Unidad 5 Transistores

Resumen Disp.
Electrónicos Juan Pablo Colagrande Martí
UNIDAD III y IV: TRANSISTORES BIPOLARES
Análisis Inicial
Construcción y Características del BJT:
Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales. Se construye de la siguiente manera:
Transistor PNP:
P++ N P
(altamente (poco (normalmente
impurificado) impurificado) impurificado)
(tamaño
Emisor pequeño) Colector
Base
E C
Símbolo
Transistor NPN:
N++ P N
(altamente (poco (normalmente
impurificado) impurificado) impurificado)
(tamaño
Emisor pequeño) Colector
Base
E C
Símbolo
La Flecha del símbolo define el sentido convencional de la corriente que circula por ese terminal.
Boylestad Pág.: 131
Convenciones y Nomenclaturas:
Transistor PNP Transistor NPN VCE

E C E C
E C
IE IC IE IC
IB B IB B VEB VCB
B
U.T.N. F.R.M. - 35 - Dispositivos Electrónicos

Resumen Disp. Electrónicos Juan Pablo Colagrande Martí
Funcionamiento con polarización normal:

P N P
gran parte de los

huecos pasa de
huecos
IE largo y sale por IC
colector
E h C
I CO
huecos elect e
E
IB B
VEE VCC
Describiremos el accionar del transistor PNP, dejando en claro que para el NPN invertimos la polaridad
de la fuente, y reemplazamos huecos por electrones y viceversa.
El funcionamiento se describe de la siguiente manera:

1. La juntura P-N que hay entre emisor y base se polariza en directo.
2. Como la parte tipo P de esa juntura está muy dopada, hay un gran flujo de huecos hacia el lado N.
Una parte de esos huecos inyectados en el lado P se recombinan con electrones provenientes de la
corriente de base en ese mismo lado.
3. Como la zona N está poco dopada y es pequeña comparada con su longitud de difusión, gran
parte de los huecos seguirá hacia el otro lado P por difusión (debido a que es una zona neutra).
Una pequeña parte se recombina con electrones provenientes de la corriente de base.
4. Como la juntura N-P que hay entre base y colector está polarizada en inverso, se genera un
campo eléctrico que favorece el flujo de huecos hacia el lado P. Esos huecos logran salir a través
de la corriente de colector.
5. Existe también una pequeña corriente entre base y colector debida a la polarización inversa. A
ella la llamamos I CO .
Hay ciertas consideraciones importantes a tener en cuenta sobre el funcionamiento del transistor:
Siempre polarizo en directo la juntura de entrada (Emisor-Base) y en inverso la de salida (Base-
Colector).
La tensión aplicada a la juntura Base-Colector no modifica la cantidad de portadores, sólo
favorece más o menos su movimiento hacia la salida. Los portadores son controlados a través del
voltaje aplicado a la juntura Emisor-Base, o sea que la difusión a través de la base es la que limita
el número de portadores que llegan al colector.
Resumiendo las corrientes en el transistor vemos que:
P N P
IE I EC IC
E I EB I CO C
IB B

Definiremos dos parámetros importantes a la hora de analizar los efectos de la corriente contínua en el
transistor:
Alfa:
I EC
Definimos éste factor como α = .
IE
Beta:
I EC
Llamado también hFE o ganancia, lo definimos como: β =
I EB
La relación entre estos dos factores es la siguiente:

α β
β= yα =
1−α 1+ β
Conociendo éstos dos factores, podemos definir ecuaciones fundamentales del transistor:
IC = I E + I B
I C = α .I E + I CO
/*Estudiar la demostración*/
I C = β .I B + (1 + β ).I CO
/*Estudiar la demostración*/
Y de ellas podemos aproximar ecuaciones prácticas para resolver los circuitos:
IC ≅ I E
I C = β .I B
I E = (β + 1).I B
/*Estudiar las deducciones*/
También podemos afirmar (aproximadamente) que V BE = 0,7 V por ser juntura P-N en directo.
Efecto Early:
El efecto Early nos muestra que existe un cierto límite para el aumento de VCB . Esto se da porque, al
aumentarlo, la Zona de Transición Base-Colector aumenta de tamaño debido a la polarización inversa, lo
que hace disminuir el tamaño físico de la Base. Lo mencionado trae como consecuencia que aumente el
α y, por ende, aumente I C . Llega un momento en que la disminución del tamaño de la Base llega a
hacerla desaparecer, y se produce una PERFORACIÓN del transistor, provocando su destrucción.
BUSCAR ALGÚN LIBRO.:

Configuraciones:
Base Común:
Esta configuración sitúa la corriente de entrada

( I E ) como función de la polarización Base-Emisor,
respecto al parámetro de polarización Colector-
Base, y a la corriente de salida ( I C ) como función
de la polarización Colector-Base, respecto al
parámetro de la corriente de Emisor.
Curvas Características:
CURVA DE ENTRADA
Para un valor de V BE constante, a un aumento de

VCB le corresponde un aumento de I E . Esto se
debe a que al aumentar VCB , la zona de transición
de la juntura de colector aumenta (polarización
inversa), disminuyendo el ancho efectivo de la
base. Esto hace que, como la distancia en la base es
menor, la pendiente de la concentración de
portadores será más negativa, ocurriendo más
difusión de portadores, y por lo tanto dejando pasar
más corriente desde el emisor.
CURVA DE SALIDA

Emisor Común:
Es la configuración más utilizada. En la entrada

relaciona la corriente de Base con el voltaje entre
Base y Emisor, con el parámetro VCE . En la salida,
vincula la corriente de Colector con el voltaje entre
Colector y Emisor, con parámetro en la corriente de
Base. Es decir que controlamos la corriente de
Colector, a través de la corriente de Base.

CURVAS DE SALIDA
CURVAS DE ENTRADA
En la curva de entrada, si VCE aumenta para un valor fijo de V BE , la I B disminuye. Esto se debe
a que con la disminución del tamaño de la base, hay menos probabilidad de recombinación, y por
lo tanto, la corriente de base debe reponer menos cantidad de portadores recombinados.
Vemos que las curvas de salida se acercan a medida que I B aumenta. Esto se debe a que β
disminuye. La pendiente en las curvas se debe al “Efecto Early”.
Colector Común:
En ésta configuración se relacionan, en la entrada,

los mismos parámetros que para Emisor Común. En
la salida igual, sólo difiere que en ésta se grafica I E
en función de VCE para un rango de valores de I B .
Son iguales que para el caso de Emisor común, sólo que se reemplaza I C por I E en las curvas de
salida.
Límites de Operación:
Las hojas de especificaciones de los transistores nos brindan información acerca de los valores nominales
máximos, mínimos y típicos de los parámetros más importantes de los dispositivos.
Algunos de estos parámetros son: I Cmax VCEsat VCEmax PCmax etc. Si los tomamos en cuenta a la hora de
trabajar con un transistor determinado, podemos definir los límites de operación en zona activa. Además
de las Zonas de Corte y de Saturación, podemos demarcar una zona de corriente máxima, una de tensión
máxima y una de potencia máxima. Esta última se define a partir de la definición de potencia, y
despejando la corriente como variable dependiente. Obtenemos una hipérbola cuya ecuación es:
PCmax
IC =
VCE

