dalam arah tertentu
(Bias Forward) tetapi diode akan bertindak sebagai
Isolator bila beda potensial listrik diberikan dalam
arah yang berlawanan (Bias Reverse) Tipe dasar dari
diode adalah diode sambungan PN.
CONT.
Pada awalnya diode-diode berupa peranti-peranti
tabung hampa dengan filamen panas (disebut
Katode) yang memancarkan elektron-elektron bebas,
dan suatu pelat positif (disebut Anode) yang
mengumpulkan elektron-elektron tersebut.
Diode Modern adalah peranti semikonduktor dengan
bahan tipe n yang menyediakan elektron-elektron
bebas dan bahan tipe p yang mengumpulkannya.

Simbol Diode
Awal Diode
Kurva Karakteristik Diode
LAPISAN PENGOSONGAN
Bias Forward pada Diode
Bias Reverse pada Diode
Light Emiting Diode (LED)
Keuntungan Penggunaan Led
Konsumsi Daya Yang rendah
Reabilitas & Durabilitas Yang tinggi
Efisiensi Energi
Panas Yang ditimbulkan kecil

Kerugian : Biaya Pembuatan Led yang

relatif mahal.
PN JUNCTION
Berhubungan dengan karakteristik dan
sistematis simbol diode maka dapat diambil
kesimpulan bahwa dioda akan berfungsi
sebagai konduktor apabila dua syarat ini
terpenuhi :
1. Katode mendapat tegangan yang lebih
negatif dari anode.
2. Beda potensial antara anoda dan katoda
melebihi potensial barier kira-kira 0.3 V untuk
diode germanium dan 0.7 V untuk dioda
silikon.
MODEL DIODE
Ada tiga model diode. Model adalah
representasi dari suatu komponen atau
rangkaian yang memiliki satu atau lebih
Sifat atau karakteristik.
1. Model Diode Ideal
2. Model Diode Praktek
3. Model Diode Lengkap
MODEL DIODE IDEAL
Model diode ideal menggambarkan diode sebagai saklar
sederhana yang dapat tertutup ( Conducting ) ketika
dibias forward maupun tertutup ( nonconducting )
ketika dibias reverse. Model ini hanya digunakan untuk
menentukan tahap awal troubleshooting (proses
mencari kesalahan dalam perangkat elektronik).

Kondisi Karakteristik
OPEN *Infinite Resistansi Shg Arus nol
*Tegangan penuh pada kaki dioda

CLOSED *Resistansi nol Shg Arus Max

*Tegangan nol pada kaki dioda
CONT.
Berdasarkan karakteristik sebuah saklar, maka dapat
diperoleh pernyataan2x untuk diode ideal :
1. Ketika dibias reverse ( Open Switch )
Diode memilki resistansi tak terbatas ( maksimum )
Diode tidak dialiri arus
Sumber Tegangan akan jatuh semua pada terminal diode
2.Ketika dibias forward ( Closed Switch )
Diode memilki resistansi nol ( minimum )
Diode dialiri arus
Tidak ada Sumber Tegangan jatuh pada terminal diode
MODEL DIODE PRAKTEK
Dalam model diode ideal banyak karakteristrik-
karakteristik diode yang diabaikan. Contohnya :
Tegangan maju. Tegangan maju biasanya
diperhatikan dalam analisis matematika dari
rangkaian diode. Pada aplikasi rangkaian yang
digunakan diasumsikan dioda yang dipergunakan
dioda silikon kalau ingin mengganti dengan dioda
germaniun maka tegangan maju tinggal diubah dari
0.7V menjadi 0.3V
MODEL DIODE LENGKAP
Model dioda lengkap merupakan model yang
paling akurat menggambarkan karakteristik-
karakteristik operasional diode. 2 faktor yang
menyebabkan model ini menjadi semakin
akurat adalah Resistansi Bulk.
 Kurva Karakteristik Untuk
masing-masing Model Diode
IF IF IF

