Manoel Bla

Universidade Federal do Rio Grande do Norte
Centro de Tecnologia
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica e Computação
Antenas de Microfita Com Substrato Metamaterial
Manoel do Bonfim Lins de Aquino
Orientador: Prof. Dr. Humberto César Chaves Fernandes
Dissertação de Mestrado apresentada ao

Programa de Pós-Graduação em Engenharia
Elétrica e Computação da UFRN (Área de
concentração: Engenharia Elétrica) como
parte dos requisitos para obtenção do tı́tulo
de Mestre em Ciências.
Natal/RN - Brasil
Novembro de 2008
Divisão de Serviços Técnicos
Catalogação da publicação na fonte. UFRN / Biblioteca Central Zila Mamede
Aquino, Manoel do Bonfim Lins de.

Antenas de microfita com substrato metamaterial / Manoel do Bonfim Lins
de Aquino - Natal, RN, 2008.
90 f.
Orientador: Dr. Humberto César Chaves Fernandes.
Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Pro-

grama de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.
1. Antenas de microfita - Dissertação. 2. Metamateriais - Dissertação. 3.

Método da linha de transmissão transversa - Dissertação. 4. Miniaturização de
antenas - Dissertação. I. Fernandes, Humberto César Chaves. II. Tı́tulo.
RN/UF/BCZM CDU 621.396.67 (043.3)

Antenas de Microfita Com Substrato Metamaterial
Manoel do Bonfim Lins de Aquino
Dissertação de Mestrado aprovada em 19 de novembro de 2008 pela banca exami-

nadora composta pelos seguintes membros:
Prof. Dr. Humberto César Chaves Fernandes (orientador) . . . . . . . DEE/UFRN
Prof. Dr. Laércio Martins de Mendonça (examinador interno) . . . DEE/UFRN
Prof. Dr. Sandro Gonçalves da Silva (examinador interno) . . . . . . DEE/UFRN
Prof. Dr. Alfrêdo Gomes Neto (examinador externo) . . . CTEMA/CEFET-PB

Aos meus pais - Vilani e Cazuza, pela
sabedoria e amor que me proporcionaram
À minha esposa - Justina Laura
Agradecimentos
Ao meu orientador e amigo, Dr. Professor Humberto César Chaves Fernandes.
Aos colegas Davi Bibiano, Richardson, Roberto, Aline, Sousa, João Cléber, pela ajuda.
Aos demais colegas de pós-graduação, pelo companheirismo, crı́ticas e sugestões.
À Indira e famı́lia pela convivência e amizade durante a graduação e mestrado.
À minha famı́lia pelo apoio durante esta jornada, em especial aos irmãos Cleilson e Cle-
vanir que sempre me incentivaram na vida acadêmica.
À minha esposa Justina pelo amor e compreensão.
À CAPES e CNPQ, pelo apoio financeiro.

Resumo
Este trabalho apresenta a análise teórica e numérica dos parâmetros de uma antena
de microfita tipo patch retangular sobre substrato metamaterial. Para isso, é aplicada
a teoria de metamateriais - MTM, em conjunto com o método da Linha de Transmis-
são Transversa - LTT, para a caracterização das grandezas do substrato e obtenção das
equações gerais dos campos eletromagnéticos. É realizado um estudo acerca da teoria
de metamateriais com o intuito de obter seus parâmetros construtivos, os mesmos são
caracterizados através de tensores permissividade e permeabilidade. Essa teoria é apli-
cada ao método da Linha de Transmissão Transversa chegando-se às equações gerais para
os campos eletromagnéticos da antena. Em seguida são utilizados princı́pios da teoria
eletromagnética para obter-se caracterı́sticas como: freqüência de ressonância complexa,
diagramas de radiação e largura de banda. São simulados diferentes configurações de
metamateriais e antenas com o intuito de miniaturizar as dimensões fı́sicas e aumentar
a largura de banda das mesmas, os resultados são apresentados através de gráficos. A
análise teórica computacional deste trabalho se mostra precisa, em comparação a outros,
podendo ser empregado em dispositivos que utilizem metamateriais como substratos. Ao
final são apresentadas conclusões e sugestões para trabalhos futuros.
Palavras Chaves: Antenas de Microfita, Metamateriais, Método da Linha de Trans-
missão Transversa, Miniaturização de Antenas.
Abstract
This paper presents a theoretical and numerical analysis of the parameters of a rectan-
gular microstrip antenna with metamaterial substrate. The metamaterial (MTM) theory
was applied along with Transverse Transmission Line (LTT) method to characterize sub-
strate quantities and obtain the general equations of the electromagnetic fields. A study
on metamaterial theory was conducted to obtain the constructive parameters, which were
characterized through permittivity and permeability tensors to arrive at a set of elec-
tromagnetic equations. Electromagnetic principes are used to obtained parameters such
as complex resonance frequency, bandwidth and radiation pattern were then obtained.
Different metamaterial and antenna configurations were simulated to miniaturize them
physically and increase their bandwidth, the results of which are shown through graphics.
The theoretical computational analysis of this work proved to be accurate when com-
pared to other studies, and may be used for other metamaterial devices. Conclusions and
suggestions for future work are also proposed.
Keywords: Microstrip Antennas, Metamaterials, Transverse Transmission Line, An-
tennas Miniaturization. Method.
Conteúdo
Sumário p. iii
Lista de Figuras p. vi
Lista de Tabelas p. ix
Lista de abreviaturas e siglas p. x
Lista de sı́mbolos p. xi
1 Introdução p. 1
2 Teoria de Antena p. 4
2.1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 4
2.2 Definição . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 4
2.3 Processo de Radiação na Antena . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 4
2.4 Campos no Espaço ℜ3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 7
2.4.1 Regiões de Campos Próximos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 7
2.4.2 Região de Campos Distantes - Região de Fraunhofer . . . . . . . p. 7
2.4.3 Campos Distantes para um Dipolo Hertziano . . . . . . . . . . . . p. 7
2.5 Parâmetros de Antenas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 10
2.6 Antenas de Microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 15
2.6.1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 15
2.6.2 Aspectos Históricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 15

2.6.3 Linha de Microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 15
2.6.4 Vantagens e Limitações das Antenas de Microfita . . . . . . . . . p. 16
2.6.5 Técnicas de Alimentação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 17
2.6.6 Métodos de Análise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 20
2.6.7 Métodos de Onda Completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 22
2.7 Conclusões . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 23
3 Substrato Metamaterial p. 24
3.1 Definição de Metamateriais Esquerdinos . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 25
3.2 Superfı́cie de Impedância Reativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 31
3.3 Metamaterial Planar com Uma Camada . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 31
3.4 Conclusões . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 32
4 Método da Linha de Transmissão Transversa - Aplicado a Metama-

teriais p. 34
4.1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 34
4.2 Desenvolvimento dos Campos Transversais . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 35
4.3 Conclusões . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 44
5 Campos Eletromagnéticos na Antena de Microfita Retangular Com

Substrato Metamaterial p. 45
5.1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 45
5.2 Antena de Microfita Retangular com Substrato Metamaterial . . . . . . . p. 46
5.3 Determinação das Equações dos Campos Eletromagnéticos . . . . . . . . p. 47
5.4 Aplicação Das Condições de Contorno e Determinação das Constantes

Desconhecidas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 51
5.5 Aplicação das Condições de Contorno Magnéticas e Determinação da

Matriz Admitância . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 53
iv
5.6 Expansão das Densidades de Corrente em Termos de Funções de Base . . p. 55
5.7 Equação Caracterı́stica e Cálculo da Freqüência de Ressonância Complexa p. 58
5.8 Conclusão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 59
6 Diagrama de Radiação p. 60
6.1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 60
6.2 Campos Distantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 60
6.2.1 Princı́pio de Equivalência dos Campos . . . . . . . . . . . . . . . p. 64
6.2.2 Campos Tangenciais à Fita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 67
6.2.3 Campos Distantes para uma Antena Retangular de Microfita . . . p. 67
6.3 Conclusão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 68
7 Resultados p. 70
7.1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 70
7.2 Resultados da Freqüência de Ressonância Complexa da antena de Mi-

crofita Retangular com Substrato Metamaterial . . . . . . . . . . . . . . p. 72
7.2.1 Redução das Dimensões Fı́sicas de Antenas Usando Metamateriais p. 72
7.2.2 Análise da Largura de Banda Através dos Tensores Permissivi-

dade e Permeabilidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 74
7.3 Diagramas de Radiação para Antenas de Microfita com Substrato Meta-

material . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 76
7.4 Resultado Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 77
7.5 Conclusão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 78
8 Conclusões p. 79
Bibliografia p. 81
Apêndice A -- Demonstração do Método da Linha de Transmissão

Transversa - LTT v p. 83
Lista de Figuras
2.1 Etapas da radiação em uma antena. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 6
2.2 Densidade superficial de fluxo de potência para as regiões definidas pelos raios: Rcp =
q
3 2
0, 62 Dλ e Rcd = 2D
λ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 8
2.3 Campos distantes no sistema de coordenadas esféricas para um dipolo Hertzano. . . . p. 9
2.4 Diagramas de irradiação, lóbulos principal e secundários. (a) Diagrama de irradiação

linear; (b) diagrama de irradiação polar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 11
2.5 Perda de retorno e largura de banda, para uma antena com freqüência central em 500
Hz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 14
2.6 (a) Polarização elı́ptica. (b) Polarização linear horizontal, caso particular de (a). (c)
Polarização linear vertical, também, caso particular de (a). . . . . . . . . . . . . . p. 14
2.7 Antena de microfita convencional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 16
2.8 Formas comuns de patchs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 16
2.9 Alimentação via linha de microfita. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 18
2.10 Alimentação via conector coaxial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 18
2.11 Alimentação via acoplamento por abertura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 19
2.12 Alimentação via acoplamento por proximidade. . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 19
2.13 Modelo da linha de transmissão: (a) efeito franja com um incremento ∆l; (b) dis-
tribuição do campo elétrico ao longo da antena. . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 21
2.14 Circuito equivalente para antena de microfita, pelo modelo da linha de transmissão. . p. 21
3.1 Diagrama de permissividade - permeabilidade e ı́ndice de refração (CALOZ; ITOH,

2000). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 25
3.2 Diagrama mostrando os vetores de pointing, de onda elétrico e magnético em materiais

comuns (a) e metamateriais left-handed (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 26
3.3 Diagrama de raios mostrando a direção de propagação de onda (a) material natural,
(b) metamaterial left-handed. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 26
3.4 Estrutura TW - Thin Wire, construı́do com fios finos de metal em (a); estrutura
SRR - split ring resonator, construı́do com anéis circulares em (b) e (c) Metamaterial
TW-SRR, formado pela junção das estruturas TW e SRR. . . . . . . . . . . . . . p. 27
3.5 Modelo de circuito equivalente do SRR, (a) SRR configuração dupla e (b) configuração
simples. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 29
3.6 Resultados teóricos computacionais para uma estrutura TW-SRR, permeabilidade. . p. 29
3.7 Resultados teóricos computacionais para uma estrutura TW-SRR, per-

missividade. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 30
3.8 Metamateriais (p λg ) construı́dos apenas com metais comuns e dielétricos, (a) ε-

negativo/µ-positivo, (b) ε-positivo/µ-negativo e (c) estrutura SRR-TW (SHELBY et
al., 2001). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 30
3.9 Estrutura RIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 32
3.10 Metamaterial planar com uma camada, construı́do a partir de uma arranjo de estru-
turas TW e SRR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 32
5.1 Fluxograma descritivo das etapas a serem realizadas nesse capı́tulo. . . . . . . . . . p. 46
5.2 Antena retangular de microfita com substrato metamaterial. . . . . . . . . . . . . p. 46
5.3 Seção transversal de uma antena de microfita com patch de largura W . . . . . . . . p. 47
5.4 Vista superior de uma antena de microfita com patch de largura W e comprimento l. . p. 47
5.5 Seção transversal de uma antena retangular de microfita com patch de largura W . . . p. 50
6.1 Ressoador de aberura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 61
6.2 Equivalência dos campos. No gráfico (a) ~E1 e H

~ 1 são os campos gerados pelas fontes e
~ na superfı́cie ~S1 . Em (b) ~Es e H
campos ~E e H ~ s são os campos gerados pelas densidades
de corrente elétrica e magnética J~s e M

~ s , respectivamente. . . . . . . . . . . . . . . p. 64
6.3 Campos distantes no sistema de coordenadas esféricas. . . . . . . . . . . . . . . . p. 68
7.1 Antena retangular de microfita com substrato metamaterial. . . . . . . . . . . . . p. 71
7.2 Vista da seção transversal da antena retangular de microfita com substrato metamaterial. p. 71
vii
7.3 Metamaterial planar TW-SRR, construı́dos apenas com metais e dielétricos comuns,
na face superior as células SRR e na inferior as estruturas TW. . . . . . . . . . . . p. 71
7.4 Freqüência de ressonância para antena de microfita. . . . . . . . . . . . . . . . . p. 72
7.5 (a) permissividade para estrutura TW e (b) permeabilidade para estrutura SRR em
função da freqüência. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 73
7.6 Freqüência de ressonância em função do comprimento l do patch para o dielétrico

ε = 2, 2 e os MTM’s 1 e 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 74
7.7 Largura de banda em função da freqüência de ressonância, para o dielétrico com

εr = 2, 2 e MTM εx1 = εy1 = εz1 = 4, 4; µx1 = µy1 = µz1 = 1. . . . . . . . . . . . . . . p. 74
7.8 (a) permissividade para estrutura TW e (b) permeabilidade para estrutura SRR em
função da freqüência. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 75
7.9 Largura de banda em função da freqüência de ressonância (a) MTM 1 e 2 (b) MTM
3 e 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 76
7.10 Largura de banda em função da freqüência de ressonância (a) MTM 1 e 3 (b) MTM
2 e 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 76
7.11 (a) diagrama de radiação plano E(θ = 0 e − 90 < φ < 90) e (b) diagrama de radiação
plano H(φ = 0 e 0 < θ < 180) para a freqüência 1 GHz. . . . . . . . . . . . . . . p. 77
7.12 (a) permeabilidade e (b) permissividade para o substrato TW-SRR construı́do em

laboratório. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 77
7.13 Resultado experimental para antena supracitada - freqüência de ressonância 2,5 GHz. p. 78
viii
Lista de Tabelas
2.1 Tabela comparativa entre as diversas técnicas de alimentação. . . . . . . . . . . . p. 20

Lista de abreviaturas e siglas
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers, p. 4

MTM Metamaterial, p. 24
ME Materiais Esquerdinos - Left Handed , p. 25
MD Materiais Destros - Right Handed , p. 26
TW Fio Fino de Metal - Thin Wire, p. 28
SRR Ressoador de Anel Partido - Split Ring Ressonator , p. 28
TW-SRR Ressoador de Anel Partido e Fio Fino de Metal - Thin Wire p. 29
and Split Ring Ressonator ,
RIS Superfı́cie de Impedância Reativa - Reactivate Impedance Sur- p. 31
face,
PEC Condutor Elétrico Perfeito - Perfectly Electric Conductor , p. 31
PMC Condutor Magnético Perfeito - Perfectly Magnetic Conductor , p. 31
LTT Método da Linha de Transmissão Transversa, p. 34
Lista de sı́mbolos
η Impedância Intrı́nseca do Espaço Livre, p. 9

k Número de Onda, p. 9
r Raio para o Sistema de Coordenadas Esférica, p. 9
~
℘ Vetor de Poynting Complexo, p. 10
Prad Potência Média Radiada pela Antena, p. 10
~
ds Vetor Diferencial de Superfı́cie, p. 10

Re ℘ ~ Densidade Superficial de Potência Irradiada, p. 10
U Intensidade de Radiação, p. 10
P(θ , φ ) Padrão de Radiação, p. 10
F(θ , φ )dB Padrão de Radiação em dB, p. 11
P(θ , φ ) Padrão de Potência, p. 11
F(θ , φ )dB Padrão de Potência em dB, p. 11
D Diretividade, p. 12
G Ganho de Potência, p. 12
Za Impedância de Entrada, p. 12
ROE Relação de Onda Estacionária, p. 13
Γ Coeficiente de Reflexão, p. 13
PR Perda de Retorno, p. 13
LB Largura de Banda, p. 13
~E Vetor Campo Elétrico, p. 35
√
j Número Imaginário Unitário, j = −1, p. 35
ω Freqüência Angular Complexa, p. 35
µ Permeabilidade Magnética, p. 35
~
H Vetor Campo Magnético, p. 35
ε Permissividade Elétrica, p. 35
∇t Operador Transversal, p. 35
µxx Permeabilidade Magnética Relativa na Direção x, p. 36
µyy Permeabilidade Magnética Relativa na Direção y, p. 36
µzz Permeabilidade Magnética Relativa na Direção z, p. 36
µ0 Permeabilidade Magnética no Espaço Livre, p. 36
εxx Permissividade Elétrica Relativa na Direção x, p. 36
εyy Permissividade Elétrica Relativa na Direção y, p. 36
εzz Permissividade Elétrica Relativa na Direção z, p. 36
ε0 Permissividade Elétrica no Espaço Livre, p. 36
x̂ Versor na Direção x, p. 36
ŷ Versor na Direção y, p. 36
x̂ Versor na Direção z, p. 36
ki Número de Onda da Enésima Região Dielétrica, p. 40
γ Constante de Propagação na Direção y, p. 44
αn Variável Espectral na Direção x, p. 44
βk Variável Espectral na Direção z, p. 44
∇t Operador Transversal, p. 90
αn Variável Espectral na Direção x, p. 96
xii
Capı́tulo 1
Introdução
O eletromagnetismo vem recebendo grande atenção por grupos de pesquisa ao redor

do mundo devido a demanda por novos dispositivos de telecomunicações que transmitam
dados a velocidades cada vez mais altas, exigindo o desenvolvimento de novos circuitos
integrados e materiais de alta eficiência. Em decorrência dessa demanda, novos materi-
ais são desenvolvidos no sentido de possibilitar mecanismos de controle e propagação de
ondas eletromagnéticas. Nesse contexto, as antenas de microfita são introduzidas como
alternativa viável de transmissão e recepção de microondas, podendo ser utilizadas em
conjunto com metamateriais para novos sistemas - Comunicação via satélite, telefonia
móvel, redes Wireless. Avanços significativos vêm ocorrendo tanto na análise das ante-
nas de microfita, como no desenvolvimento de novos materiais - PBG (Photonic Band
Gap), ferritas, metamateriais. Essas antenas são estruturas que consistem em um patch
condutor sobre um substrato dielétrico e um plano de terra na parte inferior, (BAHL;
BHARTIA, 2001). O substrato tem papel importante no desempenho da estrutura, como
o aumento da largura de banda e eficiência, pode-se utilizar materiais com e sem perdas -
semicondutores, ferritas e mais recentemente metamateriais. Nessa dissertação metamate-
riais formados por dielétricos e condutores devidamente arranjados (estruturas periódicas)
são utilizados como substratos com o objetivo de desenvolver antenas de alta eficiência e
tamanhos reduzidos.
Diversos métodos de análise são relatados na literatura, como o Método dos Potenciais
Vetoriais de Hertz, o Método da Linha de Transmissão Equivalente, o Método da Equação
Integral, o Método de Cohn (BAHL; BHARTIA, 2001), o Método da Linha de Transmissão
Transversa (FERNANDES, 1984), entre outros. Entretanto, recomenda-se para o estudo
de estruturas em microfita uma análise por métodos rigorosos, pois produzem resultados
mais exatos e eficazes.
Capı́tulo 1. Introdução 2
Nesse trabalho é utilizado o Método da Linha de Transmissão Transversa - LTT

