Practica # 1: El diodo semiconductor, Principio de

funcionamiento
Juan C. Guamán

Abstract — En la siguiente práctica se pudo observar el Material tipo n: Un material tipo n se crea introduciendo
comportamiento del diodo semiconductor en polarización elementos de impureza que contienen cinco electrones de
directa e inversa comprobando así de manera práctica lo valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el
aprendido en clases. fósforo
Material tipo p: El material tipo p se forma dopando un
cristal de germanio o silicio puro con átomos de impureza que
I. INTRODUCCION tienen tres electrones de valencia. Los elementos más
En el siguiente informe se dará a conocer el principio de utilizados para este propósito son boro, galio e indio. El efecto
funcionamiento del diodo semiconductor. También se de uno de estos elementos, el boro, en una base de silicio
comprobará que la ecuación característica que rige al diodo se
cumpla para ello de dará distintos valores de voltaje y se La aplicación del voltaje 𝑉_𝐷 en los terminales del dispositivo
medirá la corriente y el voltaje en la carga de acuerdo a esto se permite tres posibilidades:
obtendrá las diferentes conclusiones.
 Sin Polarización Vd=0
 Polarización Inversa 𝑉d<0
II. OBJETIVOS  Polarización Directa 𝑉d>0
A. Objetivos Generales
Sin polarización aplicada 𝑉d=0
 Determinar el principio de funcionamiento de un diodo En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo
semicomnductor, mediante la graficación de su curva neto de la carga en cualquier dirección para un diodo
característica, a partir de valores obtenidos de semiconductor es cero.
mediciones.
 Reforzar los conocimientos adquiridos en clase sobre
el diodo semiconductor.
B. Objetivos Especificos
 Emplear un catálogo u hojas características para un
diodo semiconductor.
 Conectar adecuadamente los instrumentos de medición
de tensión e intensidad.
 Comprobar el principio de funcionamiento de un diodo
semiconductor empleando un software de simulación.
.

III. MARCO TEORICO Polarización inversa 𝑉d<0

Semiconductores
Los semiconductores son elementos cuya conductividad se
encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la
construcción de dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
Juan C. Guamán, Universidad de Cuenca, Cuenca - Ecuador,
Laboratorio de Electrónica Analógica, Docente Ing. Martin Ortega,
( juan.guaman@ucuenca.ec )
Al conectar una fuente externa de voltaje el número de iones
positivos aumenta en la región tipo n y el de iones negativos
en la región tipo p. El resultado es un ensanchamiento de la
zona de agotamiento.
Este fenómeno hace que sea más difícil el flujo de portadores
de uno a otro tipo de material, y por lo tanto establecer un
flujo de corriente es más difícil, pero el número de portadores
minoritarios no cambia hacia la región de agotamiento.

Patricio X, Cajas, Universidad de Cuenca, Cuenca - Ecuador,

Laboratorio de Electrónica Analógica, Docente Ing. Martin
Ortega, ( patricio.cajas@ucuenca.ec )
 Grafica del a curva característica del diodo semiconductor
Polarización directa 𝑉d>0
La condición de polarización en directa o “encendido” se
establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el
potencial negativo al tipo n

La polarización directa hace que los iones positivos y

negativos se recombinen en la región de agotamiento, teniendo
como consecuencia la reducción de la zona.

Mientras mayor es el voltaje menor será el ancho de la zona lo

que conlleva a que los portadores mayoritarios del material
tipo n puedan viajar con mayor facilidad al material tipo p.

Región zener

El voltaje de Zener (𝑉z ) es aquel que produce un cambio

drástico en la corriente haciendo que esta crezca muy
rápidamente.

Características V- I

La característica del diodo se puede definir mediante las

ecuaciones:

El aumento de portadores en 𝐼𝑠 genera la corriente de
avalancha en la región Zener. Los diodos que aprovechan estas
características se denomina Diodos Zener.
C. Variar el voltaje de la fuente de acuerdo a los valores
sugeridos de la Tabla II. Emplee el voltímetro y
amperímetro en la escala adecuada y complete la tabla
Tabla II Medidas de voltajes y corrientes en polarización directa

IV. MATERIALES Vs
 Fuente variable de CC (V) Vd(V) Id(mA)
 Protoboard 0,2 0,13 0,00023
 Voltimetro CC
0,4 0,42 0,00664
 Miliamperimetro de CC
 Diodo 1N4148 0,6 0,52 0,29
 Resistencia de 220Ω 0,8 0,6 1
 Cables de conexion 1 0,63 1,73
1,2 0,65 2,31
V. PROCEDIMIENTO 1,4 0,67 3
1,6 0,69 3,93
A. Completar los valores de la Tabla I, de acuerdo a las
1,8 0,7 4,96
especificaciones de la hoja característica del diodo
semiconductor 1N4148 2 0,71 5,64
2,2 0,72 6,7
Tabla I. Especificaciones del diodo 2,4 0,72 7,58
2,6 0,73 8,14
DIODO 1N4148

D. Armar el circuito de la Figura 2. Realizar las

mediciones correspondientes y completar la Tabla III.
Para los valores sugeridos de Vs.

