EL TRANSISTOR UNIJUNTURA

(UNI-JUNCTION TRANSISTOR)

Manuel Iparraguirre Montenegro

RESUMEN:

Introducción: En esta ocasión encontraremos un dispositivo de disparo conocido como el

transistor unijuntura o UJT. Deberemos estudiar algunos conceptos básicos los cuales
explicaremos previo al inicio de la experiencia. Materiales y Métodos: Trabajaremos
conjuntamente con un diodo y resistencias para poder analizar las características de nuestro
transistor. Resultados: Luego de una serie de mediciones y pruebas pudimos observar el
comportamiento del transistor, comprendiendo de mejor manera su funcionamiento.
Conclusiones: Llegamos a visualizar un valor pico de tensión en el transistor para un
determinado valor óhmico entre la base1 y el punto a tierra. Dicho valor se considera el voltaje
de disparo, y se alcanza cuando el capacitor se carga a través de la resistencia.

Palabras Clave: UJT, voltaje de disparo, relación de mantenimiento intrínseca.

ABSTRACT:
Introduction: This time we find a firing device known as the transistor or UJT unijuntura. We
will study some basic concepts which explain before the start of the experience. Materials and
Methods: We will work in conjunction with a diode and resistor to analyze the characteristics
of our transistor. Results: After a series of measurements and tests we observed the behavior
of the transistor, better understand its operation. Conclusions: We display a peak voltage of the
transistor for a given value between base1 ohmic and ground point. This value is considered
the trigger voltage, and is reached when the capacitor is charged through the resistor.

Keywords: UJT, trigger voltage, intrinsic relationship maintenance.

INTRODUCCIÓN

El transistor unijuntura (UJT) es un dispositivo de tres terminales que tiene la construcción

básica de la Fig1. Tiene una sola juntura PN y las características son bastante diferentes desde
el transistor bipolar, tales como presentar una región de resistencia negativa en su curva
característica y presentar un voltaje Vp en el emisor, siendo este una fracción de voltaje entre
bases VB2 y VB1.

MATERIALES Y MÉTODOS:
 MATERIALES:
 Osciloscopio

 1 UJT 2N2646

 Diodo 1N4004

 2 Condensadores: 0.1uF, 0.22 uF (todos a 50V)

 Multímetro Digital marca FLUKE.

 Tablero de conexión (PROTOBOARD).

 1 potenciómetro de 10kΩ

 3 Resistencias (1 w) : 100Ω, 1kΩ, 10kΩ

 Alicate de punta.

PROCEDIMIENTO:

PARTE A: Medir la resistencia entre las bases y determinar las características del diodo
PN de emisor a base 1 del transistor unijuntura UJT.

1) Observe el UJT e identifique los terminales de base1, base2 y emisor, fije el

multímetro en la función de óhmetro en el rango Rx1K.

2) Mida y registre la resistencia entre B1 y B2 con el emisor abierto (R BB0).

RBB0 = 6.93KΩ

3) Invierta las puntas del óhmetro y mira RBB0 de nuevo.

RBB0 = 6.91KΩ

4) ¿Sus mediciones de RBB0 indican que el UJT tiene una juntura PN entre B1 y B2?

Sí. Debido a que luego de realizar las mediciones correspondientes se observó que
existe un valor óhmico entre las bases, lo cual indica que existe un conductor de por
medio, por tanto hay contacto entre ambas.

5) Mida y registre la resistencia directa de emisor a Base1. Conecte la punta de ohms

del óhmetro el emisor y la punta de tierra a la Base1.

REB1 (directa) = 403.5 KΩ

6) Invierta las puntas del óhmetro y mida la resistencia inversa entre el emisor y
Base1.

REB1 (inversa) = 407.5 KΩ

 7) Compare sus mediciones de REB1. ¿Estos valores indican que el UJT tiene juntura PN
entre el emisor y la base1? Explique

Si ya que del mismo modo que en el caso anterior obtuvimos un valor óhmico entre los
terminales correspondientes al emisor y la base 1. al haber un valor óhmico, demuestra
que hay un conductor entre ambos.