(FERNANDES, 1984) em conjunto com Garlekin, caso particular do método dos Momen-
tos (SANTOS, 2005), que são métodos de análise rigorosa no domı́nio espectral. Aquele
consiste em se obter os componentes dos campos elétrico e magnético em função dos
componentes transversais no domı́nio da transformada de Fourier - DTF (BRACEWELL,
1965). O mesmo foi utilizado em vários trabalhos (SANTOS, 2005), (SILVA, 1999), e, em
comparação com outros métodos dinâmicos apresenta alta eficiência, além de importantes
simplificações algébricas das equações envolvidas no processo. O que gera redução de
esforços computacionais.
O trabalho está distribuı́do em oito capı́tulos, buscando-se abordar todo o referen-

cial teórico para o estudo da estrutura e equacionamento matemático e, em seguida,
apresentar uma análise dos resultados obtidos na caracterização da antena. A principal
contribuição do trabalho é o desenvolvimento das equações gerais de campos para um
ressoador de microfita com metamaterial. Constituindo-se um importante avanço nos
estudos do eletromagnetismo, uma vez que, os estudos sobre MTM aplicado à antenas
planares ainda são prematuros.
Primeiramente, é apresentado no capı́tulo 2 a teoria de antenas, conceitos e grandezas

essenciais para caracterização e estudo. Apresenta-se, também, o ressoador de microfita
- situando-o no contexto histórico, aplicações, formas e principais métodos e modelos de
alimentação e análises.
No capı́tulo 3 descreve-se as estruturas metamateriais, apresenta-se o estudo geral do

ı́ndice de refração, permeabilidade e permissividade. São definidos os principais tipos de
metamateriais, descrevendo-se suas estruturas, equacionamentos e curvas caracterı́sticas.
Em seguida, no capı́tulo 4 é desenvolvido um equacionamento rigoroso para os ressoa-

dores retangulares de microfita com substrato metamaterial, através do método da Linha
de Transmissão Transversa e da teoria de metamateriais. Essas equações constituem-se
na alma do trabalho, pois é o ponto de partida para todo o desenvolvimento analı́tico.
No capı́tulo 5, a teoria desenvolvida nos capı́tulos anteriores é aplicada a uma an-

tena de microfita retangular com substrato MTM com o objetivo de obter-se a freqüência
de ressonância complexa e campos eletromagnéticos tangenciais à fita condutora. Para
tanto, encontra-se a solução das equações de Helmohltz utilizando-se condições de con-
torno eletromagnéticas adequadas. Em seguida aplica-se o método dos momentos - as
densidades de corrente são expandidas em termos de funções de bases e encontra-se a
Capı́tulo 1. Introdução 3
equação caracterı́stica, cuja raiz é a freqüência de ressonância complexa.
No capı́tulo 6, baseado no método LTT e na condição de fase estacionária, é desen-

volvida a teoria de campos distantes para um ressoador de fenda e em seguida generalizado
para antenas de microfita (OLIVEIRA, 1996).
Os resultados numéricos para a antena de microfita com substrato metamaterial são

apresentados no capı́tulo 7. Faz-se comparações com outros autores e análises dos resul-
tados obtidos.
Por fim são apresentadas as conclusões a que se chegou e sugestões para trabalhos
posteriores.
Capı́tulo 2
Teoria de Antena
2.1 Introdução
São apresentados neste capı́tulo conceitos e grandezas essenciais para caracterização

e estudos de antenas. Em seguida é feita uma abordagem sobre antena de microfita - as-
pectos históricos, vantagens, limitações, principais aplicações. São apresentados também,
os principais métodos de alimentação e análises de antenas de microfita.
2.2 Definição
Antenas são estruturas metálicas projetadas para radiar e receber energia eletromag-
nética. Constituem-se em elementos essenciais para qualquer sistema de comunicação sem
fios, realizando a interface entre o guia de onda e o espaço livre. Uma definição oficial
do IEEE para antenas é dada em Strutzman and Thiele (STUTZMAN; THIELE, 1998),
como segue: ”That part of a transmitting or receiving system that is designed to radiate
or receive electromagnetic waves”. Ou seja, é o dispositivo responsável por transmitir e
receber ondas eletromagnéticas.
2.3 Processo de Radiação na Antena
Para entender como ocorre a radiação na antena, primeiro precisa-se conhecer o fenô-
meno da radiação eletromagnética.
ρ
∇ · ~E = Lei de Gaus, (2.1)
ε
Capı́tulo 2. Teoria de Antena 5
∂ ~
∇ × ~E = −µ H Lei de Faraday, (2.2)
∂t
~ = J~ + J~D
∇×H Lei de Ampére. (2.3)
Partindo-se das equações de Maxwell 2.1 a 2.3. Considere uma estrutura geométrica
irradiante δ eletricamente condutora excitada por uma fonte de tensão senoidal V (t) =
V0 sen(2π f ). O processo de irradiação para δ , pode ser resumido em 4 etapas:
(I) Em conseqüência de V (t), surgem correntes da forma I(t) = I0 sen(2π f +φ ) que fluem
h i
~ y, z,t) A2 , tal fluxo implica na ocor-
pela estrutura com densidade superficial J(x, m
rência de cargas elétricas em movimento no interior da estrutura δ , com densidade
h i
volumétrica ρ(x, y, z,t) mC3 ;
(II) Em conseqüência de 2.1 é gerado um campo elétrico ~Eρ (x, y, z,t) devido à densidade
h i
volumétrica de cargas ρ(x, y, z,t) mC3 . Por sua vez, de 2.3 um campo magnético
~ J (x, y, z,t) é estabelecido devido à densidade superficial de corrente J(x,
H ~ y, z,t);
(III) De 2.2, é originado ~EH (x, y, z,t) devido a variação de H

~ J (x, y, z,t) no tempo. Assim,
somando-se as contribuições dos campos elétricos ~EH e ~Eρ , chega-se a ~E(x, y, z,t),
que por seu turno, dá origem à densidade superficial de corrente de deslocamento
J~D (x, y, z,t) = ε ∂ ~E(x, y, z,t);
∂t
~ D (x, y, z,t) é estabelecido em decorrência de J~D (x, y, z,t).

(IV) A partir de2.3, H
As etapas (III) e (IV) repetem-se recursivamente, de sorte que, para cada recursão
existe uma correspondência unı́voca entre o instante t e as coordenadas espaciais (x, y, z).
Observa-se ainda que, o campo ~EH (x, y, z,t) é continuamente regenerado por H
~ D (x, y, z,t),
diferentemente de ~Eρ (x, y, z,t), pois esse apresenta valores significativos apenas nas proxi-
midades do irradiador (região de campos próximos) (FERNANDES; FRANCO, 2002).
A radiação numa antena pode ser explicada através da figura 2.1 a qual mostra uma
fonte de tensão conectada a uma linha de transmissão. Aqui pode-se evidenciar as etapas
descritas acima: a fonte conectada à estrutura irradiante δ estabelece uma tensão V (t) =
V0 sen(2π f ). Conforme descrito em (I), tem-se uma corrente do tipo I(t) = I0 sen(2π f + φ ),
h i h i
~
que flui por δ com densidade superficial J(x, y, z,t) 2 , esse fluxo gera ρ(x, y, z,t) C3 . De
A
m m
(II), ~Eρ (x, y, z,t) é gerado devido a densidade volumétrica de cargas ρ(x, y, z,t). E, devido a
~ y, z,t), H
densidade superficial de corrente J(x, ~ J (x, y, z,t) é estabelecido. De (III), A variação
~ J (x, y, z,t) no tempo leva à formação de ~EH (x, y, z,t), somando-se os componentes
de H
~EH (x, y, z,t) e ~Eρ (x, y, z,t) chega-se ao campo elétrico total ~E(x, y, z,t), o qual dá origem à
densidade de corrente de deslocamento J~D (x, y, z,t). Por fim, conforme (IV), H ~ D (x, y, z,t)
é estabelecido devido a J~D (x, y, z,t). Desde que seja mantida a fonte de tensão as etapas
acima acontecem ciclicamente e a radiação é estabelecida.
Figura 2.1: Etapas da radiação em uma antena.
Pode-se evidenciar a presença desse campo ao longo da estrutura através de linhas de

força, que são tangenciais ao campo, bem como, a sua magnitude que é diretamente pro-
porcional ao número de linha de força. Conforme exposto, devido à variação dos campos
elétricos e magnéticos, ondas eletromagnéticas são criadas e viajam entre os condutores
do guia. Quando essas perturbações se aproximam da abertura da antena, são formadas
ondas no espaço livre pela conexão da abertura final às linhas de forças. Desde que, a
fonte senoidal continue a criar perturbações elétricas - ondas eletromagnéticas são criadas
continuamente, trafegam através da linha de transmissão até a antena, e são irradiadas
para o espaço livre (BALANIS, 1997).
2.4 Campos no Espaço ℜ3
As caracterı́sticas e o relacionamento entre os campos ~E(r, θ , φ ,t) e H(r,

~ θ , φ ,t) apre-
sentam diferentes comportamentos a depender da distância r do ponto P(θ , φ ,t) à antena.
Tal comportamento peculiar depende especificamente da relação ente r e λ , definindo
duas regiões básicas de irradiação denominadas de campos próximos (r λ ) e campos
distantes (r λ ).
2.4.1 Regiões de Campos Próximos
Esta região é definida como a parte no espaço ℜ3 onde a distância r entre a antena e
q pertencente a região, é tal que r λ - empiricamente adota-se

qualquer ponto P(θ , φ ,t)
D3
a distância de r < 0, 62 , onde D é a maior dimensão fı́sica da antena e λ é o compri-
λ
mento da onda irradiada). Nessa região E~θ e H
~φ estão defasados no tempo, tornando o
fluxo de potência nas extremidades do ressoador altamente reativo. Fisicamente significa
a existência de ondas estacionárias no interior desta região, que faz com que a energia
irradiada flua para frente e para traz. Ou seja, nessa região há a tendência de manter
confinada a potência fornecida pela antena sem irradiá-la parafrente, exceto no seulimite
q
3 2
externo - inı́cio da denominada zona intermediária de Fresnel 0, 62 Dλ < r < 2D λ aqui,
começa a haver irradiação efetivamente, conforme figura 2.2.
2.4.2 Região de Campos Distantes - Região de Fraunhofer
A região de Fraunhofer é a região no espaço ℜ3 na qual a distância r entre a antena

e qualquer ponto P(θ , φ ,t) pertencente a região, é tal que r λ (empiricamente adota-se
2
a distância de 2D ~ ~
λ ). Nessa região Eθ e Hφ estão em fase no tempo - nessas condições a
onda eletromagnética irradiada possui seus campos ~E e H ~ relacionados da mesma forma
que numa onda plana incidente. Portanto, a energia eletromagnética é efetivamente ir-
radiada através do espaço ℜ3 em conseqüência do alinhamento de fase entre E~θ e H
~φ
(FERNANDES; FRANCO, 2002).
2.4.3 Campos Distantes para um Dipolo Hertziano
A radiação na região de campos distantes para um dipolo Hertziano, pode ser enten-
dida com o auxı́lio do sistema de coordenadas esféricas mostrado na figura 2.6. A direção
q
D3
Figura 2.2: Densidade superficial de fluxo de potência para as regiões definidas pelos raios: Rcp = 0, 62 λ
2D2
e Rcd = λ .
vertical é dada pelo eixo y é a horizontal pelo plano xz, θ e φ são os ângulos de elevação
e azimute respectivamente. Assim xy é o plano de elevação (φ = 0) ou plano-E, o qual
contém o vetor campo elétrico na direção de máxima propagação. Enquanto xz é o plano

azimutal θ = π2 - Plano-H, onde ocorre a direção de máxima propagação do vetor campo
magnético (BALANIS, 1997).
Considerando, ainda, um dipolo Hertziano (com comprimento L e diâmetro menor

que um comprimento de onda) e assumindo-se que uma corrente I(0) flui através de seu
comprimento. Se o dipolo é colocado na origem, ao longo do eixo ”y”, então conforme
(BALANIS, 1997), pode-se escrever:
KI(0)Le− jkr sen θ

1 1
Eθ = jη 1+ − , (2.4)
4πr jkr (kr)2
I(0)Le− jkr cos θ

1
Er = η 1+ , (2.5)
(2πr)2 jkr
KI(0)Le− jkr sen θ

1
Hφ = j 1+ , (2.6)
4πr jkr
Figura 2.3: Campos distantes no sistema de coordenadas esféricas para um dipolo Hertzano.
com,
Hr = 0 Hθ = 0 Eφ = 0.
Para a região de campos distantes os termos r2 e r3 podem ser desprezados, assim as

equações 2.4 a 2.8 podem ser escritas como:
KI(0)Le− jkr
Eθ = jη sen θ , (2.7)
4πr
KI(0)Le− jkr
Hφ = j sen θ , (2.8)
4πr
Er = 0, (2.9)
sendo:
η - Impedância intrı́nseca do espaço livre;
2π
k= λ - Número de onda;
r - Raio para o sistema de coordenadas esférica.
Assumindo-se que os campos Eθ e Hφ variam senoidalmente com o tempo, percebe-se
Eθ
que: as funções 2.7 e 2.8 são transversais entre si; a relação Hφ = η = 120π - é a impedância
intrı́nseca do espaço livre (válida quando o meio de propagação é o vácuo ou ar seco); e a
magnitude dos campos Eθ e Hφ é inversamente proporcional ao raio r. A direção de Eθ e

Hφ , é definida pelo vetor de Poynting ao longo de r, e indica a direção de propagação da
onda. O vetor de Poynting é dado por (BALANIS, 1997)

1 ~ ~ ∗ Var
~
℘= E ×H . (2.10)
2 m2
2.5 Parâmetros de Antenas
Do vetor de Poynting complexo chega-se à potência média irradiada pela antena:
ZZ Z 2π Z π
Prad ~ =
= ℘rad ds ℘rad r2 sen θ dθ dφ [W ] , (2.11)
s 0 0
na qual:
~ = r2 sen θ dθ dφ r̂ - Vetor diferencial de superfı́cie;
ds
h W i
℘rad = Re ℘ ~ - Vetor de Poynting médio, que determina a densidade superficial
m2
de potência irradiada.
2
h W i
O termo ℘rad r rad 2
é denominado intensidade de radiação, e mede a potência
irradiada pela antena por unidade de ângulo sólido, ou ainda, densidade sólido-angular
de potência irradiada. Assim a intensidade de radiação de uma antena é definida por:

2 W
U = ℘rad r . (2.12)
rad 2
Padrão de radiação F(θ , φ ) de uma antena é uma expressão analı́tica que define a
intensidade normalizada do campo elétrico Eθ (θ , φ ) resultante em cada ponto da superfı́cie
esférica Se de raio re em cujo centro encontra-se a antena:
Eθ (θ , φ )
F(θ , φ ) = , (2.13)
Eθ max
sendo Eθ max o valor máximo de Eθ (θ , φ ) que ocorre para a particular direção (θ , φ ) =
(θmax , φmax ) do espaço ℜ3 sendo θmax e φmax os valores para os ângulos θ e φ que maximizam
a grandeza Eθ (θ , φ ). O gráfico de tal função é denominado diagrama de irradiação.
O padrão de irradiação F(θ , φ ) é dado em Decibéis por 2.14 :

F(θ , φ )dB = 20 log |F(θ , φ )|, (2.14)
por seu turno o padrão de potência de uma antena é dado por 2.15:
P(θ , φ ) = |F(θ , φ )|2 , (2.15)
logo seu valor em Decibéis é 2.16:
P(θ , φ )dB = 10 log |F(θ , φ )|2 = 20 log |F(θ , φ )|, (2.16)
donde temos a seguinte equivalência:
P(θ , φ )dB = F(θ , φ )dB . (2.17)
Figura 2.4: Diagramas de irradiação, lóbulos principal e secundários. (a) Diagrama de irradiação linear;
(b) diagrama de irradiação polar.
Considerando o diagrama de irradiação da figura 2.4, pode-se extrair as seguintes

propriedades:
• Lóbulo principal - ocorre na direção que contém a maior concentração de potência

irradiada, lóbulos secundários - todos os que não são principal.
• HPBW (Half Power Beam Width), largura de feixe com centro no máximo de
F(θ , φ )dB , para a qual a potência irradiada caı́ à metade. Tal grandeza é também
conhecida como ângulo de meia potência.
• FNBW (First Null Beam Width), largura de feixe com centro no máximo de
F(θ , φ )dB , para a qual a potência irradiada caı́ ao seu primeiro valor mı́nimo.
A diretividade de uma antena é um ı́ndice que mede a “habilidade” em concentrar

a potência irradiada na direção de máxima propagação. Ou seja, mede a capacidade de
concentrar energia dentro de um ângulo sólido.
Umax 4π
D= = , (2.18)
Umed Ωa
na qual:
R 2π R π
Ωa = 0 0 P(θ , φ ) sen θ dθ dφ [sr] - Ângulo sólido de feixe;
Umax - Valor máximo da intensidade de radiação;
Umed - Intensidade de radiação caso a potência fosse irradiada uniformemente em
todas as direções no ℜ3 , ou seja, é a intensidade de radiação resultante de um irradiador
isotrópico.
Ganho de potência é a razão entre a máxima densidade superficial de potência

Pe
irradiada ℘rad (θmax , φmax ) pela antena e ℘radmed = 4πr2
caso a antena fosse um irradiador
isotrópico com 100% de eficiência (η = 1, Pa = Pe ) e alimentado por uma potência Pe .
℘rad (θmax , φmax ) ℘rad (θmax , φmax )

G= Pe
=η Pa
= ηD, (2.19)
4πr2 4πr2
Portanto, o ganho de potência G de uma antena, será no máximo igual à sua diretividade.
Ademais, 10 log G define o parâmetro dBi, ganho em dB em relação a um irradiador
isotrópico. No entanto, devido a essa estrutura ser fisicamente irrealizável, é comum
utilizar-se o parâmetro dBd - ganho em relação ao dipolo de meia onda.
A impedância de entrada de uma antena é a apresentada à linha de transmissão

que a alimenta ou à estrutura de acoplamento que a une à linha de transmissão.
Va
Za =
= Ra + jXa [Ω] , (2.20)
Ia
sendo Ra a resistência de radiação e Xa a reatância própria.
Relação de onda estacionária (ROE), é a relação entre o sinal incidente e o

refletido, sendo um parâmetro de suma importância para os sistemas de comunicação,
pois a medida que essa taxa começa a crescer aumenta as perdas do sistema.
Vmax Imax 1 + Γ
ROE = = = , (2.21)
Vmin Imin 1−Γ
Γ é o coeficiente de reflexão dado por:
ZL − Z0
Γ= . (2.22)
ZL + Z0
A Perda de retorno indica a proporção entre a potência incidente e a refletida,

definida como:
PR = −20 log Γ [dB], (2.23)
Tanto a perda de retorno quanto o coeficiente de onda estacionárias, são excelentes