La región de operación será entonces:
Análisis en Corriente Continua

Polarización del transistor bipolar:
Para usar el transistor como amplificador de una señal de AC, necesitamos proporcionarle la energía de
corriente continua que convertirá en energía de corriente alterna, amplificando la señal de entrada.
Por supuesto que el punto de trabajo Q debe estar dentro de los límites de operación.
Estabilización de la polarización:
Las distintas configuraciones de polarización que veremos, difieren en su estabilidad ante cambios de
temperatura y de transistor. Cuando la primera aumenta, algunos parámetros cambian, provocando
cambios en el sistema que no son deseables. Cuando debemos reemplazar el transistor, algunos
parámetros cambian, haciendo que cambien las condiciones del sistema.
Factores de estabilidad (inestabilidad):
Una manera de cuantificar esa estabilidad es a través de la definición de factores que nos proporcionarán
información acerca de cuánto varía la corriente de salida con el cambio de temperatura, respecto a cada
factor cambiante en el circuito.
Estos factores son:
dI C ∆I C dI C ∆I C dI C ∆I C
S (I CO ) = ≅ S (VBE ) = ≅ S (β ) = ≅
dI CO ∆I CO dVBE ∆VBE dβ ∆β
Cuanto más grande es el factor, más inestable es el sistema.
La variación neta en la corriente I C , se determina multiplicando la variación de cada parámetro por su

factor de estabilidad correspondiente, y sumando los resultados. Es decir:

∆I C = S (I CO ).∆I CO + S (V BE ).∆V BE + S (β ).∆β

Recta de carga (Polarización):
Si analizamos la malla de salida de los circuitos que armemos en las distintas polarizaciones, y
despejamos la corriente de salida, obtendremos la ecuación de la recta de carga. En esa recta deberemos
ubicar el punto de trabajo para que nuestro transistor esté bien polarizado. Así trabajaremos con todas las
polarizaciones.
Polarización Fija:
En ésta configuración, ponemos

resistencias en la base y en el colector. Se
arman entonces dos mallas sencillas: de
entrada con un resistor y de salida con otro
resistor.
A continuación están las ecuaciones de
ambas mallas:
 Vcc = I B .RB + VBE M.E.


VCC = β .I B .RC + VCE M.S.
Obsérvese que la magnitud de I C no

depende de la resistencia RC , la cual sí
determinará el nivel de VCE .
Estabilidad:
Si hacemos un análisis cualitativo de la estabilidad de ésta polarización veremos que:
(T ↑) ⇒ (I CO ↑ ) ⇒ (I C ↑ ) ⇒ (V RC ↑ ) ⇒ (VCE ↓ )
ES MUY INESTABLE
Los factores de estabilidad serán:
β I C1
S (I CO ) = β + 1 S (V BE ) = − S (β ) =
RB β1
Polarización estabilizada en Emisor:
Esta configuración es igual a la polarización fija, pero

agregando un resistor en el emisor. Este agregado le
da un toque de estabilidad al sistema.
A continuación están las ecuaciones de ambas mallas:
Vcc = I B .RB + VBE + (β + 1).I B .RE M.E.


VCC = β .I B .(RC + RE ) + VCE M.S.

Estabilidad:
(T ↓) ⇒ (I CO ↓ ) ⇒ (I C " ↓") ⇒ (I E ↓ ) ⇒ (V RE ↓ ) ⇒ (V BE ↑ ) ⇒ (I B ↑ ) ⇒ (I C " ↑")
ES ESTABLE, porque la primer tendencia de disminución de I C se compensa con el posterior aumento.

1+ β
S (I CO ) = β I C1 .(1 + RB RE )
 R R  S (V BE ) = − S (β ) =
1 + β . E B  R B + (1 + β ).R E β1 .(1 + β 2 + RB RE )
 1 + RE RB 
Polarización con realimentación Colector-Base:
En ésta configuración, sacamos corriente desde el

colector, creando una realimentación. La resistencia
en el emisor puede o no estar. Si no está, las
reemplazamos en las fórmulas por un valor nulo.
A continuación están las ecuaciones de ambas
mallas:
Vcc = β .I B .RC + I B .RB + VBE + β .I B .RE M.E.


VCC = β .I B .(RC + RE ) + VCE M.S.
Estabilidad:
(T ↑) ⇒ (I CO ↑ ) ⇒ (I C " ↑") ⇒ (I E ↑ ) ⇒ (V RC ↑ ) ⇒ (VCE ↓ ) ⇒ (I B ↓ ) ⇒ (I C " ↓")
ES ESTABLE, porque la primer tendencia de disminución de I C se compensa con el posterior aumento.
Para los factores de estabilidad, tomaremos la configuración con RE = 0Ω
1+ β
S (I CO ) = β I C1 .(RB + RC )
 R R  S (V BE ) = − S (β ) =
1 + β . C B  RB + (1 + β ).RC β1 .[RB + RC .(1 + β 2 )]
 1 + RC RB 
Polarización por divisor de tensión:
Ésta configuración es la más estable de todas. La

tensión que obtenemos en la base, respecto a masa,
está controlada por ser un divisor de tensión. El
precio que pagamos por la estabilidad, es un mayor
costo, ya que usa 4 resistores, y la necesidad de
obtener más potencia de la fuente.
La gran estabilidad que se obtiene es tal que hace al
sistema estable en temperatura y, si se cumplen
ciertas condiciones, prácticamente independiente del
β del transistor.
Tenemos dos enfoques circuitales para resolver
nuestro circuito:

Enfoque exacto:
Se basa en la aplicación del teorema de Thévenin entre la base y la masa, para reemplazar esa red por una
fuente con tensión VTH y una resistencia RTH .
VCC .R2 R .R
VTH = y RTH = 1 2
R1 + R2 R1 + R2
Las ecuaciones de malla para éste caso quedarán determinadas como:
VTH = I B .RTH + VBE + (β + 1).I B .RE M.E.


VCC = β .I B (RC + R E ) + VCE M.S.
Enfoque aproximado:
Podemos emplear un enfoque aproximado, si se cumple la condición:
β .RE ≥ 10.R2
Tomamos entonces:
R2 .VCC
VB =
R1 + R2
VE
y aplicamos los pasos: V E = V B − V BE ⇒ I E = ⇒ I CQ ≅ I E
RE
Obsérvese que para éste análisis, si se cumple la condición inicial las ecuaciones no contienen el
parámetro β , por lo tanto, la configuración es independiente del mismo.
Estabilidad:
(T ↑) ⇒ (I CO ↑ ) ⇒ (I C " ↑") ⇒ (I E ↑ ) ⇒ (V RE ↑ ) ⇒ (V BE ↓ ) ⇒ (I B ↓ ) ⇒ (I C " ↓")
MUY ESTABLE, porque la primer disminución de I C se compensa con el aumento instantáneo.
1+ β
S (I CO ) = β I C1 .(1 + RTH RE )
 1  S (V BE ) = − S (β ) =
1 + β .  RTH + (1 + β ).RE β1 .(1 + β 2 + RTH RE )
 1 + RTH RE 
Transistores PNP:
Por fortuna, el análisis de los transistores pnp sigue el mismo patrón que para
los npn. La diferencia se da en que como los portadores son diferentes, las
direcciones convencionales de las corrientes cambian, cambiando, por lo tanto,
las polaridades individuales de los elementos resistivos y el signo del voltaje de
la fuente. Las polaridades de las tensiones en el transistor siguen tomando la
misma nomenclatura de los subíndices, por lo tanto, para pnp, serán cantidades
negativas. La figura aclara la situación.

El BJT en Conmutación:
Saturación y Corte:
Recordando las zonas de operación del transistor, donde identificábamos la zona de corte y la de
saturación, vemos que para hacerlo trabajar en esos estados, debemos lograr, o bien tensión muy
cercana a cero entre colector y emisor (saturación) o bien corriente muy cercana a cero en la
malla de colector (corte).
Para la situación de corte, basta con introducir una corriente de base de valor cero, con lo cual la
corriente de colector será también nula, y el potencial de la fuente se verá reflejado en VCE .
Mientras que para la situación de saturación, debemos calcular la corriente I Csat que me produzca
una caída de tensión cero entre colector y emisor. Esto se hace, dividiendo la tensión de la fuente
sobre la suma de las resistencias que tengo en la malla de salida. El caso más general será:
VCC
I Csat =
(RC + RE )
Para ésta corriente, necesitamos un valor de I B determinado, pero conviene que sea mayor, por
cualquier variación del circuito. Entonces tenemos que:
I Csat
IB >
β
En la realidad, VCE nunca es cero, sino un valor determinado. Este es aproximadamente en la

mayoría de los casos:
VCEsat ≅ 0,3V
Un ejemplo claro de la aplicación de la conmutación en el transistor es usarlo como inversor de

un voltaje aplicado en la base.
A saber:
Vi 5V VC 5V
⇒ ⇒
t t
Como en Corte hay altas tensiones pero bajas corrientes y en Saturación hay altas corrientes y
bajas tensiones, generalmente no hay problemas de disipación de potencia cuando trabajamos en
esos regímenes.
Retardos en la conmutación:
Vemos en el siguiente gráfico los retardos puestos en juego en la conmutación de un transistor

bipolar.