PARTE B: Determinar la relación intrínseca de mantenimiento de un transistor unijuntura.

1) Examine el circuito de la Fig. 2. El capacitor C2 se carga a través de R1 hasta alcanzar el

voltaje de disparo del UJT. Cuando Q1 se dispara, C2 se descarga a través del circuito de
Emisor-Base1 del UJT. Entonces la carga C2 cae por debajo del valor requerido para
mantener a Q1 en conducción y Q1 se corta nuevamente. La acción se repite
continuamente y se genera una onda tipo diente de sierra a través de C2.

2) Conecte el circuito de la Fig. 2

3) Ajuste VBB a 10 Vdc

4) Mida y registre el voltaje pico a través de C1.

VC1 = 1.514V

5) Calcule la relación de mantenimiento intrínseca utilizando el valor de V BB de (3) y VC1 de

(4).

VP V 1.514
  C1   0.1514
V BB V BB 10
PARTE C: Medir el voltaje máximo de disparo de emisor de un transistor de
unijuntura.

1) Ahora cambie su circuito como se muestra en la Fig. 3. Ajuste R4 inicialmente

para la resistencia mínima.

2) Ajuste VBB a 10 Vdc

3) Aumente lentamente la resistencia de R4 mientras observa el voltaje de emisor
a tierra en el voltímetro. ¿Qué sucede a la indicación del voltímero?
Observamos que a medida que incrementamos el valor de R4, la tensión en el
emisor muestra una tendencia hacia cero voltios.
Además pudimos notar que hay un valor óhmico determinado en el cual la tensión
se dispara.
4) ¿Qué representa la lectura máxima en el voltímetro?
Al leer el máximo valor de tensión en el voltímetro entenderemos que nos
ubicamos en la tensión de disparo del UJT.
5) ¿Qué provoca la repentina disminución en el voltaje de emisor?
Dicha caída se provoca por la descarga del condensador 2 que al caer por debajo
del valor requerido para mantener a Q1 en conducción se corta nuevamente.
6) Reduzca nuevamente R4 a la resistencia mínima.
7) Repita (3) y (6) tantas veces como sea necesario hasta obtener una medición
exacta de Vp.
Vp = 1.72V
8) Compare el valor de Vp contra el de V C1 en (4) de la Parte B. ¿Concuerdan?
Explique cualquier discrepancia.
Sí, puesto que el valor de Vp resultó ser mayor al medido en VC1.
9) Indique qué efecto tendría en Vp un mayor valor de  .
Aumentaría su valor a que de acuerdo a la fórmula indicada Vp y  son
directamente proporcionales:

VP

V BB

10) ¿Qué efecto tendría un valor de VBB en Vp?

Tendría un efecto similar al caso anterior, puesto que sus valores también son
directamente proporcionales:
VP
  Vp  V BB  
V BB

CUESTIONARIO

1) Los transistores de unijuntura tienen:

a. Ninguna juntura PN.

b. Una juntura PN.

c. Dos junturas PN.

d. Ninguna de las anteriores.

 De acuerdo a lo explicado en la introducción de esta experiencia, el transistor unijuntura
UJT es un dispositivo que tiene una sola juntura PN. (b)

2) La resistencia entre las bases queda determinada por:

a. La barra de silicio de tipo N
b. El alambre de emisor de aluminio
c. La zona P de emisor
d. La caída de voltaje a través del diodo de emisor

De acuerdo a la imagen, observamos que el material

entre las bases es la barra de silicio de tipo N, por tanto
dependerá de dicha barra el valor de la resistencia entre
bases.

