MAKALAH MEKANIKA STATISTIK

“Penerapan Metode Distribusi Fermi Dirac untuk Menganalisis

Karakteristik Pertumbuhan Fonon pada Degenerasi Semikonduktor”

DISUSUN OLEH:
RIA HARIANI 16175026
PUTRI MELATI (16175025)
Pendidikan Fisika B

DOSEN
DR. AHMAD FAUZI, M.SI

PROGRAM STUDI MAGISTER PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI PADANG
2017

1
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kehadirat Allah SWT yang senantiasa melimpahkan rahmat

dan karunia-Nya, sehingga penulis dapat menyelesaikan makalah tentang
“Penerapan Metode Distribusi Fermi Dirac Untuk Menganalisis Karakteristik
Pertumbuhan Fonon pada Degenerasi Semikonduktor” yang dibimbing oleh
Bapak Dr. Ahmad Fauzi, M.Si.
Makalah ini ditulis dengan memanfaatkan kajian pustaka dari berbagai
sumber baik buku maupun internet sehingga melahirkan gagasan yang dapat
dijadikan sumber referensi baru pada matakuliah mekanika statistika. Penulis
berterima kasih kepada beberapa pihak yang telah membantu dalam penyelesaian
makalah ini hingga tersusunlah makalah yang yang dapat dibaca oleh siapa saja.
Penulis menyadari bahwa makalah yang penulis tulis ini masih terdapat
banyak kekurangan. Oleh karena itu, penulis sangat mengharapkan kritik dan
saran dari pembaca demi terciptanya sumber bacaan yang jauh lebih baik dari ini.

Padang, Mei 2017

Penulis

i
Abstrak

Karakteristik pertumbuhan fonon dalam degenarasi semikonduktor telah

dihitung di bawah kondisi suhu rendah. Jika suhu kisi tinggi, energi acoustic
intravalley Fonon dapat diabaikan jika dibandingkan dengan rata-rata energi
panas electron. Asumsi lama menyatakan bahwa tumbukan elektron-fonon
menjadi elastis dan mendekati distribusi Bose-Einstein (BE) untuk fonon dengan
hukum ekipartisi sederhana. Akantetapi, analisis saat ini pada suhu kisi rendah
menyatakan interaksi electron-elektron non setimbang dengan akustik fonon
menjadi tidak elastis dan hukum ekipartisi sederhana untuk distribusi fonon tidak
berlaku. Oleh karena itu analisis ini dibuat dengan meletakkannya kedalam
perhitungan tumbukan inelastic dan bentuk yang lengkap dari distribusi BE.
Fungsi distribusi medan tinggi pembawa diberikan oleh fungsi Fermi-Dirac (FD)
pada medan yang bergantung suhu pembawa dan telah didekati dengan model
yang sudah teruji baik dan mendatangkan masalah intrinsic dari koreksi evaluasi
integral yang melibatkan produk dan kekuatan fungsi Fermi. Oleh karena itu hasil
yang diperoleh lebih dapat diandalkan dibandingkan dengan estimasi kasar yang
satu-satunya dapat di peroleh menggunakan fungsi FD yang tepat, namun tetap
membutuhkan beberapa pendekatan sederhana.

ii
 DAFTAR ISI

Kata Pengantar…………………………………………………………… i
Abstrak ……………………………………………………………………. ii
Daftar Isi…………………………………………………………………… iii
BAB I PENDAHULUAN 1
A. Latar Belakang………………………………………………….. 1
B. Rumusan Masalah………………………………………………. 1
C. Tujuan Penulisan……………………………………………….. 2
D. Manfaat Penulisan……………………………………………… 2
BAB II KAJIAN TEORI………………………………………………… 3
A. Fonon…………………………………………............................ 3
B. Bahan Semikonduktor……… ………………………………… 7
C. Metode Distrbusi Fermi Dirac…………………………………. 10
BAB III PEMBAHASAN…………………………………………………. 13
A. Fungsi Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor 13
B. Analisis pertumbuhan fonon degenerasi semikonduktor
menggunakan fungsi distribusi Fermi Dirac …………………… 20
BAB IV IMPLIKASINYA DALAM PEMBELAJARAN FISIKA
BAB 1V PENUTUP 32
A. Kesimpulan…………………………………………………....... 32
B. Saran……………………………………………………………. 32
DAFTAR PUSTAKA 33

iii
 BAB I
PENDAHULUAN

A. Latar Belakang Masalah

Dalam kehidupan sehari-hari kita sering menjumpai penggunaan
semikonduktor, terutama dalam alat-alat elektronika karena konduktansinya yang
dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut materi
doping). Bahan yang dikatakan bersifat semikonduktor adalah bahan dengan
konduktivitas listrik yang berada di antara insulator dan konduktor. Sebuah
semikonduktor bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat rendah,
namun pada temperatur ruangan besifat sebagai konduktor.
Berdasarkan tingkat kemurnian dari kristal semikonduktor itu sendiri,
semikonduktor terbagi ke dalam dua jenis, yaitu semikonduktor intrinsik dan
semikonduktor ekstrinsik. Sifat hantaran dari semikonduktor akan bergantung
pada bahan dari semikonduktor itu sendiri. Semikonduktor intrinsik memiliki
konduktivitas yang lebih kecil dari pada semikonduktor ekstrinsik, sehingga untuk
memperbesar daya hantar dari semikonduktor tersebut dilakukan pengisian
elektron lain (doping) di pita konduksi atau pembuatan hole (eksitasi elektron)
pada pita valensi.
Selain electron dalam bahan semikonduktor juga terdapat gelombang
getaran yang disebut fonon. Karakteristik pertumbuhan fonon dalam degenarasi
semikonduktor telah dihitung di bawah kondisi suhu rendah namun belum
menujukkan hasil yang tepat. Oleh Karena itu, dalam tulisan ini kami akan
membahas lebih lanjut mengenai penerapan metode distribusi Fermi Dirac untuk
menganalisis karakteristik pertumbuhan fonon pada degenersi semikonduktor.

B. Rumusan Masalah
Berdasarkan uraian diatas maka rumusan masalah pada makalah ini adalah
Bagaimanakah penerapan model distribusi Fermi-Dirac dalam menganalisis
karakteristik pertumbuhan Fonon pada degenerasi semikonduktor?