El tiempo total requerido para que el transistor

conmute del estado de “apagado” al de
“encendido” se define como:
t on = t r + t d
donde t r es el tiempo de subida de 10 a 90% del
valor final de la corriente, y t d es el tiempo que
tarda en responder el transistor a la señal de
entrada.
El tiempo total requerido para que el transistor
conmute del estado de “encendido” al de
“apagado” se define como:
t off = t s + t f
donde t s es el tiempo de almacenamiento y t f es
el tiempo de caída de 90 a 10% del valor final de
la corriente.
Reducción de los retardos:
Compensación Capacitiva:
Para poder trabajar en conmutación a altas frecuencias, debemos reducir los retardos. Una
manera de hacerlo es poner un capacitor en paralelo con la resistencia de base de tal
manera que a altas frecuencias presente baja reactancia, y la corriente tienda a pasar por
el capacitor. También puedo aumentar el valor de la fuente de señal.
El agregado del capacitor se basa en que t r se reduce al agregarlo porque existe en un
instante inicial un pico de corriente de base. Luego la misma corriente se estabiliza en su
valor normal. Cuando entre en corte, la tensión almacenada en el capacitor, hará circular
una corriente inversa, mayor que la normal, que extraerá más rápidamente la carga
acumulada en la base, reduciendo el t off .
Guinzburg Pág.: 9-36
Transistor Schottky:
Existen transistores especialmente fabricados para

trabajar a altas frecuencias. Estos son los
transistores Schottky, que equivalen a un transistor
normal, con un diodo Schottky conectado entre
colector y base. El diodo Schottky enclava la
tensión de colector en la saturación, impidiendo el
almacenamiento de cargas en la base y
disminuyendo así el tiempo de conmutación.
Tremosa Pág.: 298
Configuración Tótem Pole:
Los circuitos de conmutación en emisor común tienen un “capacitor” entre colector y

emisor que se carga lentamente, pero se descarga rápidamente. En cambio, en un
seguidor-emisor, conectando un capacitor en el emisor, se cargará rápido pero se
descargará lentamente. Éstas propiedades se usan en la configuración “Tótem Pole”, que
se basa en la complementación de dos transistores funcionando en los regímenes
anteriores. La siguiente figura muestra cómo se interconectan.

Guinzburg Pág.: 9-46

Análisis en Corriente Alterna
Modelos Dinámicos:
Antes de comenzar el análisis, veremos la importancia que tiene la polarización en dc sobre los niveles
obtenidos de ac. Esto se debe a que la fuente de dc, cuando la polarización es correcta, transfiere energía
(potencia) a través del transistor, a la señal de ac.
Como el comportamiento de los transistores es no lineal, usaremos modelos lineales aproximados para
facilitar el análisis de su funcionamiento. Para ello nos basaremos en el análisis de Cuadripolos:
Ii Io
+ +
Vi Amplificador Vo
- -
De aquí podemos sacar cuatro parámetros importantes a la hora de analizar un amplificador:
Vi
Zi = Impedancia de Entrada
Ii
Vo
Zo = Impedancia de Salida
Io
Vo
Av = Ganancia de Tensión
Vi
Io
Ai = Ganancia de Corriente
Ii
Para aplicar los modelos, es necesario prescindir de los valores de polarización, suponiendo que ya han
sido calculados correctamente. Al analizar la señal en el transistor, debemos reemplazar los elementos
que podamos para simplificar el circuito: los capacitares de acople y de emisor, serán cortocircuitos para
la señal (porque suponemos que están bien calculados y tienen reactancias insignificantes), las fuentes de
tensión continua también, y por último, al transistor lo reemplazamos por su modelo equivalente.

Cálculo y medición de los parámetros importantes:
Cálculo:
Los parámetros importantes de los amplificadores a transistor son las impedancias de entrada y de
salida, y las ganancias de tensión y de corriente. Para calcularlos, debemos analizar el circuito
desde los modelos, teniendo en cuenta el efecto de todos los elementos de polarización para la
señal, despreciando las reactancias de los capacitores y considerando a las fuentes de continua
como cortocircuitos para la señal.
Impedancia de entrada ( Z i ):
Para calcularla debemos encontrar la resistencia equivalente que ve la fuente de señal en
la entrada, considerando todos los efectos de la red. Algunas veces conviene aplicar
teorema de Thèvenin.
Impedancia de salida ( Z o ):
En este caso es necesario seguir un procedimiento:
1. Impongo un generador de magnitud vo en la salida de la etapa.
2. Enmudezco todos los generadores independientes
3. Analizo el efecto anterior sobre los generadores dependientes
4. Calculo la impedancia que en la salida ve el generador vo .
Ganancia de tensión ( Av ):
Encuentro las expresiones de la tensión de salida y de entrada, o en todo caso, la de la
tensión de salida en función de la de entrada. Luego relaciono ambas variables
despejando la última.
Ganancia de corriente ( Ai ):
Encuentro las expresiones de la corriente de salida y de entrada, o en todo caso, la de la
corriente de salida en función de la de entrada. Luego relaciono ambas variables
despejando la última.
Medición:
Como no es posible utilizar un óhmetro para medir la impedancia de entrada de un transistor,
utilizaremos un método indirecto. Éste se basa en añadir un resistor variable sensor en la entrada,
entre la señal y el amplificador. Mediremos con un osciloscopio la señal que ingresamos y la que
se refleja en la entrada. Variaremos el resistor hasta que la señal reflejada sea la mitad de la
ingresada. Desconectamos entonces el resistor, y medimos su valor, el cual será el de la
impedancia de entrada. Esto se debe a la regla del divisor de tensión.
Como no es posible utilizar un óhmetro para medir la impedancia de salida de un transistor,

utilizaremos un método indirecto. Vamos a cortocircuitar la entrada, y aplicaremos el mismo
método anterior en la salida. Determinamos así con el valor del resistor variable, la impedancia de
salida del circuito.
Modelo re:
Utilizamos éste modelo ya que tiene la ventaja de aplicarse a cualquier situación que elijamos, sin
prescindir de parámetros dados por el fabricante para un uso particular.
El modelo se basa en la resistencia de la juntura de entrada del transistor, que aplicando análisis a
la ecuación del diodo, obtenemos:

26 mV
re =
IE
Entonces, mirando al transistor desde la entrada, vemos una resistencia de valor re . Si lo miramos
desde la salida, vemos un generador ideal de corriente, cuyo valor depende de la
corriente de entrada (distinta en cada configuración).
Los modelos re para las distintas configuraciones del transistor serán:
Base común:
Emisor común:
Colector común:
Es similar al Emisor Común
Los esquemas presentados anteriormente son logrados después de un análisis circuital, ya que el
modelo original de base común contiene un diodo en vez de un resistor re y el de emisor común
tiene el diodo cuyo cátodo está conectado a la fuente de corriente. Es importante estudiar éste
análisis.
Modelo Híbrido:
Para éste modelo nos volvemos a basar en el análisis de cuadripolos, Vi = f (I i ,Vo )
pero ésta vez pondremos dos variables en función de las otras dos. 
Entonces tenemos:  I o = f ( I i , Vo )
 ∂Vi ∂Vi
dVi = ∂I dI i + ∂V dVo
i o
Diferenciamos cada una de las expresiones y tenemos:  ∂I o ∂I o
 dI o = dI i + dVo
 ∂I i ∂Vo
Y de aquí obtenemos los llamados parámetros híbridos, debido a que sus unidades son variadas, y
distintas entre sí:

 hie
 ∂Vi 
 ∂I = h11 = hi hib
 i h
 ic

 ∂V hre
 i = h12 = hr hrb
 ∂Vo h
  rc
 h fe
 ∂I 
 o
= h21 = h f h fb
 ∂I i h
  fc
 hoe
 ∂I o 
 = h22 = ho hob
 ∂Vo h
  oc
donde los primeros subíndices indican el nombre del parámetro, y los segundos la configuración
del transistor (base, emisor o colector común).
Como vamos a utilizar los modelos para análisis a pequeña señal, podemos aproximar los
diferenciales a las señales, y replantear las ecuaciones de diferenciales como:
 vi = hi .ii + hr .vo

io = h f .ii + ho .vo
Estas dos ecuaciones me definen el modelo híbrido genérico del transistor:
Entonces, los parámetros definidos son:

hi : Resistencia de entrada en cortocircuito
h f : Relación de corriente de transferencia directa en cortocircuito
hr : Relación de voltaje de transferencia inverso en circuito abierto
ho : Conductancia de salida en circuito abierto
Existen ecuaciones experimentales para definir esos parámetros híbridos:

 vi  vi
 hi =  hr =
 ii vo = 0  vo ii = 0
Ecuaciones de cortocircuito:  Ecuaciones de circuito abierto: 
h = i o h = i o
 f ii  o vo
 vo = 0  ii = 0

La siguiente tabla contiene los valores aproximados del orden en el que se encuentran los
parámetros híbridos en las distintas configuraciones:
Emisor Común Base Común Colector Común

hi 3
Entre 10 y 10 Ω 4
Entre 10 y 10 Ω 2
Entre 10 3 y 10 4 Ω
hr Entre 10 −4 y 10 −5 Entre 10 −4 y 10 −5 ≈1
ho Entre 10 −4 y 10 −5 S 10 −6 S Entre 10 −4 y 10 −5 S
hf β −α − (β + 1)
Modelo híbrido simplificado:
Resulta de despreciar el efecto de hr , y eventualmente el de ho , quedando el modelo híbrido
similar al modelo re.
Determinación gráfica de los parámetros h:
Para determinar los parámetros h gráficamente utilizamos las ecuaciones en derivadas parciales
que definen a nuestros parámetros, y las representamos en las curvas características. Éstas
ecuaciones son:
∂vi ∂vbe ∆vbe

hie = = ≅
∂ii ∂ib ∆ib VCE = ctte
∂vi ∂vbe ∆vbe

hre = = ≅
∂vo ∂vce ∆vce I B = ctte
∂io ∂ic ∆ic

h fe = = ≅
∂ii ∂ib ∆ib VCE = ctte
∂io ∂i ∆i
hoe = = c ≅ c
∂vo ∂vce ∆v ce I B = ctte
Vemos entonces que los parámetros hie y hre se determinan a partir de las características de
entrada: el primero tomando VCE constante (trazando una recta tangente en las características) y
haciendo variar ib y vbe , y el segundo tomando I B constante y haciendo variar vbe y vce .
También vemos que los parámetros h fe y hoe se determinan a partir de las características de
salida: el primero VCE constante y haciendo variar ic e ib , y el segundo tomando I B constante
(trazando una recta tangente en las características) y haciendo variar ic y vce .
Variación de los parámetros h:
Los parámetros h varían dependiendo de la temperatura de la unión, la corriente de colector y el
voltaje de colector a emisor, en porcentajes altos. Por lo tanto, debemos tener en cuenta éstas
variaciones cuando nos apartamos de las condiciones normales de funcionamiento.
Todos los parámetros son muy sensibles a las variaciones en la corriente de colector, siendo h fe
el que menos variación presenta.

Los parámetros hie y h fe varían poco con la tensión colector-emisor, pero hre y hoe varían
considerablemente con la misma.
Las variaciones respecto de la temperatura son relativamente similares en todos los parámetros.
Etapas amplificadoras en las distintas configuraciones y cálculo de parámetros

Aplicación del modelo híbrido en una situación general:
Para un caso genérico cualquiera, en cualquier configuración, podemos aplicar teorema de Thèvenin en la
entrada del transistor y asociar las resistencias en la salida en una sola resistencia de carga. El diagrama
general será el siguiente:
Podemos aplicar leyes de Kirchoff y obtendremos:

Vs = (Rs + hi ).I i + hr .Vo

 I o = h f .I i + ho .Vo
V = − I .R
 o o L
y despejando de esas ecuaciones, podemos obtener expresiones generales para los parámetros
importantes:
1
hf − h f .R L h f .hr .R L Zo =
Ai = Av = Z i = hi − h f .hr
1 + ho .R L hi + (hi .ho − h f .hr ).R L 1 + ho .R L ho −
(hi + Rs )
Emisor Común:
Polarización fija:
Modelo re:
(RC // ro ) β .RB .ro

Z i = R B // (β .re ) Z o = RC // ro Av = − Ai =
re (ro + RC )(RB + β .re )
RC
Z i ≅ β .re R B ≥10. β . re
Z o ≅ RC Av ≅ − ro ≥10. RC
Ai ≅ β ro ≥10. RC , R B ≥10. β . re
ro ≥10. RC
re

Modelo híbrido:
1
hre .h fe .RC Z o′ =
Z i′ = hie − h fe .hre − h fe .RC h fe
1 + hoe .RC hoe − Av = Ai =
he hie + (hie .hoe − h fe .hre ).RC 1 + hoe .RC
Z i = Z i′ // R B
Z o = Z 0′ // RC
/*Estudiar todas las deducciones*/
Polarización por divisor de tensión:
Modelo re:
(RC // ro ) β .R ′.ro
Z i = R ′ // (β .re ) Z o = RC // ro Av = − Ai =
re (ro + RC )(R′ + β .re )
RC
Z i ≅ β .re R ′ ≥10. β . re
Z o ≅ RC Av ≅ − ro ≥10. RC
Ai ≅ β ro ≥10. RC , R ′ ≥10. β . re
ro ≥10. RC
re
Modelo híbrido:
1
hre .h fe .RC Z o′ =
Z i′ = hie − h fe .hre − h fe .RC h fe
1 + hoe .RC hoe − Av = Ai =
he hie + (hie .hoe − h fe .hre ).RC 1 + hoe .RC
Z i = Z i′ // R ′
Z o = Z 0′ // RC
Polarización estabilizada en Emisor:
Sin desvío mediante un capacitor en la resistencia de emisor:

Modelo re:
Haremos una aproximación al despreciar ro debido a que con ella, los análisis son más largos y
tediosos, y su efecto no es muy importante.

Z b = β .re + (β + 1).R E β .RC β .RB

Z o = RC Av = − Ai =
Zb RB + Z b
Z i = R B // Z b
RC
Z i ≅ β .R E R E >> re
Av ≅ − R E >> re
RE
Modelo híbrido:
Z b = hie − hre .h fe .RC + (h fe + 1).R E hie + R B + (h fe + 1).R E
Zo =
Z i = R B // Z b hre .h fe
− h fe .RC h fe .R B
Av = Ai =
hie − h fe .hre .RC + (h fe + 1).R E RB + Z b
Con desvío:
El análisis en ac en éste caso es idéntico a la polarización fija.

