PERCOBAAN 10

KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON EMITER

Kelas/Kelompok : BM2

Nama Praktikan : Almer Ardian Falaqy

Rekan Kerja : 1) Geafanny Rizky Amar

2) Ursula Audrey Larasati

Pelaksanaan praktikum : Rabu, 31 Mei 2017.

Penyerahan laporan : Rabu, 7 Juni 2017.

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

PROGRAM STUDI BROADBAND MULTIMEDIA
POLITEKNIK NEGERI JAKARTA
2017
 PERCOBAAN 10
KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON EMITTER

I. TUJUAN :

1. Mempelajari karakteristik input transistor dalam konfigurasi Common

Emitter
2. Mempelajari Karakteristik output transistor dalam konfigurasi Common
Emitter
3. Mempelajari ciri-ciri harga adari resistansi input, resistansi output, dan
penguatan arus transistor dalam konfigurasi Common Emitor

II. DASAR TEORI

Gambar 1. Rangkaian Common Emitter

Hal Terpenting dari hubungan transistor common emitter (CE) adalah

bagaimana menemukan kurva karakteristik dari input dan outputnya. Input
karakteristik dapat direncanakan dengan perubahan arus basis Ib dan
tegangan basis – emitter Vbe pada tegangan Vce yang konstan.
IB=f (Vbe); Vce= konstan
Konfigurasi transistor emiter :

Gambar.2 Konfigurasi transistor emiter

Apabila dimasukan kedalam persamaan

IE = IC+IB
Maka diperoleh
α
β =
(α + 1)
β
α =
(β + 1)
Dengan memasukan arus bocor ICBO kedalam perhitungan, maka besarnya
arus IC dalam kaitannya dengan α adalah IC = αIE + ICBO .
 Gambar 3. (a) Kurva Karakteristik Input, (b) Kurva Karakteristik
Output

Pada daerah (kurva) linier dioda basis-imitor mendapatkan bias maju, oleh
karena itu karakteristik pada daerah ini menyerupai dioda yang mendapat bias
maju.Jadi untuk mengoperasikan dioda emitor-basis pada konfigurasi CE ini hanya
memerlukan arus yang relative kecil dan tahanan dinamis dioda tersebut jauh lebih
besar dari tahanan dioda kolektor-basis.Jika basis-kolektor diberikan revers-bias
kurva karakteristik inputnya akan bergeser ke kanan (Gb.3.a)

Untuk mengoperasikan transistor pada daerah linier dioda kolektor-

basis harus mendapatkan revers-bias dan output karakteristiknya
diperlihatkan pada (Gambar 3.b). setiap kurva karakteristik output
digambarkan dengan perubahan Vce dan Ic untuk beberapa harga Ib yang
tetap.
Ic=f (Vce); Ib= konstan

Pada Ib = 0 (basis terbuka) terjadi arus Ic. Dimana hal ini

disebabkan olej adanya arus bocor pala kolektor-emitor, arus bocor ini
dituliskan sebagai Ice0. Jika Ib bertambah, Ic bertambah pula dan perubahan
arus Ic jauh lebih besar dari Ib nya.
. βdc disebut penguatan DC nya, yaitu merupakan perbandingan dari
arus kolektor Ic dan arus basis Ib dimana transistor beroperasi.
𝐼𝑐
𝛃𝐝𝐜 =
𝐼𝑏
 Contoh : Pada Ib = 20µA (pada titik Q) Ic =2mA
Maka βdc = Ic / Ib = 2mA/ 20μA = 100 kali
βdcsangat bergantung pada Vce.

Output karakteristik CE dapat dibagi menjadi 3 bagian :

1. Adalah daerah jenuh dimana IC maksimum pada VCE yang kecil saja.
2. Merupakan bagian linier yaitu daerah operasi normal dari transistor
3. Daerah mati (cut off) dimana Ic mendekati 0 (nol untuk berbagi Vce

Gambar 4. Karakteristik Common Emitter

Risistansi dinamik dari output dapat dicari dengan menggunakan Gambar.1

Resistansi dinamik pada suatu titik merupakan perbandingan dari perubahan
Veb dengan perubahan arus Ib di sekitar titik tersebut.
Jadi Resistansi dinamik, Rd:
𝑽𝒆𝒃
𝑹𝒅 =
𝑰𝒃