1
C. Tujuan Penulisan
Tujuan dari penulisan makalah ini adalah Untuk mengetahui penerapan
model distribusi Fermi-Dirac dalam menganalisis karakteristik pertumbuhan
Fonon pada degenerasi semikonduktor.

D. Manfaat Penulisan
Manfaat dari penulisan makalah ini adalah dapat mengetahui serta
menjelaskan penerapan model distribusi Fermi-Dirac dalam menganalisis
karakteristik pertumbuhan Fonon pada degenerasi semikonduktor.

2
 BAB II
KAJIAN TEORI

A. Fonon
Fonon merupakan gelombang getaran dalam kristal seperti halnya pada
gelombang cahaya. Fonon mengalami peristiwa produksi dan musnah secara
berulang-ulang di dalam assembli kristal. Dengan demikian jumlah fonon dalam
assembli tidak konstan. Tidak ada potensial kimia yang berkaitan dengan produksi
atau pemusnahan fonon sehingga μ = 0 atau z = 1. Fungsi grand partisi fonon
menjadi persis sama dengan persamaan

atau ……...…..….(1)
Penjumlahan terhadap j meliputi penjumlahan terhadap tingkat energi dan
polarisasi. Fonon memiliki tiga arah polarisasi (vibrasi dalam arah sumbu x,
sumbu y, dan sumbu z). Misalkan kristal bersifat isotropik maka tiga arah
polarisasi bersifat identik dan kita dapat langsung mengganti dengan
k adalah indeks untuk tingkat energi saja. Dengan demikian untuk fonon

persamaan (1) menjadi ……………...……..……(2)

Fonon dapat dipandang sebagai gelombang, serupa dengan gelombang
elektromagnetik. Hubungan antara bilangan gelombang dan frekuensi yang
berlaku pada gelombang elektromagnetik juga berlaku pada fonon. Dengan
demikian, energi fonon dapat ditulis dalam bentuk dan hubungan antara
frekuensi dan panjang gelombang memenuhi

………………………………………………………………….(3)
dengan vg adalah kecepatan grup.

3
Gambar 1 . Secara umum atom-atom dalam kristal memiliki tiga arah vibrasi.
(memiliki tiga polarisasi) (www1.aps.anl.gov) (dalam Mikrajuddin Abdullah)
Seperti yang telah kita lakukan pada gelombang elektromagnetik, kita dapat
mengganti penjumlahan pada persamaan dengan integral sebagai berikut

Dengan transformasi tersebut maka persamaan (2) menjadi

…………………..…….…………….(4)
Berbeda dengan gelombang elektromagnetik yang dapat memiliki frekuensi
dari 0 sampai tak berhingga, menurut Debye fonon hanya diijinkan memiliki
frekuensi dari nol hingga frekuensi maksimum tertentu. Frekuensi maksimum
tersebut bergantung pada jenis material. Misalkan frekuensi maksimum kita tandai
dengan ωm maka bentuk lengkap dari persamaan (4) adalah

…………..……….…………….(5)
Energi assembli memenuhi persamaan

………………….....………….(6)
Untuk menyelesaikan persamaan (6) kita misalkan . Dengan
demikian , dan . Substitusi ke dalam persamaan (6) kita
peroleh

4
 …………………………………….…………(7)
Untuk menyelesaikan persamaan (7) mari terlebih daulu kita definisikan
fungsi berikut ini

………………………………………………………(8)
Dengan fungsi tersebut maka persamaan (7) dapat ditulis

…………………………………...…………….(9)
Fungsi Φ(y) sulit untuk dihitung langsung. Yang dapat kita lakukan adalah
mencari aprokasi pada kondisi ekstrim di mana y << 1 atau y >> 1. Jika y << 1
maka semua x dalam integral (6.45) memenuhi x <<1. Dengan demikian kita dapat
melakukan aproksimasi berikut ini

Dan fungsi pada persamaan (8) terapkrokasimasi menjadi

…………………………...………….(10)
Sebaliknya, jika y >> 1, kita lakukan proses perhitungan berikut ini. Kita
mulai dengan melakukan penguraian deret berikut ini.

Dengan uraian deret ini maka fungsi Φ(y) menjadi

5
 Mari kita selesaikan dulu integral berikut ini

Untuk y yang sangat besar kita bisa ambil sehingga

Dengan demikian aproksimasi Φ(y) pada y yang sangat besar adalah

……………..……...……….(11)
Dari persamaan (9), (10), dan (11) kita dapatkan ungkapan untuk energi
dalam pada dua kondisi ektrem sebagai berikut

…………………………….(12)

Karena maka kita dapat menulis ulang persamaan

(12) sebagai
3

………….……..(13)

Dari ungkapan energi dapat kita tentukan kapasitas kalor sebagai berikut

6
 …………………………………(14)

Kita definisikan suhu Debye sebagai berikut . Dari definisi

tersebut maka kapasitas kalor memenuhi persamaan

………………...………………(15)
Tampak dari persamaan (15) bahwa pada suhu sangat tinggi kapasitas kalor
kristal tidak bergantung pada suhu. Ini sesuai dengan hukum Dulong-Petit yang
diturunkan dari fisika klasik (persamaan ekipartisi energi). Sebaliknya, pada suhu
mendekati 0 K kapasitas kalor berubah sesuai dengan pangkat tiga suhu.

B. Bahan Semikonduktor
Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti
dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah
konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan-
bahan logam seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik
sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya
dapat bergerak bebas.
Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si),
Germanium (Ge) dan Gallium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan
satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun
belakangan, silikon menjadi populer setelah ditemukan cara mengekstrak bahan
ini dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada di bumi setelah
oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak
mengandung unsur silikon.
Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing
memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi
oleh 8 elektron, sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut akan membentuk

7
ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah
(0oK), struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut.

Gambar 2. struktur dua dimensi kristal Silikon

Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti
atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat
sebagai isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk
menghantarkan listrik. Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas
karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya.
Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga tidak
memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik.
Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa
itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian
doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah
lebih banyak dan permanen yang diharapkan akan dapat menghantarkan
listrik. Ada beberapa istilah dalam membahas bahan semikonduktor diantaranya:
1. Pita Energi
Berangkat dari teori atom, dinyatakan bahwa atom terdiri dari inti atom dan
elektron-elektron yang mengelilingi inti atom, elektron berada pada kulit-kulit
atom berdasarkan tingkat-tingkat energi tertentu. Semakin jauh dari inti kulit atom
yang ditempati oleh elektron, maka energi ikat elektron semakin besar, dan
sebaliknya. Tingkat-tingkat energi pada kristal dapat seperti atom tunggal (lihat
gambar 2). Interaksi antar atom pada kristal hanya terjadi pada elektron dikulit
terluar (elektron valensi). Berdasarkan azas Paulli, pada suatu tingkat energi tidak
boleh terdapat lebih dari satu elektron pada keadaan yang sama. Jadi apabila

8
terdapat lebih dari satu elektron pada keadaan yang sama, akan terjadi pergeseran
tingkat energi, sehingga tidak pernah terjadi tingkat-tingkat energi yang
bertindihan. Pita energi adalah kumpulan garis pada tingkat energi yang sama
akan saling berhimpit.

Gambar 3. Tingkat energi pada atom tunggal dan pita energi pada kristal

Penentuan pita energi secara rinci dibicarakan di fisika kuantum, namun

secara sederhana, akan ditunjukan sebagai contoh penentuan struktur pita energi
pada bahan padat kristal. Pada gambar 4 dapat dilihat ilustrasi struktur pita energi
untuk kristal isolator, kristal semikonduktor dan kristal konduktor. Pada keadaan
kesetimbangan (equilibrium), pita energi tersplit menjadi dua bagian dan
dipisahkan oleh daerah dimana elektron tidak bisa bergerak atau beroperasi,
daerah ini disebut daerah terlarang (forbidden gap atau band gap). Pita atas
dinamakan pita konduksi, dan pita bagian bawah dinamakan pita valensi.

Gambar 4. Struktur pita energi untuk: a) bahan isolator, b) bahan semikonduktor,

c) bahan konduktor

Isolator memiliki struktur pita energi seperti pada gambar 4(a), dimana pita
konduksinya tidak terisi oleh elektron (kosong), sedang pada pita valensinya terisi
penuh oleh elektron, dan celah energinya cukup besar ~ 9 eV, sehingga bahan
isolator tidak bisa menghantarkan listrik. Agar elektron dari pita valensi untuk

9
bisa pindah ke pita konduksi dibutuhkan energi eksternal > 9 eV. Semikonduktor
memiliki struktur pita energi seperti ditunjukkan pada gambar 4(b), dimana
sebagian dari elektron pada pita valensi pindah menuju pita konduksi, sehingga
meninggalkan hole pada pita valensi. Kemudahan elektron pindah menuju pita
konduksi ini dikarenakan energi gap-nya kecil. Konduktor memiliki struktur
kristal seperti ditunjukkan pada gambar 4(c), dimana pita konduksinya terisi
sebagian oleh elektron, dan tidak ada celah energi antara pita valensi dan pita
konduksi, sehingga elektron-elektron pada pita valensi sangat mudah untuk
pindah menuju pita konduksi. Hal inilah yang menyebabkan bahan konduktor
sangat mudah untuk menghantarkan listrik.
Sebagai gambaran besarnya energi ikat elektron pada kulit atom, telah
dirumuskan oleh model atom Bohr. Sebagai atom tinjauan adalah atom hidrogen,
dimana energi ikat tersebut berbanding terbalik dengan kuadrat bilangan kuantum
n yang menunjukan nomor kulit lintasan elektron. Berdasarkan tingkat kemurnian
bahan-nya bahan semikonduktor, dibedakan menjadi 2, yakni semikonduktor
intrinsik (yang belum mengalami pengotoran), semikonduktor ekstrinsik (yang
sudah mengalami pengotoran).

C. Fungsi Distribusi Statistik Fermi-Dirac

Untuk setiap jenis statistik diasumsikan bahwa entropi adalah sebanding
dengan logaritma peluang termodinamika, dan bahwa dalam suatu keadaan
setimbang entropi system bernilai maksimum. Hal ini berarti ln W bernilai

maksimum, sehingga d ln W  0 .

n!
Berdasarkan persamaan W   , akan diperoleh persamaan baru
Ni !n  Ni !
seperti berikut.
n!
W 
Ni !n  Ni !
 n! 
ln W   ln  
 Ni !n  Ni ! 
ln W  ( ln n !  ln  Ni !n  Ni !)
ln W  (ln n !  ln Ni !  ln n  Ni )

ln W  (n ln n  ln Ni! ln n  Ni ) ...................................................... (16)

10
 Karena jumlah cell sangat besar, dengan demikian n dan Ni merupakan
bilangan yang sangat besar, maka dapat digunakan Pendekatan Stirling, sehingga
persamaan ln W  (n ln n  ln Ni ! ln n  Ni ) akan menjadi seperti berikut

ln W  (n ln n  ln Ni ! ln n  Ni )
ln W  n ln n  Ni ln Ni  n  Ni  ln n  Ni 
ln W   n ln n  Ni ln Ni  n ln n  Ni  Ni ln n  Ni 

d ln W  d n ln n    Ni ln Ni  n ln n  Ni  Ni ln n  Ni …..…....(17)
Jika jumlah partikel dan energi total adalah konstan, akan terdapat
persamaan kondisi seperti berikut.
dN  dNi  0
dU  wi dNi  0
Untuk mempermudah perhitungan, kalikan persamaan pertama dengan (–ln
B) dan persamaan kedua dengan (   ) .
dN x ( ln B)  dNi x ( ln B)   ln B dNi  0 ........................... (18)
dU x (  )  wi dNi x(  )    wi dNi  0 ............................... (19)
Persamaan (18) dan persamaan (19) dan kemudian tambahkan dengan
 n  Ni 
persamaan d ln W   ln  dNi  0 , maka akan terbentuk persamaan baru
 Ni 
seperti berikut.
 n  Ni 
 ln B dNi  (  wi dNi)   ln  dNi  0
 Ni 
 n  Ni 
  ln B dNi    wi dNi   ln  dNi  0
 Ni 

 n  Ni 
  ln  ln B  wi  dNi  0 .......................................................... (20)
 Ni 
 n  Ni 
Oleh karena suku   ln  ln B  wi  dan dNi saling bebas, dalam
 Ni 
 n  Ni 
artian jika dNi = 0, maka   ln  ln B  wi   0 dan sebaliknya jika
 Ni 
 n  Ni  Ni
  ln  ln B  wi   0 , maka dNi ≠ 0. Namun agar terdefinisi, maka
 Ni  n

11
  n  Ni 
  ln  ln B  wi  harus sama dengan nol. Oleh karena itu, akan didapat
 Ni 
persamaan baru seperti berikut.
 n  Ni 
  ln  ln B   wi   0
 Ni 
n  Ni
ln  ln B   wi  0
Ni
n  Ni
ln Ni  wi
B
n  Ni
ln  wi
B Ni

n  Ni
exp  wi 
B Ni

n  Ni
B exp wi 
Ni
n
B exp wi  1
Ni
n
B exp ( wi)  1 
Ni
n
Jadi didapat  B exp ( wi)  1 , sehingga
Ni
Ni 1
 ………………………………………….…...….(21)
n B exp ( wi)  1
Persamaan (21) dikenal dengan fungsi distribusi Fermi-Dirac untuk keadaan
probabilitas termodinamika maksimum.

