Dasar Elektronika

BAB V
TRANSISTOR BIPOLAR
(BIPOLAR JUCTION TRANSISTOR)

Setelah mempelajari bab ini, Anda diharapkan dapat:

Mendemontrasikan suatu pengertian tentang hubungan antara arus basis, emitter
dan kolektor pada transistor.
Menggambarkan diagram rangkaian CE dan memberi nama tiap terminal,
tegangan dan resistansi.
Menggambar kurva basis hipotesis dan sekumpulan kurva kolektor, memberi
nama kedua sumbu.
Memberi nama tiga daerah operasi pada kurva kolektor transistor bipolar.
Mendiskusikan karakteristik transistor yang ideal dan perkiraan transistor
kedua.
Mengumpulkan beberapa tingkatan transistor bipolar yang dapat digunakan
oleh teknisi.

Pada tahun 1951, William Schockley menemukan transistor sambungan pertama,

komponen semikonduktor yang dapat menguatkan sinyal elektronik seperti sinyal
radio dan televisi. Transistor telah banyak menghasilkan penemuan alat
semikonduktor lain termasuk rangkaian terpadu (IC), suatu komponen kecil yang
mengandung ribuan transistor miniature. Karena IC-lah, komputer modern dan
keajaiban elektronik lainnya dapat terjadi.

Bipolar junction transistor (BJT) dalam praktek sehari-hari sering hanya disebut
dengan transistor. Sebutan bipolar junction transistor digunakan untuk
membedakan dengan transistor lain, misalnya Field Effect Transistor (FET).
Transistor singkatan dari Trans-Resistor, yang berarti komponen berbasis resistor
dengan tahanan yang besarnya dapat diubah-ubah.

Perubahan tahanan pada transistor tersebut berakibat perubahan arus yang

diberikan padanya. Komponen yang mempunyai sifat demikian disebut komponen
aktif. Oleh karena itu transistor termasuk komponen aktif.

Transistor Bipolar 1
 Dasar Elektronika

5.1. Struktur dan Simbol Transistor

Struktur transistor dibentuk dari 3 lapis jenis bahan semikonduktor. Sedangkan
strukturnya dapat dibagi menjadi dua macam susunan yaitu :

a. Transistor Jenis n-p-n

Struktur transistor jenis n-p-n mempunyai susunan berturut-turut terdiri dari
lapisan bahan semikonduktor jenis n, p dan n.

Gambar 5.1. a) Struktur transistor n-p-n; b) Simbol Transistor n-p-n

Dari gambar 5.1a dapat dijelaskan bahwa komponen transistor mempunyai 3

elektroda di masing-masing bahan.
1. Elektroda pada lapisan I disebut Emiter atau Emitter (E).
Lapisan emitter dibuat relatif agak tebal dengan konsentrasi ion donor (elektron
bebas) relatif lebih besar.
2. Elektroda pada lapisan II disebut Basis atau Base (B)
Lapisan basis dibuat relative tipis, dengan konsentrasi ion aseptor (hole) relatif
sangat kecil.
3. Elektroda pada lapisan III disebut Kolektor atau Collector (C)
Lapisan kolektor dibuat relatif sangat tebal, dengan konsentrasi ion donor
(elektron bebas) sedang (dibawah konsentrasi pada lapisan emitter).

Transistor Bipolar 2
 Dasar Elektronika

a. Transistor Jenis p-n-p

Struktur transistor jenis p-n-p mempunyai susunan berturut-turut terdiri dari
lapisan bahan semikonduktor jenis p-n dan p.