ı́ndices para a determinação da performance de antenas, sendo aceito na prática, valores
menores que 1,3 para esse e acima de -10dB para aquele.
A Largura de banda é a faixa na qual a antena opera satisfazendo determinados

parâmetros de performance. A largura de banda (LB), pode ser especificada:
(I) Sob forma percentual (utilizado quando a largura de banda é muito menor que a
freqüência central):
Fs − Fi
LB = , (2.24)
Fc
na qual:
FS - Freqüência superior;
Fi - Freqüência inferior;
Fc - Freqüência central;
(II) Pelo posicionamento de freqüências (Fs e Fi ) - utilizado quando Fs é maior igual ao

dobro de Fi :
Fs
LB = . (2.25)
Fi
A Polarização de uma antena, define a direção do vetor ~E do campo eletromagnético

por ela irradiado com relação a um plano de referência. A forma mais geral de polarização
é a Elı́ptica - quando o vetor ~E gira em um plano perpendicular à direção de propagação
da onda eletromagnética (FERNANDES; FRANCO, 2002).
Figura 2.5: Perda de retorno e largura de banda, para uma antena com freqüência central em 500 Hz.
Figura 2.6: (a) Polarização elı́ptica. (b) Polarização linear horizontal, caso particular de (a). (c) Polar-
ização linear vertical, também, caso particular de (a).
2.6 Antenas de Microfita
2.6.1 Introdução
Nesta seção são abordadas as principais caracterı́sticas acerca das antenas de microfita
com patch retangular, de modo a produzir subsı́dios para os estudos dos capı́tulos poste-
riores. Primeiramente será feita uma introdução sobre aspectos históricos, exemplificando
as vantagens e limitações em seu uso. Depois são discutidas as principais técnicas de
alimentação eletromagnética. Finalmente, são mostrados os métodos de análise de maior
aplicação às antenas de microfita.
2.6.2 Aspectos Históricos
O conceito de irradiadores em microfita surgiu em 1953, porém as primeiras antenas

práticas foram desenvolvidas a partir de 1970 por Howell e Munson (BAHL; BHARTIA,
2001). A partir de então foram desenvolvidas antenas e arranjos de microfita explorando
suas vantagens, tais como: pequeno volume, peso reduzido, configuração planar, compa-
tibilidade com circuitos integrados, baixo custo de fabricação e a possibilidade de atuar
com freqüência dual.
2.6.3 Linha de Microfita
A linha de microfita é uma estrutura não-homogênea com o modo de propagação

hı́brido não-TEM. O substrato concentra predominantemente as linhas dos campos eletro-
magnéticos. Quanto maior a permissividade elétrica relativa do substrato (εr ), maior será
a concentração de energia nesta região. Vários dispositivos podem ser fabricados uti-
lizando linhas de microfita entre eles estão os ressoadores, antenas, filtros, acopladores
direcionais e divisores de potência. As antenas de microfita apresentam várias aplicações
tais como: comunicação via satélite, radares, telemetria em mı́sseis, sensoriamento remoto,
comunicações móveis, etc.
A antena de microfita na sua forma mais simples é composta de um elemento metálico

(patch) depositado sobre um substrato (dielétrico) que por sua vez está sobre um plano
de terra (uma fina camada metálica), como mostra a figura 2.7.
O patch pode ter várias geometrias tais como: quadrado, retangular, circular, elı́ptica,
triangular ou qualquer outra configuração de acordo com as caracterı́sticas desejadas. Em
Figura 2.7: Antena de microfita convencional.
geral para facilitar a análise teórica são comumente escolhidas as formas mostradas na
figura 2.8. A forma do elemento metálico influencia na distribuição de corrente e por
conseqüência na distribuição dos campos na superfı́cie da antena. Logo, a irradiação pode
ser determinada através da distribuição de campo entre o patch metálico e o plano de
terra, bem como, em termos de distribuição de corrente de superfı́cie no patch.
Figura 2.8: Formas comuns de patchs.
2.6.4 Vantagens e Limitações das Antenas de Microfita
As antenas de microfita apresentam algumas vantagens quando comparadas com as

antenas convencionais usadas para microondas (BAHL; BHARTIA, 2001), tais como:
• Baixo peso e configuração fina;
• Polarizações linear e circular são possı́veis com alimentação simples;
• Antenas com polarização dual e freqüência dual são facilmente realizáveis;

• Podem ser facilmente embarcadas com circuitos integrados de microondas;
• Linhas de alimentação e redes de casamento de impedância podem ser fabricadas

simultaneamente com a estrutura da antena.
Entretanto, apresentam algumas limitações:
• Largura de banda limitada;
• Baixo ganho (≈ 6 dB);
• Excitação de ondas de superfı́cie;
• A utilização de substratos com alta constante dielétrica é preferı́vel, pois facili-

tam a integração com MMIC’s (Circuitos Integrados Monolı́ticos de Microondas)
entretanto, substratos com altas constantes dielétricas possuem largura de banda
estreita e baixa eficiência de irradiação, decorrente da alta concentração dos campos
em torno da região de alta permissividade.
Existem muitas formas de diminuir o efeito dessas limitações, como por exemplo, a
redução da excitação de ondas de superfı́cie através da utilização de substratos PBG,
redução do acoplamento entre o patch e plano de terra utilizando-se materiais magnético-
dielétrico - com valor moderado de permissividade e permeabilidade alta (µ > ε) (MOSAL-
LAEI; SARABANDI, 2004). Um aumento na largura de banda pode ser obtido, também,
com antenas de patchs empilhados ou com multicamadas dielétricas.
2.6.5 Técnicas de Alimentação
Antenas de microfita podem ser alimentadas por uma variedade de métodos. Esses
podem ser classificados em duas categorias: contactados e não contactados. Nas técnicas
por contato, a fonte de RF é ligada fisicamente ao patch usando linhas de microfita
ou conector coaxial. Enquanto que, nas técnicas não-conectado, a ligação é feita por
acoplamento eletromagnético. As quatro formas mais comuns são: linha de microfita,
sonda coaxial (Conexão direta), acoplamento por abertura e proximidade (BALANIS,
1997).
Alimentação por Linha de Microfita
Nesta técnica, uma linha de microfita conecta o patch à extremidade da antena como
mostra a figura 2.9, as vantagens em se usar tal processo é a facilidade de construção, pois
é implementado diretamente sobre o substrato, além de se integrar facilmente a circuitos
impressos.
Figura 2.9: Alimentação via linha de microfita.
Alimentação Coaxial
Essa técnica é muito comum em estruturas de microfita como visto na figura 2.10. O
condutor interno do conector coaxial transpõe o dielétrico e é soldado ao patch, enquanto
o outro condutor (externo) é soldado diretamente ao plano de terra. A principal vantagem
aqui, é que a alimentação pode ser feita em qualquer local do patch, fácil fabricação e tem
baixos espúrios de radiação. Entretanto, impõe limitações à largura de banda.
Figura 2.10: Alimentação via conector coaxial.
Acoplamento por Abertura
Os métodos de acoplamento são os de mais difı́cil fabricação, principalmente o acopla-

mento por abertura. Essa técnica consiste de dois substratos separados por um plano de
terra. Abaixo do substrato 1 há uma linha de alimentação de microfita que fornece energia
através de um slot (abertura) no plano de terra, como visto na figura 2.11.
Figura 2.11: Alimentação via acoplamento por abertura.
Esse arranjo permite uma otimização independente do mecanismo de alimentação e

do elemento de irradiação. O nı́vel de acoplamento é determinado através do formato e
localização da abertura. Como o plano de terra separa o patch da linha de alimentação,
as radiações superiores são minimizadas. As desvantagens dessa técnica são: dificuldade
de fabricação devido às múltiplas camadas, e baixa largura de banda.
Acoplamento por Proximidade
Essa técnica de alimentação consiste em uma linha de alimentação colocada entre

dois substratos dielétricos, conforme figura 2.12 o patch é colocado sobre o substrato
superior, enquanto que o plano de terra é colocado sob o substrato inferior. As principais
vantagens nessa técnica é que elimina a radiação de alimentação superior e oferece alta
largura de banda. O casamento de impedância é atingido variando-se a largura da linha
de transmissão e espessura dos substratos.
Figura 2.12: Alimentação via acoplamento por proximidade.

A tabeta 2.1 faz uma sı́ntese das técnicas exploradas acima, mostrando as principais
caracterı́sticas, vantagens e limitações (BAHL; BHARTIA, 2001).
Caracterı́sticas Linha de Alimentação Acoplamento Acoplamento

Microfita Coaxial por Aber- por Proximi-
tura dade
Espúrios de Maior Maior Menor Médio
Radiação
Confiabilidade Ótima Boa (a de- Boa Boa
pender da
solda)
Fabricação Fácil Fácil Difı́cil Difı́cil
Casamento Fácil Fácil Fácil Fácil
de Impedân-
cia
Largura de 2-5% 2-5% 2-5% 13%
Banda
Tabela 2.1: Tabela comparativa entre as diversas técnicas de alimentação.
2.6.6 Métodos de Análise
Os principais métodos de análise de antenas de microfita são: o da linha de trans-

missão, o modelo da cavidade, ambos aproximados e os de onda completa - dentre os
quais incluem-se o Método da Linha de Transmissão Equivalente - LTE ou Método da
Imitância, o Método dos Potenciais Vetoriais de Hertz e o Método da Linha de Transmis-
são Transversa - LTT, o qual será usado neste trabalho. Esses baseiam-se em equações
diferenciais integrais e utilizam-se do método dos momentos e de funções de base para
determinar as soluções.
Modelo da Linha de Transmissão (LT)
No modelo da Linha de Transmissão (LT), o patch e a linha de alimentação são mo-

deladas por seções de LT. A antena é então representada por uma seção ressonante onde a
impedância caracterı́stica (Z0 ) e a constante de fase de propagação (β ) são determinados
pelos parâmetros do substrato e dimensões da antena planar. Considerando uma patch
retangular alimentado por uma linha de microfita conforme figura 2.13, quando os cam-
pos eletromagnéticos que se propagam ao longo da linha encontram uma descontinuidade
(inı́cio do patch), nesse ponto, devido à mudança de largura W da microfita, são gerados
campos de fuga (de franja) nas bordas do patch. Esses efeitos de franja têm como carac-
terı́stica armazenar energia, logo são modelados por capacitores (C). Por outro lado, uma
parte desses campos irradia potência no espaço o que é representado por uma condutân-
cia (G) em paralelo com (C). Em seguida os campos se propagam através do patch até a
outra extremidade onde, devido as dimensões finitas W e l ultrapassam o limite fı́sico do
patch. Aqui mais uma vez aparece o efeito dos campos de fuga, e são modelados como
visto anteriormente por uma associação paralelo de (C) e (G). O processo descrito acima
causa um acréscimo elétrico nas dimensões do patch e é modelado acrescentando-se ao
comprimento l o fator ∆l em ambos os lados do patch, dessa forma tem-se as dimensões
efetivas. A figura 2.13.b mostra a distribuição do campo elétrico ao longo da antena, que
pode ser aproximada pela expressão E0 cos(πx/l). Assim as condições de contorno são
satisfeitas, o campo elétrico é máximo nas bordas e nulo no centro da antena (l/2)
Figura 2.13: Modelo da linha de transmissão: (a) efeito franja com um incremento ∆l; (b) distribuição
do campo elétrico ao longo da antena.
Conforme descrito acima a antena pode ser modelada através do circuito da figura
2.14, os seus parâmetros e as dimensões são dados pelas equações abaixo.
Figura 2.14: Circuito equivalente para antena de microfita, pelo modelo da linha de transmissão.

W
εre f f + 0, 3 + 0, 264
h
∆l = 0, 412h , (2.26)
W
εre f f − 0, 258 + 0, 8
h
le f f = l + 2∆l, (2.27)
h −1/2

εr + 1 εr − 1
εe f f = + 1 + 12 , (2.28)
2 2 W
1/2
c m 2 n 2
Fr = √ + , (2.29)
2 εe f f L W
sendo Fr a freqüência de ressonância. Os ı́ndices m e n representam os modos de propa-
gação na antena,
c
W= r , (2.30)
(εr + 1)
2Fr
2
Wl
C=ε . (2.31)
h
Modelo da Cavidade
O Modelo da Cavidade pode manipular qualquer geometria de patch, tratando a

antena como sendo uma cavidade com paredes ressonantes, onde na base e no topo há
paredes elétricas e nas laterais paredes magnéticas. Os campos na antena são considerados
como sendo os campos na cavidade, dessa forma serão expandidos em termos de modos
ressonantes na cavidade, na qual cada modo tem a sua freqüência de ressonância dada
pela equação 2.32 (BALANIS, 1997).
r
1 mπ 2 nπ 2 pπ 2
Frmnp = √ + + , (2.32)
2π µε h L W
sende c a velocidade da luz. Os ı́ndices m, n, p representam os modos de propagação.
Embora esse modelo seja relativamente simples de implementar e aplicar a diversos

formatos de antenas, há algumas limitações em seu uso, principalmente devido às apro-
ximações iniciais. Dessa forma, esse modelo não oferece um resultado satisfatório para
antenas com substratos mais espessos, com patch empilhados e arranjos de antenas.
2.6.7 Métodos de Onda Completa
A análise de estruturas planares a partir de modelos aproximados (descritos acima),

oferece relevante rapidez nas formulações, no entanto, incluem uma parcela de erro devido
as simplificações feitas, sobretudo quando se trata de aplicações em altas freqüências e

substratos anisotrópicos. Assim, a análise a partir de um método rigoroso é imprescindı́vel
para a precisão dos resultados com substratos metamateriais. É sabido que o modo de
propagação da microfita se modifica devido à interface dielétrico-ar, tornando-se um modo
hı́brido não-TEM. Logo, o método de análise deve considerar a natureza hı́brida dos modos
de propagação, por esse motivo tais métodos são chamados de análise dinâmica ou de
onda completa. Os mais relatados na literatura são: o Método da Linha de Transmissão
Equivalente - LTE ou Método da Imitância, o Método dos Potenciais Vetoriais de Hertz e
o Método da Linha de Transmissão Transversa - LTT. Esse será utilizado ao longo deste
trabalho, com uma nova formulação para metamateriais. Por esse motivo é desnecessário
apresentá-lo neste momento, pois é detalhado com todo o formalismo matemático no
capı́tulo 4
2.7 Conclusões
Nesse capı́tulo foi apresentado conceitos e grandezas essenciais ao entendimento dos

temas que serão abordados nos capı́tulos seguintes, situando assim, o leitor acerca do
trabalho desenvolvido.
Capı́tulo 3
Substrato Metamaterial
O eletromagnetismo vem recebendo grande atenção por grupos de pesquisa ao redor

do mundo devido à gama de aplicações práticas que esses estudos possibilitam. Os avanços
gerados pelas grandes guerras mundiais e pela guerra fria, impulsionam a demanda por
materiais e abrem uma nova área de trabalho em eletromagnetismo. Tal avanço levou
ao desenvolvimento de materiais artificiais com caracterı́sticas dielétricas e magnéticas
desejáveis. Atualmente meios de fabricação e técnicas inovadoras vêm possibilitando a
fabricação de materiais com caracterı́sticas que não podem ser encontradas na natureza
(SUDHAKARAN, 2006). Tais materiais são chamados metamateriais - MTM. Esses tam-
bém, podem ser definidos como estruturas eletromagnéticas efetivas, homogêneas, arti-
ficiais, com propriedades incomuns que não são encontradas em materiais na natureza
(CALOZ; ITOH, 2000). Uma estrutura homogênea efetiva é aquela em que o compri-
mento médio estrutural de célula p (Fig. 3.4) é muito menor que um comprimento de
onda guiada λg . Assim, esse comprimento médio de célula deve ser pelo menos menor
λg λg
que um quarto de comprimento de onda - p < 4. Essa condição de referência p = 4
será denominada como o limite de homogeneidade efetiva, para garantir que os fenômenos
espalhamento/difração sucumbirão frente à refração quando uma onda se propaga dentro
do meio metamaterial.
Os principais parâmetros constitutivos são a permissividade ε e a permeabilidade µ,

relacionados ao ı́ndice de refração n dado por (CALOZ; ITOH, 2000):
√
n = ± µr εr , (3.1)
na qual µr e εr são respectivamente a permeabilidade e permissividade relativas, rela-

cionadas à permeabilidade e permissividade no espaço livre dadas por µ0 = µ
µr = 4π 10−7
H/m e ε0 = ε
εr = 8.854 10−12 F/m, respectivamente. Na equação 3.1 o sinal ± para
Capı́tulo 3. Substrato Metamaterial 25
o valor duplo da função raiz quadrada admite quatro possibilidades de combinações de

sinais para µ e ε - (+,+), (+,-), (-,+) e (-,-), que são ilustrados no diagrama da Fig. 3.1.
Enquanto as três primeiras combinações são bem conhecidas em materiais tradicionais, a
última (-,-) com permissividade e permeabilidade simultaneamente negativas é uma nova
classe de materiais os “materiais canhotos” ou do inglês left-handed.
Figura 3.1: Diagrama de permissividade - permeabilidade e ı́ndice de refração (CALOZ; ITOH, 2000).
3.1 Definição de Metamateriais Esquerdinos
Estes materiais como uma conseqüência de seus duplos parâmetros negativos mostra-
dos na figura 3.1, são caracterizados por fase e velocidade de grupo antiparalelas ou ı́ndice
de refração negativo, equação 3.1. Os materiais esquerdinos (ME) são claramente meta-
materiais de acordo com a definição dada na seção anterior, uma vez que são artificiais,
λg
efetivamente homogêneos (p < 4) e possuem caracterı́sticas não usuais como o ı́ndice de
refração negativo.
Estes materiais foram inicialmente propostos por Viktor Vaselago em 1968 (VESE-
LAGO, 1968) onde pela primeira vez ambos os parâmetros dielétricos -permissividade ε
e permeabilidade µ - são negativos. Ele os definiu como materiais left-handed. Quando
uma onda eletromagnética passa por esses materiais o vetor de campo elétrico, o vetor de
campo magnético e o vetor de onda obedecem à regra da mão esquerda ao contrário de

materiais naturais, cujos vetores obedecem à regra da mão direita e possuem parâmetros
de material positivos. Os materiais com parâmetros positivos são nomeados “materiais
destros” (MD). A Fig. 3.2 mostra a direção dos vetores desses materiais. Pode-se observar
que o vetor de pointing e o vetor de onda estão em direções opostas no metamaterial ME,
enquanto obedecem à mesma direção no caso dos materiais MD.
Figura 3.2: Diagrama mostrando os vetores de pointing, de onda elétrico e magnético em materiais
comuns (a) e metamateriais left-handed (b).
Os ME possuem caracterı́sticas não usuais como: lei de Snell, radiação e efeito