12
 BAB III
PEMBAHASAN

A. Fungsi Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor

Penerapan fungsi distribusi Fermi-Dirac pada semikonduktor terdapat pada
pengisian pita energi dalam semikonduktor. Dimana elektron dari pita konduksi
yang akan mengisi pita valensi pada semikonduktor harus memiliki besar energi
melebihi energi gap dari semikonduktor itu sendiri, sehingga bahan tersebut akan
terkonduksi dan akan menghantarkan arus listrik.
Diagram pita energi untuk material semikonduktor mirip dengan
material isolator akan tetapi berbeda pada lebar celah energinya. Celah energi
pada semikonduktor hanya sekitar 1 eV. Germanium dan silikon adalah material
semikonduktor. Konfigurasi atom Ge [Ar] 3d10 4s2 4p2 dan Si [Ne] 3s2 3p2;
kedua macam atom ini memiliki 4 elektron di tingkat energi terluarnya.
Tumpangtindih pita energi di tingkat energi terluar akan membuat pita
energi terisi penuh 8 elektron. Karena celah energi sempit maka jika
temperatur naik, sebagian elektron di pita valensi naik ke pita konduksi
dengan meninggalkan tempat kosong (hole) di pita valensi. Keadaan ini
digambarkan pada Gambar 4. Baik elektron yang telah berada di pita konduksi
maupun hole di pita valensi akan bertindak sebagai pembawa muatan untuk
terjadinya arus listrik. Konduktivitas listrik naik dengan cepat dengan naiknya
temperatur. Pada temperatur kamar, sejumlah electron terstimulasi thermis dan
mampu naik ke pita konduksi dan meninggalkan hole (tempat lowong) di pita
valensi. Konduktivitas listrik tersebut di atas disebut konduktivitas intrinksik.

13
 Gambar 5. Diagram pita energi semikonduktor. Sejumlah elektron naik

ke pita konduksi pada temperatur kamar.

Konduktivitas material semikonduktor juga dapat ditingkatkan dengan

penambahan atom asing tertentu (pengotoran, impurity). Jika atom pengotor
memiliki 5 elektron terluar (misalnya P atau As) maka akan ada kelebihan satu
elektron tiap atom. Kelebihan elektron ini akan menempati tingkat energi
sedikit di bawah pita konduksi (beberapa perpuluh eV) dan dengan sedikit
tambahan energi akan sangat mudah berpindah kepita konduksi dan
berkontribusi pada konduktivitas listrik. Atom pengotor seperti ini disebut
donor (karena ia memberikan elektron lebih) dan semikonduktor dengan donor
disebut semikonduktor tipe n.
Jika atom pengotor memiliki 3 elektron terluar (misalnya B atau Al) maka
akan ada kelebihan satu hole tiap atom. Kelebihan hole ini akan menempati
tingkat energi sedikit di atas pita valensi dan dengan sedikit tambahan
energi akan sangat mudah elektron berpindah dari pita valensi ke hole di
atasnya dan meninggalkan hole di pita valensi yang akan berkontribusi pada
konduktivitas listrik. Atom pengotor seperti ini disebut akseptor (karena ia
menerima elektron dari pita valensi) dan semikonduktor dengan akseptor
disebut semikonduktor tipe p. Untuk membuat perubahan konduktivitas yang
memadai di material semikonduktor, cukup ditambahkan sekitar 1 pengotor per
sejuta atom semikonduktor.

14
1. Distribusi Fermi-Dirac
Kita anggap bahwa distribusi elektron mengikuti distribusi Fermi-Dirac.

………………………………………...(22)
Dimana F disebut dengan Energi Fermi atau lever Fermi. Sebuah sistem
non-interacting dengan kuantum state diskrit. Sistem tersebut dikontakkan
dengan reservoir pada temperatur T. Dengan i dan j sebgai energi total dari
partikel pada state i dan j berturut-turut. Dimana Wij merupakan probabilitas dari
elekton dari state i berpindah ke state j dalam satuan waktu. Rata-rata jumlah
partikel yang membentuk transisi dari state i ke state j adalah.

Temperatur (T) dimasukkan karena dalam transisi akan terjadi penyerapan

atau pemancaran energi dari atao oleh reservoir. Berturut-turut, jumlah rata-rata
partikel yang bergerak dari state j ke state i adalah.

Kita gunakan prinsip ‘detailed balance’ yang menyebutkan bahwa dalam keadaan
kesetimbanagan termal (thermal equilibrium) kedua jumlah state tersebut harus
bersamaan, sehingga.

……………………………………………..(23)
Bila fi merupakan jumlah rata-rata dari elektron pada state i, berdasarkan
prinsip larangan Pauli (Pauli exclusion) dimana setiap state hanya boleh diisi oleh
0-1 elektron pada waktu tertentu. Karenanya 0  fi  1, dan fi juga merupakan
fraksi konfigurasi yang ditempati state i. Dengan cara yangsama, 1-fi merupakan
fraksi konfigurasi yang dimana state i kosong (tidak ada elektron). Jumlah transisi
dari state i ke state j dengan besar M konfigurasi adalah

Karena transisi hanya terjadi bila state i penuh sedangkan state j kosong, maka.

Persamaan diatas sama dengan/setara dengan persamaan berikut.

15
 atau dengan memasukkan persamaan (23), sehingga

Persamaan ini berlaku pada state i tertentu dan state j tertentu. Oleh karena
itu, kedua ruas adalah tidak terikat pada i dan j ;

Persamaan diatas merepresentasikan besarnya F, berikut merupakan hasil

dari persaamaan di atas untuk fi.

Berdasarkan persamaan (22), pada suhu 0 K semua state yang berada di

bawah energi tertentuakan terisi dengan elektron sedangkan semua state yang
berada di atas energi akan kosong. Dimana T0, yang diperoleh dari persamaan
(22) dan f(F) = ½.

Hal ini berarti bahwa; untuk energi dibawah energi Fermi (level Fermi),
state akan terpenuhi oleh elektron (f() > ½ for  < F) dan untuk energi dibawah
level Fermi, state akan kosong (f() < ½ for  > F).
Untuk energi yang jauh lebih besar dari energi Fermi (-F >> kBT) dapat
kita selesaikan dengan distribusi Fermi-Dirac menggunakan pendekatan distribusi
Maxwell-Boltzmann.

Karena 1+ exp (-F)/ kBT) ~ exp ((-F)/ kBT) untuk -F >> kBT hal ini
disebut dengan kasus non-degenerate. Sebuah semikonduktor yang menggunakan
penerapan statistik Fermi-Dirac disebut degenerated.
2. Persamaan Kerapatan
Kita menggunakan distribusi Fermi-Dirac (22) pada persamaan berikut.

16
 n
Sehingga untuk kerapatan elektron akan berlaku persamaan berikut.

Persamaan yang sama juga berlaku pada hole dengan kerapatan p untuk energi
dibawah valensi band minimum v.

Kerapatan elekton dan hole dapat dihitung lebih jelas dengan menggunakan
pendekatan parabolic band dengan massa efektif isotropic.

Dengan kerapatan efektif dari state sebagai berikut.

Dan dengan integral Fermi sebagai berikut.

Pada kasus non-degenerate c - F >> kBT dan F - v >> kBT, integral Fermi di
atas dapat diganti dengan fungsi yang lebih sederhana, yaitu.

Sehingga kerapatan elektron akan menjadi.

………….(24)

17
3. Semikonduktor Intrinsik
Kristal semikonduktor murni yang belum terkontaminasi/ditambahkan oleh
atom-atom lain disebut dengan semikonduktor intrinsik. Dalam hal ini, pita
konduksi elektron hanya dapat terpenuhi oleh valensi sebelumnya dan elektron
tersebut akan meninggalkan lubang (hole) pada pita valensi. Jumlah elektron pita
konduksi adalah sama dengan jumlah hole pada pita valensi.

Kerapatan intrinsik ni pada kasus non-degenerated (pers (9) dapat dihitung

dengan persamaan berikut.

…….(25)
Karena energi gap g = c - F. Berdasarkan persamaan (24) dan (25) maka energi
Fermi untuk semikonduktor intrinsik dapat dihitung dengan menggunakan
persamaan berikut.

Hal ini menyatakan bahwa T0, energi Fermi terletak tepat di tengah-
tengah energi gap. Atau dengan kata lain pada semikonduktor intrinsik energi
Fermi berkedudukan tepat di tengah-tengah kedua pita energi karena mempunyai
jumlah elektron yang sama dengan jumlah hole. Pada kebanyakan semikonduktor
pada suhu kamar, energi gap g lebih besar dari pada kBT (Si ; 1,12 eV, kBT =
0,0259 eV pada suhu kamar). Hal ini menunjukkan asumsi dari non-degeneracy
dengan hasil yang sesuai dengan asumsi.

18
4. Doping
Kerapatan intrinsik terlalu kecil untuk menghasilkan konduktivitas yang
memadai (Si: ni = 6,93 x 109 cm-3). Walau demikian, untuk menghasilkan
kerapatan yang lebih besar dapat dilakukan dengan memindahkan beberapa
elektron ke dalam kristal semikonduktor, dimana atom tersebut memiliki lektron
bebas pada pita konduksi atau hole bebas pada pita valensi. Peristiwa ini disebut
dengan doping. Ketidakmurnian ini berkontribusi pada kerapatan dari carrier
(pembawa) yang disebut dengan donor untuk atom yang menyumbangkan
elektronnya ke pita konduksi dan acceptor untuk atom yang menyumbangkan
hole (menangkap elektron) pada pita valensi.

Gambar 6. Ilustrasi energi gap g dan hubungannya dengan c, v, F

Semikonduktor yang di doping/menerima donor disebut dengan

semikonduktor tipe N, dan semikonduktor yang menerima acceptor disebut
dengan semikonduktor tipe P. Ketika kita mendoping kristal Germanium (Ge)
yang tiap atomnya memiliki 4 elektron valensi dengan Arsenic (Ar) yang tiap
atomnya memiliki 5 elektron valensi, maka setiap atom Arsenic akan
menyumbangkan 1 elektron valensinya pada Germanium. Elektron bebas ini
memiliki ikatan yang lemah dengan atom Arsenic, energi ikatny sebesar 0,013 eV
dan eksitasi termal menyediakan energi yang cukup untuk mengeksitasi elektron
bebas tersebut melewati energi gap menuju ke pita konduksi. Misal, d dan a
merupakan level energi dari elektron donor dan hole acceptor. Sehingga c - d
dan a - v lebih kecil dari kBT. Hal ini berarti penambahan partikel berkontribusi
pada kerapatan elektron dan kerapat hole pada suhu kamar.