RB= V / I

VR VF VR VK=0.7V VF VR VK=0.7V VF

IR IR IR

Model Diode Model Diode Model Diode

IDEAL PRAKTEK LENGKAP
PERTEMUAN 7 & 8

Transistor
Transistor VS Diode
A transistor is created by using three layers rather
than the two layers used in a diode. You can create
either an NPN or a PNP sandwich. A transistor can
act as a switch or an amplifier.
A transistor looks like two diodes back-to-back. You'd
imagine that no current could flow through a
transistor because back-to-back diodes would block
current both ways. And this is true. However, when
you apply a small current to the center layer of the
sandwich, a much larger current can flow through
the sandwich as a whole. This gives a transistor its
switching behavior. A small current can turn a
larger current on and off.
PERTEMUAN 9 & 10

Teknologi Pembuatan
Semikonduktor
PERTEMUAN 11

Rangkaian Terpadu ( IC )
IC ( Integrated Circuit )
A silicon chip is a piece of silicon that can hold
thousands of transistors. With transistors acting as
switches, you can create Boolean gates, and with
Boolean gates you can create microprocessor chips.
The natural progression from silicon to doped silicon
to transistors to chips is what has made
microprocessors and other electronic devices so
inexpensive and ubiquitous in today's society. The
fundamental principles are surprisingly simple. The
miracle is the constant refinement of those principles
to the point where, today, tens of millions of
transistors can be inexpensively formed onto a single
chip.
SEJARAH PERKEMBANGAN PIRANTI
ELEKTRONIKA

Era perkembangan piranti elektronika :

1. Era tabung hampa (vacuum tube) awal
abad 20
2. Era transistor mulai tahun 1948
3. Era rangkaian terintegrasi (IC) mulai
tahun 1960
Era IC
1958 Kilby konsep monolitik ide
menggunakan Germanium atau Silikon untuk
seluruh rangkaian
1959 Kilby membuat oscillator dan multivibrator
dari Germanium dengan konsep monolitik awal
kelahiran IC
1959 Noyce dan Moore mengembangkan konsep
monolitik dengan metode lithography
1959 Hoerni dan Fairchild konsep monolitik
dengan metode planar atau difusi
1961 produksi masal IC
1964 High component density IC (chip) silikon
wafer berukuran 3 x 5 x 0.3 mm
 Perkembangan teknologi IC
Teknologi Nama Jumlah Tahun
Komponen
SSI Small Scale Integrated <100 Awal 1960

MSI Medium Scale 100-1000 Awal 1960

Integrated
LSI Large Scale Integrated 1000-10000 Awal 1970

VLSI Very Large Scale 10000-10000 Akhir 1970

Integrated
ULSI Ultra Large Scale 100000> Awal 1980
Integrated
 Teknologi Rangkaian Logika Digital

Teknologi Komponen Diskrit

(tahun 50-an awal 60-an)

bipolar

TRL DTL

Teknologi IC
(tahun awal 60-an - sekarang)

bipolar MOS

RTL TTL I2L ECL PMOS NMOS CMOS

biCMOS
 Teknologi Rangkaian Logika Digital
(contd)

Teknologi Bipolar
TRL (Transistor Resistor Logic)
Jumlah resistor dimaksimalkan (resistor devais termurah)
DTL (Dioda Transistor Logic)
Kinerja ditingkatkan dgn mengganti kebanyakan resistor dgn dioda semikonduktor
RTL (Resistor Transistor Logic)
Teknologi mikroelektornika pertama
Menggunakan banyak transistor dan hanya sedikit resistor
TTL (Transistor Transistor Logic)
transistors berjumlah banyak dan terkait langsung satu sama lain; Sampai
sekarang tetap menjadi teknologi bipolar paling populer
I2L (Integrated-injection logic)
technology mereduksi kerapatan packing dari devais bipolar devices ke suatu
ukuran mendekati ukurana devais MOS melalui compressing suatu rangkaian
logika yang terdiri dari dua transistor menjadi suatu satuan tunggal (a single unit).
 Teknologi Rangkaian Logika Digital (contd)

ECL (emmitter-coupled logic)