Doppler, reversos (VESELAGO, 1968). A Fig. 3.3 mostra as direções de propagação
de onda usando diagramas de raios para o material convencional MD e o ME, quando
uma onda incide obliquamente no material. Pode-se observar que no material natural a
refração da onda na primeira interface é para cima em relação à normal, enquanto no
material artificial é para baixo.
Figura 3.3: Diagrama de raios mostrando a direção de propagação de onda (a) material natural, (b)
metamaterial left-handed.
Vaselago concluiu em seu artigo, que algumas substâncias naturais poderiam exibir
caracterı́sticas ME. Ele então sugeriu: “substancias girotrópicas possuindo plasma e pro-
priedades magnéticas” (metais ferrimagnéticos puros ou semicondutores); “onde tanto a
permissividade quando a permeabilidade são tensores” (estruturas anisotrópicas), pode-
riam possibilitar o desenvolvimento de um LH. No entanto ele reconheceu: (VESE-

LAGO, 1968), “infelizmente,..., nós não conhecemos sequer uma substância que possa
ser isotrópica e possuir permeabilidade negativa” de fato nenhum LH foi descoberto em
seu tempo.
Foram necessários mais de 30 anos - após publicado seu artigo, para desenvolver
o primeiro metamaterial ME e demonstrá-lo experimentalmente. Esse material não foi
uma substância natural como esperava-se, mas uma estrutura efetivamente homogênea e
artificial - um metamaterial, construı́do por Smith e seus colaboradores na Universidade
da Califórnia em São Diego (SMITH et al., 2000b). Essa estrutura foi proposta por
Pendry et al. na Faculdade Imperial, Londres (PENDRY, 2000). Prendy introduziu
o tipo plasmático ε-negativo/µ-positivo e ε-positivo/µ-negativo mostrado na Fig. 3.4,
que podem ser projetados em freqüência plasmática na faixa de microondas. Ambas as
estruturas possuem um tamanho médio de célula p muito menor que o comprimento de
onda guiada λg (p λg ) sendo assim uma estrutura artificial, efetivamente homogênea,
com caracterı́sticas incomuns, logo um metamaterial.
Figura 3.4: Estrutura TW - Thin Wire, construı́do com fios finos de metal em (a); estrutura SRR - split
ring resonator, construı́do com anéis circulares em (b) e (c) Metamaterial TW-SRR, formado pela junção
das estruturas TW e SRR.
O metamaterial descrito na Fig. 3.4(a) é o fio fino de metal (thin-wire - TW ). Se a

excitação do campo elétrico ~E é paralela ao eixo dos fios (~E||y), induz-se uma corrente ao
longo desses e se estabelece um momento de dipolo elétrico equivalente, e esse metamate-
rial exibe uma função de freqüência do tipo plasmática para a permissividade da seguinte
forma (PENDRY, 2000),
2
ω pe 2
ζ ω pe
εr (ω) = 1 − + j , (3.2)
ω2 + ζ 2 ω(ω 2 + ζ 2 )
r
2 2πc2
na qual ω pe = p2 ln ( pr )
(c - velocidade da luz, r - raio dos fios) é a freqüência plasmática
pω pe 2
ε0 ( r )
elétrica, ajustado na faixa de GHz; ξ = πσ (σ - condutividade do metal) é o fator
de amortecimento devido às perdas do metal. Pode-se notar nessa formula que:
Re(εr ) < 0 ⇒ ω 2 < ω pe − ξ 2 , (3.3)
desde que ξ 2 = 0, tem-se:

Re(εr ) < 0 ⇒ ω 2 < ω pe . (3.4)
Por outro lado a permeabilidade é simplesmente µ = µ0 , uma vez que não há presença
de material magnético e o momento de dipolo magnético não é gerado. Deve-se notar que
os fios são considerados muito maiores que um comprimento de onda (teoricamente ao
infinito), o que significa que são excitados em freqüências situadas bem abaixo de sua
primeira ressonância.
O metamaterial descrito na Fig. 3.4(b) é o ressoador de anel partido (split-ring res-

~ é perpendicular ao plano dos anéis
onator - SSR). Se a excitação do campo magnético H
~ ⊥ z) induz-se uma corrente na malha fechada e se estabelece um momento dipolo mag-
(H
nético, e esse metamaterial exibe uma função de freqüência do tipo plasmática para a
permissividade como se segue (PENDRY, 2000),
Fω 2 (ω 2 − ω0m
2 )
Fω 2 ζ
µr (ω) = 1 − 2 )2 + (ωζ )2
+ j 2 )2 + (ωζ )2
, (3.5)
(ω 2 − ω0m (ω 2 − ω0m
2 r
sendo F = π pr (r - raio interno do anel menor), ω0m = c 3p 3 (d - largura dos
2dr
π ln s
anéis, s - espaço radial entre os anéis) a freqüência de ressonância magnética, que pode
2pR0
ser ajustada para GHz; ζ = rµ0 (R0 - resistência do metal por unidade de comprimento)
é o fator de compensação devido às perdas. Deve-se notar que a estrutura SRR possui
uma resposta magnética - apesar de não incluir materiais condutores magnéticos, devido
à presença de momentos de dipolos magnéticos artificiais gerados pelos anéis ressoadores.
A equação 3.6 revela que uma faixa de freqüência pode existir quando Re(µr ) < 0,
ω0m
Re(µr ) < 0 ⇒ ω0m < ω < √ , (3.6)
1−F
na qual ω pm é a freqüência plasmática magnética. Uma diferença essencial entre as
expressões plasmáticas para a permissividade e a permeabilidade é que a última é de
natureza ressonante µ(ω = ω0m ) = ∞ devido à ressonância dos SRRs, dados por ω0m =
r
c 3p (PENDRY, 2000).
2dr3
π ln s
O circuito equivalente do SRR é mostrado na Fig. 3.5 (PENDRY, 2000). Na configu-

ração de anel duplo Fig. 3.5(a), o acoplamento capacitivo e indutivo entre os anéis maior
e menor é modelado por uma capacitância de acoplamento (Cm ) e um transformador n.
Na configuração de anel simples Fig. 3.5(b), o modelo do circuito é um simples RLC
com freqüência ressonante ω0 = √1 . O SRR duplo é essencialmente equivalente ao SSR
LC
simples se o acoplamento mútuo é fraco, porque as dimensões dos dois anéis são muito
próximas, assim L1 ≈ L2 ≈ L e C1 ≈ C2 ≈ C resultando em uma freqüência ressonante
combinada próxima a do SRR simples com as mesmas dimensões, porém com um maior
momento magnético devido a maior densidade de corrente.
Figura 3.5: Modelo de circuito equivalente do SRR, (a) SRR configuração dupla e (b) configuração
simples.
Uma forma de utilizar essas estruturas (thin-wire - TW e split-ring resonator - SSR)

em conjunto, é formar um substrato TW-SRR que consiste da junção de ambas as estru-
turas em um único dielétrico com as estruturas dispostas em lados opostos do substrato
Fig. 3.4(c), resultados para esse substrato podem ser vistos nas Fig. 3.6 e 3.7.
Freqüência Hz
Figura 3.6: Resultados teóricos computacionais para uma estrutura TW-SRR, permeabilidade.
Embora do ponto de vista fı́sico os metamateriais TW-SRR com anéis circulares se-
jam bastante interessantes, na prática são de pouca valia em engenharia para aplicações
planares. Uma alternativa foi apresentada por Shelby (SHELBY et al., 2001), onde são
utilizados anéis quadrados e linhas de transmissão como é mostrada na Fig. 3.8.
Figura 3.7: Resultados teóricos computacionais para uma estrutura TW-SRR, permissivi-
dade.
Figura 3.8: Metamateriais (p λg ) construı́dos apenas com metais comuns e dielétricos, (a) ε-negativo/µ-
positivo, (b) ε-positivo/µ-negativo e (c) estrutura SRR-TW (SHELBY et al., 2001).
Os metamateriais descritos são bi-anisotrópicos e caracterizados por tensores permis-

sividade e permeabilidade uniaxiais (SMITH et al., 2000a):
 
µxx 0 0
 
µ = µ0 
 0 µyy 0  (3.7)
0 0 µzz
 
εxx 0 0
 
ε = ε0  0 εyy 0 

 (3.8)
0 0 εzz
A estrutura mostrada na Fig. 3.4(c) pode apresentar caracterı́sticas de material es-

querdino monodimensional, uma vez que apenas uma direção é permitida para o par
(~E, H),
~ assim tem-se: εxx (ω < ω pe ) < 0 ou εxx (ω ≥ ω pe ) > 0; εyy = εzz > 0; µxx (ω0m < ω <
ω pm ) < 0 ou µxx (ω0m ≥ ω ≥ ω pm ) > 0; µyy = µxx > 0. Já a estrutura da Fig. 3.8(c) pode
ser um matetrail esquerdino bidimensional, e permite a seguinte configuração: εxx (ω <
ω pe ) < 0 ou εxx (ω ≥ ω pe ) > 0; εyy = εzz > 0; µxx e µzz < 0 para ω0m < ω < ω pm ou µxx e
µzz > 0 para ω0m ≥ ω ≥ ω pm ; µyy > 0 (SMITH et al., 2000a). Tal fato ocorre, pois o vetor
~E é direcionado ao longo dos fios - obrigatoriamente em uma única direção. Nada obsta,
~ varie em duas dimensões, desde que ao longo dos anéis quadrados.
que o vetor H
3.2 Superfı́cie de Impedância Reativa
Uma alternativas para as estruturas SRR-TW, é usar uma superfı́cie de impedância

reativa (RIS) como substrato. Essas estruturas podem ser projetadas para possuir a
propriedade de refletir a potência total: como um condutor puramente elétrico (PEC
- perfectly electric conductor ) ou um condutor puramente magnético (PMC - perfectly
magnetic conductor ) e, ao mesmo tempo, ser capaz de armazenar energia elétrica ou
magnética (SARABANDI et al., 2006).
A estrutura RIS, é formada por uma camada capacitiva impressa em um dos lados
de um substrato dielétrico separada por um plano de terra metálico - do lado oposto à
camada capacitiva - no substrato dielétrico. A freqüência de ressonância da superfı́cie
depende: do valor dos elementos capacitivos; da distância entre a camada capacitiva e
a superfı́cie metálica e da permissividade da camada dielétrica. A construção de uma
RIS pode ser feita usando capacitores integrados dispostos de forma periódica. A Fig.
3.9 mostra um arranjo periódico de dipolos cruzados, os quais se acoplam através de
capacitores integrados em suas terminações. Essa estrutura tem o comportamento de
uma PEC. Tal estrutura é equivalente a um circuito LC paralelo no qual a impedância
é sempre reativa. A utilização dessa estrutura como substrato dielétrico, consiste em
empilhar a RIS sob a estrutura desejada melhorando o seu desempenho.
3.3 Metamaterial Planar com Uma Camada
Uma configuração metamaterial planar com uma única camada foi proposta em 2004
por David R. e seus colaboradores (DAVID et al., 2004), nesse artigo estruturas SRR
quadradas são dispostas em um lado da superfı́cie do substrato formando um conjunto
de células ressonantes, enquanto na outra face encontram-se estruturas TW formadas
a partir de linhas metálicas planares Fig. 3.10. Essa configuração será utilizada nessa
dissertação, pois é conveniente para aplicações em estruturas planares podendo ser usadas
como substratos em antenas de microfita.
Figura 3.9: Estrutura RIS
Figura 3.10: Metamaterial planar com uma camada, construı́do a partir de uma arranjo de estruturas
TW e SRR.
3.4 Conclusões
Neste capı́tulo foi apresentada uma introdução sobre algumas estruturas metamateri-
ais e suas caracterı́sticas, como fatores que motivaram a utilização dessas estruturas em
substrato para os dispositivos que serão descritos neste trabalho, devido à gama de me-
lhorias e inovações possı́veis de ser realizadas. Apresentou-se, também, a caracterização
matemática dos MTM (TW-SRR) que será aplicada aos programas desenvolvidos neste
trabalho.
Capı́tulo 4
Método da Linha de Transmissão

Transversa - Aplicado a
Metamateriais
4.1 Introdução
No estudo das linhas de transmissão planares, sobretudo em linhas de microfita para

altas freqüências, é necessário a análise dos campos eletromagnéticos através de métodos
rigorosos, os quais consideram a natureza hı́brida dos modos de propagação, pois esses
se modifica devido à interface dielétrico-ar tornando-se um modo hı́brido não TEM. Tais
métodos são chamados de análise dinâmica ou de onda completa, como o Método da
Linha de Transmissão Equivalente - LTE ou Método da Imitância, o Método dos Poten-
ciais Vetoriais de Hertz e o Método da Linha de Transmissão Transversa - LTT. Esses
em particular, fazem a mudança para o domı́nio espectral como forma de simplificar a
análise da estrutura. Outro motivação é que a maior parte do desenvolvimento algébrico
independe da geometria analisada, sendo a função de base (responsável por representar as
caracterı́sticas fı́sicas da estrutura) escolhida de acordo com a geometria. O objetivo deste
capı́tulo é desenvolver as equações dos campos eletromagnéticos pelo método da Linha
de Transmissão Transversa - LTT (FERNANDES, 1984) no domı́nio da transformada de
Fourier (DTF) (BRACEWELL, 1965).
Diferentemente de outros métodos de onda completa o Método LTT utiliza a direção

de propagação “y”, transversa a direção real de propagação “z”. Dessa forma há redução
do tempo computacional quando implementado em algumas linguagens computacionais,
como o Fortran.
Capı́tulo 4. Método LTT - Aplicado a Metamateriais 35
4.2 Desenvolvimento dos Campos Transversais
Nessa seção os campos para a região do substrato metamaterial de uma antena de mi-
crofita com Patch retangular são determinados. As equações gerais dos campos - equações
finais do método LTT - são obtidas a partir das equações de Maxwell. Partindo-se das
equações 4.1 e 4.2,
∇ × ~E = − jω µ H,
~ (4.1)
~ = jωε ~E,
∇×H (4.2)
os vetores campo elétrico e magnético são decompostos nas suas três componentes:
fazendo,
~ =H
H ~y +H
~t = H
~ x x̂ + H
~ y ŷ + H
~ z ẑ, (4.3)
~E = ~Ey + ~Et = ~Ex x̂ + ~Ey ŷ + ~Ez ẑ, (4.4)
∂ ∂ ∂ ∂
∇ = ∇y + ∇t = ∇t + ŷ = x̂ + ŷ + ẑ, (4.5)
∂y ∂x ∂y ∂z
com
~t = H
H ~x +H
~z - Campo magnético na direção transversa, (4.6)
~Et = ~Ex + ~Ez - Campo elétrico na direção transversa, (4.7)
e finalmente,
∂ ∂
∇t = x̂ + ẑ. (4.8)
∂x ∂z
Para o caso do metamaterial temos:
 
µxx 0 0
 
µ = µ0 
 0 µyy 0 , (4.9)
0 0 µzz
 
εxx 0 0
 
ε = ε0 
 0 εyy 0 .
 (4.10)
0 0 εzz
Substituindo (4.3) a (4.5) em (4.2), tem-se:
  
εxx 0 0 ~Ex x̂
∂ ∂ ∂ ~ x x̂ + H
~ y ŷ + H
~ z ẑ) = jωε0  0 εyy 0  ~Ey ŷ ,
  
x̂ + ŷ + ẑ × (H (4.11)
∂x ∂y ∂z   
0 0 εzz ~Ez ẑ
ou
∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~
Hy ẑ − H z ŷ − Hx ẑ + H z x̂ + Hx ŷ − H y x̂ (4.12)
∂x ∂x ∂y ∂y ∂z ∂z
= jωε0 (~Ex εxx + ~Ey εyy + ~Ez εzz ),
separando-se as componentes transversais x e z de 4.12, tem-se:
∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~
Hy ẑ − H x ẑ + Hz x̂ − H y x̂ = jωε0 (~
Ex εxx + ~Ez εzz ), (4.13)
∂x ∂y ∂y ∂z
reescrevendo,

∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~
Hz x̂ − Hx ẑ + Hy ẑ − Hy x̂ = jωε0 (~Ex εxx + ~Ez εzz ), (4.14)
∂y ∂y ∂x ∂z
como:

∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ t,
Hz x̂ − Hx ẑ = ŷ × H (4.15)
∂y ∂y ∂y
e

∂ ~ ∂ ~ ~ y,
Hy ẑ − Hy x̂ = ∇t × H (4.16)
∂x ∂z
então,

∂
~
ŷ × Ht + ∇t × Hy = jωε0 (~Ex εxx + ~Ez εzz ),
~ (4.17)
∂y
que resulta em

~Ex + ~Ez = 1 ∂
~ y + ŷ × H
~t ,
∇t × H (4.18)
jωε0 (εxx + εzz ) ∂y
ou utilizando a equações 4.7 e 4.18,

~Et = 1 ~ ∂ ~
∇t × Hy + ŷ × Ht . (4.19)
jωε0 (εxx + εzz ) ∂y
Substituindo 4.4 a (4.5) em 4.1, tem-se:
  
µxx 0 0 ~ x x̂
H
∂ ∂ ∂
x̂ + ŷ + ẑ × (~Ex x̂ + ~Ey ŷ + ~Ez ẑ) = − jω µ0 
  
~ 
∂x ∂y ∂z  0 µyy 0  Hy ŷ , (4.20)
0 0 µzz ~ z ẑ
H
ou
∂ ~ ∂ ∂ ∂ ∂ ∂
Ey ẑ − ~Ez ŷ − ~Ex ẑ + ~Ez x̂ + ~Ex ŷ − ~Ey x̂ (4.21)
∂x ∂x ∂y ∂y ∂z ∂z
~ ~ ~
= jω µ0 (Hx µxx + Hy µyy + Hz µzz ),
separando as componentes transversais x e z de 4.21, tem-se:
∂ ~ ∂ ∂ ∂
Ey ẑ − ~Ex ẑ + ~Ez x̂ − ~Ey x̂ = jω µ0 (H
~ x µxx + H
~ z µzz ), (4.22)
∂x ∂y ∂y ∂z
reescrevendo,

∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ~ x µxx + H
~ z µzz),
Ey ẑ − Ey x̂ + Ez x̂ − Ex ẑ = jω µ0 (H (4.23)
∂x ∂z ∂y ∂y
como:

∂ ~ ∂ ~ ∂
Ez x̂ − Ex ẑ = ŷ × ~Et , (4.24)
∂y ∂y ∂y
e

∂ ~ ∂ ~
Ey ẑ − Ey x̂ = ∇t × ~Ey , (4.25)
∂x ∂z
então,

∂ ~ ~

~ x µxx + H
~ z µzz )
ŷ × Et + ∇t × Et = jωε0 (H (4.26)
∂y
que resulta em,

~x +H
~z = 1 ∂
H ∇t × ~Ey + ŷ × ~Et , (4.27)
jω µ0 (µxx + µzz ) ∂y
ou utilizando a equações 4.6 e 4.27,

~t = 1 ~ ∂ ~
H ∇t × Ey + ŷ × Et . (4.28)
jω µ0 (µxx + µzz ) ∂y
Para ~Et , substituindo 4.28 em 4.19, tem-se:

~ ~ ∂ 1 ~ ∂ ~
jωε0 (εxx + εzz )Et = ∇t × Hy + ŷ × ∇t × Ey + ŷ × Et , (4.29)
∂y − jω µ0 (µxx + µzz ) ∂y
ou

1 ∂ ∂
jωε0 (εxx + εzz )~Et = ∇t × H
~y+ ŷ × ∇t × ~Ey + ŷ × ~Et , (4.30)
− jω µ0 (µxx + µzz ) ∂ y ∂y
mas,

∂ ∂ ∂ ∂
ŷ × (∇t × ~Ey ) = ŷ × x̂ + ẑ × ~Ey ŷ = ŷ × x̂ × ~Ey ŷ + ẑ × ~Ey ŷ (4.31)
∂x ∂z ∂x ∂z

∂ ~ ∂
= ŷ × Ey ẑ − ~Ey x̂ (4.32)
∂x ∂z
∂ ~ ∂
= ŷ × Ey ẑ − ŷ × ~Ey x̂ (4.33)
∂x ∂z
∂ ~ ∂
= Ey x̂ + ~Ey ẑ (4.34)
∂x ∂z
= ∇t ~Ey , (4.35)

∂ ∂ ∂ ∂
ŷ × ŷ × ~Et = ŷ × ŷ × (~Ex x̂ + ~Ez ẑ) = ŷ × ŷ × ~Ex x̂ + ŷ × ~Ez ẑ (4.36)
∂y ∂y ∂y ∂y

∂ ~ ∂ ~
= ŷ × − Ex ẑ + Ez x̂ (4.37)
∂y ∂y
∂ ~ ∂
=− Ex x̂ − ~Ez ẑ (4.38)
∂y ∂y
∂ ~
=− Et , (4.39)
∂y
substituindo 4.35 e 4.39 em 4.29, tem-se:

1 ∂ ∂
jωε0 (εxx + εzz )~Et = ∇t × H
~y+ ∇t ~Ey − ~Et , (4.40)
− jω µ0 (µxx + µzz ) ∂ y ∂y
ou
− jω µ0 (µxx + µzz )[ jωε0 (εxx + εzz )~Et ] = (4.41)

2
~ y + ∂ ∇t ~Ey − ∂ ~Et ,
− jω µ0 (µxx + µzz )∇t × H
∂y ∂ y2
∂2 ~ ~ y + ∂ ∇t ~Ey ,
ω 2 µ0 (µxx + µzz )ε0 (εxx + εzz )~Et + Et = − jω µ 0 (µxx + µzz )∇t × H (4.42)
∂ y2 ∂y
ou ainda,
∂2 ~

2 ∂
ω µ0 (µxx + µzz )ε0 (εxx + εzz ) + 2 Et = ∇t ~Ey − jω µ0 (µxx + µzz )∇t × H
~ y, (4.43)
∂y ∂y
mas:
∂2
= ky2 , (4.44)
∂ y2
k02 = ω 2 µ0 ε0 , (4.45)
k2 = ω 2 µε, (4.46)
logo, substituindo 4.44 a 4.46 em 4.43, tem-se:
∂
[k02 (µxx + µzz )(εxx + εzz ) + ky2 ]~Et = ∇t ~Ey − jω µ0 (µxx + µzz )∇t × H
~ y, (4.47)
∂y
assim,

~Et = 1 ∂ ~ ~y .
2
∇t Ey − jω µ0 (µxx + µzz )∇t × H (4.48)
[k0 (µxx + µzz )(εxx + εzz ) + ky2 ] ∂y
~ t , substituindo 4.19 em 4.28, tem-se:

Para H

~ ~ ∂ 1 ~ ∂ ~
− jω µ0 (µxx + µzz )Ht = ∇t × Ey + ŷ × ∇t × Hy + ŷ × Ht , (4.49)
∂y jωε0 (εxx + εzz ) ∂y
ou

~ t = ∇t × ~Ey + 1 ∂ ∂
~ y + ŷ × H
~ t , (4.50)
− jω µ0 (µxx + µzz )H ŷ × ∇t × H
jωε0 (εxx + εzz ) ∂ y ∂y
utilizando 4.35 e 4.39, mudando ~E por H,

~ e substituindo em 4.50, tem-se:

~ t = ∇t × ~Ey + 1 ∂ ~ ∂ ~
− jω µ0 (µxx + µzz )H ŷ × ∇t × Hy − Ht , (4.51)
jωε0 (εxx + εzz ) ∂ y ∂y
ou
2
~t + ∂ H
− jω µ0 (µxx + µzz )( jωε0 (εxx + εzz ))H ~t (4.52)
∂ y2
∂ ~
= jωε0 (εxx + εzz )∇t × ~Ey + ∇t H y,
∂y
ou
∂2

2
+ ω µ0 (µxx + µzz )ε0 (εxx + εzz ) H~ t = jωε0 (εxx + εzz )∇t × ~Ey + ∂ ∇t H
~ y, (4.53)
∂y2 ∂y
substituindo 4.44 a 4.46 em 4.53,tem-se:
~ t = jωε0 (εxx + εzz )∇t × ~Ey + ∂ ∇t H

[k02 (µxx + µzz )(εxx + εzz ) + ky2 ]H ~ y, (4.54)
∂y
então,

~t = 1 ∂
H 2
jωε0 (εxx + εzz )∇t × ~Ey + ∇t H
~y . (4.55)
[k0 (µxx + µzz )(εxx + εzz ) + ky2 ] ∂y
Da equação 4.48 tem-se:
" #
~Et = ~Ex + ~Ez = 1
(4.56)
[k02 (µxx + µzz )(εxx + εzz ) + ky2 ]

∂ ∂ ∂ ∂ ∂
x̂ + ẑ ~Ey − jω µ0 (µxx + µzz ) x̂ + ẑ × H ~y ,
∂y ∂x ∂z ∂x ∂z
ou
" #
~Et = ~Ex + ~Ez = 1
(4.57)
2
∂2 ~

∂ ~ ∂ ~ ∂ ~
Ey x̂ + Ey ẑ + jω µ0 (µxx + µzz ) − Hy ẑ + Hy x̂ ,
∂ y∂ x ∂ y∂ z ∂x ∂z
então,
2
~Ex = 1 ∂ ∂
~Ey + jω µ0 µxx H ∂
~ y + jω µ0 µzz H ~ y , (4.58)
[k02 (µxx + µzz )(εxx + εzz ) + ky2 ] ∂ y∂ x ∂z ∂z
e
2
~Ez = 1 ∂ ∂
~Ey − jω µ0 µxx H ∂
~ y − jω µ0 µzz H ~ y . (4.59)
[k02 (µxx + µzz )(εxx + εzz ) + ky2 ] ∂ y∂ z ∂x ∂x
De maneira análoga, para a equação 4.55, tem-se:
" #
~t = H
~x +H
~z = 1
H (4.60)

∂ ∂ ∂ ~ ∂ ∂ ~
x̂ + ẑ Hy + jωε0 (εxx + εzz ) x̂ + ẑ × Ey ,
∂y ∂x ∂z ∂x ∂z
ou
" #
~t = H~x +H ~z = 1
H (4.61)
2
∂2 ~

∂ ~ ∂ ~ ∂ ~
Hy x̂ + Hy ẑ + jωε0 (εxx + εzz ) Ey ẑ − Ey x̂ ,
∂ y∂ x ∂ y∂ z ∂x ∂z
então,
2
~x = 1 ∂ ∂ ∂
~ y − jωε0 εxx ~Ey − jωε0 εzz ~Ey ,
H H (4.62)
[k02 (µxx + µzz )(εxx + εzz ) + ky2 ] ∂ y∂ x ∂z ∂z
e
2
~z = 1 ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~
H Hy + jωε0 εxx Ey + jωε0 εzz Ey . (4.63)
[k02 (µxx + µzz )(εxx + εzz ) + ky2 ] ∂ y∂ z ∂x ∂x
Das equações 4.58, 4.59, 4.62, 4.63 chega-se as equações gerais para microfita com
substrato metamaterial:

1 ∂
Ẽx = 2 − jαn Ẽy + ω µ0 µxx βk H̃y + ω µ0 µzz βk H̃y ; (4.64)
[γ + k02 (µxx + µzz )(εxx + εzz )] ∂y

1 ∂
Ẽz = 2 − jβk Ẽy − ω µ0 µxx αn H̃y − ω µ0 µzz αn H̃y ; (4.65)

1 ∂
H̃x = 2 − jαn H̃y − ωε0 εxx βk Ẽy − ωε0 εzz β kẼy ; (4.66)

1 ∂
H̃z = 2 − jβk H̃y + ωε0 εxx αn Ẽy + ωε0 εzz αn Ẽy . (4.67)
Nas quais:
ky2 = γ 2 , (4.68)
γ 2 = αn2 + βk2 − ki2 , (4.69)
ki2 = ω 2 µε, (4.70)

∂
= − jαn , (4.71)
∂x
∂
= − jβk , (4.72)
∂z
e para a região de metamaterial, tem-se:
ki2 = ω 2 µ0 ε0 µyy εyy . (4.73)
4.3 Conclusões
Foi apresentado o desenvolvimento matemático e a determinação dos campos eletro-

magnéticos gerais para ressoador de microfita com substrato metamaterial, utilizando-se
o Método da Linha de Transmissão Transversa. Tal processo constitui-se em inovação no
estudo dessas estruturas, pois possibilita a sua caracterização através de um método de
análise rigorosa.
Capı́tulo 5
Campos Eletromagnéticos na Antena

de Microfita Retangular Com
5.1 Introdução
Nesse capı́tulo é apresentado o desenvolvimento das equações dos campos eletromag-

néticos para uma antena de microfita retangular com substrato metamaterial, para tanto
é usado o método da linha de transmissão transversa, pois a análise através de méto-
dos de onda completa se faz necessária para a obtenção de resultados exatos e eficientes.
Partindo-se das equações de Maxwell, as componentes dos campos elétrico e magnético Ẽx ,
Ẽz , H̃x , H̃z são escritos em função das componentes Ẽy e H̃y no domı́nio da transformada
de Fourier. Tomando-se uma solução geral da equação de onda de Helmohltz (será vista
adiante), e aplicando-se as condições de contorno adequadas, são obtidas as constantes
envolvidas nessa solução em função do campo elétrico fora da fita, que são aplicadas às
equações tangenciais resultando em uma equação matricial não homogênea envolvendo as
densidades de corrente na fita. Em seguida aplica-se o método dos momentos, as densi-
dades de corrente são expandidas em funções de base, obtendo-se uma equação matricial
homogênea. A solução não-trivial desse sistema é a equação caracterı́stica da estrutura,
cujas raı́zes permitem a obtenção da freqüência de ressonância complexa da antena e os
campos tangenciais à fita, que servirão de subsı́dio para o cálculo dos campos distantes
da antena. O procedimento descrito pode ser sintetizado através do fluxograma 5.1.
Capı́tulo 5. Campos Eletromagnéticos na Antena de Microfita Com Substrato MTM 46
Figura 5.1: Fluxograma descritivo das etapas a serem realizadas nesse capı́tulo.
5.2 Antena de Microfita Retangular com Substrato

Metamaterial
O dispositivo em estudo é composto por um patch metálico retangular sobre um

substrato metamaterial que tem na parte inferior uma lâmina condutora conhecida como
plano de terra, conforme figura 5.2.
Figura 5.2: Antena retangular de microfita com substrato metamaterial.
Durante a análise o efeito da espessura da lâmina condutora é desprezado e são consi-

derados os parâmetros dimensionais e eletromagnéticos da estrutura e o sistema cartesiano,
conforme ilustrados nas figuras 5.3 e 5.4.
Figura 5.3: Seção transversal de uma antena de microfita com patch de largura W .
Figura 5.4: Vista superior de uma antena de microfita com patch de largura W e comprimento l.
5.3 Determinação das Equações dos Campos Eletro-

magnéticos
Nessa seção, são desenvolvidas detalhadamente as soluções das equações de ondas para
antena de microfita com substrato metamaterial na região 1. Para região 2 é considerado
o espaço livre.
Das equações de Maxwell tem-se:
∇ × ~E = − jω µ H,
~ (5.1)
e
~ = jωε ~E,
∇×H (5.2)
sendo para o caso de substrato metamaterial:

 
µxx 0 0
 
µ = µ0 
 0 µyy 0 , (5.3)
0 0 µzz
e  
εxx 0 0
 
ε = ε0 
 0 εyy 0 .
 (5.4)
0 0 εzz
Como as soluções das equações de onda são feitas considerando a direção de propa-
gação, as equações 5.3 e 5.4 se tornam:
ε = ε0 εyy , (5.5)
e
µ = µ0 µyy . (5.6)
De 5.1, calculando-se o rotacional tem-se:
∇ × ∇ × ~E = − jω µ∇ × H,
~ (5.7)
substituido 5.2 em 5.7,
∇ × ∇ × ~E = ω 2 ε0 εyy µ0 µyy ~E, (5.8)
assim, 1
∇(∇ · ~E) − ∇2 ~E = ω 2 ε0 εyy µ0 µyy ~E, (5.9)
como a região é livre de cargas e correntes elétricas, tem-se pelas equações de Maxwell
que:
∇ · ~E = 0, (5.10)
logo, pode-se escrever 5.9 como segue,

1 Identidade Vetorial ∇ × ∇ × ~A = ∇(∇ · ~A) − ∇2~A
∇2 ~E + ω 2 ε0 εyy µ0 µyy ~E = 0, (5.11)
esta relação é válida para todas as componentes de ~E e, em particular para Ey , ou seja:
∇2 ~Ey + ω 2 ε0 εyy µ0 µyy ~Ey = 0, (5.12)
decompondo-se o operador ∇2 , tem-se
∂2 ∂2 ∂2
∇2 = + + , (5.13)
∂ x2 ∂ y2 ∂ z2
assim 5.12 é dada por:
∂ 2 ~Ey ∂ 2 ~Ey ∂ 2 ~Ey

+ + + ω 2 ε0 εyy µ0 µyy ~Ey = 0. (5.14)
∂ x2 ∂ y2 ∂ z2
Da teoria da transformada de Fourier, tem-se:
∂ 2 ~Ey
= −αn2 ~Ey , (5.15)
∂ x2
e
∂ 2 ~Ey
= −βk2 ~Ey . (5.16)
∂ z2
Transformando-se 5.14 para o domı́nio da transformada de Fourier, tem-se:
∂ 2 ~Ey
− αn2 ~Ey + − βk2 ~Ey + ω 2 ε0 εyy µ0 µyy ~Ey = 0, (5.17)
∂ y2
ou, ainda
∂ 2 ~Ey
− (αn2 + βk2 − k2 )~Ey = 0, (5.18)
∂ y2
para γ 2 = αn2 + βk2 − k2 , tem-se:
∂ 2 ~Ey
− γ 2 ~Ey = 0, (5.19)
∂ y2
com k = ω 2 ε0 εyy µ0 µyy ~Ey .
A equação 5.19 é a equação de onda para ~Ey . De maneira análoga para H

~ y , mostra-se
que:
∂ 2 H̃y
− γ 2 H̃y = 0. (5.20)
∂ y2
Através das equações de onda de Helmohltz apresentadas em 5.19 e 5.20 são encon-
tradas as soluções para as componentes dos campos em y para as regiões da estrutura
abaixo.
Figura 5.5: Seção transversal de uma antena retangular de microfita com patch de largura W .
Para região 1:
Ẽy1 = A1e cosh(γ1 y), (5.21)
e
H̃y1 = A1h senh(γ1 y). (5.22)
Para região 2:
Ẽy2 = A2e eγ1 y , (5.23)
e
H̃y2 = A2h eγ1 y . (5.24)
Substituindo as equações 5.21 e 5.22 em 4.64 a 4.67 tem-se para região 1:
−j
Ẽx1 = [αn γ1 A1e senh(γ1 y) + jωβk µ0 (µx1 + µz1 )A1h senh(γ1 y)] , (5.25)
(γ12 + k12 )
−j
Ẽz1 = [βk γ1 A1e senh(γ1 y) − jωαn (µx1 + µz1 A1h µ0 ) senh(γ1 y)] , (5.26)
(γ12 + k12 )
−j
H̃x1 = [αn γ1 A1h cosh(γ1 y) − jωβk ε0 (εx1 + εz1 )A1e cosh(γ1 y)] , (5.27)
(γ12 + k12 )
−j
H̃z1 = [βk γ1 A1h cosh(γ1 y) + jωαn ε0 (εx1 + εz1 )A1e cosh(γ1 y)] , (5.28)
(γ12 + k12 )
sendo:
k12 = k02 (µx1 + µz1 )(εx1 + εz1 ), (5.29)
e
γ12 = αn2 + βk2 − k02 µy1 εy1 . (5.30)
Substituindo as equações 5.23 e 5.24 nas equações gerais do método LTT para dielétri-
cos (Apêndice A), tem-se para região 2:
−j −γ2 y −γ2 y

Ẽx2 = −α n γ 2 A 2e e + jωβk µ2 A 2h e , (5.31)
(γ22 + k22 )
−j −γ2 y −γ2 y

Ẽz2 = −β k γ 2 A 2e e − jωαn µ2 A 2h e , (5.32)
(γ22 + k22 )
−j −γ2 y −γ2 y

H̃x2 = −αn γ2 A 2h e − jωβ k ε2 A 2e e , (5.33)
(γ22 + k22 )
−j
−βk γ2 A2h e−γ2 y + jωαn ε2 A2e e−γ2 y ,

H̃z2 = (5.34)
(γ22 + k22 )
sendo,
k22 = k02 µr2 εr2 . (5.35)
5.4 Aplicação Das Condições de Contorno e Deter-

minação das Constantes Desconhecidas
Em y = g tem-se as condições de contorno dadas por
Ẽx1 = Ẽx2 = Ẽxg , (5.36)
e
Ẽz1 = Ẽz2 = Ẽzg . (5.37)
De 5.36 tem-se:
−j
[αn γ1 A1e senh(γ1 g) + jωβk µ0 (µx1 + µz1 )A1h senh(γ1 g)] (5.38)
(γ12 + k12 )
−j
−αn γ2 A2e e−γ2 y + jωβk µ2 A2h e−γ2 y = Ẽxg ,

=
(γ22 + k22 )
ou
j(γ12 + k12 )Ẽxg − jωβk µ0 (µx1 + µz1 )A1h senh(γ1 g)