19
 Gambar 7. Ilustrasi level energi donor dan acceptor (d, a)

B. Analisis pertumbuhan fonon degenerasi semikonduktor menggunakan

fungsi distribusi Fermi Dirac

Sebuah ensemble elektron dalam semikonduktor ketika mengalami medan

listrik yang relatif tinggi dapat terganggu secara signifikan dari keadaan
kesetimbangan termodinamika dan kemungkinan partikel menunjukkan
kelistrikan yang tidak linear. Kondisi lazim secara eksperiment di mana medan
non-linearitas dapat diatur. Misalnya, n-Ge atau InSb mungkin menunjukkan non-
linearitas pada suhus kisi rendah TL≤ 20K, meskipun untuk medan yang kecil
(V/cm).
Hal ini secara baik diketahui bahwa interaksi electron electron dengan bahan
impurity adalah statis. Ketika suhu kisi rendah, anggap sekitar 20 K atau kurang,
intekasi dengan akustik intervalley fonon sebagian besar ambil bagian dalam
proses keseimbangan energy system electron-fonon. Dalam suatu perubahan
keadaan, electron pada keadaan tidak seimbang mencapai suhu efektif Te, yang
melebihi tempetur kisi. Dibawah kondisi ini, electron memancarkan banyak fonon
fonon yang menyerap mereka pada sebuah interval. Ini membuat jumlah fonon
N 𝑞 dengan vector gelombang q yang tumbuh deiring waktu.
Analisis teoritis dari masalah suhu kisi tinggi (TL≈300K), biasanya
didasarkan pada sejumlah asumsi sederhana yang hampir tidak valid pada suhu
kisi rendah, dari urutan beberapa puluh derajat atau kurang. Pertama, di bawah
kondisi saat TL tinggi, energi fonon (εph) dapat diabaikan dibandingkan dengan
energi pembawa (εk). Dengan demikian asumsi bahwa tumbukan electron adalah
ε 2
statis. Rasio ( εph ) diurutkan dari (v ul ), v𝑡ℎ adalah kecepatan electron yang berada
𝑘 𝑡ℎ

20
dalam keadaan setimbang kisi dan ul adalah rata rata kecepatan akustik. Saat suhu
kisi tinggi (Tl≥20K), rasio ini sangatlah kecil , dan sejumlah kecil energy fonon
dapat diabaikan dari energy pembawa. Tapi, dengn suhu rendah TL, rasionya naik
yang nantinya membuat energy fonon dapat dibandingkan dengan energy
electron. Karena itu untuk nilai rendah TL, dengan asumsi bahwa tumbukan
electron fonon elastis, dapat terjadi sesaat. Selain itu, ketika TL lebih tinggi , rata
rata energy termal electron melebihi energy fonon, dan kemudian distribusi
energy fonon secara asumsi tradisional diberikan oleh penaksiran ekipartisi fungsi
distribusi Bose-Einstein (BE). Tapi, pada TL rendah, ketika energy termal
pembawa dapat dibandingkan dengan energy fonon, penaksiran ekipartisi
distribusi fonon kembali menjadi tidak valid. Oleh keran itu, nilai TL, analisis
harus dibuat penuh dari distribusi BE. Semua ini merupakan ciri khusus dari kisi
suhu rendah. Ini ditunjukkan oleh Chakrabarty dan Bhattacharya yang
𝜕𝑁q
menghitung rata pertumbuhan fonon dalam suatu material yang tidak
𝜕𝑡

terdegenerasi secara signifikan hasilnya salah jika tidak mempertimbangkan ciri

ciri kisi pada suhu rendah.
Degenerasi dapat juga dipertimbangkan dari ciri ciri suhu rendah yang lain.
Dengan peningkatan level dopping, ketika electron berkonsentrasi pada material
type-n melebihi keadaan kerapatan efektif, materi berperilaku terdegenerasi.
Kemudian bagian bola simetris dari fungsi distribusi f0(ε) non setimbang
diberikan oleh fungsi Fermi Dirac dengan suhu efektif electron Te. Suatu
perkiraan kasar dari nilai kritis kerapatan donor ND Untuk timbulnya degenerasi
dapat di perkirakan dengan hubungan:

ℎ
Dimana εF adalah adalah level Fermi, ћ = , h adalah konstanta Plank, m adalah
2π

massa efektive electron dan Ed adalah energy ikat donor.

Baru-baru ini, Midday et al. memperoleh bentuk perkiraan rata rata
pertumbuhan fonon semikonduktor yang berdegenerasi pada suhu kisi rendah,
mengambil sifat inelastik dari interaksi antar elektron-fonon dan distribusi fonon

21
sebenarnya kedalam perhitungan. Karena sifat kompleks dari fungsi Fermi,
integrasi yang melibatkan produk dan kekuatan fungsi hampir tidak dapat
dilakukan secara analitis tanpa mengambil jalan lain untuk beberapa perkiraan
yang disederhanakan. Kadang-kadang, hanya ujung fungsi Fermi, yang pada
dasarnya merupakan fungsi Maxwell yang digunakan untuk analisis. Sebenarnya,
asumsi yang membuat terlalu sulit, berbeda untuk masalah yang berbeda. Asumsi
yang dibuat dalam persamaan dapat digunakan untuk mengatasi kesulitan masalah
yang sedang dipertimbangkan di sini. Secara jelas, analisis perkiraan tersebut
tidak diharapkan menghasilkan banyak hasil reliabel. Namun, analisis perkiraan
memprediksi perubahan signifikan dalam karakteristik pertumbuhan bila
dibandingkan dengan bahan non-degenerate yang sama di bawah kondisi suhu
rendah yang serupa.
Masalah integrasi analisis yang sama yang melibatkan fungsi Fermi sering
dijumpai di banyak analisis teoritis. Untuk mengatasi kesulitan ini, Das et al.,
Baru-baru ini mengusulkan model perkiraan untuk fungsi distribusi FD. Model ini
tampaknya cukup sederhana dan lebih tepat. Hal ini karena kenyatannya bahwa,
menggunakan model ini sekarang bisa mengevaluasi secara analitis integral yang
banyak dengan mudah, dan itu juga tanpa menimbulkan kesalahan signifikan
dalam hasil berikutnya. Memiliki sebuah uji langsung dari validitas model yang
diusulkan, sebuah perbandingan model dengan fungsi distribusi FD dibuat dalam
Gambar 8 yang mempertimbangkan ensemble elektron degenerasi dalam
kesetimbangan kisi yaitu menempatkan Te = TL. Validitas yang tampak
memuaskan. Selain itu, hasil secara teoritis yang telah diperoleh sebelumnya
dalam model terang, pada beberapa karakteristik transportasi medan yang tinggi
dalam sampel degenerasi dari Ge dan InSb pada suhu kisi rendah, telah ditemukan
berada dalam perjanjian baik dengan hasil percobaan.
Tujuan komunikasi singkat ini adalah untuk mendapatkan karakteristik
pertumbuhan fonon dalam degenerasi materi dalam model terang dari model yang
sama di bawah kondisi kisi suhu rendah, dengan mempertimbangkan sifat
inhelastik dari interaksi elektron dengan fonon akustik, dan juga untuk distribusi
fonon sebenarnya. Tingkat validitas model ini sudah dijelaskan pada Gambar. 8.

