1. Objetivo de experiencia.

2. Cuestionario previo.
2.1. Dibuje el esquema del transistor.
En configuración emisor común.

2.2. Defina a que se llama el ß, también ley de corrientes.

Ganancia de corriente o parámetro β de un transistor.
La ganancia de corriente de un transistor es la relación que existe entre la variación o
incremento de la corriente de colector y la variación de la corriente base.
2.3. Defina el concepto de punto de operación.
Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se
denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).
2.4. Defina el concepto de recta de carga.
La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la corriente y la
tensión del diodo. Las rectas de carga son especialmente útiles para los transistores, por lo
que más adelante se dará una explicación más detallada acerca de ellas.
2.5. ¿Por qué polarizamos un transistor?
Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo
polarizar un transistor NPN que PNP. Podemos decir que la unión base-emisor se polariza
directamente y la unión base-colector inversamente.
2.7. ¿Qué es el valor 0.7 V?
0.7 V; es la tensión correcta para el funcionamiento correcto de los transistores de silicio.

2.8. ¿Cuáles son las configuraciones del transistor?

Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con transistores:
- Amplificador base común
- Amplificador emisor común
- Amplificador colector común

2.9. ¿Cuáles son las zonas de trabajo del

transistor?
- Transistor en corte
- Transistor en activo
- Transistor en saturación
3. Laboratorio de polarización del transistor:
3.1. Arme el circuito y determine los valores teóricos:
3.2. Aplique los conceptos de los transistores:

 LEY DE CORRIENTES: 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
 GANANCIA DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR ß: ß = 𝐼𝐶 /𝐼𝐵
Aplicando EL MULTISIN llenar el cuadro, comprobando los datos con las ecuaciones dadas.

DATOS TEÓRICOS

𝑽𝑪𝑮 8.151 V

𝑽𝑬𝑮 1.446 V

𝑽𝑩𝑮 2.135 V

𝑽𝑩𝑬 0.689 V

𝑽𝑪𝑬 6.705 V

𝑰𝑪 2.567 mA

𝑰𝑩 15.987 uA

ß 160.568

 𝑰𝑬 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 15.987 uA + 2.567 mA = 2.583 mA

𝐼 2.567 𝑚𝐴
 ß = 𝐼 𝐶 = 15.987 𝑢𝐴 = 160.568
𝐵

 𝑽𝑩𝑬 = 𝑉𝐵𝐺 - 𝑉𝐸𝐺 = 2.135 V – 1.446 V = 0.689 V

 𝑽𝑪𝑬 = 𝑉𝐶𝐺 - 𝑉𝐸𝐺 = 8.151 V – 1.446 V = 6.705 V

4. Laboratorio: El transistor como amplificador de señales: