LABORATORIO N° 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR

DE JUNTURA BJT POLARIZACION Y COMO

AMPLIFICADOR DE SEÑAL ALTERNA

1.- Objetivo de experiencia.

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica, aunque también en algunas aplicaciones
de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos
por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca
recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor
 posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y
estado de actividad.

2.- Cuestionario previo.

2.2 Defina a que se llama el β, también ley de corrientes
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de
electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
región del emisor y el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que
muchos más electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor común
está representada por βF o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente
continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa directa y
es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante es la ganancia de
corriente base común, αFx. La ganancia de corriente base común es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región
activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila
entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):

2.3 Defina el concepto de punto de operación.

La polarización del bjt se realiza mediante tensión continua y consiste en preparar
el transistor para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el cual se
le quiere utilizar, se busca que a través del colector circule una cantidad de
corriente IC, y a su vez se obtenga una tensión entre el colector y el emisor VCE
para esa cantidad de corriente IC, a esto se le llama obtener el punto de
operación o punto Q del transistor. La corriente IC va depender de la corriente en
la base IB que exista en la malla de entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE
dependerá de la malla de salida del circuito, para ver esto será de utilidad uso de
las curvas características y la ecuación de recta de carga.
Cuando se tiene un circuito ya polarizado y se quiere conocer su punto Q, se hace
lo sigue, a partir de la malla de entrada se puede calcular la corriente de la base
IBQ, de la malla de salida se obtiene la ecuación de la recta de carga, esta recta
de carga se traza sobre la curva característica de salida, donde se intercepten la
recta de carga con la curva correspondiente a IBQ será el punto de operación del
bjt, para conocer el valor de la corriente de colector en el punto Q se traza a partir
del punto de intercepción una paralela al eje de VCE donde corte esta al eje IC
ese será el valor de la ICQ, para conocer el valor de la tensión colector emisor en
el punto Q se traza a partir del punto de intercepción una paralela al eje de IC
donde corte esta al eje VCE ese será el valor de la VCEQ.
Si lo que se quiere es realizar un circuito de polarización del bjt, entonces será
necesario conocer cuanta debe ser la corriente de colector en el punto de
operación ICQ y también cuanto debe ser el valor de la tensión colector emisor en
el punto de operación VCEQ, la forma en que se procede en estos casos se ve
más adelante.

2.4 Defina el concepto de recta de carga.

La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la
corriente y la tensión del diodo. Las rectas de carga son especialmente útiles para
los transistores, por lo que más adelante se dará una explicación más detallada
acerca de ellas.
Se trata de comprobar de forma práctica el efecto de amplificación de corriente de
un transistor, así como de determinar su punto de trabajo para un determinado
corriente de base y la recta de carga.
La siguiente expresión se corresponde con la ecuación de la recta de carga:
Para dibujar esta recta sobre la curva característica determinaremos primero sus
extremos (IC = 0 y VCE = 0):

2.5 ¿Por qué polarizamos un transistor?

Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo
correctamente. Para ellos se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
- La juntura COLECTOR – BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con
respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje también positivo pero, mayor
que el de la base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario.

2.6 ¿En qué condiciones se puede usar un transistor como amplificador?

La necesidad de amplificar las señales es casi una necesidad constante en la
mayoría de los sistemas electrónicos. En este proceso, los transistores desarrollan
un papel fundamental, pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una
determinada carga una potencia de señal mayor de la que absorben.
El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadrípolo (red de dos
puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de
parámetros relativamente simples que nos proporcionan información sobre su
comportamiento.
En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los
sonidos y de las señales en general. El amplificador posee una entrada por donde
se introduce la señal débil y otra por donde se alimenta con C.C. La señal de
salida se ve aumentada gracias a la aportación de esta alimentación, siguiendo las
mismas variaciones de onda que la de entrada.
Cuando un amplificador realiza la función de elevar la señal que ha sido aplicada a
su entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir
que la ganancia de un amplificador es la relación que existe entre el valor de la
señal obtenida a la salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud eléctrica
que estemos tratando, se pueden observar tres tipos de ganancia: ganancia en
tensión, ganancia en corriente y ganancia en potencia.
Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea
su impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo
que es válido para un margen de frecuencias no tiene porqué serlo
necesariamente para otro. De todas formas, en todo amplificador existe un margen
de frecuencias en el que la ganancia permanece prácticamente constante (banda
de paso del amplificador). El margen dinámico de un amplificador es la mayor
variación simétrica de la señal que es capaz de presentar sin distorsión a la salida;
normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o Voltios pico-pico (Vpp).

2.7 ¿Qué es el valor 0.7 V?

Si se trata de un análisis preliminar, empiece por la aproximación del diodo idea.
Ésta dará una idea rápida del funcionamiento del circuito. Si el valor de 0.7 V es
significativo en relación con el voltaje de la fuente
2.8 ¿Cuáles son las configuraciones del transistor?
Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con transistores,
cada una de ellas con características especiales que las hacen mejor para cierto
tipo de aplicación. Y se dice que el transistor no está conduciendo. Normalmente
este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
– Amplificador emisor común
– Amplificador colector común
– Amplificador base común
Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales,
pero se toman como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas, y
que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

2.9 ¿Cuáles son las zonas de trabajo del transistor?

CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y

Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat

SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un

incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor
entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma,
se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en
el Colector.
ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en
conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores
ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación
de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de
características, también aparece con la denominación hFE Se expresa de la
siguiente manera:

ß = IC / IB
2.10 Investigue cuales son las especificaciones técnicas de los transistores
que, indicando las más importantes
3.1 Arme el circuito y determine los valores de teóricos:

PARÁMETROS TEÓRICO
V(CG) 9.698V
V(EG) 1.54V
V(BG) 2.24V
V(BE) 0.7V
V(CE) 11.238V
I(C) 1.537mA
I(B) 5.773uA
B 267.9