Configuración de realimentación en Colector:
Haremos una aproximación al despreciar ro debido a que con ella, los análisis son más largos y
tediosos, y su efecto no es muy importante.
Modelo re:
re
Zi = RC β .RF
1 R Z o = RC // R F Av = − Ai =
+ C re RF + β .RC
β RF
RF
Ai ≅ β . RC >> RF
RC
Configuración de realimentación de dc en Colector:
Modelo re:

ro // R F2 // RC β .RF .R ′
Z i = R F1 // (β .re ) Z o = RC // R F2 // ro Av = − Ai = 1
re (RF + β .re)(R ′ + RC )
1
β
R F2 // RC Ai ≅
Z o ≅ RC // R F2 Av ≅ − RC RF 1≥10 β . re
ro ≥10. RC
re
ro ≥10. RC
1+
ro // RF2
Base Común:
Modelo re:
α .RC
Z i = RE // re Z o = RC Av = Ai = −α
re
RC
Av ≅ Ai ≅ −1
re
Modelo híbrido:
1
h fb .hrb .RL Zo = − h fb .RL h fb
Z i = hib − h fb .hrb Av = Ai =
1 + hob .RL hob − hib + (hib .hob − h fb .hrb ).RL 1 + hob .RL
(hib + Rs )

Colector Común:
Configuración de Emisor-Seguidor:
Modelo re:
Z b = β .re + (β + 1).RE RE (β + 1).RB

Z o = RE // re Av = Ai = −
Z i = RB // Z b RE + re RB + Z b
β .RB
Z i ≅ β .R E Z o ≅ re Av ≅ 1 Ai ≅ −
RB + Z b
R E >> re

Análisis comparativo:
En la siguiente tabla, aparece una comparación entre las distintas configuraciones del transistor y sus
parámetros importantes. Éste análisis nos facilita información para poder decidir qué configuración usar a
la hora de construir un amplificador.
Parámetro Emisor Común Base Común Colector Común

Av ALTA ALTA BAJA (<1)
Ai ALTA BAJA (<1) ALTA
Zi MEDIA BAJA ALTA
Zo MEDIA-ALTA ALTA BAJA

UNIDAD V Y VI: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
Análisis Inicial
Transistores de efecto de campo y su funcionamiento:
El Transistor de Efecto de Campo (FET) es un transistor similar al BJT, pero controlado por tensión. Es
un dispositivo unipolar, porque el funcionamiento se debe sólo a un tipo de portadores en movimiento (a
diferencia del BJT que tiene los dos portadores). Se basa en una región de semiconductor (tipo n o p)
llamada canal, por donde pasan los portadores, y una terminal, llamada compuerta que, dependiendo del
voltaje aplicado a ella, va cambiando el tamaño del canal.
Existen varios tipos de FET:
Canal n
JFET
Canal p
Canal n
FET DECREMENTAL
Canal p
MOSFET
Canal n
INCREMENTAL
Canal p
JFET (Transistor de Efecto de Campo de Juntura):
Construcción:
Existen JFET de Canal n y de Canal p. Analizaremos

todo para el Canal n, siendo el otro de similar análisis.
El FET de Juntura (JFET) tiene la composición
interna que vemos en la imagen. Un canal de tipo n
que conecta la fuente (S) con el drenaje (D). La
compuerta (G) controla el ancho de la zona de
transición, y por ende, el del canal. Es importante
aclarar que por el terminal de compuerta no entra
corriente (o es despreciable), porque es una juntura
polarizada en inverso, entonces:
IG = 0

Funcionamiento:
Si aplicamos tensión entre compuerta y fuente ( VGS < 0V )

polarizando en inverso la juntura p-n, podemos controlar el
ancho de la zona de transición con la tensión VGS ,
disminuyendo el tamaño del canal.
Si seguimos aumentando la tensión, llega un momento que
el canal se estrangula y desaparece. A esa tensión inversa
de compuerta-fuente la llamamos “Tensión de
estrangulamiento del canal” y la indicamos con
Vp = VGSOFF = VGS (apagado ) . El dispositivo en éstas
condiciones se encuentra “apagado”.

Si aplicamos VGS = 0V y variamos V DS > 0V ,

comenzará a haber flujo de corriente entre drenaje y
fuente a través del canal. La corriente que circula será
llamada I D (entra en el drenaje), y será igual a I S (la
que sale de la fuente).
ID = IS
Las zonas de transición se deforman con ésta aplicación

de tensión, debido a que ahora el terminal de drenaje
tiene un potencial positivo respecto a la compuerta, lo
que configura una juntura polarizada en inverso con
más diferencia de potencial cerca del drenaje que de la
fuente. Por eso, la zona de transición es más amplia
cerca del drenaje.
A pequeñas tensiones en V DS , la resistencia

aumenta siguiendo la ley de Ohm, debido a la
disminución del tamaño físico del canal.
Superada una cierta tensión, las curvas dejan
de ser lineales.
Una vez que se llega al valor de Vp en V DS ,
el canal se estrecha al máximo. Queda
entonces una diferencia de potencial entre
la parte superior y la inferior de esta
barrera, generando un campo eléctrico que
acelera los electrones hacia el otro lado de
la misma, produciendo así un flujo
constante de corriente.
Esa corriente es la máxima que puede alcanzar I D y toma el valor de I DSS (dato proporcionado por el
fabricante). De ahí en adelante, para cualquier valor de V DS la corriente no variará de su límite, hasta un
cierto valor de tensión de ruptura.
El funcionamiento correcto del dispositivo también está limitado por una hipérbola de disipación, dada
por la potencia máxima proporcionada por el fabricante.
Simbología:

Curvas características y ecuación de Shockley:
Para poder construir la curva de transferencia, que es la que más vamos a usar, pues las resoluciones se
basarán en mediciones gráficas, debemos relacionar la corriente de drenaje con el voltaje de compuerta.
Para esto existe una ecuación llamada “ecuación de Shockley” que expresa:

2
 V 
I D = I DSS .1 − GS 
 Vp 
 
Donde la variable independiente es VGS y los datos son I DSS y Vp .
Para trazar ésta curva vamos a hacer uso de cuatro puntos ID

básicos:
1. Si VGS = 0V , entonces I D = I DSS
2. Si VGS = Vp , entonces I D = 0
I DSS
Vp I DSS
3. Si VGS = , entonces I D =
2 4
I DSS
4. Si I D = , entonces VGS ≅ 0,3.Vp I DSS
2 2
Construyendo la curva con esos cuatro puntos, tenemos la
forma que se ve en la imagen. I DSS
En el cálculo de polarización, encontraremos la intersección 4
entre la recta de polarización y la curva de transferencia,
encontrando así el punto de trabajo.
VGS V Vp
p 0,3.Vp
2
En la siguiente figura vemos cómo se relaciona la gráfica de curvas características con la de transferencia:

MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor):
MOSFET Decremental (o de canal permanente):
Construcción:
El transistor MOSFET (Metal-Óxido-Semiconductor-Transistor de Efecto de Campo) o
Transistor de Compuerta Aislada, es un dispositivo con el mismo principio que el JFET, pero
funciona y se construye de manera diferente. Como su nombre lo indica, la compuerta está
formada por una capa metálica, un aislante (Dióxido de Silicio), y un material semiconductor.
El potencial aplicado en la compuerta tiene el poder de influir en el canal que dejará pasar la
corriente. Hay que notar que la compuerta no tiene contacto eléctrico con el canal, sino que está
aislada, por lo que el dispositivo presenta alta impedancia de entrada.

El MOSFET de tipo Decremental tiene la

estructura que vemos en la figura. El canal
viene construido con el dispositivo, y la
función que realiza el potencial de la
compuerta es disminuir su tamaño. El sustrato
se conecta al terminal de la fuente (el de menor
potencial), para disminuir las corrientes de
pérdida a su valor mínimo posible.