22
Gambar 8. Perbandingan fungsi distribusi Fermi Dirac dengan tujuan fungsi
distribusi yang dihitung untuk m=3, untuk nilai parameter degenerasi yang
berbeda dan suhu kisi TL. dengan menganggap sebuah ensembel electron pada
kesetimbangan kisi dengan Te=TL. kurva 1 dan 2 diperoleh secara berturut turut
𝜀 𝜀
untuk 𝑘 𝐹𝑇 = 5 dan 15 pada TL=4 K. kurva 3 dan 4 untuk 𝑘 𝐹𝑇 = 5 dan 15 pada TL=
𝐵 𝐿 𝐵 𝐿
20 K.
Selain itu, hasil yang telah diperoleh di sini untuk berbagai sampel Si telah
dibandingkan dengan perkiraan kasar sebelumnya dengan karakteristik yang
sama, yang menggunakan bentuk yang tepat dari distribusi FD. Pendistribusian,
tetapi mengambil jalan lain untuk beberapa perkiraan yang lebih disederhanakan.
Domain energy di bagi dalam 3 wilayah, dibatasi pada dua sisi dari energy
Fermi εF, dan fungsi Fermi di aproksimasi untuk masing masing cara pada cara
berikut:

Untuk wilayah -1: 0 < ε < 𝛽1 εF ; 𝛽1 ≤ 1,

ε−εF
𝑓0 (ε) = 1 ∑∞ 𝑚 𝑚𝑦
𝑀=1(−1) 𝑒 ; y= < 0……………………………………(26)
𝑘𝐵 𝑇𝑒

Untuk wilayah – 2: 𝛽1 εF ≤ ε ≤ 𝛽2 εF ; 𝛽2 ≥ 1,

𝑓0 (ε) = cε + ᵞ ………………………………………….(27)

C dan γ adalah konstanta yang di tetapkan dari kondisi batas bahwa 𝑓0 (ε) pada 𝛽1
εF dan 𝛽2 εF harus di identikkan ke nilai yang pasti di asumsikan fungsi FD .

23
 1
asumsi fungsi pada pion ini, dan pada ε = εF, 𝑓0 (ε) = 2. Dengan demikian

diperoleh

1
Sehingga, 𝑓0 (ε) = + c(ε - εF)………………………………………………….(28)
2

Untuk wilayah -3 𝛽2 εF ≤ ε ≤ ∞

𝑓0 (ε) = ∑∞
𝑀=1(−1)
(𝑚+1) −𝑚𝑦
𝑒 ; y > 0………………………………………..(29)

Tujuan model distribusi yang diatas telah di plot pada gambar 8. Untuk
sebuah ensemble degenerasi electron yang berada dalam kesetimbangan dengan
atom kisi dengan Te=TL. distribusi yang dimaksud telah diurutkan dari m=3.
Hanya mengambil tiga bentuk pertama dalam ekpansi 26 dan 29. Gambar 8
menunjukkan bahwa hasil distribusi yang diajukan dengan fungsi FD secara
aktual cukup memuaskan.
Menggunakan ditribusi ini seseorang dapat mengevaluasi angka
𝜕𝑁q
pertumbuhan fonon dari teori perturbasi bergantung waktu dengan metode
𝜕𝑡

standar.
Electron yang berada dalam ketidaksetimbangan pada suatu volum V dari
interaksi sebuah meteri dengan intravalley akustik fonon dan transisi electron

antara vector keadaan gelombang dan dengan emisi yang menyertai

serta penyerapan fonon. Kuadrat elemen matrik untuk transisi diberikan oleh

……………………………………..(30)

Dimana E1 adalah konstanta deformasi potensial, 𝜌 adalah kerapatan materi,

24
untuk menghitung kontribusi semua ensemble electron, butuh jumlah semua

vector gelombang keadaan . Fungsi ditribusi non setimbang f ( ) biasanya

dapat di ungkapkan sebagai jumlah hubungan simetris bola 𝑓0 (ε) dan suatu
penambahan keci yang dapat diabaikan yang memberikan asimetri pada arah
medan.

Vector dapat diungkapkan dalam bentuk koordinat polar k, θ, Ø, dengan

vector fonon sejajar dengan sumbu z.untuk memperoleh spin degenerasi dalam
hitungan, dan mengintegrasikan kedalam ukuran sudut polar, serta mengkonversi
penjumlahan k kedalam integral energy ε salah satunya dapat diperoleh dari
ensemble degenerasi

……………………..(31)

Harus dipandang dengan ciri umum suhu rendah. diperoleh dari distribusi

fonon sebenarnya tanpa pemangkasan ke pendekatan ekipartisi :

ћ𝑢𝐼 𝑞
dimana x= , dan 𝜀0 diperoleh dari persamaan keseimbangan energi dan
𝑘𝐵 𝑇 𝐿

momentum untuk sistem elektron fonon sebagai

Sekarang dengan menggunakan pendekaran distribusi FD, dan diintegralkan akan

𝜕𝑁q
menghasilkan kontribusi untuk masing masing wilayah ke yang dapat dinilai
𝜕𝑡

secara mudah tanpa perlu pendekatan. Oleh karena itu diperoleh

…………………………………(32)
Dimana:

, dan

25
, dan

26
 ,dan

Dimana,

27
 Batas nilai energy 𝜀0 dari tiga wilayah di disain secara berturut turut
𝜀01 , 𝜀02 ,dan 𝜀03 .
Disini dapat dicatat bahwa integral yang terjadi lebih mudah jika dilakukan secara
analitik, dan nilai resultan dalam tiap-tiap kasus memusat dengan cepat.
Hasil analisis teori pada efek energy terbatas dari deformasi akustik fonon dan
distribusi fonon sebenarnya pada angka pertumbuhan fonon yang terjadi lebih
awal untuk materi non degenerasi dibawah kondisi yang sama suhu rendah dapat
dikutip dari referensi yang sudah ada yaitu:

……..….(33)
𝑘 𝑇
𝐵 𝐿 2𝑚∗𝑢12
Dimana a= 8𝑚∗𝑢 2 𝑇 ; b=
1 𝐿 𝑘𝐵 𝑇 𝐿

Angka kenaikan fonon pada jumlah fonon untuk materi non degenerasi
kelihatan cukup bervariasi secara halus dengan vektor gelombang x, yang
sebenarnya menurun dengan kenaikan yang sama. Efek ini lebih dinyatakan pada
nilai yang lebih rendah dari Tn .
Dapat dilihat uraian diatas, bahwa karakteristik pertumbuhan fonon disini
dihitung untuk materi materi terdegenerasi pada rangka yang diusulkan 𝑓0 (ε),
bagian simestris fungsi distribusi non setimbang dan tanpa membuat asumsi
sederhana yang berlebihan sehingga dinormalisasi dengan memberikan
𝜕𝑁
( 𝜕𝑡x )
𝑛𝑜𝑟𝑚

28
Untuk hasil berupa angka, misalkan silikon (Si) dengan beberapa parameter
diantaranya: E1= 9.0 eV, ρ= 2.329 x 103kgm-3, u1=9.037x103ms-1,m*=0.32m0, m0
𝜕𝑁
merupakan massa electron bebas. Ketergantungan dari ( 𝜕𝑡x ) terhadap x
𝑛𝑜𝑟𝑚

disini diperoleh untuk nilai yang berbeda dari suhu kisi TL dan suhu electron Tn
𝜀𝐹
ternormalisasi diplot pada gambar 9 dan 10 untuk parameter degenerasi =5
𝑘𝐵 𝑇 𝐿

dan 15 secara berturut-turut.

𝜀𝐹
Gambar 9. Untuk parameter degenerasi = 5 ketergantungan angka
𝑘𝐵 𝑇 𝐿
𝜕𝑁 𝜕𝑁
pertumbuhan fonon ( 𝜕𝑡x ) dinormalisasi ke angka ( 𝜕𝑡x ) . Pada vector x
𝑑𝑒𝑔 𝑛𝑜𝑛−𝑑𝑒𝑔
gelombang fonon, missal Si untuk nilai yang berbeda suhu kisi T L dan suhu
electron ternormalisasi Tn. kurva 1 dan 2 untuk Tn=2.5 dan 10 secara berturut-
turut a, b, dan c dihubungkan ke suhu kisi 1, 4 dan 20K berturut-turut. Kurva yang
kontinu menggambarkan hasil yang diperoleh dari analisis saat ini dan kurva
putus-putus merupakan hasil perkiraan.

29
 𝜀𝐹
Gambar 10. Untuk parameter degenerasi = 15 ketergantungan angka
𝑘𝐵 𝑇 𝐿
𝜕𝑁 𝜕𝑁
pertumbuhan fonon ( 𝜕𝑡x ) dinormalisasi ke angka ( 𝜕𝑡x ) . Pada vector x
𝑑𝑒𝑔 𝑛𝑜𝑛−𝑑𝑒𝑔
gelombang fonon, missal Si untuk nilai yang berbeda suhu kisi T L dan suhu
electron ternormalisasi Tn. kurva 1 dan 2 untuk Tn=2.5 dan 10 secara berturut-
turut, dan ini a, b, dan c dihubungkan ke suhu kisi 1, 4 dan 20K berturut-turut.
Kurva yang kontinu menggambarkan hasil yang diperoleh dari analisis saat ini
dan kurva titik-titik merupakan hasil perkiraan.

30
 BAB IV
IMPLIKASINYA DALAM PEMBELAJARAN FISIKA

31
 BAB IV
PENUTUP

A. Kesimpulan
Berdasarkan uraian yang telah dipaparkan sebelumnya, maka diperoleh
kesimpulan sebagai berikut.
1. Fonon adalah gelombang getaran dalam kristal seperti halnya pada
gelombang cahaya. Pada bahan semikonduktor fonon sulit diprediksi
pada suhu yang rendah.
2. Fungsi distribusi Fermi Dirac dapat digunakan untuk menganalisis
angka pertumbuhan fonon pada materi degenerasi pada kondisi suhu
rendah dengan persamaam berikut;

32
 DAFTAR PUSTAKA

A.Basu, B. Das, T.R. Middya, D.P. Bhattacharya. 2017.A realistic analysis of the
phonon growth characteristics in a degenerate semiconductor using a
simplified model of Fermi-Dirac distribution. Journal of Physics and
ChemistryofSolidsElsevier.http://www.sciencedirect.com/science/journal/
00223697/100 Diakses tanggal 1 Mei 2017
Anonim. 2017. Band Theory of Solid. Terdapat pada http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbase/hframe.html Diakses pada tanggal 1 Mei 2017.
Anonim. 2017. Energy Gap. Terdapat pada http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbase/hframe.html Diakses pada tanggal 1 Mei 2017.
Anonim. 2017. Fermi-Dirac Distribution. Terdapat pada http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbase/hframe.html Diakses pada tanggal 1 Mei 2017.
Anonim. 2017. Intrinsic Semiconductor. Terdapat pada http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbase/hframe.html Diakses pada tanggal 1 Mei 2017.
Anonim, 2017 . Krsital Semi Konduktor. Terdpat pada
http://file.upi.edu/Direktori/FPMIPA/
JUR._PEND._FISIKA/195708071982112WIENDARTUN/8.Semikonduktor_%2
8Kuliah%29.pdf. Diakses pada tanggal 1 Mei 2017.
Jungel, Ansgar. 2008. Mathematical Modeling of Semiconductor Devices.
Terdapat pada http://www.asc.tuwien.ac.at/~juengel/scripts/semicond.pdf
Diakses pada tanggal 1 Mei 2017.
Mikrajuddin Abdullah.2015. Mekanika Statistik. Bandung. Buku tersedia Online
Munazir. 2004. Semikonduktor. Terdapat pada
http://azkamiru.files.wordpress.com/ 2010/01/fis-semikonduktor.pdf
Diakses pada tanggal 1 Mei 2017.
Oklilas, Ahmad Fali. 2007. Bahan Ajar Elektronika Dasar. Terdapat pada
http://www.scribd.com/document_downloads/direct/4057827?extension=p
df&ft=1307875862&lt=1307879472&uahk=nCPbn9u1JFp4nhoBRo3RdE
D01pc Diakses pada tanggal 1 Mei 2017.

33
Sudirham, S. & Utari, N. 2010. Mengenal Sifat-sifat Material (1). Tedapat pada
http://eecafe.files.wordpress.com/2011/03/mengenal-sifat-material-1.pdf
Diakses pada tanggal 1 Mei 2017.
Yasa. P. 2001. Buku Ajar: Pengantar Fisika Zat Padat : tidak diterbitkan.

34