3) Vp, el voltaje de disparo del emisor, depende de:

a. El voltaje de la fuente, VBB
b. La relación de mantenimiento intrínseca n
c. La caída del diodo VD
d. Todos los anteriores
De acuerdo a la fórmula dada en esta experiencia:

VP
  Vp  V BB  
V BB

Podemos observar claramente que el voltaje de disparo depende tanto del voltaje de la
fuente VBB, como de la relación de mantenimiento intrínseca.

4) Cuando la resistencia de un dispositivo disminuye con un aumento en la

corriente, el dispositivo tiene:

a. Una característica de resistencia positiva.

b. Una característica de resistencia negativa

c. No tiene resistencia
 d. Resistencia infinita

Según la ley de ohm: V = I*R

De considerar una tensión constante, tenemos que la corriente es directamente

proporcional con la resistencia, por tanto de aumentarla también debería crecer el valor de
la resistencia. Si sucede que la corriente crece y la resistencia disminuye, consideraremos
una característica de resistencia negativa.

5) Es más probable que se use un transistor de unijuntura en:

a. La amplificación de audio

b. Amplificación de radiofrecuencia

c. Circuitos de tiempos y control

d. Mezcla de señales

El principio de funcionamiento de los osciladores se puede dividir en dos grandes bloques que
da lugar a multitud de variantes y de denominaciones:

-.Los que fundamentan su comportamiento en un amplificador regenerativo, en el cual una

parte de la señal que entrega en su salida se realimenta en fase sobre el elemento activo. Con
este principio se puede conseguir la mayoría de formas de ondas básicas y, con cierta
dificultad, impulsos de corta duración.

-.Los que el dispositivo activo del circuito presenta una zona de resistencia negativa en su
característica, no precisando en este caso realimentación parta producir las oscilaciones
bastando simplemente la acción de la red pasiva (por ejemplo, resistencia-condensador) para
llevar al dispositivo a la citada zona.

Estos circuitos son notablemente más sencillos que los anteriores y suministran normalmente,
señales con forma de onda no -sinusoidal, generalmente ondas en dientes de sierra o impulsos
de corta duración.

Por tanto podemos afirmar que es más probable que le UJT se utilice en circuitos de tiempos y
control.

6) ¿Cuál de las siguientes ecuaciones define la relación de mantenimiento

intrínseca?
 a. EtRB1/VBB

b. RB1/(RB1 + RB2)

c. RB1/RBB

d. Todos los anteriores

 =R1/RBB

Conclusiones

Pudimos observar que cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor Vp de ruptura, el UJT
presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa
por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo,
esta región se llama región de resistencia negativa, este es un proceso realimentado
positivamente, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar,
para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.
 Cuarto Laboratorio – Métodos Matemáticos 2

Manuel Iparraguirre Montenegro - 200920520

P1

a)

f(t):

>> t1=-3*pi:0.01:-2*pi;

>> t2=-2*pi:0.01:-pi;

>> t3=-pi:0.01:0;

>> t4=0:0.01:pi;

>> t5=pi:0.01:2*pi;

>> t6=2*pi:0.01:3*pi;

>> f1=-(t1+2*pi).^2;

>> f2=(t1+2*pi).^2;

>> f2=(t2+2*pi).^2;

>> f3=-t3.^2;

>> f4=t4.^2;

>> f5=-(t5-2*pi).^2;

>> f6=(t6-2*pi).^2;
>> plot(t1,f1,t2,f2,t3,f3,t4,f4,t5,f5,t6,f6)

>> grid on

10

-2

-4

-6

-8

-10
-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10

>> t1=-3*pi:0.01:-2*pi;

>> t2=-2*pi:0.01:-pi;

>> t3=-pi:0.01:0;

>> t4=0:0.01:pi;

>> t5=pi:0.01:2*pi;

>> t6=2*pi:0.01:3*pi;

>> f1=-2*(t1+2*pi);

>> f2=2*(t2+2*pi);

>> f3=-2*t3;

>> f4=2*t4;

>> f5=-2*(t5-2*pi);

>> f6=2*(t6-2*pi);