Funcionamiento:
Cuando aplicamos una tensión entre drenaje y fuente, la corriente pasa por la región n de la
fuente, sigue por el canal, donde hay portadores que permiten la conducción, llega a la zona n del
drenaje y sale por ese terminal.
Cuando polarizamos más negativa la compuerta que la fuente, los electrones en el canal son
repelidos por el potencial negativo, y se recombinan con los huecos del sustrato p, que son
atraídos por el mismo potencial. Esa recombinación implica una disminución en la cantidad de
portadores en el canal, y por lo tanto, una disminución de la corriente que circulará por el mismo.
Existe también, al igual que en el JFET, una “tensión de estrangulamiento del canal” ( Vp ), a la
cual el canal habrá desaparecido, y la corriente que circulará entre drenaje y fuente será nula.
Vemos que en principio, el funcionamiento básico es similar al JFET, y entonces para éste
dispositivo utilizaremos la misma ecuación que para aquél, obteniendo el mismo comportamiento,
pero con una pequeña diferencia: si colocamos un potencial positivo respecto a la fuente en la
compuerta, el canal “aumentará de tamaño”, porque serán atraídos por este potencial electrones
del sustrato (minoritarios), y aumentará la corriente de drenaje. Entramos entonces en una zona
“incremental” del transistor, logrando que la curva de transferencia se extienda hacia potenciales
positivos. Utilizaremos ésta propiedad, siempre teniendo cuidado de no exceder la corriente
máxima soportada por el dispositivo.
Simbología:

La ecuación que utilizaremos para la transferencia será la ecuación de Shockley, en la que
podremos aplicar los potenciales positivos en la base, obteniendo los resultados correctos si
tenemos cuidado con los signos.
2
 V 
I D = I DSS .1 − GS 
 Vp 
 

En la siguiente figura vemos cómo se relaciona la gráfica de curvas características con la de

transferencia:

MOSFET Incremental (o de canal inducido):
Construcción:
El MOSFET de tipo Incremental tiene la

estructura que vemos en la figura. No existe un
canal fabricado con el dispositivo por el cual
circule la corriente. La función de la compuerta
es inducir ese canal e incrementar su tamaño.
El sustrato se conecta al terminal de la fuente
(el de menor potencial), para disminuir las
corrientes de pérdida a su valor mínimo
posible.

Funcionamiento:
Se establecen potenciales V DS y VGS ambos
positivos. El potencial positivo en la
compuerta repele a los huecos del sustrato, y
atrae a los electrones (minoritarios), que
inducirán un canal. A medida que VGS
aumenta a valores más positivos, aumenta el
tamaño del canal, porque se atraen más
portadores negativos.
Existirá un nivel de VGS que ocasione un
primer nivel significativo de corriente de
drenaje, al que llamaremos “voltaje de
umbral” VT (o VGS (Th ) ). A partir de éste
nivel se considera que el dispositivo hace
conducir corriente entre el drenaje y la
fuente.

Si aumentamos el valor de la tensión V DS , para un

valor fijo de VGS , llegará un momento en que la
corriente alcanzará un nivel de saturación, por el
estrechamiento del canal, de la misma manera que
ocurría en el JFET. Ésta situación se muestra en la
figura. A partir de ese voltaje, la corriente se
mantiene constante.
Para mayores niveles de VGS , mayor será el nivel
que alcance V DSsat . Éstos parámetros están
relacionados por la siguiente ecuación:
V DSsat = VGS − VT

Simbología:

Para los niveles de VGS > VT , la corriente de drenaje está relacionada con el voltaje compuerta-
fuente aplicado mediante la siguiente relación no lineal:
I D = k .(VGS − VT )
2
El término k es una constante que depende del dispositivo. Ésta se determina con dos valores
conocidos: I D (on ) e VGS (on ) , que vienen en las hojas de especificaciones. Una vez que se conoce
el valor de k , pueden obtenerse varios puntos, por tabla de valores, para graficar la curva de
transferencia. Las curvas características tendrán la siguiente forma:

MOS especiales:
VMOS:
Una de las desventajas del MOSFET típico son los bajos niveles de potencia en
comparación con los BJT. Es posible mejorar ésta característica mediante un cambio en
su forma de construcción de una naturaleza planar a otra con una estructura vertical. Éste
es el llamado VMOS (Vertical MOS). El término vertical se debe básicamente al hecho
de que el canal se encuentra ahora formado en la dirección vertical, en vez de la dirección
horizontal.
La longitud del canal estará ahora definida por la altura vertical de la región p, que puede
hacerse significativamente menor que la de un canal de construcción planar. Al tener
menos longitud, tiene menos resistencia y disipa menos potencia. Además, contribuye a
éste efecto el hecho de que el área de contacto entre el canal y la región n+ se incrementa
de forma importante debido a las características constructivas.
Otras ventajas son: que los VMOS tienen un coeficiente positivo de temperatura que
luchará en contra de la posibilidad de una avalancha térmica, y que los niveles de
almacenamiento de carga son reducidos, por lo que tiene tiempos de conmutación más
rápidos.
CMOS:
Es posible tener un circuito lógico muy efectivo al construir un MOSFET de canal-p y de

canal-n sobre el mismo sustrato, como muestra la siguiente figura:

A ésta configuración se la conoce como arreglo complementario de MOSFET, o CMOS.

Tiene muchas ventajas para los circuitos digitales: alta impedancia de entrada, rápidas
velocidades de conmutación y bajos niveles de potencia de operación.
El arreglo más sencillo es el inversor que muestra la siguiente figura:
Si Vi = 5V , entonces VGS1 = Vi y Q1
estará “encendido” (baja resistencia) y
dejará pasar el estado 0 de la masa del
circuito; VGS 2 = 0V y Q2 estará
“apagado” (alta resistencia). La salida
mostrará Vo ≅ 0V .
Si Vi = 0V , entonces VGS1 = 0V y
Q1 estará “apagado” (alta resistencia);
VGS 2 = −Vi y Q2 estará “encendido”
(baja resistencia) y dejará pasar el
estado 1 de la VSS del circuito. La
salida mostrará Vo ≅ 5V .
Debido a que la corriente de drenaje que fluye en cada caso estará limitada por el
transistor “apagado” al valor de fuga, la potencia que disipa el dispositivo en cada estado
es muy baja.
MOS de doble compuerta:
Los MOSFET de doble compuerta están construidos de esa manera para obtener dos
“variables de control”, es decir, por una compuerta controlo el canal y por la otra puedo
introducir una señal, por ejemplo.
Manual de Transistores RCA
MOS de potencia:
Los MOSFET de potencia son circuitos integrados con arreglos de MOSFET comunes en
paralelo, para aumentar su capacidad de manejar corriente y, por ende, potencia. Al
configurarlos en paralelo, tenemos varios canales por donde hacer pasar corriente, y por
ende podemos manejar más potencia. Observar que en el caso de los MOSFET la
configuración en paralelo es útil, no así en los BJT.
Análisis en Corriente Continua

Polarización del JFET:
Para polarizar nuestros dispositivos, tendremos en cuenta que, por motivos dinámicos, RG no puede ser
cero, tampoco infinita, porque sino no estaría polarizado el dispositivo. Concluimos que debe ser alta,
para que la señal no se me desvíe a masa a través de ese “cortocircuito”.
Los cálculos de las polarizaciones para FET se basan en la ecuación de Shockley (excepto el MOSFET
incremental), que es cuadrática, y por lo tanto un sistema de ecuaciones que la contenga será difícil de
resolver. Por eso nos basamos en métodos gráficos. Trazamos la curva de transferencia del FET, luego
trazamos la recta de polarización (basada en las características del circuito), y el punto de intersección
será nuestro punto Q , que determinará I DQ y VGSQ .
Hay varias consideraciones que debemos tener en cuenta como una aproximación muy buena al analizar
en dc los FET:
I D = I S y I G = 0 , y por lo tanto V RG = 0

Polarización fija:
Para éste tipo de polarización,

colocamos un resistor en el drenaje
para controlar I D , y una tensión VGG
inversa con una resistencia RG entre
la compuerta y la masa. Conectamos
también a masa la fuente del JFET.
Obtenemos una polarización cuyo
VGS dependerá solamente de VGG .
Las ecuaciones de ambas mallas son:
− VGG = VGS

VDD = I D .RD + VDS
De la malla de entrada sacamos la recta de

polarización del circuito:
VGS = −VGG
que es la ecuación de una recta vertical en el punto

cuyo valor es el de la tensión de la fuente colocada en
la compuerta, con lo que nos queda la configuración
de la figura.

