DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

ELECTRNICA DE POTENCIA

INFORME N 1.3

Integrantes: Delgado Alexander NRC: 2074

Galeas Edouard
Garca Michelle GRUPO N 7
Zaldumbide Alison

1. TEMA:

MOSFET de potencia y DRIVER IR2110

2. OBJETIVOS:

Analizar un circuito controlador de lado alto de alto voltaje para medir las
caractersticas de drenaje del MOSFET.
Implementar el circuito analizado para comparar resultados de medicin en la prctica
correspondiente.
Comprobar la zona del MOSFET mediante los valores de las caractersticas del
circuito implementado para determinar la funcin del transistor con los parmetros
obtenidos.

3. EQUIPOS Y MATERIALES

Equipos
- Osciloscopio
- Multmetro
Materiales
- Capacitores electrolticos: 10 [uF] /50 V, 100 [uF] / 25 V
- Capacitores cermicos: 100 [nF], 100 [nF]
- Diodos IN4007
- Foco de 12 [V] / 20[W] / 0.5[]
- Resistencias 12 [], 1 [k],
- 2 Puntas de Osciloscopio (Configuracin x10)
- MOSFET IRF630
- Driver IR2110
 4. Circuito de la prctica

Figura 1. Circuito implementado en la prctica y simulacin. (National Instruments, 2015)

5. Caractersticas del MOSFET

MOSFET de potencia y DRIVER IR2110

Se considerar el valor de voltaje umbral mnimo VGS(th) = 2 [V]. (STMicroelectronics,

2006)
 Figura 2. Caractersticas de Salida MOSFET IRF630. (STMicroelectronics, 2006)

Figura 3. Caractersticas de transferencia MOSFET IRF630. (STMicroelectronics, 2006)

 6. Tabulacin de datos

VCC = 14.1 [V]

VDD = 5 [V]
VD = 12 [V]
VT = 2 [V]

[%] 20 40 60 80
VCC [V] 12.85 12.86 12.88 12.89
Va [V] 13.22 12.47 12.48 12.51
VGS [V] 2.04 3.23 3.23 3.24
Vo [V] 1.79 3.58 3.59 3.6

Regin de corte: Si <

Regin de Saturacin (Conduccin): Si >
Regin hmica: Si < . (Rashid, 2004)

=
= 2 []

[%] 20 40 60 80
VDS [V] 10.21 8.42 8.41 8.40
(VGS VT)[V] 0.04 1.23 1.23 1.24

Se cumple que > , para todos los casos por lo tanto se encuentra en la regin de
saturacin.

7. Preguntas

Entre qu terminales se aplica la seal que se obtiene de un circuito de control digital que
entrega seales PWM para el disparo de un MOSFET?

Para obtener la seal de salida de un control digital se debe aplicar a los terminales HIN y
LIN del DRIVER IR2110.

Para qu se utiliza el circuito Bootstrap?

Este circuito se emplea para controlar el MOSFET utilizando elementos de bajo voltaje ya
que en el driver IR2110 se puede separar la parte de bajo voltaje de la de alto voltaje.

8. Conclusiones
 Se logr activar el Mosfet mediante la ayuda del circuito Bootstrap haciendo uso de
una seal TTL modificando el ciclo de trabajo.

Se obtuvieron las grficas y valores de los diferentes voltajes con diferentes

porcentajes de ciclo de trabajo.

Debido a que la funcin principal del driver es mantener las seales de control a un
voltaje constante para el correcto funcionamiento y plena conduccin de los
transistores, el circuito de Bootstrap debe ser calculado ya que depende de la
frecuencia de trabajo y carga de la compuerta del IGBT.

9. Recomendaciones

Tener cuidado al momento de manipular los elementos y tomar las precauciones

necesarias para evitar daos en los mismos.

Se recomienda el uso un Driver con Bootstrap como el IR2110 ya que con ellos se
obtiene un mayor rendimiento que con Drivers simples como Totem Pull.

10. Bibliografa

International Rectifier. (1990). IR2110 (Data Sheet No. PD-6.011B ed.). Kansas.
National Instruments. (26 de Marzo de 2015). NI Multisim 14.0.
Paladines, D. (2017). PARMETROS CARACTERSTICOS Y CIRCUITOS BSICOS DEL
RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO SCR. Quito: Universidad de las
Fuerzas Armadas.
Rashid, M. (2004). Electrnica de potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Pearson.
STMicroelectronics. (2006). IRF630-IRF630FP (Mesh overlay II Power MOSFET ed.).
Estados Unidos.
11. Anexos

Anexo 1. DataSheet Driver IR2110 de International Rectifier. (International Rectifier, 1990)

Anexo 2. DataSheet MOSFET IRF630 de STMicroelectronics. (STMicroelectronics, 2006)
Anexo 3. Seal de Capacitor C2 (Canal1) Seal de entrada con ciclo de trabajo al 80%.

Anexo 4. Seal de Capacitor C2 (Canal1) Seal de entrada con ciclo de trabajo al 60%.
Anexo 5. Seal de Capacitor C2 (Canal1) Seal de entrada con ciclo de trabajo al 40%.

Anexo 6. Seal de Capacitor C2 (Canal1) Seal de entrada con ciclo de trabajo al 20%.