>> plot(t1,f1,t2,f2,t3,f3,t4,f4,t5,f5,t6,f6)
>> grid on
 7

0
-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10

P2

a)

>> t1=-3*pi:0.01:-2*pi;

>> t2=-2*pi:0.01:-pi;

>> t3=-pi:0.01:0;

>> t4=0:0.01:pi;

>> t5=pi:0.01:2*pi;

>> t6=2*pi:0.01:3*pi;

>> f1=-(t1+3*pi).^2;

>> f2=(t1+2*pi).^2;

>> f2=(t2+2*pi).^2;

>> f3=-(t3+pi).^2;

>> f4=t4.^2;

>> f5=-(t5-pi).^2;

>> f6=(t6-2*pi).^2;

>> plot(t1,f1,t2,f2,t3,f3,t4,f4,t5,f5,t6,f6)

>> grid on
 10

-2

-4

-6

-8

-10
-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10

b)

>> syms t n

>> fa=(t^2)*cos((2*n-1)*t);

>> aimpr=4/(2*pi)*int(fa,0,pi)

aimpr =

(5734161139222659*pi*cos(pi*(2*n - 1)))/(4503599627370496*(2*n - 1)^2) -

(5734161139222659*sin(pi*(2*n - 1)))/(4503599627370496*(2*n - 1)^3) +
(5734161139222659*pi^2*sin(pi*(2*n - 1)))/(9007199254740992*(2*n - 1))

>> fb=(t^2)*sin((2*n-1)*t);

>> bimpr=4/(2*pi)*int(fb,0,pi)

bimpr =

(5734161139222659*cos(pi*(2*n - 1))*(2/(2*n - 1)^3 - pi^2/(2*n - 1)))/9007199254740992 -

5734161139222659/(4503599627370496*(2*n - 1)^3) + (5734161139222659*pi*sin(pi*(2*n -
1)))/(4503599627370496*(2*n - 1)^2)
P3

a)

Programación:

>> X1=-2*pi:0.01:-pi;

>> X2=-pi:0.01:0;

>> X3=0:0.01:pi;

>> X4=pi:0.01:2*pi;

>>f1=X1+2*pi;

>> f2=pi-(X2+2*pi);

>> f3=X3;

>> f4=pi-X4;

>> plot(X1,f1,X2,f2,X3,f3,X4,f4)

>> grid on

Visualización:

-1

-2

-3

-4
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
b) S.T.F.

Como la función posee simetría de media onda, respecto a la función: f(t)=t, hallaremos los

valores de

>> syms x n

>> f=x*cos((2*n-1)*x);

>> aimpr=4/(2*pi)*int(f,0,pi)

aimpr =

- (5734161139222659*cos(pi*n)^2)/(4503599627370496*(4*n^2 - 4*n + 1)) -

(5734161139222659*pi*cos(pi*n)*sin(pi*n))/(4503599627370496*(2*n - 1))

>> fb=x*sin((2*n-1)*x);

>> bimpr=4/(2*pi)*int(fb,0,pi)

bimpr =

(5734161139222659*sin(pi*(2*n - 1)))/(9007199254740992*(2*n - 1)^2) -

(5734161139222659*pi*cos(pi*(2*n - 1)))/(9007199254740992*(2*n - 1))

b) S.C.F.

Se continua lo hecho en la parte para el cálculo de y , y se procede a hallar

>> cn=(1/2)*(aimpr-j*bimpr)
cn =

- (5734161139222659*cos(pi*n)^2)/(9007199254740992*(4*n^2 - 4*n + 1)) -

(5734161139222659*pi*cos(pi*n)*sin(pi*n))/(9007199254740992*(2*n - 1)) +
(5734161139222659*pi*cos(pi*(2*n - 1))*i)/(18014398509481984*(2*n - 1)) -
(5734161139222659*sin(pi*(2*n - 1))*i)/(18014398509481984*(2*n - 1)^2)