Gambar 5.2. a) Struktur transistor p-n-p; b) Simbol Transistor p-n-p

Dari gambar 5.2a dapat dijelaskan bahwa komponen transistor mempunyai 3

elektroda di masing-masing bahan.
1. Elektroda pada lapisan I disebut Emiter atau Emitter (E).
Lapisan emitter dibuat relatif agak tebal dengan konsentrasi ion aseptor (hole)
relatif lebih besar.
2. Elektroda pada lapisan II disebut Basis atau Base (B)
Lapisan basis dibuat relative tipis, dengan konsentrasi ion donor (elektron bebas)
relatif sangat kecil.
3. Elektroda pada lapisan III disebut Kolektor atau Collector (C)
Lapisan kolektor dibuat relatif sangat tebal, dengan konsentrasi ion aseptor (hole)
sedang (dibawah konsentrasi pada lapisan emitter).

5.2. Transistor Tak Bias

Sebuah transistor tidak bias adalah seperti dua dioda yang saling bertolak
belakang. Masing-masing dioda memiliki potensi pembawa sebesar 0,7 volt. Jika
dihubungkan sumber tegangan luar ke transistor, akan diperoleh arus yang melalui
bagian-bagian yang berbeda pada transistor. Gambar 5.3a. menunjukan daerah
transistor sebelum terjadi difusi. Elektron bebas pada daerah n akan berdifusi
melalui sambungan dan bergabung dengan hole pada daerah p. Hasilnya adalah
dua lapis depleksi seperti pada gamba3 5.3b. Untuk setiap depleksi tegangan
depleksinya adalah 0,7 V.
Transistor Bipolar 3
 Dasar Elektronika

Gambar. 5.3a. Daerah transistor sebelum terjadi difusi, b) setelah terjadi difusi

Transistor pada gambar 5.3b memiliki dua sambungan, satu antara emitter dan
basis dan satu lagi antara kolektor dan basis. Karena itu transistor seperti dua dioda
yang saling tolak belakang. Dioda bawah disebut dengan dioda emitter-basis atau
disingkat dengan diode emitter. Dioda atas disebut dengan dioda kolektor-basis
atau disingkat dioda kolektor.

5.3. Transistor Bias

Sebuah transistor tidak bias adalah seperti dioda yang saling bertolak belakang.
Masing-masing memiliki potensi pembawa 0,7 V. Jika sumber tegangan luar
dihubungkan ke transistor akan diperoleh arus yang melaui bagian-bagian yang
berbeda pada transistor.

5.3.1. Elektron Emitter

Gambar 5.4 menunjukkan sebuah transistor bias.
• = electron bebas
ο = hole
RB = tahanan basis
RC = tahanan kolektor
VBB = sumber tegangan basis
VCC = sumber tegangan kolektor
VCE = tegangan kolektor-emiter
VBE = tegangan basis-emiter

Gambar 5.4. Transistor yang dibias

Transistor Bipolar 4
 Dasar Elektronika

Emiter yang sangat yang sangat dikotori bertugas mengeluarkan/menginjeksikan

electron bebas ke basis. Basis yang sedikit dikotori akan melewatkan elektron
bebas yang diinjeksikan oleh emitter ke kolektor.

Kolektor akan mengumpulkan kebanyakan electron bebas dari basis. Gambar 5.4
adalah cara yang biasa digunakan untuk membias sebuah transistor. Sumber
tegangan VBB membias maju dioda emitter dan sumber tegangan VCC membias
balik dioda kolektor.

5.3.2. Elektron Basis

Pada saat bias maju electron bebas dalam emitter akan memasuki daerah basis. Jika
VBB lebih besar dari pada potensial penghalang emitter-basis seperti pada gambar
5.4 maka elektron emitter akan memasuki daerah basis. Secara teori electron bebas
dapat mengalir kekiri dan keluar dari basis memalui tahanan RB menuju terminal
positif sumber tegangan VBB. Elektron bebas dapat juga mengalir menuju ke
kolektor.

Pengotoran yang sedikit elektron bebas memiliki masa hidup yang lama di basis.
Karena basis yang sangat tipis, elektron bebas hanya memiliki jarak yang pendek
untuk menuju kolektor. Karena itu hampir semua elektron yang diinjeksikan oleh
emitter akan melewati basis menuju kolektor. Hanya sedikit elektron bebas yang
akan bergabung dengan hole di basis yang sedikit dikotori. Kemudian sebagai
elektron valensi akan mengalir melalui resistor basis menuju sisi posotif VBB.