A1e = . (5.39)
αn γ1 senh(γ1 g)
De 5.37 tem-se:
−j
[βk γ1 A1e senh(γ1 g) − jωαn µ0 (µx1 + µz1 )A1h senh(γ1 g)] (5.40)
(γ12 + k12 )
−j −γ2 y −γ2 y

= 2 −β k γ 2 A 2e e − jωαn µ2 A 2h e = Ẽzg ,
(γ2 + k22 )
ou
−(γ12 + k12 )Ẽzg − jβk γ1 A1e senh(γ1 g)

A1h = . (5.41)
ωαn µ0 (µx1 + µz1 ) senh(γ1 g)
Substituindo 5.39 em 5.41 tem-se:
βk Ẽxg − αn Ẽzg
A1h = , (5.42)
ω µ0 (µx1 + µz1 ) senh(γ1 g)
em decorrência, tem-se para A1e :
jαn Ẽxg + jβk Ẽzg

A1e = . (5.43)
γ1 senh(γ1 g)
De 5.38 e 5.40 tem-se:

− j(γ22 + k22 )Ẽxg + jωβk µ2 A2h e−γ2 y
A2e = , (5.44)
αn γ2 e−γ2 y
e
−(γ22 + k22 )Ẽzg + jβk γ2 A2e e−γ2 y

A2h = . (5.45)
ωαn µ2 e−γ2 y
Substituindo 5.44 em 5.45 tem-se:

βk Ẽxg − αn Ẽzg γ2 y
A2h = e , (5.46)
ω µ2
em decorrência, tem-se para A2e :

− jαn Ẽxg − jβk Ẽzg γ2 y
A2e = e . (5.47)
γ2
5.5 Aplicação das Condições de Contorno Magnéti-

cas e Determinação da Matriz Admitância
Após a obtenção das constantes dos campos, é aplicada a condição de contorno mag-
nética na interface onde se localiza a fita condutora (y = g) para a figura 5.3. As condições
de contorno utilizadas são (FARIAS; FERNANDES, 1997),
H̃x1 − H̃x2 = J˜zg , (5.48)
e
H̃z1 − H̃z2 = −J˜xg . (5.49)
A aplicação das condições de contorno 5.48 e 5.49, pode ser escrita na forma matricial,
gerando uma matriz que relaciona os campos elétricos tangenciais à interface da fita e as
densidades de corrente tangenciais. Essa é chamada de matriz admitância ou impedância,
dependendo da forma como a equação é representada (COLLIN, 2001), (POZAR, 1998).
" #" # " #

Yxx Yxz Ẽxg J˜xg
= - Matriz Admitância, (5.50)
Yzx Yzz Ẽzg J˜zg
" #" # " #

Zxx Zxz J˜xg Ẽxg
= - Matriz Impedância. (5.51)
Zzx Zzz J˜zg Ẽzg
Aplicando a condição de contorno magnética 5.48 tem-se:


− j coth(γ1 g) −αn Ẽzg + βk Ẽxg jβk Ẽzg + jαn Ẽxg
αn γ 1 − jωβk ε0 (εx1 + εz1 ) (5.52)
(γ12 + k12 ) ω µ0 (µx1 + µz1 ) γ1

−j −αn Ẽzg + βk Ẽxg − jβk Ẽzg − jαn Ẽxg
− 2 −αn γ2 − jωβk ε2 = J˜zg ,
(γ2 + k22 ) ω µ2 γ2
ordenando os termos de acordo com 5.50 tem-se:
− jαn βk γ2 coth(γ1 g)(γ12 + ω 2 ε0 µ0 (εx1 + εz1 )(µx1 + µz1 )) γ1 (γ22 + ω 2 ε2 µ2 )

Yzx = + ;
ω µ0 γ1 γ2 (γ12 + k12 )(µx1 + µz1 ) (γ22 + k22 )
(5.53)
γ2 coth(γ1 g)(−αn2 γ12 + ω 2 βk2 ε0 µ0 (εx1 + εz1 )(µx1 + µz1 )) γ1 (−αn2 γ22 + ω 2 βk2 ε2 µ2 )

−j
Yzz = + .
ω µ0 γ1 γ2 (γ12 + k12 )(µx1 + µz1 ) (γ22 + k22 )
(5.54)
Aplicando a condição de contorno magnética 5.49 tem-se:

j coth(γ1 g) −αn Ẽzg + βk Ẽxg jβk Ẽzg + jαn Ẽxg
βk γ1 + jωαn ε0 (εx1 + εz1 ) (5.55)
(γ12 + k12 ) ω µ0 (µx1 + µz1 ) γ1

−j −αn Ẽzg + βk Ẽxg − jβk Ẽzg − jαn Ẽxg
+ 2 −βk γ2 + jωαn ε2 = J˜xg ,
(γ2 + k22 ) ω µ2 γ2
ordenando os termos de acordo com 5.50 tem-se:
γ2 coth(γ1 g)(βk2 γ12 − ω 2 αn2 ε0 µ0 (εx1 + εz1 )(µx1 + µz1 )) γ1 (+βk2 γ22 − ω 2 αn2 ε2 µ2 )

j
Yxx = + ;
ω µ0 γ1 γ2 (γ12 + k12 )(µx1 + µz1 ) (γ22 + k22 )
(5.56)
Yxz = Yzx . (5.57)
No estudo de estruturas de microfita a análise é feita através das densidades de cor-

rente na lâmina condutora, portanto, essas são expandidas em termos de funções de base
(BAHL; BHARTIA, 2001). Sendo assim, seria necessário recalcular todas as equações dos
campos para torná-las em função de J˜xg e J˜zg , entretanto, a referida sugestão pode ser
simplificada, e muito, ao se inverter a equação matricial 5.50, logo:
" # " #−1

Zxx Zxz Yxx Yxz
= , (5.58)
Zzx Zzz Yzx Yzz
é importante ressaltar que a inversão matricial acima só é possı́vel se as matrizes ad-
mitância e impedância forem simétricas, isto é, sendo [Y ] a inversa de [Z], então [Z] é a
inversa de [Y ] 5.58. Assim, obtêm-se a equação matricial da impedância [Z] em função
˜ na qual os termos Zxx , Zxz , Zzx , Zzz são as componentes da
das densidades de corrente [J],
função diádica de Green da estrutura em estudo, dada por
" #" # " #

Zxx Zxz J˜xg Ẽxg
= . (5.59)
Zzx Zzz J˜zg Ẽzg
5.6 Expansão das Densidades de Corrente em Ter-

mos de Funções de Base
O método de Galerkin é um caso particular do método dos momentos, onde as funções

de peso são consideradas iguais às funções de expansão ou funções de base (COLLIN,
2001). Assim, efetua-se o produto interno da equação matricial da impedância pelos con-
jugados das funções de base como será abordado mais adiante. Esse método é usado com
eficiência na análise de estruturas planares na faixa de freqüências de microondas e on-
das milimétricas. Para sua aplicação à estrutura em estudo, são definidas funções de base
que devem representar as caracterı́sticas fı́sicas das distribuições de corrente na fita condu-
tora. A escolha dessas funções é de fundamental importância para a expansão dos campos
elétricos tangenciais à interface da fita condutora ou para a expansão das densidades de
corrente que existem na superfı́cie da fita condutora. Logo, condicionam a estabilidade e
convergência do método dos momentos (BAHL; BHARTIA, 2001). A escolha das funções
de base deve ser tal que obedeçam às condições de contorno da estrutura (BAHL; BHAR-
TIA, 2001). No estudo de estruturas de microfita, tanto os campos elétricos quanto as
densidades de corrente podem ser expandidos em funções de base. Como existe campo
elétrico apenas fora da fita condutora, seria necessário utilizar-se de mais funções de base
do que para o caso da expansão das densidades de corrente, pois a área que contém os
campos (fora da fita condutora) é muito maior do que a área que contém as densidades
de corrente (superfı́cie da fita), assim é preferı́vel expandir as densidades de corrente (que
estão presentes apenas na fita condutora), pois, utiliza-se menos funções de base.
Ao se obter a equação 5.59, aplica-se as funções de base adequadas para aproximar os

valores das densidades de corrente à forma da função real, conforme apresentado por
M
Jxg (x, z) = ∑ axm fxm(x, z), (5.60)
m=1
e
N
Jzg (x, z) = ∑ azm fzm(x, z), (5.61)
m=1
onde M e N são números inteiros e positivos que podem ser feitos iguais a 1 (um) mantendo
os resultados com uma ótima aproximação dos resultados reais.
Fazendo-se a aproximação M = N = 1 e calculando a dupla transformada de Fourier

conforme definida em (BRACEWELL, 1965) as equações 5.60 e 5.61 tomam a seguinte
forma:
J˜xg (αn , βk ) = ax f˜x (αn , βk ), (5.62)
J˜zg (αn , βk ) = az f˜z (αn , βk ), (5.63)
os termos ax e az são constantes desconhecidas.
Para este trabalho foram utilizadas duas funções de bases nas direções cartesianas OX
e OZ. As suas escolhas baseou-se em trabalhos anteriores, onde foram comprovadas as
suas eficácias (FERNANDES, 1984). E são definidas por:
• Para a direção OZ:
fz (x, z) = fz (x) fz (z), (5.64)
com
1
fz (x) = q , (5.65)
w 2

2 − x2
e
πz
fz (z) = cos , (5.66)
l
que no domı́nio espectral são:
componente espectral da função em Z, variando com a variável espectral αn
˜fz (αn ) = πJ0 αn w ,

(5.67)
2
componente espectral da função em Z, variando com a variável espectral βk
2πl cos( β2k l )

f˜z (βk ) = , (5.68)
π 2 − (βk l)2
sendo as variáveis espectrais αn e βk dadas por
nx π
αn = , (5.69)
b
com
dB
b= , (5.70)
2
e
dB = 15w; (5.71)
nz π
βk = , (5.72)
dL
com
L
dL = , (5.73)
2
e
L = 15l. (5.74)
A combinação das duas componentes 5.67 e 5.68 resulta na transformada de Fourier

de 5.64, como sgue:
2π 2 l cos( β2k l ) w
f˜z (αn , βk ) = J0 αn , (5.75)
π 2 − (βk l)2 2
sendo J0 a função de Bessel de primeira espécie e ordem zero.
• Por se tratar de uma estrutura simétrica foi utilizado a mesma função de base
tanto para a direção OX quanto OZ, necessariamente, fazendo as devidas adequações
quanto as variáveis espectrais e as dimensões da estrutura. Conforme o supracitado
tem-se para a direção OX
fx (x, z) = fx (x) fx (z). (5.76)
com,
1
fx (z) = q , (5.77)
l 2

2 − z2
e
πx
fx (x) = cos
, (5.78)
w
que no domı́nio espectral são: componente espectral da função em X, variando com
a variável espectral βk

l
f˜x (βk ) = πJ0 βk , (5.79)
2
componente espectral da função em X, variando com a variável espectral αn
2πw cos( α2n w )

f˜x (αn ) = , (5.80)
π 2 − (αn w)2
a combinação das duas componentes 5.79 e 5.80 resulta na transformada de Fourier
de 5.76, com abaixo:
2π 2 w cos( α2n w )

l
f˜x (αn , βk ) = 2 J0 βk . (5.81)
π − (αn w)2 2
5.7 Equação Caracterı́stica e Cálculo da Freqüência

de Ressonância Complexa
As componentes J˜xg ; J˜zg ; Ẽxg ; Ẽzg da matriz impedância definida em 5.59, são funções
desconhecidas, no entanto, os campos elétricos e as densidades de correntes são diferentes
de zero em regiões complementares na interface do dielétrico. Logo, aplicando-se o produto
interno do sistema de equações 5.59 com uma função teste existente apenas na região da
fita, de acordo com o método de Galerkin - que utiliza uma função teste igual à função de
base da densidade de corrente. Pode-se eliminar os campos Ẽxg e Ẽzg . Desde que, a função
teste seja definida em uma região complementar à função de base do campo elétrico, esse
produto interno é nulo fazendo com que o sistema de equações 5.59 se torne homogêneo,
como segue:
" #" # " #

Kxx Kxz ax 0
= , (5.82)
Kzx Kzz az 0
os elementos da matriz [K] são:
∞
Kxx = ∑ f˜x Zxx f˜x∗ ; (5.83)
−∞
∞
Kxz = ∑ f˜z Zxz f˜x∗ ; (5.84)
−∞
∞
Kzx = ∑ f˜x Zzx f˜z∗ ; (5.85)
−∞
∞
Kzz = ∑ f˜z Zzz f˜z∗ . (5.86)
−∞
O determinante da matriz de parâmetros K da equação 5.82 deve ser igual a zero para
que o sistema tenha uma solução não-trivial. A equação formada por este determinante
fornece uma raiz que é a Freqüência Angular de Ressonância Complexa.
5.8 Conclusão
O estudo apresentado neste capı́tulo sobre o Ressoador Retangular de Microfita mostra

uma análise dinâmica da estrutura através do método LTT, que a partir das equações de
Maxwell chega-se às equações gerais dos campos eletromagnéticos, permitindo o cálculo
da freqüência de ressonância complexa.
Para a obtenção efetiva dos resultados propostos, foi escrito um programa computa-
cional na linguagem FORTRAN, que através do método numérico de NEWTON RAPH-
SON consegue chegar à raiz da equação caracterı́stica a partir de uma aproximação inicial.
As principais vantagens e contribuições do presente trabalho são a utilização de um

método de onda completa para o cálculo da freqüência de ressonância de uma antena de
patch retangular com substrato metamaterial, já que trata-se de uma estrutura nova, ainda
não caracterizada na literatura. Além de fornecer os campos eletromagnéticos tangenciais
à fita, essenciais ao cálculo dos campos distantes da antena (será visto no Cap.6). O
programa desenvolvido oferece o potencial para projetar antenas de alta performance e
com largo grau de liberdade de projeto, pois os parâmetros µ e ε podem assumir qualquer
valor.
Capı́tulo 6
Diagrama de Radiação
6.1 Introdução
Existem diversos métodos e técnicas para o cálculo dos campos distantes de uma
antena de microfita, a maioria baseia-se em equações analı́ticas fechadas, resultado de
simplificações da estrutura. Por isso, esses procedimentos incorrem em erros. Neste
trabalho são determinados os campos distantes através de um método de onda completa
(LTT), o que garante uma solução precisa.
6.2 Campos Distantes
Primeiramente, será desenvolvida a teoria de cálculo dos campos distantes para uma
antena de abertura, posteriormente, generalizada para antenas de microfita (OLIVEIRA,
1996).
Considerando-se uma abertura com dimensões 2a e 2b em um plano infinito, localizada

em y = 0, conforme mostrado na figura 6.1.
Na região do espaço livre, o campo elétrico deve satisfazer à equação de onda de

Helmholtz.
∇2 + K02 ~E(x, y, z) = 0,

(6.1)
sendo K02 = ω 2 µ0 ε0 . Como a região é livre de cargas e correntes elétricas, tem-se pelas
equações de Maxwell que:
∇ · ~E = 0. (6.2)
Capı́tulo 6. Diagrama de Radiação 61
Figura 6.1: Ressoador de aberura.
Da definição de transformada de Fourier (BRACEWELL, 1965), tem-se:
Z ∞Z ∞
Ẽ(α, y, β ) = ~E(x, y, z)e j(αx+β y) dxdy, (6.3)
−∞ −∞
e
~E(x, y, z) = 1
Z ∞Z ∞
Ẽ(α, y, β )e− j(αx+β y) dαdβ . (6.4)
4π 2 −∞ −∞
Assim, aplicando-se 6.3 e 6.4 à equação 6.2, tem-se:
∂2

+ γ2 Ẽ(α, y, β ) = 0, (6.5)
∂ y2
sendo γ 2 = k02 − α 2 − β 2 .
A solução geral para 6.5 é do tipo:
Ẽ(α, y, β ) = f˜(α, β )e− jγy , (6.6)
que corresponde à radiação na direção de propagação y.
O campo elétrico, para y > 0 pode então ser representado por:
~E(x, y, z) = 1
Z ∞Z ∞
f˜(α, β )e− jγy e− j(αx+β y) dαdβ , (6.7)
4π 2 −∞ −∞
ou
~E(x, y, z) = 1
Z ∞Z ∞
f˜(α, β )e− jk·r dαdβ , (6.8)
4π 2 −∞ −∞
na qual ~k = α âx + γ ây + β âz , e ~r = xâx + yây + zâz .
O campo elétrico, para y > 0 (Fig. 6.1), é formado pela superposição de ondas do tipo
f˜(α, β )e− jk·r , havendo duas possibilidades a serem discutidas para a constante γ:
(I) γ é real (α 2 + β 2 < k02 ), e nesse caso, as ondas são propagantes e contribuem para a
energia do campo distante.
(II) γ é imaginário (α 2 + β 2 > k02 ), aqui, as ondas são evanescentes e não contribuem
para a energia do campo distante.
Dessa forma, serão considerados os valores α e β para os quais α 2 + β 2 < k02 , já que
são eles que efetivamente contribuem para a energia do campo distante.
Partindo-se de 6.2 e resolvendo o divergente tem-se:

∇ · f˜(α, β )e− jk·r = 0, (6.9)
logo,
f˜ · k = 0. (6.10)
Assim, f˜y pode ser determinado a partir de f˜x e f˜z , dessa forma, conclui-se que
o campo em y > 0 (Fig. 6.1), campo elétrico no espaço livre f˜y , é função somente das
componentes tangenciais do campo elétrico na abertura f˜x e f˜z (OLIVEIRA, 1996),
(DAMIANO et al., 1990).
Para a estrutura em análise (Fig. 6.1) em y = 0, tem-se:
~Et (x, 0, z) = ~Ea (x, z) = 1

Z ∞Z ∞
f˜(α, β )e− j(αx+β y) dαdβ , (6.11)
4π 2 −∞ −∞
na qual o ı́ndice t indica a componente tangencial, e ~Ea (x, z) é o campo elétrico na abertura.
Aplicando a transformada de Fourier, tem-se:
Z ∞Z ∞
f˜(α, β ) = ~Ea (x, z)e j(αx+β y) dxdz. (6.12)
−∞ −∞
Da Figura 6.1, tem-se:
x = r sen θ cos φ , (6.13)
y = r cos θ , (6.14)
z = r sen θ sen φ . (6.15)
Assim,
~k ·~r = αx + γy + β z, (6.16)
ou
~k ·~r = αr sen θ cos φ + γr cos θ + β r sen θ sen φ . (6.17)
A condição de fase estacionária garante que, para ~r muito grande (região de campos
distantes), ~k ·~r não varia com α e β , logo:
∂~k ·~r ∂~k ·~r

= 0, e = 0. (6.18)
∂α ∂β
Usando-se 6.17 e 6.18, obtem-se:
sen θ cos φ
α =γ , (6.19)
cos θ
e
sen θ sen φ
β =γ , (6.20)
cos θ
em decorrência da relação α 2 + β 2 + γ 2 = k02 e das equações 6.19 e 6.20, obetem-se:
γ = k0 cos θ , (6.21)
logo,
α = k0 sen θ cos φ , (6.22)

e
β = k0 sen θ sen φ . (6.23)
6.2.1 Princı́pio de Equivalência dos Campos
O princı́pio da equivalência de campos de Schelkunoff (MARTIN, 1984) estabelece

que o campo em uma região com perdas pode ser especificado através das fontes internas
à região juntamente com as componentes tangenciais de campo elétrico na fronteira, ou
pelas fontes internas à região mais as componentes tangenciais de campo magnético na
fronteira, ou ainda, o campo elétrico tangencial em parte da fronteira e o magnético no
restante.
Deste princı́pio (MARTIN, 1984), os campos eletromagnéticos fora da superfı́cie fechada

podem ser determinados através da substituição da superfı́cie fechada por convenientes
densidades elétricas e magnéticas de corrente, conforme a Fig. 6.2
Figura 6.2: Equivalência dos campos. No gráfico (a) ~E1 e H

~ 1 são os campos gerados pelas fontes e campos
~ na superfı́cie ~S1 . Em (b) ~Es e H
~E e H ~ s são os campos gerados pelas densidades de corrente elétrica e
magnética J~s e M
~ s , respectivamente.
As densidades de corrente J~s e M

~ s são dadas por:
h i
J~s = n × H~s −H
~ , (6.24)
h i
~ s = −n × ~Es − ~E .
M (6.25)
~ = ~E = 0 - princı́pio da equivalência de Love (OLIVEIRA, 1996), tem-se:

Desde que H
J~s = n × H
~ s, (6.26)
~ s = −n × ~Es .
M (6.27)
Considerando-se a abertura da Fig. 6.1 com área S. De acordo com o princı́pio da

equivalência, pode-se determinar o campo distante gerado por uma fonte, a partir das três
situações seguintes (MARTIN, 1984):
1. J~s 6= 0 e M
~ s 6= 0;
2. J~s = ~ s = 0;
6 0eM
3. J~s = 0 e M
~s =
6 0.
Assim, pode-se determinar os campos elétrico e magnético para as três situações acima,
encontrando-se previamente os vetores potenciais elétrico e magnético A(r) e Am (r), e em
seguida expandido-os em termos de ~Eθ e ~Eφ .
Para o primeiro caso ( J~s = ~s =

6 0eM 6 0 ), tem-se:
Z Z
µ0 − jk0~r 0
A(~r) = e J~s (~r0 )e jk0~r·~r dx0 dz0 , (6.28)
4πr s
Z Z
ε0 − jk0~r ~ s (~r0 )e jk0~r·~r0 dx0 dz0 .
Am (~r) = e M (6.29)
4πr s
Para o segundo caso ( J~s = ~ s = 0 ), tem-se:

6 0eM
Z Z
µ0 − jk0~r 0
A(~r) = e 2J~s (~r0 )e jk0~r·~r dx0 dz0 . (6.30)
4πr s
Para o terceiro caso ( J~s = 0 e M

~ s 6= 0 ), tem-se:
Z Z
ε0 − jk0~r 0
~ s (~r0 )e jk0~r·~r dx0 dz0 ,
Am (~r) = e 2M (6.31)
4πr s
sendo
~r0 = x0 âx + z0 âz , (6.32)
~ a,
J~s = ây × H (6.33)
e
~ s = −ây × ~Ea .
M (6.34)
Encontrados os potenciais elétricos e magnéticos, pode-se determinar os campos dis-

tantes a partir das equações
~Eθ = − jωAθ − jωη0 Amφ , (6.35)
~Eφ = − jωAφ − jωη0 Amθ , (6.36)
nas quais η0 é a impedância intrı́nceca do espaço livre.
Através da definição de transformada de Fourier, equações 6.22, 6.23, 6.28 e 6.36,

obtém-se as equações para o campo elétrico distante de acordo com as fontes consideradas
(J~s 6= 0 e M
~ s 6= 0; J~s 6= 0 e M
~ s = 0; J~s = 0 e M
~ s 6= 0), assim tem-se:
1. J~s 6= 0 e M
~ s 6= 0:
− jk0~r
~Eθ = jk0 e

Ẽxg cos φ + Ẽzg sen φ + η0 cos θ (H̃zg cos φ − H̃xg sen φ ) , (6.37)
4π~r
e
− jk0~r
~Eφ = jk0 e

(Ẽzg cos φ − Ẽxg sen φ ) cos θ − η0 (H̃zg sen φ + H̃xg cos φ ) ; (6.38)
4π~r
2. J~s = ~ s = 0:
6 0eM
− jk0~r
~Eθ = jk0 η0 e

H̃zg cos φ − H̃xg sen φ cos θ , (6.39)
2π~r
e
− jk0~r
~Eφ = jk0 η0 e

H̃zg sen φ + H̃xg cos φ ; (6.40)
2π~r
3. J~s = 0 e M
~s =
6 0:
− jk0~r
~Eθ = jk0 e

Ẽxg cos φ + Ẽzg sen φ , (6.41)
2π~r
e
− jk0~r
~Eφ = jk0 e

Ẽzg cos φ − Ẽxg sen φ cos θ . (6.42)
2π~r
Nas equações acima os termos Ẽxg e Ẽzg , H̃xg e H̃zg são respectivamente as componentes
do campo elétrico e magnético tangenciais à fita, no domı́nio da transformada de Fourier.
Em ambas as funções os ı́ndices x e z indicam as direções cartesianas.
6.2.2 Campos Tangenciais à Fita
Os campos tangenciais à fita (Ẽxg e Ẽzg ) na interface superior da antena são deter-
minados a partir do método LTT em conjunto com o método de Galerkin, a precisão
de tal procedimento depende da escolha minuciosa das funções de bases adequadas, con-
forme ilustrado no Cap. 5. De posse da equação caracterı́stica da antena 5.82, foram
determinadas as constantes desconhecidas ax e az contidas nas equações de expansão das
densidades de corrente 5.60 e 5.61 com o objetivo de determinar as densidades de corrente
na fita. Assim determinou-se os campos tangenciais a partir do sistema de equações
" #" # " #

Yxx Yxz Ẽxg J˜xg
= . (6.43)
Yzx Yzz Ẽzg J˜zg
6.2.3 Campos Distantes para uma Antena Retangular de Mi-

crofita
A radiação na região de campos distantes para uma antena de microfita pode ser
entendida com o auxı́lio do sistema de coordenadas esféricas mostrado na figura 6.3. A
direção vertical é dada pelo eixo y é a horizontal pelo plano xz, θ e φ são os ângulos de
elevação e azimute respectivamente. Assim xy é o plano de elevação (φ = 0) ou plano-H,
o qual contém o vetor campo magnético na direção de máxima propagação. Enquanto xz
π

é o plano azimutal θ = 2 ou Plano-E, onde ocorre a direção de máxima propagação do
vetor campo elétrico (BALANIS, 1997). Desta forma define-se:
• Plano E ( θ = 90◦ , 0◦ < φ < 90◦ e 270◦ < φ < 360◦ ),
• Plano H ( φ = 0◦ , 0◦ < θ < 180◦ ).
Figura 6.3: Campos distantes no sistema de coordenadas esféricas.
Para antenas de microfita, tem-se o modelo de radiação através de aberturas laterais

e, portanto, as expressões para o campo distante são dadas através das equações
− jk0~r
~Eθ = jk0 e

Ẽxg cos φ + Ẽzg sen φ , (6.44)
2π~r
e
− jk0~r
~Eφ = jk0 e

Ẽzg cos φ − Ẽxg sen φ cos θ . (6.45)
2π~r
6.3 Conclusão
Nesse capı́tulo foi demonstrado o cáculo dos campos distantes para uma antena de
abertura, utilizando-se da condição de fase estacionária, e em seguida, generalizado para
o caso de uma antena de microfita. A equação geral encontrada para os campos no
espaço livre é função dos campos tangenciais à fita, o que possibilita utilizar-se da teoria
desenvolvida no Cap. 5. Não obstante, os campos tangenciais são determinados através
do método LTT (método de onda completa), o que garante a precisão dos resultados.
Capı́tulo 7
Resultados
7.1 Introdução
A partir da teoria desenvolvida nos Capı́tulos 3, 5 e 6, obtive-se resultados para a an-

tena de microfita retangular com substrato metamaterial (estrutura apresentada no Cap.
2), os resultados são: freqüência de ressonância complexa, diagrama de radiação e largura
de banda. Para tanto, foram desenvolvidos os seguintes programas: FRPMSMTM
(AQUINO; FERNANDES, 2008), que calcula a freqüência de ressonância complexa e os
campos elétricos tangenciais à fita para antenas de microfita com substrato metamaterial,
de acordo com a teoria desenvolvida no capı́tulo 5; CPPMSMTM, determina a permis-
sividade e a permeabilidade para o substrato metamaterial, com base na teoria descrita no
capı́tulo 3; CDRPMSMTM, calcula o diagrama de radiação para antenas de microfita
com substrato metamaterial, baseado na teoria descrita nos capı́tulos 5 e 6.
Nos resultados apresentados neste capı́tulo é desconsiderada a existência de perdas na

região metamaterial do ressoador, sendo portanto, a condutividade igual a zero (σ = 0).
A freqüência de ressonância complexa é uma quantidade real, pois a parte imaginária é
desprezada (parcela de perdas) (SILVA, 1999).
A estrutura em análise é mostrada nas figuras 7.1 e 7.2, os parâmetros fı́sicos en-
volvidos nos resultados são: espessura do substrato “g”, largura e comprimento do patch
“w” e “l” respectivamente, tensores permissividade e permeabilidade “ε” e “µ”. Durante a
análise a espessura da fita metálica “s” é desconsiderada.
O substrato metamaterial considerado nas simulações é o mostrado na figura 7.3, sua

teoria e formulações foram apresentadas no capı́tulo 3, as dimensões fı́sicas são dadas
em milı́metros e os valores de permeabilidades e permissividades são obtidos através do
programa CPPMSMTM.
Capı́tulo 7. Resultados 71
Figura 7.1: Antena retangular de microfita com substrato metamaterial.
Figura 7.2: Vista da seção transversal da antena retangular de microfita com substrato metamaterial.
Figura 7.3: Metamaterial planar TW-SRR, construı́dos apenas com metais e dielétricos comuns, na face
superior as células SRR e na inferior as estruturas TW.
7.2 Resultados da Freqüência de Ressonância Com-

plexa da antena de Microfita Retangular com
Para efeito de comprovação é traçada uma curva de freqüência de ressonância em

função do comprimento l do patch, e comparada com (SANTOS, 2005), esse autor por
sua vez, comparou seus resultados com o método da cavidade (CALOZ; ITOH, 2000).
Os resultados apresentados na figura 7.4 foram obtidos a partir dos seguintes parâ-
metros: largura do patch w = 15 mm, material usado no substrato dielétrico (trabalho do
autor (SANTOS, 2005)) foi o RT Duroid 5880, que tem permissividade elétrica relativa
εr = 2, 2, altura do dielétrico h = 1, 27 mm. Para o caso metamaterial (resultado desse
trabalho) foi considerado o caso limite (εx1 = 0, εy1 = 2, 2, εz1 = 1 e µx1 = 0, µyx = 0,
µz1 = 1) valores para os quais o metamaterial descrito em 5.53 a 5.57 torna-se dielétrico.
Os demais parâmetros foram considerados os mesmos variando-se o comprimento l com
passos de 3 mm desde l = 15 mm a l = 57 mm.
Figura 7.4: Freqüência de ressonância para antena de microfita.
7.2.1 Redução das Dimensões Fı́sicas de Antenas Usando Meta-

materiais
As antenas de microfita podem ter suas dimensões reduzidas drasticamente com o

emprego de materiais de alta permissividade elétrica. Como o metamaterial apresentado
nesse trabalho alcança qualquer valor de permissividade e permeabilidade, pode-se pro-
jetar antenas com dimensões reduzidas. Tal procedimento torna-se ainda mais relevante
quando utilizado na faixa de VHF e UHF, já que essas antenas têm dimensões consid-
eráveis.
O estudo considera a faixa de freqüência de 200 MHz a 1 GHz, foram considerados dois
metamateriais (metamaterial 1 e metamaterial 2). Seus parâmetros são mostrados nas
curvas da figura 7.5, e foram gerados a partir dos seguintes dados: SRR-1 (w = 20 mm;
s = 1, 29 mm; d = 1, 43 mm; g = 1 mm; p = 50 mm); TW-1 (r = 1, 9 mm; p = 50 mm); TW-
2 (r = 2 mm; p = 51 mm) em todas as estruturas o metal considerado é o cobre, cuja
condutividade é σ = 59, 6 · 106 Ω1m .
(a) (b)
Figura 7.5: (a) permissividade para estrutura TW e (b) permeabilidade para estrutura SRR em função
da freqüência.
A figura 7.6 apresenta a variação da freqüência de ressonância em função do com-

primento do patch para os metamateriais 1 e 2 descritos acima e para o dielétrico com
permissividade εr = 2, 2.
Os parâmetros da antena para o dielétrico, o metamaterial 1 e o metamaterial 2

são respectivamente: (w = 118, 58 mm; εr = 2, 2 e h = 1, 27 mm); (w = 59, 29 mm; εx1 =
εy1 = εz1 = 2, 2; µx1 = µy1 = µz1 = 1 e h = 1, 27 mm); (w = 59, 29 mm; εx1 = εy1 = εz1 = 4, 4;
µx1 = µy1 = µz1 = 1 e h = 1, 27 mm).
A partir da análise do resultado percebe-se que houve uma redução significativa nas
dimensões da antena com metamaterial em relação à antena com dielétrico, evidenciando
a caracterı́stica de utilizar-se metamaterial com o intuito de miniaturização (Para a fre-
qüência de 1 GHz, por exemplo, comparando-se o dielétrico e o metamaterial 1 há redução
de aproximadamente 50% da área da superfı́cie superior da antena). O metamaterial 2
simula o aumento da permissividade, e, para uma freqüência de 700 MHz há redução de
Figura 7.6: Freqüência de ressonância em função do comprimento l do patch para o dielétrico ε = 2, 2 e

os MTM’s 1 e 2.
aproximadamente 70% da área da antena em comparação a antena com dielétrico.
7.2.2 Análise da Largura de Banda Através dos Tensores Per-

missividade e Permeabilidade
O aumento da permissividade apesar dos efeitos desejáveis - acima citados, impõe li-
mitações à largura de banda da antena, devido ao forte acoplamento eletromagnético entre
o patch e o plano de terra, gerado pela forte concentração de campos em torno da região
de alta permissividade (MOSALLAEI; SARABANDI, 2004). Esse efeito é comprovado
na figura 7.7, que traça a variação da largura de banda (LB) em função da freqüência
para o dielétrico e o metamaterial com permissividades εr = 2, 2 e εx1 = εy1 = εz1 = 4, 4
respectivamente; e permeabilidades µr = µx1 = µy1 = µz1 = 1 .
Figura 7.7: Largura de banda em função da freqüência de ressonância, para o dielétrico com εr = 2, 2 e
MTM εx1 = εy1 = εz1 = 4, 4; µx1 = µy1 = µz1 = 1.
O problema evidenciado na figura 7.7 pode ser contornado usando-se um material

com permeabilidade magnética maior que a permissividade elétrica, assim a largura de
banda da antena pode ser aumentada por µr /εr ou µr > εr . Felizmente os metamateriais
reúnem essas caracterı́sticas e podem ser usados com sucesso. Abaixo segue um estudo
comparativo entre as larguras de banda para diferentes configurações de metamateriais.
Nas curvas da figura 7.8 são definidas duas estruturas metamateriais que serão apli-
cadas como substrato nas antenas para efeito de comparação de suas larguras de banda.
Seus parâmetros são: SRR 1 (w = 20 mm; s = 1, 29 mm; d = 1, 43 mm; g = 1 mm; p = 50 mm);
TW 1 (r = 1, 9 mm; p = 50 mm); SRR 2 (w = 16 mm; s = 1, 19 mm; d = 1, 23 mm; g = 1 mm;
p = 51 mm r = 2 mm; p = 51 mm); TW 2 (r = 2 mm; p = 51 mm) em todas as estruturas o
metal considerado é o cobre, cuja condutividade é σ = 59, 6 · 106 Ω1m .
(a) (b)
Figura 7.8: (a) permissividade para estrutura TW e (b) permeabilidade para estrutura SRR em função
da freqüência.
Serão testados quatro substratos metamateriais retirados das curvas da Fig. 7.8 com
as seguintes configurações:
• MTM - 1 ⇒ µxx = µyy = µzz = 1 e εxx = εyy = εzz = 2, 2;
Para a análise foi considerado um ressoador com comprimento l = 9, 3 mm; largura

w = 11, 85 mm e espessura do substrato g = 1, 27 mm, foram obtidos 20 pontos pela variação
do comprimento l.
(a) (b)
Figura 7.9: Largura de banda em função da freqüência de ressonância (a) MTM 1 e 2 (b) MTM 3 e 4.
(a) (b)
Figura 7.10: Largura de banda em função da freqüência de ressonância (a) MTM 1 e 3 (b) MTM 2 e 4.
Em todos os resultados verifica-se o aumento da largura de banda ao se aumentar

a permeabilidade, dessa forma, os metamateriais podem ser empregados com êxito para
miniaturização de antenas, desde que se use valores adequados para µ e ε.
7.3 Diagramas de Radiação para Antenas de Microfita

com Substrato Metamaterial
Os diagramas de radiação foram obtidos de acordo com a teoria desenvolvida no capı́-

tulo 6, a partir da freqüência de ressonância e dos campos tangenciais à fita obtidos com o
método LTT. A estrutura simulada tem as seguintes caracterı́sticas: patch (comprimento
l = 9, 3 mm; largura w = 11, 85 mm) e substrato (espessura g = 1, 27 mm; SRR (w = 20 mm;
s = 1, 29 mm; d = 1, 43 mm; g = 1 mm; p = 50 mm); TW (r = 1, 9 mm; p = 50 mm)).
(a) (b)
Figura 7.11: (a) diagrama de radiação plano E(θ = 0 e − 90 < φ < 90) e (b) diagrama de radiação
plano H(φ = 0 e 0 < θ < 180) para a freqüência 1 GHz.
7.4 Resultado Experimental
Para comprovar a exatidão dos cálculos e programas desenvolvidos no trabalho, foi

construı́do uma antena e medida em laboratório através de um analisador de redes vetorial.
Os resultados mostram-se concisos e comprovam a alta eficiências dos metamateriais.
(a) (b)
Figura 7.12: (a) permeabilidade e (b) permissividade para o substrato TW-SRR construı́do em labo-
ratório.
A antena foi projetada para operar na freqüência de 2,5 GHz, para tanto foi calculado
a seguinte configuração:
• Antena - comprimento l = 28, 2 mm; largura w = 36, 5 mm, espessura do substrato

g = 1, 58 mm.
• Substrato - SRR (w = 10 mm; s = 0, 7 mm; d = 1, 08 mm; g = 1, 0 mm; p = 20 mm); TW