Devais dikembangkan u/ aplikasi-2 yg membutuhkan kecepatan yang sangat
tinggi (extremely high speed).
Mengkonsumi lebih banyak energi/power,
digunakan secara ekslusif pada komputer-2 Cray
Teknologi MOS (Metal Oxide Semiconductor)
Menawarkan reduksi dalam hal persyaratan ruang yang besar dan konsumsi
daya/energi yang tinggi dari devais-2 bipolar.
Rangkaian elektronik MOS pertama devais MOS p-channel (PMOS) karena
paling mudah dibuat.
Tek. MOS lebih maju, devais MOS n-channel (NMOS) menggantikan devais PMOS
karena teknologinya menawarkan kinerja kec. yg lebih tinggi u/ kerapatan,
kompleksitas dan biaya yg sama.
Kebutuhan akan konsumsi daya yg lebih rendah pengembangan devais-2
complementary MOS (CMOS) devices yg lebih besar tapi konsumsi dayanya lebih
efisien
 Teknologi Rangkaian Logika Digital
(contd)

Meskipun keuntungan kerapatan dan efisiensi daya dari teknologi MOS,

namun teknologi high-speed bipolar masih tetap dikembangakn teknologi
biCMOS : kombinasi keuntungan kecepatan dari tek. Bipolar modern dgn
keuntungan ruang dan daya dari tek. MOS. (Oldham, 1991).
 Rangkaian Terintegrasi (IC) Monolitik

Definisi Rangkaian Terintegrasi (IC):

Realisasi secara fisik dari elemen-elemen rangkaian yang secara
terpisah tetapi merupakan kesatuan yang berada di atas atau di
dalam sebuah badan yang kontinyu ( a continuous body) untuk
membentuk satu rangkaian
Misalkan, dalam sebuah potongan kristal tunggal Si, diatasnya
terbentuk rangkaian yang memiliki fungsi tertentu dengan,
transistor, dioda, kapasitor, dll, disebut rangkaian terintegrasi (IC)

Karakteristik IC:
1. Ukuran kecil
2. Harganya murah
3. Keandalan tinggi
4. Tepat untuk mempertinggi kinerja (performance)
Rangkaian Terintegrasi (IC) Monolitik
(contd)
Perbedaan IC menurut:
1. Struktur
2. Fungsi
3. Tingkat integrasi
Pembagian menurut struktur:
Semikonduktor IC Bipolar, MOS
IC lapisan (monolitik)
IC hybrid lapisan tipis dan lapisan tebal
Pembagian menurut Fungsi:
IC Digital DTL (dioda-transistor logic), TTL (transistor-transistor logic), CML
(cuurent mode logic), dll
IC Linier (analog) Penguat bidang lebar, Penguat operasional (Op-Amp),dll.
Pembagian menurut tingkat integrasi:
IC SSI (Small Scale Integration) mengandung < 24 gate
IC MSI (medium Scale Integration) mengandung 24 100 gate
IC LSI (large Scale Integration) mengandung > 100 gate
IC VLSI (Very Large Scale Integration)
IC ULSI (Ultra Large Scale Integration) dst
 Rangkaian Terintegrasi (IC) Monolitik
(contd)

Definisi Monolitik:
Mono: tunggal; lithos: batu batu tunggal
Pada IC monolitik sejumlah komponen aktif (mis transistor)
dan komponen pasif (mis. resistor, kapasitor, dll) berada dalam
sekerat Silicon (Si) atau biasa disebut CHIP, DIE, atau PELLET
Dalam
Dalam
hal fabrikasi:
transistor planar
tunggal : Basis-basis dan emitor-emitor dari transistor-2 dan komponen-2
sejumlahlaintransistor
dibentukmem-
bersamaan
punyai
common collector (kolletor yg
bersama-sama) dibentuk pada keping
(wafer), kemudian dipotong-potong
menjadi satu persatu
Dalam hal IC monolitik:
isolasi dan interkoneksi setelah
dibentuk kemudian dipotong-potong dari
 Rangkaian Terintegrasi (IC) Monolitik
(contd)

Catatan:
IC Hybrid: komponen-2 (spt transistor) dibuat diatas substrat
keramik yg terhubung satu sama lain membentuk rangkaian dgn
jalur kawat logam dsb.
IC monolitik
sangat baik u/ rangkain yg memiliki fungsi yg sama
Interkoneksi dilakukan hanya dgn 1 atau proses harganya lebih
murah dan reabilitasnya lebih tinggi, ketimbang IC-hybrid
PERTEMUAN 12