Penguatan arus didefenisikan sebagai perbandingan arus output dan arus

input
𝑰𝒄
𝐀𝐢 = 𝛃 =
𝑰𝒃
Yang perlu diperhatikan bahwa β tergantung dari besarnya Vce. penguatan
arus CE ada hubungannya dengan penguatan arus pada CB (α).
Dimana,
 𝛃
𝛂 =
(𝛃 + 𝟏)
Resistansi output Rout merupakan perbandingan dari tegangan output
VCEdan arus output Ic.
𝐕𝐜𝐞
𝐑𝐨𝐮𝐭 =
𝐈𝐞

III. ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN

1. DC Power Supply Pascal PS 5004A : 1 buah

2. Resistor 100 KΩ : 1 buah
3. Resistor 1 KΩ : 1 buah
4. Transistor NPN BC 107 : 1 buah
5. Mulitimeter Analog YX-360TF : 1 buah
6. Multimeter Digital C.A 504 : 1 buah
7. Kabel-kabel penghubung : 3 buah

IV. CARA MELAKUKAN PERCOBAAN

Karakteristik Input

Gambar 5
1. Menghubungkan rangkaian seperti pada Gambar 5
2. Mengatur VCC sehingga VCE = 0 V. Kemudian mengatur VBB= 0.5 V.
Mengukur IB dan VBE. Mencatat hasilnya pada Tabel 1
3. Mengubah VCE = 2 V. Kemudian mengukur ulang IE dan VBE
 4. Mengulang pengukuran untuk harga VCE dan VBE yang lain.
5.
Karakteristik Output

Gambar 6.

1. Menghubungkan rangkaian seperti gambar

2. Mengatur Vcc sehingga VCE = 0V
3. Mengatur VBB sehingga IB= 0µA. Mengukur Ic dan mencatat
hasilnya pada Tabel 2
4. Mengubah VCE = 10 V. Mengulangi langkah 3
5. Mengulang pengkururan ini untuk harga VCE dan IC yang lain
V. DATA HASIL PERCOBAAN
VI. Tabel 1. Karakteristik Input

VBB VCE = 0V VCE = 2V VCE = 4V VCE = 6V VCE = 8V

(V) IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE
(µA) (V) (µA) (V) (µA) (V) (µA) (V) (µA) (V)
0,5 0 0,414 0 0,416 0 0,415 0 0,414 0 0,415

0,75 0 0,450 0 0,550 0,85 0,550 0,01 0,550 0 0,550

1,0 0 0,482 0 0,625 0 0,625 0 0,622 0 0,625

2,0 0,01 0,707 0 0,708 0 0,703 0 0,707 0,05 0,707

4,0 0,01 0,750 0 0,754 0,01 0,754 0 0,758 0,05 0,753

 6,0 0,02 0,829 0,02 0,862 0,01 0,864 0,03 0,862 0,07 0,862

Tabel 2. Karakteristik Output

VCE (V) IB = 0 µA IB = 10 µA IB = 20 µA IB = 30 µA IB = 40 µA
IC (mA) IC (mA) IC (mA) IC (mA) IC (mA)
0 0 3,8 4 µA 4,5µA 4,3µA
2 0 2 3,8 5,5 7,3
4 0 2 3,9 5,7 7,7
6 0 2 4,2 6 7,7
8 0 2 4,2 6 7,9

VII. ANALISA
Berdasarkan tabel 1 dari percoban yang dilakukan, rangkaian yang
digunakan adalah rangkaian emitor transistor. Rangkaian tersebut berguna
untuk mengetahui karakteristik input dari transistor dari transistor NPN.
Pertama membuat rangkaian sesuai dengan yang ada pada gambar 5. Lalu
mengatur tegangan input VCC hingga tegangan terukur pada multimeter di
titik VCE 0 V. Lalu mengatur VBB0.5 V .

Melakukan beberapa percobaan dengan nilai input VCE dan VBB

yang berbeda-beda, maka dapat dianalisis bahwa arus pada (Ib) semakin
besar nilai input tegangan Vbb akan semakin besar juga Vbe nya namun
tidak melebihi tegangan maksimum dari transistor itu sendiri 0.7 V. Bila
nilai melebihi 0.7 V maka akan mengalami titik saturasi/ jenuh. Juga
walaupun tegangan input Vbb dan VCE sebesar 0 v namun arus Ic tidak
semerta-merta = 0 A, walaupun sedikit namun ada kisaran pada µA
 Sedangkan pada tabel 2, menggunakan rangkaian karakteristik
output transistor. Rangkaian sama dengan input yang berbeda hanyalah
cara pengukurannya. Pertama mengatur Vbb sehingga pada titik
pengukuran Vce sebesar 0 v. Lalu mengatur pula Vbb hingga Ib = 0 A.
Hingga seterusnta sesuai nilai yang dicara pada tabel percobaan. Setelah
melakukan percobaan dapat dianalisis bahwa semakin besar nilai IB pada
grafik, maka semakin besar pula nilai Ic nya

1. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik input transistor

konfigurasi common emiter dari data tabel 1
2. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik output transistor
konfigurasi common emiter dari data tabel 2
3. Hitunglah harga resistansi input dari data tabel 1
4. Hitunglah harga resistansi output dan penguatan arus dari tabel 2
5. Apakah ada perbedaan karakteristik transistor pada konfigurasi common
basis dan konfigurasi common emiter
Penjelasan

1. Grafik kurva karakteristik input transistor konfigurasi common emiter

dari data tabel 1
2. Kurva karakteristik output transistor konfigurasi common emiter dari
data tabel 2
 𝑉𝐵𝐵
3. Resistansi Input : Ri =
𝐼𝐵

VBB R(Ω)
(V)
VCE = 0 v VCE = - 2 V VCE = - 4 V VCE = - 6 V VCE = - 8 V

-0,5 ∞ ∞ ∞ ∞ ∞

-0,75 ∞ ∞ 647,05 55000 ∞

-1 ∞ ∞ ∞ ∞ ∞

-2 70700 ∞ ∞ ∞ 14140

-4 75000 ∞ 75400 ∞ 15060

-6 41450 43100 43200 28733,33 12314,28

4. Resistansi Output
R(Ω)
VCE
IB = 0 IB = - 2 IB = - 4 IB = - 6 IB = - 8
(V)
µA µA µA µA µA

0 ∞ 0 0 0 0

-2 ∞ 1000 526,315 363,36 3650

-4 ∞ 2000 975 701,75 1925

-6 ∞ 3000 1428,57 1000 1283,33

-8 ∞ 4000 1904,76 1333,33 987,5

 Pada konfigurasi common emitor, faktor penguatan arus disebut Beta
(β) yang merupakan perbandingan antaran arus kolektor (IC) dengan
arus basis (IB). Istilah Beta juga dikenal dengan hfe yang berasal dari
parameter hibrid faktor penguatan arus pada emitor bersama.
𝛥𝐼𝑐
β = 𝛥𝐼𝐵

VBB β
(V)
IB = 0 IB = - 2 IB = - 4 IB = - 6 IB = -8
µA µA µA µA µA

0 - 1,9 1 0,75 0,5375

-2 - 1000 950 916,67 912,5

-4 - 1000 975 950 962,5

-6 - 1000 1050 1000 962,5

-8 - 1000 1050 1000 987,5

5. Ada perbedaannya, antara lain karakteristik pada konfigurasi basis

bersama adalah hubungan antara VBE dengan IE, sedangkan pada
konvigurasi emitor bersama adalah hubungan antara VBE dengan IB.
Konfigurasi common emiter memiliki resistansi input yang sedang,
transkonduktansi yang tinggi, resistansi output yang tinggi dan
memiliki penguatan arus (AI) serta penguatan tegangan (AV) yang
tinggi.
Konfigurasi common basis memiliki resistansi input yang kecil dan
menghasilkan arus kolektor yang hampir sama dengan arus input
 dengan impedansi yang besar. Konfigurasi ini biasanya digunakan
sebagai buffer.

VIII. KESIMPULAN

 Pada konvigurasi CE, karakteristik output adalah kurva antara arus output
zic terhadap tegangan output VCE pada suatu rentang nilai arus input. Dari
grafik karakteristik keluaran transistor emiter dengan IB yang berbeda-
beda dapat diperoleh nilai hfe (nisbah arus maju dengan keluaran
terhubung singkat VO= 0) dan hoe(administansi keluaran dengan masukan
terbuka ii = 0 ). Lalu diperoleh pula harga resistansi output RO=RC
 Pada konfigurasi common emitor, faktor penguatan arus disebut Beta (β)
yang merupakan perbandingan antaran arus kolektor (IC) dengan arus basis
(IB). Istilah Beta juga dikenal dengan hfe yang berasal dari parameter hibrid
faktor penguatan arus pada emitor bersama.
𝛥𝐼𝑐
β = 𝛥𝐼𝐵
IX. LAMPIRAN