B. Armar el circuito de la Figura 1

Figura 1.- Polarización Directa de un Diodo Semiconductor Figura 2. Polarización Inversa de un Diodo Semiconductor
 F. Completar la Tabla IV, empleando la ecuación
Tabla III Medidas de voltaje y corriente en polarización inversa característica de un diodo semiconductor de Silicio.
Considere temperatura ambiente de 25°C. NOTA: Para el
valor de Is tomar la media aritmética de los valores
Vs (v) 1 2 3 4 5
obtenidos en (d).
Vd En este punto debido a que los instrumentos de medida
(v) 1,01 2 3,26 3,98 4,99 utilizados no tenían la precisión adecuada no pudimos medir
Is IS con exactitud así que tomamos el menor valor de la tabla 1
(uA) 0,00 0,00 0,01 0,01 0,01 para IS.

Tabla IV Cálculos de Id mediante la ecuación de Shockley

E. Graficar la curva característica del diodo de acuerdo a

los valores obtenidos en las mediciones en los puntos c) y
Vs (V) Vd(V) Id(A)
d) 0,2 0,18 2,75E-05
0,4 0,42 3,21E+05
0,6 0,52 1,57E+07
0,8 0,6 3,53E+08
1 0,63 1,14E+09
1,2 0,65 2,47E+09
1,4 0,67 5,38E+09
1,6 0,69 1,17E+10
1,8 0,7 1,73E+10
2 0,71 2,55E+10
2,2 0,72 3,77E+10
Figura 3. Curva característica del diodo 2,4 0,72 3,77E+10
(polarización directa)
2,6 0,73 5,56E+10

G. Comparar y analizar los resultados obtenidos en los

puntos C),D) y F)
 Con respecto al punto c podemos ver que no existe un
flujo de corriente mientras que el valor del voltaje,
sea menor que 0.7 a medida q se acerca a 0.7
empieza a fluir corriente . esto se debe a que el
voltaje mínimo que el diodo necesita para polarizarse
es 0.7 en este caso.

 En el punto d podemos ver que mientras el diodo este

polarizado de manera inversa el valor de la corriente
es extremadamente bajo en el orden de los nA asi que
Figura 4. Curva característica del diodo
(polarización inversa)
podemos decir que no existe flujo de corriente I=0

 En el punto F podemos observar que los valores

obtenidos teóricamente son diferentes a los medidos
coincidiendo solo los primeros valores esto se debe a
que talvez con la ecuación este dando valores de otro
diodo con similares caracteristicas.
 V=110 v
H. Armar el circuito de la fig. 2. Ajustar el voltaje de la
fuente al valor del Voltaje Zener del diodo 1N4148
U1
indicado en su hoja de especificaciones y hacer 5 + -
incrementos de 5V. -100.759 V

DC 10MOhm
En cada uno de estos incrementos, ¿El voltaje del diodo U2
VD varía significativamente? Explique por qué. D1 + -
-0.042 A

1N4148
DC 1e-009Ohm
V1 R1
V=100v
110V 220Ω
U1
+ -
-99.998 V

DC 10MOhm
U2
D1 + -
-10u A

1N4148
DC 1e-009Ohm
V1 R1
100V 220Ω V=115 v
U1
+ -
-100.807 V

DC 10MOhm
U2
D1 + -
-0.065 A

1N4148
V= 105v DC 1e-009Ohm
V1 R1
115V 220Ω
U1
+ -
-100.704 V

DC 10MOhm
U2
D1 + -
-0.02 A
V=120 v
1N4148
DC 1e-009Ohm
V1 R1 U1
105V 220Ω + -
-100.85 V

DC 10MOhm
U2
D1 + -
-0.087 A

1N4148
DC 1e-009Ohm
V1 R1
120V 220Ω
  Se puede observar que una vez que se alcanza el
voltaje zener del diodo el voltaje VD se estabiliza a
un valor de 100.7 V aproximadamente y a medida
que el voltaje de la fuente aumenta el voltaje del
diodo no aumenta significativamente.

VI. CONCLUSIONES
 De acuerdo con los puntos realizados en la práctica se
pudo comprobar las características y los estados del
diodo semiconductor.
 Se observó que el diodo actúa como circuito abierto
cuando esta polarizado inversamente o el valor del
voltaje de la Fuente es menor que el voltaje de
polarización del diodo y como cortocircuito cuando
esta polarizado directamente.
 Se pudo observar mediante la simulación que cuando
el diodo esta polarizado inversamente y el voltaje de
la Fuente es mayor que el voltaje zener el valor del
voltaje del diodo se estabiliza.

VII. RECOMENDACIONES
 Se recomienda verificar que las conexiones de los
circuitos estén bien realizadas antes de energizar.
 Tener mucho cuidado a la hora de manipular los
equipos de laboratorio
 Utilizar equipos de medición de alta precisión ya que
los valores a medir son muy pequeños.

VIII. REFERENCIAS
[1] Robert Boylestad, and Louis Nashelsky. Electrónica: Teoría de Circuitos
Y Dispositivos Electrónicos. México: Pearson Educación, 2009.

IX. BIOGRAFIA

Juan C Guamán, nació en Azogues-Ecuador el 3 de

Noviembre de 1994. Realizó sus estudios secundarios en
. el colegio Luis Rogerio González (Azogues), donde
obtuvo el título de Técnico Industrial Especialización
instalaciones, Equipos y maquinas eléctricas. En el año
2012 Ingresó a la universidad de Cuenca y actualmente
se encuentra cursando la carrera de Ingeniería Eléctrica