Teknik - Teknik Fabrikasi

Teknik Fabrikasi
Tiga metode fundamental
U/ membentuk IC-monolitik (misL Transistor)
Metode-2 digunakan u/ membentuk sebuah struktur empat lapisan dan
mengisolasi transistor satu sama lain
Perbedaan pembentuk daerah isolasi karena distribusi ketidakmurnian
akibatnya perbedaan karakteristik transistor-2
1. Metode Difusi Epitaksi:
Lapisan epitaksi tipe-n diatas substrat Si tipe-p
Didifusikan ketidak-murnian tipe-p secara selektif diatasnya hingga
menembus mencapai substrat maka terbentuk daerah tiep-n
terisolasi menjadi daerah kolektor transistor
2. Metode kolektor yg didifusikan:
Sebuah daerah isolasi tipe-n (yg menjadi kolektor transistor)
didifusikan secara selektif ke dalam subtrat tipe-p
3. Metode difusi tripel:
U/ membentuk daerah isolasi tipe-p diatas substrat tipe-n (sebuah
daerah isolasi yang menjadi kolektor transistor), ketidak murnian tipe-p
didifusikan dua arah dari permukaan secara selektif, dan dari sisi lain,
dgn intensif sehingga kedua daerah yg didifusi slaing bertemu
Teknik Fabrikasi (contd)
Catatan:
Metode difusi eptikasi banyak digunakan, karena banyak
keuntungannya:
Tebal keping wafer tidak dibatasi
Pembentukan laipsan epitaksi tidak tergantung pada subtrat-p
Jumlah bahan yg di-dop-kan bebas
Akibatnya: kapasitansi antara kolektor dan subtrat dapat tidak bergantung
pada konsentrasi daerah kolektor
Metode kolektor didifusi
Konsentrasi ketidak murnian daerah kollektor menurun dibagian yg jauh
dari persambungan basis-kollektor menyebabkan kerusakan yaitu ada
daerah deplesi yg meluas ke daerah basis
Selain itu, karena kosnetrasi ketidak munian pada daerah persmabungan
basis-kollektor adalah tinggi maka tegangan breakdown rendah
Dalam hal ini, kapasitansi antara basis dan kolektor dintentukan oleh
daerah kolektor dimana konsentrasi donornya tinggi
Metode difusi tripel
Karena daerah kolektor didop secara uniform, tidak masalha dgn
kapasitansi
Tapi difusi termal subtrat memakan waktu yg lama difusi jangakaunnya
terbatas
Akbitanya: Wafer tidak dapat dipertembal tanpa batas
Diagram alir pembentukan IC transistor
Rio)

Epiktasi Si Pembersihan lapisan Oksidasi dan

epitaksi Etsa foto

Difusi dari lapisan

terpedam Difusi isolasi

Oksidasi dan Oksidasi dan

Difusi basis
Etsa foto Etsa foto

Oksidasi dan Pembentukan

Difusi emiter Etsa foto Lapisan u/ inter
koneksi Al
Difusi emas

Etsa foto

skrab Bonding Bonding

butiran terminal

penutupan IC Komplit
Masa Depan Desain Devais Elektronik

Teknologi Informasi masuk kehidupan sehari-hari

masyarakat (dr Ponsel digital, ATM, sampai PC)
Dua alasan sederhana:
1. Cost IT yg canggih bertambah murah dan turunnya cukup
cepat
2. Kapabilitasnya meningkat cepat equally
TI
membekali kita dengan penguasaan inovasi teknologikal,
memungkinkan kita menghadapi tantangan-2 baru (misal
Panas global atau deplesi ozon)
Memungkinkan kita mengatasi masalah-2 kompleks
tentang alam kita yang senantiasa meningkat (misal
bagaimana dan kapan alam itu terjadi)
Mengapa TI maju dengan cepat ?
Beberapa dekade yang lalu: Stratetgi yang berhasil
peminiaturan ribuan atau jutaan devais elektronik
memberikan intelegensia pada teknologi
 Masa Depan Desain Devais Elektronik
(contd)
DOWN-SCALING dari elektronik
Menghasilkan lebih cepat devais-2
Memungkinkan banyak devais terintegrasi dalam setiap Chip SK
(meningkatkan fungsionalitas duakali lipat)
Sayang, semakin kecil devais, down-scaling berikutnya menjadi lebih sulit
tentunya menjadi tantangan
U/ menyelaraskan kemajuan TI, para teknolog berpaling ke Simulasi Berbasis
komputer (computer-based simulation) dari fabrikasi dan operasi devais
elektronik dan IC (Secara kolektif disebut TCAD (Technology computer
aided design) ) untuk menentukan bagaimana kelanjutan Down-Scaling

Sejarah TCAD
.. 1980:
simulasi numerik bukan sesuatu bagian yang fundamental dalam
pengembangan devais elektronik (meskipun telah digunakan dalam
penelitian devais)
Melainkan, u/ mendesain devais generasi berikut, tahap-2 fabrikasi dan
struktur devais generasi saat itu dimodifikasi berdasarkan suatu set dari
hukum skala yang sederhana ( simple scaling laws)
Pengenalan Fabrikasi IC
 Tujuan
Menentukan dan menjelaskan pentingnya yield
Menggambarkan struktur dasar sebuah cleanroom.
Menjelaskan pentingnya protokol cleanroom
Membuat list 4 dasar operasi pemrosesan IC
Menamakan sekurang2nya 6 proses utama di
fabrikasi IC
Menjelaskan tujuan packaging pada chip
Menggambarkan standar wire bonding dan proses
bonding and flip-chip bump
 Aliran Proses pada Wafer
Materials IC Fab

Dielectric Test
Metallization CMP
deposition
Wafers

Thermal Etch Packaging

Implant
Processes PR strip PR strip
Masks

Photo- Final Test

lithography

Design
 Biaya Fabrikasi
Biaya fabrikasi sangat tinggi, > $1B for 8
fab
Clean room
Equipment, biasanya > $1M per tool
Materials, high purity, ultra high purity
Facilities
People, training dan pay
 Wafer Yield

Wafers good
YW
Waferstotal
 Die Yield

Dies good
YD
Dies total
 Packaging Yield

Chips good
YC
Chips total
 Yield Keseluruhan

YT = YWYDYC

Yield keseluruhan menentukan apakah

fabrikasi dapat menguntungkan atau
merugikan
 Bagaimana Kerugian dalam
Fabrikasi Terjadi?
Biaya:
Wafer (8): ~$150/wafer*
Proses: ~$1200 ($2/wafer/step, 600 langkah)
Packing: ~$5/chip
Penjualan:
~200 chips/wafer
~$50/chip (low-end microprocessor in 2000)

*Biaya wafer, chips per wafer dan harga variasi chip dan angka disini dipilih secara
random berdasarkan informasi umum.
 Bagaimana Kerugian dalam
Fabrikasi Terjadi?
100% yield: 150+1200+1000 = $2350/wafer
Cost: 50% yield: 150+1200+500 = $1850/wafer
0% yield: 150+1200 = $1350/wafer
100% yield: 20050 = $10,000/wafer
Sale: 50% yield: 10050 = $5,000/wafer
0% yield: 050 = $0.00/wafer
100% yield: 10000 - 2350 = $7650/wafer
Profit
50% yield : 5000 - 1850 = $3150/wafer
Margin:
0% yield : 0 - 1350 = - $1350/wafer
 Pertanyaan
Jika Yield setiap langkah proses adalah
99%, Berapakah yield proses keseluruhan
setelah 600 langkah proses?
 Jawaban
Sama dengan 99% x 600 times

0.99600 = 0.0024 = 0.24%

Hampir tidak ada Yield

 Hasil Fabrikasi (throughput)
Jumlah wafer yang dapat diproses
Fab: wafers/month (idealnya 10,000)
Tool: wafers/hour (idealnya 60)
Jika yieldnya Tinggi maka hasil
fabrikasinya juga tinggi
Kerusakan dan Yield

1
Y
(1 DA) n
 Yield dan Ukuran Die
Killer Defects

Y = 28/32 = 87.5% Y = 2/6 = 33.3%

Ilustrasi produk wafer

Die

Test die
 Ilustrasi produk wafer
Scribe Lines
Test
Structures

Dies
 Ruangan Ganti
Shelf of Gloves, Hair
dan Shoe Covers Gown Racks Disposal Bins

