LABORATORIO DE ELECTRÓNICA GENERAL

Practica Nº x

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

Katherine Viviana Calvopiña Castellano, María Belén Cunalata Hilaño
kattyvivi94@hotmail.com
@hotmail.com

Resumen:
En esta práctica se procura comprobar el funcionamiento del transistor BJT que es un
semiconductor de tres terminales además medir la ganancia y comprobar los valores calculados
con los medidos.

Palabras Clave: transistor, ganancia, base, emisor, colector.

ABSTRACT.

This practice seeks to check the operation of BJT transistor is a semiconductor three terminals also
measure the gain and check the calculated values with those measured.

KEY WORDS:
Transistor, gain , collector, base, emitter.

1. INTRODUCCIÓN.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se utiliza para una variedad de
funciones de control en los circuitos electrónicos como la amplificación, oscilación, conmutación y
la conversión de frecuencias. Además un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas
regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. (Monografías, 2016)

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor,
haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser
colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,
otorgarle al transistor una gran β. (Wikipedia, 2016)

2. OBJETIVOS:
 Diseñar un circuito en configuración de emisor común y determinar sus parámetros.
 Medir la ganancia y las tres corrientes en el transistor.
 Comparar los valores calculados con los medidos.
3. MATERIALES:

 Fuente de voltaje de 5 V.
 fuente de voltaje de 10 V.
 Voltímetro.
 Amperímetro
 Transistor 2N3904
 Resistencia de 10 KΩ
 Resistencia de 100 Ω
4. PROCEDIMIENTO:

1. Arme el circuito del trabajo preparatorio y mida las corrientes IE, IC, IB y la tensión entre VCE.(

Figura 1. Transistor Polarizado

2. Llene la tabla 1 y compare valorescon los valores calculados.

IB (µA) IC (mA) IE (mA) VCE (V) PD (mW)

Calculado
Medido
5. PREGUNTAS
Contestar las preguntas de la guía si no existen preguntas desarrollar sus propias preguntas.

6. CONCLUSIONES

7. RECOMENDACIONES
  Asegurarse que el transistor este polarizado de manera correcta.
 Comprobar que el circuito este armado correctamente antes de comenzar la práctica.
8. BIBLIOGRAFIA.

 Monografías. (25 de 06 de 2016). Monografías. Obtenido de

http://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-y-aplicaciones/transistores-bjt-y-
aplicaciones.shtml

 Wikipedia. (25 de 06 de 2016). Wikipedia. Obtenido de

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

 TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS,BOYLESTAD &

NASHELSKY,décima edición, 2009, PEARSON-PRENTICE HALL.
 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS, FLOYD THOMAS L, octava edición, 2007,PEARSON
EDUCACIÓN.