(r = 1, 0 mm; p = 20 mm).
O resultado da figura 7.13 mostra a alta largura de banda conseguida com substratos
metamaterial em comparação a substratos comuns (BAHL; BHARTIA, 2001), além de
comprovar a exatidão da teoria desenvolvida nesse trabalho.
Figura 7.13: Resultado experimental para antena supracitada - freqüência de ressonância 2,5 GHz.
7.5 Conclusão
Fez-se estudos de convergência com o intuito de comprovar a eficácia dos resultados,

esses mostraram-se precisos quando comparados a estudos anteriores, o que garante que a
teoria desenvolvida é concisa. Fez-se um estudo da variação do substrato com objetivo de
miniaturizar as dimensões fı́sicas das antenas e manter a largura de banda satisfatória. Os
resultados formam muito bons, demonstrando que os metamateriais podem ser utilizados
com sucesso em antenas de microfita, por reunir caracterı́sticas desejáveis (controle de
permeabilidade e permissividade) que não são encontradas nos materiais comuns. Por
fim mostrou-se resultados experimentais de uma antena de microfita patch retangular
em substrato metamaterial, os mesmos foram satisfatórios e convergentes com a teoria
desenvolvida no trabalho.
Capı́tulo 8
Conclusões
Inicialmente foi abordada a teoria geral de antenas, os parâmetros essenciais para

caracterização e entendimento dessas estruturas. Foi também, apresentada a estrutura
objeto desse estudo, suas formas de alimentação e as principais técnicas de análises.
Em seguida foram descritos substratos metamateriais, suas principais teorias, equaciona-
mentos através de tensores permissividade e permeabilidade e curvas caracterı́sticas. A
análise teórica dessa dissertação foi realizada através do método da Linha de Transmissão
Transversa. Para tanto, foi necessário desenvolver uma teoria aplicada ao caso dos meta-
materiais com o objetivo de obter-se as equações gerais de campos eletromagnéticos no
domı́nio espectral. Em seguida as equações gerais de campos foram aplicadas à estrutura
em estudo juntamente com condições de contorno adequadas, para obtenção das soluções
eletromagnéticas. Funções de base precisas foram aplicadas em conjunto com o método
dos momentos, para obter-se os campos tangenciais à fita e a freqüência de ressonância
complexa da antena. No capı́tulo 6 foram demonstradas as equações de campos distantes
para antenas de microfita. Primeiramente, foi desenvolvida a teoria para uma antena de
abertura, utilizando-se da condição de fase estacionária e em seguida, o estudo foi generali-
zado para o caso de antenas de microfita. Foram desenvolvidos programas computacionais
nas linguagens Scilab e Fortran, para análise dos substratos metamateriais e dos parâme-
tros da antena com metamateriais. Foram feitos estudos de convergência e os resultados
foram comparados a estudos anteriores, mostrando que a teoria desenvolvida é concisa.
Ainda no capı́tulo de resultados fez-se um estudo da variação do substrato com objetivo
de miniaturizar as dimensões fı́sicas das antenas e manter a largura de banda satisfatória.
Mostrou-se também, os resultados experimentais e teóricos para uma antena de microfita
tipo patch retangular com substrato metamaterial, com o objetivo de comprovar a teoria
desenvolvida. Os resultados formam satisfatórios, demonstrando que os metamateriais
podem ser utilizados com sucesso em antenas de microfita por reunirem caracterı́sticas
Capı́tulo 8. Conclusões 80
desejáveis (controle de permeabilidade e permissividade) que não são encontradas nos

materiais comuns.
A continuidade desse trabalho deverá incluir estudos sobre outros dispositivos, que
utilizem metamateriais como substratos. Nesse contexto são apresentadas as seguintes
sugestões para trabalhos futuros:
• Estruturas de linhas de lâminas, filtros e outras configurações de antenas de mi-

crofita;
• Obtenção de novos parâmetros, como: impedância de entrada e perda de retorno;
• Caracterização de novos substratos metamateriais;
• Construção e medição das estruturas desenvolvidas nesse estudo.

81
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APÊNDICE A -- Demonstração do Método
da Linha de Transmissão
Transversa - LTT
Neste capı́tulo é demonstrado o equacionamento do método LTT, desenvolvido pelo

Dr. Humberto César Chaves Fernandes. O qual descreve os campos elétricos e magnéticos
em função da direção transversa y.
∇ × ~E = − jω µ H,
~ (A.1)
~ = jωε ~E,
∇×H (A.2)
os vetores campo elétrico e magnético são decompostos nas suas três componentes: fazendo,
~ =H
H ~y +H
~t = H
~ x x̂ + H
~ y ŷ + H
~ z ẑ, (A.3)
~E = ~Ey + ~Et = ~Ex x̂ + ~Ey ŷ + ~Ez ẑ, (A.4)
∂ ∂ ∂ ∂
∇ = ∇y + ∇t = ∇t + ŷ = x̂ + ŷ + ẑ, (A.5)
∂y ∂x ∂y ∂z
com
~t = H
H ~x +H
~z - Campo magnético na direção transversa, (A.6)
~Et = ~Ex + ~Ez - Campo elétrico na direção transversa, (A.7)

Apêndice A. Demonstração do Método da Linha de Transmissão Transversa - LTT 84
e finalmente,
∂ ∂
∇t = x̂ + ẑ. (A.8)
∂x ∂z
Γ = α + jβ (A.9)
Substituindo (A.3) a (A.5) em (A.2), tem-se:

∂ ∂ ∂ ~ x x̂ + H
~ y ŷ + H

~ z ẑ) = jωε ~Ey + ~Et ,
x̂ + ŷ + ẑ × (H (A.10)
∂x ∂y ∂z
ou
∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~
Hy ẑ − H z ŷ − Hx ẑ + H z x̂ + Hx ŷ − H y x̂ = jωε ~
Ey + jωε ~Et , (A.11)
∂x ∂x ∂y ∂y ∂z ∂z
separando-se as componentes transversais x e z de A.11, tem-se:
∂ ~ ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~
Hy ẑ − H x ẑ + Hz x̂ − H y x̂ = jωε ~
Et , (A.12)
∂x ∂y ∂y ∂z
então,

~Et = 1 ~ ∂ ~
∇t × Hy + ŷ × Ht . (A.13)
jωε ∂y
Substituindo A.4 a (A.5) em A.1, tem-se:

∂ ∂ ∂
x̂ + ŷ + ẑ × (~Ex x̂ + ~Ey ŷ + ~Ez ẑ) = − jω µ(H
~t +H
~ y ), (A.14)
∂x ∂y ∂z
ou
∂ ~ ∂ ∂ ∂ ∂ ∂ ~ t − jω µ H
Ey ẑ − ~Ez ŷ − ~Ex ẑ + ~Ez x̂ + ~Ex ŷ − ~Ey x̂ = − jω µ H ~ y, (A.15)
∂x ∂x ∂y ∂y ∂z ∂z
separando as componentes transversais x e z de A.15, tem-se:
∂ ~ ∂ ∂ ∂
Ey ẑ − ~Ex ẑ + ~Ez x̂ − ~Ey x̂ = − jω µ H
~ t, (A.16)
∂x ∂y ∂y ∂z
então,

~t = 1
H
∂
∇t × ~Ey + ŷ × ~Et . (A.17)
− jω µ ∂y
Para ~Et , substituindo A.17 em A.13, tem-se:

∂ 1 ∂
jωε ~Et = ∇t × H
~ y + ŷ × ∇t × ~Ey + ŷ × ~Et , (A.18)
∂y − jω µ ∂y
ou

1 ∂ ∂
~y+ ~ ~
ŷ × ∇t × Ey + ŷ × Et , (A.19)
− jω µ ∂ y ∂y
mas,

∂ ∂ ∂ ∂
ŷ × (∇t × ~Ey ) = ŷ × x̂ + ẑ × ~Ey ŷ = ŷ × x̂ × ~Ey ŷ + ẑ × ~Ey ŷ (A.20)
∂x ∂z ∂x ∂z

∂ ~ ∂
= ŷ × Ey ẑ − ~Ey x̂ (A.21)
∂x ∂z
∂ ~ ∂
= ŷ × Ey ẑ − ŷ × ~Ey x̂ (A.22)
∂x ∂z
∂ ~ ∂
= Ey x̂ + ~Ey ẑ (A.23)
∂x ∂z
= ∇t ~Ey , (A.24)

∂ ∂ ∂ ∂
ŷ × ŷ × ~Et = ŷ × ~ ~
ŷ × (Ex x̂ + Ez ẑ) = ŷ × ~ ~
ŷ × Ex x̂ + ŷ × Ez ẑ (A.25)
∂y ∂y ∂y ∂y

∂ ~ ∂ ~
= ŷ × − Ex ẑ + Ez x̂ (A.26)
∂y ∂y
∂ ~ ∂
=− Ex x̂ − ~Ez ẑ (A.27)
∂y ∂y
∂ ~
=− Et , (A.28)
∂y
substituindo A.24 e A.28 em A.18, tem-se:

1 ∂ ∂
~y+ ∇t ~Ey − ~Et , (A.29)
− jω µ ∂ y ∂y
ou
2
~ y + ∂ ∇t ~Ey − ∂ ~Et ,
− jω µ( jωε ~Et ) = − jω µ∇t × H (A.30)
∂y ∂ y2
∂2 ~ ~ y + ∂ ∇t ~Ey ,
ω 2 µε ~Et + Et = − jω µ∇t × H (A.31)
∂ y2 ∂y
ou ainda,
∂2 ~

2 ∂
ω µε + 2 Et = ∇t ~Ey − jω µ∇t × H
~ y, (A.32)
∂y ∂y
mas:
∂2
= ky2 , (A.33)
∂ y2
k02 = ω 2 µ0 ε0 , (A.34)
k2 = ω 2 µε, (A.35)
ε
εr = (A.36)
ε0
logo, substituindo A.33 a A.36 em A.32, tem-se:
∂
(k02 εr + ky2 )~Et = ∇t ~Ey − jω µ∇t × H
~ y, (A.37)
∂y
assim,

~Et = 1 ∂ ~ ~
2
∇t Ey − jω µ∇t × Hy . (A.38)
(k0 εr + ky2 ) ∂y
~ t , substituindo A.13 em A.17, tem-se:

Para H

∂
~ t = ∇t × ~Ey + ŷ × 1 ∂
~ y + ŷ × H
~t ,
− jω µ H ∇t × H (A.39)
∂y jωε ∂y
ou

~ t = ∇t × ~Ey + 1 ∂ ∂
~ y + ŷ × H
~t ,
− jω µ H ŷ × ∇t × H (A.40)
jωε ∂ y ∂y
utilizando A.24 e A.28, mudando ~E por H,

~ e substituindo em A.40, tem-se:

~ t = ∇t × ~Ey + 1 ∂ ∂
~y− H ~t ,
− jω µ H ŷ × ∇t × H (A.41)
jωε ∂ y ∂y
ou
~t + ∂2 ~ ∂ ~
jωε − jω µ H 2
Ht = jωε∇t × ~Ey + ∇t Hy, (A.42)
∂y ∂y
ou
∂2

2
+ ω µε H~ t = jωε∇t × ~Ey + ∂ ∇t H
~ y, (A.43)
∂y2 ∂y
substituindo A.33 a A.36 em A.43,tem-se:
k02 εr + ky2 H~ t = jωε∇t × ~Ey + ∂ ∇t H

~ y,

(A.44)
∂y
então,

~t = 1 ~ ∂ ~
H 2
jωε∇t × Ey + ∇t Hy . (A.45)
k0 εr + ky2 ∂y
Da equação A.38 tem-se:

~Et = ~Ex + ~Ez = 1 ∂ ∂ ∂ ~ ∂ ∂ ~
x̂ + ẑ Ey − jω µ x̂ + ẑ × Hy , (A.46)
k02 εr + ky2 ∂ y ∂ x

∂z ∂x ∂z
ou
2 2
~Et = ~Ex + ~Ez = 1 ∂ ~Ey x̂ + ∂ ∂
~Ey ẑ + jω µ − H ∂
~ y ẑ + H ~ y x̂ , (A.47)
k02 εr + ky2 ∂ y∂ x

∂ y∂ z ∂x ∂z
então,
2
~Ex = 1 ∂ ~ ∂ ~
Ey + jω µ Hy , (A.48)
k02 εr + ky2 ∂ y∂ x

∂z
e
2
~Ez = 1 ∂ ∂
~Ey − jω µ H ~y . (A.49)
k02 εr + ky2 ∂ y∂ z

∂x
De maneira análoga, para a equação A.45, tem-se:


~t = H
~x +H
~z = 1 ∂ ∂ ∂ ~ y + jωε ∂ ∂
H x̂ + ẑ H x̂ + ẑ × ~Ey , (A.50)
k02 εr + ky2 ∂ y ∂ x

∂z ∂x ∂z
ou
2
∂2 ~

~t = H
~x +H
~z = 1 ∂ ~ ∂ ~ ∂ ~
H Hy x̂ + Hy ẑ + jωε Ey ẑ − Ey x̂ , (A.51)
k02 εr + ky2 ∂ y∂ x

∂ y∂ z ∂x ∂z
então,
2
~x = 1 ∂ ~ ∂ ~
H Hy − jωε Ey , (A.52)
k02 εr + ky2 ∂ y∂ x

∂z
e
2
~z = 1 ∂ ~ ∂ ~
H Hy + jωε Ey . (A.53)
k02 εr + ky2 ∂ y∂ z

∂x
As equações A.48, A.49, A.52 e A.53 escritas no FTD são:

1 ∂
Ẽx = 2 − jαn Ẽy − jω µΓ H̃y ; (A.54)
(γ + k02 εr ) ∂y

1 ∂
Ẽz = 2 −Γ Ẽy − ω µαn H̃y ; (A.55)
(γ + k02 εr ) ∂y

1 ∂
H̃x = 2 − jαn H̃y + jωεΓ Ẽy ; (A.56)
(γ + k02 εr ) ∂y

1 ∂
H̃z = 2 −Γ H̃y + ωεαn Ẽy . (A.57)
(γ + k02 εr ) ∂y
Nas quais:
ky2 = γ 2 , (A.58)
γ 2 = αn2 + βk2 − ki2 , (A.59)
∂
= − jαn , (A.60)
∂x
∂
= −Γ . (A.61)
∂z

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Universidade Federal do Rio Grande do Norte

Antenas de Microfita Com Substrato Metamaterial

Manoel do Bonfim Lins de Aquino

Orientador: Prof. Dr. Humberto César Chaves Fernandes

Dissertação de Mestrado apresentada ao

Catalogação da publicação na fonte. UFRN / Biblioteca Central Zila Mamede

Aquino, Manoel do Bonfim Lins de.

Orientador: Dr. Humberto César Chaves Fernandes.

Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Pro-

1. Antenas de microfita - Dissertação. 2. Metamateriais - Dissertação. 3.

RN/UF/BCZM CDU 621.396.67 (043.3)

Manoel do Bonfim Lins de Aquino

Dissertação de Mestrado aprovada em 19 de novembro de 2008 pela banca exami-

Prof. Dr. Humberto César Chaves Fernandes (orientador) . . . . . . . DEE/UFRN

Prof. Dr. Laércio Martins de Mendonça (examinador interno) . . . DEE/UFRN

Prof. Dr. Sandro Gonçalves da Silva (examinador interno) . . . . . . DEE/UFRN

Prof. Dr. Alfrêdo Gomes Neto (examinador externo) . . . CTEMA/CEFET-PB

Ao meu orientador e amigo, Dr. Professor Humberto César Chaves Fernandes.

Aos demais colegas de pós-graduação, pelo companheirismo, crı́ticas e sugestões.

À Indira e famı́lia pela convivência e amizade durante a graduação e mestrado.

À minha esposa Justina pelo amor e compreensão.

À CAPES e CNPQ, pelo apoio financeiro.

Lista de abreviaturas e siglas p. x

2.3 Processo de Radiação na Antena . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 4

2.4 Campos no Espaço ℜ3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 7

2.4.1 Regiões de Campos Próximos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 7

2.4.2 Região de Campos Distantes - Região de Fraunhofer . . . . . . . p. 7

2.4.3 Campos Distantes para um Dipolo Hertziano . . . . . . . . . . . . p. 7

2.5 Parâmetros de Antenas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 10

2.6 Antenas de Microfita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 15

2.6.2 Aspectos Históricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 15

2.6.4 Vantagens e Limitações das Antenas de Microfita . . . . . . . . . p. 16

2.6.5 Técnicas de Alimentação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 17

2.6.6 Métodos de Análise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 20

2.6.7 Métodos de Onda Completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 22

3.1 Definição de Metamateriais Esquerdinos . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 25

3.2 Superfı́cie de Impedância Reativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 31

3.3 Metamaterial Planar com Uma Camada . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 31

4 Método da Linha de Transmissão Transversa - Aplicado a Metama-

4.2 Desenvolvimento dos Campos Transversais . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 35

5 Campos Eletromagnéticos na Antena de Microfita Retangular Com

5.2 Antena de Microfita Retangular com Substrato Metamaterial . . . . . . . p. 46

5.3 Determinação das Equações dos Campos Eletromagnéticos . . . . . . . . p. 47

5.4 Aplicação Das Condições de Contorno e Determinação das Constantes

5.5 Aplicação das Condições de Contorno Magnéticas e Determinação da

5.7 Equação Caracterı́stica e Cálculo da Freqüência de Ressonância Complexa p. 58

6.2 Campos Distantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 60

6.2.1 Princı́pio de Equivalência dos Campos . . . . . . . . . . . . . . . p. 64

6.2.2 Campos Tangenciais à Fita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 67

6.2.3 Campos Distantes para uma Antena Retangular de Microfita . . . p. 67

7.2 Resultados da Freqüência de Ressonância Complexa da antena de Mi-

7.2.1 Redução das Dimensões Fı́sicas de Antenas Usando Metamateriais p. 72

7.2.2 Análise da Largura de Banda Através dos Tensores Permissivi-

7.3 Diagramas de Radiação para Antenas de Microfita com Substrato Meta-

7.4 Resultado Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 77

Apêndice A -- Demonstração do Método da Linha de Transmissão

2.1 Etapas da radiação em uma antena. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 6

2.3 Campos distantes no sistema de coordenadas esféricas para um dipolo Hertzano. . . . p. 9

2.4 Diagramas de irradiação, lóbulos principal e secundários. (a) Diagrama de irradiação

2.7 Antena de microfita convencional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 16

2.8 Formas comuns de patchs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 16

2.9 Alimentação via linha de microfita. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 18

2.10 Alimentação via conector coaxial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 18

2.11 Alimentação via acoplamento por abertura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p. 19

3.8 Metamateriais (p λg ) construı́dos apenas com metais comuns e dielétricos, (a) ε-

q pertencente a região, é tal que r λ - empiricamente adota-se