Entrance Shelf of
Gloves
Ke
Cleanroom
Wash/Clean
Stations
Shelf of
Storage Gloves

Benches
Modul proses fabrikasi IC
Thin film growth,
dep. and/or CMP

Photolithography

Etching Ion Implantation

PR Stripping PR Stripping

RTA or Diffusion
Layout Ruangan Fabrikasi IC
Equipment Areas Process Bays

Corridor

Service Area
Sliding Doors Gowning Area
 Mini-environment pada ruang
Fabrikasi

Process dan
metrology
tools

Service Area
Emergency Exits Ruang ganti
 Proses-Proses yang
menggunakan Cairan

Etching, PR strip, atau Pembilasan Pengeringan

pembersihan
 Tungku Pemanas (furnace)
Horisontal
Wafers
Heating Coils

Quartz
Tube
Gas flow

Temperature Center Zone

Flat Zone

Distance
Tungku Pemanas (Furnace)
Vertikal
Process
Chamber
Heaters

Wafers

Tower
Skema Sistem Integrasi Track
Stepper
Prep
Chamber Spin Coater Chill Plates
Wafer

Stepper

Wafer
Chill Plates Hot Plates
Developer Movement
Cluster Tool dengan Etch dan
Strip Chambers
PR Strip PR Strip
Chamber Chamber

Etch Etch
Chamber Chamber

Transfer
Robot
Chamber

Loading Station Unloading Station

Cluster Tool dengan Dielectric
CVD dan Etchback Chambers
O3-TOES Ar Sputtering
Chamber Chamber

PECVD
Chamber

Transfer
Robot
Chamber

Loading Station Unloading Station

Cluster Tool dengan PVD Chambers
AlCu AlCu
Chamber Chamber

Ti/TiN Ti/TiN
Chamber Chamber

Transfer
Robot
Chamber

Loading Station Unloading Station

 Dry-in Dry-out CMP System

Wafer Loading Polishing

and Standby Pad

Post-CMP Clean Polishing

Heads
Rinse
Multi-head Polisher
Dryer and Wafer
Unloading
Clean Station
Process Bay dan Equipment Areas
Sliding Doors Process Tools

Tables For PC and

Metrology Tools
Equipment Area

Equipment Area
Process Area

Service Area
Wafer Loading Doors
 Hasil Tes

Failed die
 Struktur Chip-Bond

Perangkat Mikroelectronika dan

rangkaiannya

Chip Backside Chip (Silicon)

Metallization
Melt and
Solder
Condense
Substrate
Metallization Substrate (Metal or Ceramic)
 Wire Bonding
Metal Wire Wire Clamp

Bonding Pad Bonding Pad Bonding Pad

Formation of Press to make Head retreat
molten metal ball contact
 Wire Bonding

Bonding Pad Lead Bonding Pad Lead

Lead contact with Clamp closed with heat

pressure and heat on to break the wire
IC Chip dengan Bonding Pads
Bonding Pads
 IC Chip Packaging
Chip
Bonding
Pad

Pins
Chip dengan Bumps

Bumps
 Flip Chip Packaging
Bumps

Chip

Socket Pins
 Kontak Bump

Bumps
Chip

Socket Pins
 Heating dan Bumps Melt

Bumps
Chip

Socket Pins
 Flip Chip Packaging

Chip

Socket Pins
Molding Cavity Untuk Plastic
Packaging
Top Chase Molding Cavity

Bonding Wires IC Chip

Lead Frame
Chip Bond Metallization
Pins

Bottom Chase
 Ceramic Seal

Bonding Wires IC Chip

Ceramic Cap
Cap Seal
Metallization Layer 2 Layer 2

Lead Frame, Layer 1

Pins

Chip Bond Metallization

 Ringkasan
Yield keseluruhan
Yield menentukan kerugian atau
keuntungan dalam fabrikasi IC
Cleanroom dan cleanroom protocols
Proces bays
Proces, equipment, and area fasiliti
Die test, wafer thinning, die separation, chip
packaging, dan final test