5.3.3. Elektron Kolektor

Hampir semua elektron bebas pergi ke kolektor. Setelah berada di kolektor
elektron bebas ini akan ditarik oleh tegangan sumber VCC, elektron bebas mengalir
melalui kolektor dan tahanan RC menuju terminal positif VCC.
Ringkasnya:
VBB membias maju dioda emitter, memaksa elektron bebas pada emiter untuk
memasuki basis. Basis yang tipis dan sedikit dikotori akan memberikan waktu
yang cukup bagi hampir semua elektron ini akan untuk berdifusi ke kolektor.
Elektron ini mengalir melalui kolektor, tahanan RC dan ke terminal positif
tegangan VCC.
Transistor Bipolar 5
 Dasar Elektronika

5.4. Arus Transistor

Gambar 5.5 menunjukkan symbol skematik untuk sebuah transistor.

Gambar 5.5. Tiga arus transistor

Terdapat tiga arus yang berbeda pada sebuah transistor; arus emiter IE, arus Basis
IB dan arus kolektor IC.

- Hubungan Arus-Arus
Hukum Kirchhoff mengatakan bahwa jumlah semua arus yang masuk ke suatu titik
atau sambungan sama dengan jumlah semua arus yang keluar dari titik atau
sambungan itu. Menurut hukum arus Kirchhoff :
IE = IC + IB (5-1)
Karena arus basis sangat kecil, maka :
IC ≈ IE ≈ hampir sama/mendekati
Dan :
IB << IC << jauh lebih kecil dari pada

- ALPHA DC
Alpha dc didefinisikan :
IC
α dc = (5 − 2 )
IE
Karena IC ≈ IE, αdc sedikit lebih kecil dari pada 1
- Transistor daya rendah αdc biasanya lebih besar dari 0,99.
- Transistor daya tinggi αdc biasanya lebih besar dari 0,95.

Transistor Bipolar 6
 Dasar Elektronika

- BETA DC
Beta dc didefinisikan :
IC
β dc = (5 − 3) βdc = hFE
IB

βdc juga dikenal sebagai penguat arus, karena IB yang kecil dapat menghasilkan IC
yang jauh lebih besar. Penguatan arus adalah keuntungan utama dari sebuah
transistor dan telah dipakai pada bayak aplikasi.
- Transistor daya rendah (dibawah 1 watt) βdc atau penguat arus biasanya 100-300.
- Transistor daya tinggi (diatas 1 watt) βdc atau penguat arus biasanya 20 - 100.

Contoh:
Suatu transistor mempunyai arus kolektor IC 10 mA dan arus basis IB 40 µA. Berapa penguatan
arus transistor?

Contoh:
Suatu transistor mempunyai penguatan arus βdc 175 Jika arus basis IB 0,1 mA.Berapa arus
kolektor IC?

Contoh:
Suatu transistor mempunyai arus kolektor IC 2 mA. Jika penguatan arus βdc 135. Berapa arus
basis IB ?

5.4. Hubungan Emitter Bersama (Common Emitter/CE)

Ada 3 cara untuk menghubungkan sebuah transistor :
- Emiter bersama (common emitter/CE)
- Kolektor bersama (common collector/CC)
- Basis bersama (common base/CB)

5.4.1. Emiter Bersama (Common Emitter/CE)

Pada bab ini akan dibahas adalah emiter bersama, karena hubungan ini yang paling
banyak digunakan. Disebut hubungan emitter bersama (CE) karena ground pada
sumber tegangan dihubungkan ke emiter. Rangkaian ini memiliki 2 loop. Loop kiri
adalah loop basis dan loop kanan adalah loop kolektor.