Autopolarización:

colocamos un resistor en el drenaje, otro
en la fuente, y otro entre la compuerta y
masa. Vemos que la fuente es más
positiva que la compuerta, que está a
0V, con lo que obtenemos la
polarización deseada.
VGS = − I D .RS

VDD = I D .(RD + RS ) + VDS

De la malla de entrada sacamos la recta de

polarización del circuito:
VGS
ID = −
RS
que es la ecuación de una recta con pendiente de

valor − 1 / RS , con lo que nos queda la
configuración de la figura.

Polarización por Divisor de Tensión:

colocamos un resistor en el drenaje,
otro en la fuente, y un divisor de
tensión que fije el valor de VG .
Deberemos tratar de que R2 tenga un
valor tal que la tensión en la
compuerta sea menor que la tensión
en la fuente del JFET.
 V DD .R2
 = VG = VGS + I D .RS
 R1 + R2
V DD = I D .(R D + RS ) + V DS
De la malla de entrada sacamos la
recta de polarización del circuito:
VG VGS
ID = −
R S RS
que es la ecuación de una recta

con pendiente de valor − 1 / RS , y
ordenada al origen VG / RS , que
corta al eje de VGS en el valor
VG , con lo que nos queda la
configuración de la figura.
Polarización del MOSFET Decremental:
El análisis y las polarizaciones para el MOSFET de tipo Decremental son exactamente iguales que para el
JFET, debido a que la ecuación de transferencia es la misma. La única diferencia, es que la curva para el
DECMOS puede extenderse a valores positivos de VGS , por lo que el punto de trabajo puede ubicarse en
una corriente mayor y un voltaje menor, sin distorsionar la señal de alterna.

Polarización del MOSFET Incremental:

Polarización fija:

colocamos un resistor en el drenaje
para controlar I D , y una tensión VGG
positiva con una resistencia RG entre
la compuerta y la masa. Conectamos
también a masa la fuente del JFET.
Obtenemos una polarización cuyo
VGS dependerá solamente de VGG .
VGG = VGS

De la malla de entrada sacamos la recta de polarización del circuito:
VGS = VGG
que es la ecuación de una recta vertical en el punto cuyo valor es el de la tensión de la fuente
colocada en la compuerta.
Polarización por realimentación:

colocamos un resistor en el
drenaje y otro entre el drenaje
y la compuerta, de tal manera
de lograr VGS = V DS .
Las ecuaciones de ambas
mallas son:
VGS = VDD − I D .RD


De la malla de entrada sacamos la recta

de polarización del circuito:
VDD VGS
ID = −
RD RD
que es la ecuación de una recta con

pendiente de valor − 1 / R D y ordenada
al origen VGS / R D que corta al eje VGS
en el valor V DD , con lo que nos queda
la configuración de la figura.

Polarización por Divisor de Tensión:
Para éste tipo de polarización, colocamos un resistor en el

drenaje, otro en la fuente, y un divisor de tensión que fije el valor
de VG . Deberemos tratar de que R2 tenga un valor tal que la
tensión en la compuerta sea mayor que la tensión en la fuente del
JFET, a la vez que esa diferencia VGS sea mayor que VGS (Th ) .
 VDD .R2
 = VG = VGS + I D .RS
 R1 + R2
V DD = I D .(R D + RS ) + VDS
De la malla de entrada sacamos la recta

de polarización del circuito:
VG VGS
ID = −
R S RS
que es la ecuación de una recta con

pendiente de valor − 1 / RS , y ordenada
al origen VG / RS , que corta al eje de
VGS en el valor VG , con lo que nos
queda la configuración de la figura.
FET de canal p:
Para el análisis de los FET de canal-p, se invierten los sentidos de las corrientes, se reflejan las curvas de
transferencia respecto al eje vertical, y por lo tanto se reflejarán las curvas de polarización también.
Además los circuitos se alimentan con una tensión negativa. Las notaciones de tensiones continúan
iguales, pero ahora las polaridades serán inversas.
Curva universal de polarización:
Para facilitar los cálculos, se ha creado una curva universal de polarización para el FET, donde los ejes
están normalizados. La curva se muestra en la figura.
Los ejes de la derecha corresponden a parámetros definidos como:
Vp VG
m= y M =m
I DSS .RS Vp
Donde para la m se utiliza en configuraciones sin divisor de voltaje, y la M se utiliza cuando por división
de tensión tenemos un VG . Para el primer caso, obtenemos el valor de m y trazamos una recta desde el
origen que pase por ese punto en ese eje, y la interceptamos con la curva. Ese será el punto Q, y lo que
queda ahora es “desnormalizar” el valor.

Para el caso de tener un VG , obtenemos el valor de m. Luego, con él, obtenemos el valor de M. Ubicamos
en el eje M ese valor y tenemos un punto (a), trazamos una recta horizontal hasta el eje m, y ahora desde
ahí subimos el valor de m, obteniendo un punto (b). Trazamos una recta entre (a) y (b) y la extendemos
hacia la curva. Ese punto será Q y sólo nos resta “desnormalizar” los valores encontrados.

MOSFET en conmutación y retardos:
Los retardos en la conmutación del MOSFET se deben principalmente a los “capacitores” que se
presentan en el dispositivo, fundamentalmente entre el terminal de compuerta y el canal. Esto provoca
que, al llevar el dispositivo de “apagado” a “encendido”, deba cargarse este capacitor, retardando la
respuesta, y para el caso contrario (del “encendido” al “apagado”), deba descargarse, produciendo el
mismo efecto.
Guinzburg Sección 10
Análisis en Corriente Alterna
Modelo a pequeña señal del FET:
Nos basaremos en el análisis de Cuadripolos:

Ii Io
+ +
Vi Amplificador Vo
- -
De aquí podemos sacar cuatro parámetros importantes a la hora de analizar el amplificador:

Vi
Zi = Impedancia de Entrada
Ii
Vo
Zo = Impedancia de Salida
Io
Vo
Av = Ganancia de Tensión
Vi
La ganancia de corriente no es importante, porque la corriente de entrada en los FET es nula.
Para aplicar los modelos, es necesario prescindir de los valores de polarización, suponiendo que ya han
sido calculados correctamente. Al analizar la señal en el FET, debemos reemplazar los elementos que
podamos para simplificar el circuito: los capacitares de acople y de fuente, serán cortocircuitos para la
señal (porque suponemos que están bien calculados y tienen reactancias insignificantes), las fuentes de
tensión continua también, y por último, al FET lo reemplazamos por su modelo equivalente.
Realizando un análisis de cuadripolos, podemos calcular los parámetros admitancia, que serán de gran
ayuda en nuestro análisis. Para ello hacemos:
 I i = f (Vi ,Vo )

 I o = f (Vi , Vo )
como I i es nula, sólo utilizamos la segunda ecuación, y al aplicarla al FET, obtenemos:

I D = f (VGS , V DS )
Si ahora obtenemos la diferencial, vemos que:

∂I D ∂I
dI D = .dVGS + D .dVDS = g m .dVGS + g d .dVGS
∂VGS ∂VDS
Donde los parámetros importantes serán:
∂I D
gm = (Transconductancia)
∂VGS
1
rd = (Resistencia dinámica de drenaje)
gd
Algunas hojas de datos proporcionan el valor de g m como y fs , y el valor de 1 / rd como y os .
Para pequeña señal, podemos aproximar los diferenciales con señales y obtenemos el siguiente sistema,
que nos define el modelo:
 1
 I d = g m .Vgs + .Vds
 rd
I g = 0


Y si aplicamos conversión de fuentes, y agrupamos términos de la siguiente manera: µ = g m .rd ,

obtenemos un modelo más práctico para los análisis:
Expresiones para JFET y MOSFET Decremental:

Derivando la ecuación de Shockley obtenemos la expresión de la transconductancia:
2.I DSS  V 
gm = .1 − GS 
Vp  Vp 
 
Y algunas otras formas de expresarla pueden ser:

∂I D 2.I DSS  V   
gm = = .1 − GS  = g m 0 .1 − VGS  = g m0 . I D
∂VGS Vp  Vp   Vp  I DSS
   
Expresiones para MOSFET Incremental:

Derivando la ecuación de transferencia de los MOSFET Incrementales, obtenemos la expresión de la
transconductancia:
g m = 2.k .(VGS − VT )
gm
Variación de la transconductancia con el voltaje compuerta-
fuente: g m0
Como existe variación lineal de g m respecto a VGS , habrá
distorsión al introducir una señal de entrada: en uno de los picos
habrá una transconductancia mayor y en el otro menor.
Vp VGS
Pasos a seguir:
Los pasos a seguir para aplicar el modelo dinámico del FET, serán los siguientes:

1. Evaluar VGSQ en la polarización

2. Calcular g m
3. Aplicar el modelo del FET, dibujando primero el circuito equivalente, y desde ahí “hacia fuera”
realizar el análisis.
ETAPAS AMPLIFICADORAS EN LAS DISTINTAS CONFIGURACIONES

Para los cálculos de los parámetros importantes, utilizo los mismos métodos que para los BJT.
Fuente común:
Polarización Fija del JFET y MOSFET Decremental:
µ .RD
Z i = RG Z o = R D // rd Av = −
RD + rd
Z o ≅ RD rd ≥10. RD Av ≅ − g m .R D rd ≥10. RD
Autopolarización del JFET y MOSFET Decremental:
Sin desvío:
Observar que V gs = V g − Vs = Vi − I d .RS

Z o′ = rd + (1 + µ ).R S µ .RD
Z i = RG Av = −
Z o = Z o′ // R D rd + RD + (1 + µ ).RS
µ.RD
Z o ≅ RD rd ≥10. RD Av ≅ − rd ≥10. RD
rd + µ .RS
Con desvío:
Análisis idéntico a la polarización fija.
Polarización por divisor de tensión del JFET y MOSFET Decremental:
µ .RD
Z i = R ′ = RG1 // RG2 Z o = rd // RD Av = −
rd + RD
Z o ≅ RD rd ≥10. RD Av ≅ − g m .R D rd ≥10. RD
Polarización Fija del MOSFET Incremental:
Análisis idéntico a la polarización fija del JFET y MOSFET Decremental.
Polarización por retroalimentación del MOSFET Incremental:
RG .rd + RG .RD + rd .RD (µ.RG − rd ).RD

Zi = Z o = R D // rd // RG Av = −
rd + (1 + µ ).RD RG .rd + RG .R D + rd .RD
Z o ≅ RD Av ≅ − g m .R D

Polarización por divisor de tensión del MOSFET Incremental:
Análisis idéntico a la polarización por divisor de tensión del JFET y MOSFET Decremental.
Compuerta Común:
Polarización general del JFET y MOSFET Decremental:
(rd+ RD )
Z i′ = (1 + µ )RD
1+ µ Z o = R D // rd Av =
rd + R D
Z i = Z i′ // RS
Z o ≅ RD rd ≥10. RD Av ≅ g m .R D rd ≥10. RD
Drenaje Común:
Configuración Fuente-Seguidor:
1 µ.RS
Z i = RG Zo = // rd // RS Av =
gm rd + (1 + µ )RS
Análisis comparativo:
En la siguiente tabla, aparece una comparación entre las distintas configuraciones del FET y sus
parámetros importantes. Éste análisis nos facilita información para poder decidir qué configuración usar a
la hora de construir un amplificador.
Parámetro Fuente Común Compuerta Común Drenaje Común

Av MEDIA MEDIA BAJA (<1)
Zi ALTA BAJA ALTA
Zo MEDIA MEDIA BAJA

Unidad 5 Transistores

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Unidad 5 Transistores

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Resumen Disp.

Electrónicos Juan Pablo Colagrande Martí

UNIDAD III y IV: TRANSISTORES BIPOLARES

Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales. Se construye de la siguiente manera:

Transistor PNP Transistor NPN VCE

Boylestad Pág.: 133

U.T.N. F.R.M. - 35 - Dispositivos Electrónicos

Funcionamiento con polarización normal:

gran parte de los

El funcionamiento se describe de la siguiente manera:

U.T.N. F.R.M. - 36 - Dispositivos Electrónicos

La relación entre estos dos factores es la siguiente:

Y de ellas podemos aproximar ecuaciones prácticas para resolver los circuitos:

U.T.N. F.R.M. - 37 - Dispositivos Electrónicos

Esta configuración sitúa la corriente de entrada

Para un valor de V BE constante, a un aumento de

Boylestad Pág.: 134

Es la configuración más utilizada. En la entrada

U.T.N. F.R.M. - 38 - Dispositivos Electrónicos

En ésta configuración se relacionan, en la entrada,

U.T.N. F.R.M. - 39 - Dispositivos Electrónicos

La región de operación será entonces:

Boylestad Pág.: 147

Análisis en Corriente Continua

Cuanto más grande es el factor, más inestable es el sistema.

La variación neta en la corriente I C , se determina multiplicando la variación de cada parámetro por su

U.T.N. F.R.M. - 40 - Dispositivos Electrónicos

∆I C = S (I CO ).∆I CO + S (V BE ).∆V BE + S (β ).∆β

En ésta configuración, ponemos

 Vcc = I B .RB + VBE M.E.

Obsérvese que la magnitud de I C no

Esta configuración es igual a la polarización fija, pero

Vcc = I B .RB + VBE + (β + 1).I B .RE M.E.

U.T.N. F.R.M. - 41 - Dispositivos Electrónicos

Los factores de estabilidad serán:

En ésta configuración, sacamos corriente desde el

Vcc = β .I B .RC + I B .RB + VBE + β .I B .RE M.E.

Ésta configuración es la más estable de todas. La

U.T.N. F.R.M. - 42 - Dispositivos Electrónicos

Las ecuaciones de malla para éste caso quedarán determinadas como:

VTH = I B .RTH + VBE + (β + 1).I B .RE M.E.

Boylestad Pág.: 209

U.T.N. F.R.M. - 43 - Dispositivos Electrónicos

En la realidad, VCE nunca es cero, sino un valor determinado. Este es aproximadamente en la

Un ejemplo claro de la aplicación de la conmutación en el transistor es usarlo como inversor de

Vemos en el siguiente gráfico los retardos puestos en juego en la conmutación de un transistor

U.T.N. F.R.M. - 44 - Dispositivos Electrónicos

El tiempo total requerido para que el transistor

Existen transistores especialmente fabricados para

Los circuitos de conmutación en emisor común tienen un “capacitor” entre colector y

U.T.N. F.R.M. - 45 - Dispositivos Electrónicos

Guinzburg Pág.: 9-46

De aquí podemos sacar cuatro parámetros importantes a la hora de analizar un amplificador:

U.T.N. F.R.M. - 46 - Dispositivos Electrónicos

Cálculo y medición de los parámetros importantes:

Como no es posible utilizar un óhmetro para medir la impedancia de salida de un transistor,

U.T.N. F.R.M. - 47 - Dispositivos Electrónicos

Los modelos re para las distintas configuraciones del transistor serán:

U.T.N. F.R.M. - 48 - Dispositivos Electrónicos

Estas dos ecuaciones me definen el modelo híbrido genérico del transistor:

Entonces, los parámetros definidos son:

Existen ecuaciones experimentales para definir esos parámetros híbridos:

U.T.N. F.R.M. - 49 - Dispositivos Electrónicos

Emisor Común Base Común Colector Común

/Estudiar todas las deducciones/