Transistor Bipolar 7
 Dasar Elektronika

VCE = VC –VE
VCB = VC – VB
VBE = VB - VE

Gambar 5.6. Hubung emiter bersama

Karena VE = 0 pada hubungan emitter bersama maka :

VCE = VC
VCB = VC – VB
VBE = VB

5.4.1.1 Arus Basis

Dengan menerapkan hukum ohm terhadap tahanan basis RB pada gambar 5.6 akan
didapatkan :
VBB – IBRB – VBE = 0
VBB –VBE = IBRB
VBB − VBE
IB (5 − 4 )
RB

Gambar 5.7. Grafik dioda basis (IB vs VBE)

Jika menggunakan dioda ideal, VBE = 0, dengan pendekatan kedua VBE = 0,7 V.
Pendekatan kedua memiliki akurasi yang lebih baik.

Transistor Bipolar 8
 Dasar Elektronika

Contoh:
Gunakan pendekatan kedua untuk menghitung arus basis IB pada rangkaian emiter bersama pada
gambar 5.8 dibawah ini. Berapa tegangan pada resistor basis VRB, arus kolektor IC jika βdc = 160.

Gambar 5.8. Contoh rangkaian emiter bersama

5.4.1.2. Kurva Kolektor

Lihat loop kolektor pada gambar 5-9, VBB dan VCC dapat dubah-ubah untuk
menghasilkan tegangan dan arus yang berbeda

Gambar 5.9 a) Rangakaian hubung emiter bersama; b) Kurva kolektor

Misalnya VBB diganti untuk memperoleh IB = 10 µA. Dengan besar arus IB yang
tetap VCC dapat diubah dan menghitung arus IC dan VCE. Pada saat tegangan VCE=0
dioda kolektor tidak dibias balik, maka arus IC = 0. Jika tegangan VCE > 0, arus IC
naik dengan tajam. Saat VCE 1/10 volt IC hampir konstan ( 1mA). Daerah arus IC
konstan karena setelah dioda kolektor terbias balik, ia mengumpulkan semua
elektron bebas yang mencapai lapis depleksinya.

Kenaikan tegangan VCE tidak dapat menaikkan arus IC, karena kolektor hanya
dapat mengumpulkan electron bebas yang di injeksikan oleh emitter ke basis.
Jumlah electron bebas yang dinjeksikan ini tergantung hanya pada rangkaian basis,
tidak pada rangkaian kolektor. Karena itulah mengapa IC konstan antara VCE
kurang 1 V sampai dengan 40 V.

Transistor Bipolar 9
 Dasar Elektronika

Jika VCE > 40 V dioda kolektor akan breakdown dan kerja transistor normal akan
hilang. Karena itu salah satu tingkatan maksimum yang harus dilihat pada lembar
data (data sheet) transistor adalah tegangan breakdown kolektor-emiter VCE(max).
Jika transistor breakdown, maka transistor akan rusak.

- Tegangan dan Daya Kolektor

Lihat gambar 5-9a pada loop kolektor, hukum Kirchhoff tegangan :
VCC – ICRC – VCE = 0
VCE = VCC – ICRC (5-5)

- Disipasi Daya Transistor

PD = VCE . IC (5-6)

5.4.1.3. Daerah Operasi

Pada 5.9b kurva kolektor memperlihatkan daerah operasi yang berbeda dimana
kerja transistor berubah.
a. Daerah aktif adalah daerah dimana VCE = 1 V sampai dengan 40 V. Daerah
kerja normal transistor
b. Daerah breakdown adalah daerah dimana VCE > 40 V. Transistor tidak boleh
beroperasi pada daerah ini karena akan rusak.
c. Daerah saturasi adalah daerah dimana VCE antara 0 V dan 1/10 V (bagian nai
diawal kurva). Pada daerah ini arus IB > dari normalnya dan penguatan arus βdc <
dari normalnya.

Daerah aktif sangat penting karena penguatan sinyal hanya mungkin terjadi pada
daerah aktif. Daerah aktif disebut juga daerah linier, karena perubahan pada sinyal
input menghasilkan perubahan yang proporsional terhadap sinyal output.

- Kurva Tambahan
Jika beberapa kurva digambarkan untuk IB yang berbeda, akan didapatkan
sekelompok kurva kolektor seperti pada gambar 5-10.

Transistor Bipolar 10
 Dasar Elektronika

Gambar 5.10. Kelompok kurva kolektor

Besarnya penguatan arus βdc transistor pada kurva kolektor diatas adalah :
IC 7 mA
β dc = = = 100
I B 70 µA

Dengan rangkaian yang lain, penguatan arus dapat berbeda dari 100, tetapi bentuk
kurvanya mirip.

5.4.1.4. Daerah Cutoff

Kurva yang terletak paling bawah pada gambar 5-10 diatas mewakili daerah
operasi keempat. Arus basis IB adalah 0, tetapi terdapat arus kolektor IC yang kecil.
Kurva yang paling bawah ini disebut daerah cutoff transistor dan arus kolektor IC
kecil ini disebut arus cutoff kolektor.

Arus cutoff ada karena dioda kolektor memiliki arus pembawa miniritas balik dan
arus bocor permukaan. Daerah saturasi dan cutoff berguna pada rangkaian
komputer dan digital sebagai rangkaian pen-saklaran.

Transistor Bipolar 11
 Dasar Elektronika

Contoh:
Transistor pada gambar 5-11a memiliki penguatan arus βdc = 160. Hitunglah arus basis IB, arus
kolektor IC, tegangan kolektor-emiter VCE dan disipasi daya transistor PD.

Gambar 5.11a. Contoh

Contoh:
Transistor pada gambar 5-12a memiliki tegangan kolektor-emiter VCE = 3,3 V. Berapa penguatan
arus βdc transistor ini dan disipasi daya transistor PD.?

VCC
10V

VCC

RC 5kΩ
RB 1MΩ
1

Q1
3

2N3904
0

Gambar 5.12a. Contoh

5.5. Pendekatan Transistor

Gambar 5.13a menunjukkan sebuah transistor. Tegangan VBE pada dioda emitter,
dan tegangan VCE pada terminal kolektor-emiter.

Gambar 5.13a. Komponen asli transistor

5.5.1. Pendekatan Ideal

Transistor Bipolar 12
 Dasar Elektronika

Pendekatan ideal transistor memvisualisasikan dioda emitter sebagai dioda ideal,

maka VBE=0 V
Pada sisi kolektor transistor bekerja sebagai sumber arus yang memompa arus
kolektor IC sebesar βdc.Arus basis IB melaui tahanan kolektor RC.

VBE = 0

Gambar 5.13b. Pendekatan transistor ideal

5.5.2. Pendekatan Kedua

Pendekatan kedua transistor memperlihatkan dioda emiter dengan VJ=0,7 V untuk
dioda silicon, maka VBE = 0,7 V.
Dengan pendekatan kedua IB dan IC akan sedikit berkurang.

VBE = 0,7 V

Gambar 5.13c. Komponen transistor kedua

5.5.3. Pendekatan Yang Lebih Tinggi

Tahanan yang besar pada dioda emitter menjadi penting pada aplikasi daya tinggi
dimana arusnya besar. Efek tahanan yang besar pada dioda emitter adalah
menaikan VBE lebih dari 0,7 volt. Pada beberapa rangkaian berdaya tinggi VBE
pada dioda basis-emiter besarnya lebih dari 1 volt.

Contoh :
Gunakan pendekatan transistor ideal ,pendekatan kedua transistor dan pendekatan lebih tinggi
(VBE=1 V) untuk mencari tegangan kolektor-emiter pada gambar 5.14 dibawah ini.

Transistor Bipolar 13
 Dasar Elektronika

Gambar 5.14. Contoh pendekatan transistor ideal

Transistor Bipolar 14