Jean Duveau
Marcel Pasquinelli
Michel Tholomier
2e édition
© Dunod, 2011, 2017
ISBN 978-2-10-076447-1
Table des matières
Index 263
Avant-propos
Ce livre s’adresse de façon privilégiée aux étudiants d’IUT. Il peut permettre par
ailleurs à des étudiants de 1er cycle ou d’écoles d’ingénieurs d’acquérir, selon les cas,
des connaissances physiques et technologiques complémentaires leur permettant de
mieux appréhender les conditions et limites de fonctionnement des composants, ou
le « savoir-faire » indispensable pour la bonne mise en œuvre de ces derniers.
Les fondements du génie
électronique
1
Si l’on précise les matériaux et les valeurs typiques associés, on trouve à titre
d’exemple les ordres de grandeur suivants :
Sa résistivité varie très fortement en fonction des impuretés dopantes qu’il renferme
en diminuant d’autant plus que la concentration d’impuretés est élevée.
Ainsi pour le silicium, la résistivité varie à température ambiante de 10 Ω·m à
10–5 Ω·m pour une concentration d’impuretés (le bore) variant de 1014 à 1020 atomes
par cm3.
Question rouge
La donnée de la valeur a de l’arête du cube de silicium peut sembler super-
flue, sauf que… Le développement des technologies de fabrication conduit à
des composants « grand public », tels les microprocesseurs utilisés dans les
ordinateurs personnels, qui présentent une zone active dont la dimension de
« gravure » est voisine d’une centaine de fois la valeur de l’arête du cube de
silicium… Dans les années 2000, les dimensions de « gravure » des circuits se
situaient dans la gamme 150 nm-180 nm, dans les années 2007, on atteint déjà
45 nm… Actuellement les dernières technologies double cœur se situent dans
la gamme de 32 nm. On cherche encore et toujours à réduire cette dimension…
4 Chap. 1. Les fondements du génie électronique
Dans un matériau cristallin, l’arrangement spatial périodique fait que l’on passe
d’électrons possédant des niveaux discrets d’énergies (figure 1.1b), comme dans
le cas de l’atome de silicium isolé, à des bandes d’énergie permises séparées par
des bandes d’énergie interdites (figure 1.1c). Les électrons les plus liés aux noyaux
restent relativement peu sensibles à l’influence du potentiel des atomes voisins : ils
donnent naissance à des bandes étroites. Les électrons les moins liés aux atomes de
silicium donnent naissance à des bandes énergétiques plus larges (c’est la mécanique
quantique qui permet la modélisation des bandes…).
d
a
E E
M EM
EL
L
K c
EK
E Niveau du vide
NV
Bande de
Conduction
EC
Figure 1.2 Schéma des bandes
EG=1,12 eV
d’énergie du silicium.
EV
Bande de
Valence
1.1 Les semi-conducteurs (SC) 5
Définition
On appelle semi-conducteur intrinsèque un SC parfait ne contenant aucun défaut
physique ni aucune impureté chimique : ses propriétés et ses caractéristiques sont
dues uniquement au semi-conducteur lui-même.
Au niveau macroscopique, l’ordre de grandeur de la résistivité du silicium
intrinsèque est de 2,4.103 Ω·m à température ambiante.
Électrons et trous
Le silicium intrinsèque est un isolant à 0 K et aux très basses températures : (la rela-
tion de conversion d’unité de la température exprimée en kelvins est donnée par :
T(K) = T(°C) + 273,15).
À température ambiante, l’agitation thermique conduit à la rupture d’un certain
nombre de liaisons covalentes. Les électrons quittent alors l’atome auquel ils
étaient liés pour se déplacer de façon aléatoire, au gré des chocs atomiques, dans
le cristal. L’atome présente alors une charge globale positive + q du fait de la
perte d’un électron. Un électron voisin de la liaison rompue peut, sous l’effet de
l’agitation thermique, venir « occuper » cette liaison laissée libre en laissant à son
tour une liaison inoccupée. Ce processus se répète de proche en proche dans tout
le cristal.
Tout se passe donc comme si une charge positive + q se déplaçait dans le réseau cris-
tallin. Cette charge positive fictive porte le nom de trou et il est possible de déduire
l’ordre de grandeur de sa masse à partir de concepts usuels telle la loi fondamentale
de la dynamique. En première approche on peut supposer que la masse du trou est
sensiblement du même ordre de grandeur que la masse de l’électron.
Dans la représentation par bandes d’énergie, l’interprétation de la rupture d’une
liaison correspond au passage, grâce à un apport d’énergie suffisant, d’un électron
de la bande de valence dans laquelle il était lié à l’atome, à un niveau de la bande
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.
Pour le silicium :
ni = 1,45·1010 porteurs par cm3 à température ambiante.
ni double environ tous les 11 °C.
Question rouge
Pour maîtriser l’introduction contrôlée d’impuretés, il faut maîtriser le
« nettoyage » contrôlé de toutes les impuretés non désirées : les salles
« blanches » ou « propres » sont un élément essentiel de la technologie de
fabrication. La dénomination de ces salles a beaucoup varié selon que l’on
utilise les normes américaines (Federal Standard – FS) ou les normes euro-
péennes (ISO). À titre indicatif, une salle ISO 3 (classe identique à la classe 1
de la norme FS 209) contient moins de 1 000 particules de taille inférieure ou
égale à 0,1 mm par m3.
Si Si Si Si
.-q
. -q
.. . .-q
. -q
..
-q -q -q -q
P Al
..
-q.
. .. -q .. -q.
. .-q
. -q
Si Si Si Si
À température ambiante, l’énergie de liaison de ces électrons faiblement liés est ainsi
du même ordre de grandeur que l’unité de tension thermodynamique de Boltzmann
(pour simplifier, nous utiliserons l’expression unité de tension thermodynamique
dans la suite du livre) :
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Le noyau de l’atome donneur conserve évidemment ses 5 charges + q, dont 4 sont
toujours neutralisées par les liaisons covalentes. Globalement il se comporte donc
comme une charge fixe + q. Cette charge ne pourra pas participer au transport du
courant électrique, elle représente par contre une certaine charge fixe dans l’espace.
E
Bande de Conduction E
Bande de Conduction
EC
EC
ED
Niveau donneur EG
EG Niveau accepteur
EA
EV EV
Les énergies d’ionisation de ces atomes accepteurs se situent dans la même gamme
d’énergie que les atomes donneurs. Les trous libres sont très largement majoritaires
dans le matériau de sorte que, comme précédemment, on peut écrire :
pP >> nP
pp ≈ NA
Le semi-conducteur est dit de type P, quant aux électrons, ils sont devenus des
porteurs minoritaires.
Des bouteilles à moitié vides et à moitié pleines… et du courant
La conduction du courant dans les conducteurs est due aux électrons, les électrons se
déplaçant sous l’effet du champ électrique qui règne dans le solide par suite de l’ap-
plication d’une différence de potentiel (ddp) à ses extrémités. Si le champ électrique
est supposé uniforme, l’électron devrait posséder un mouvement uniformément
accéléré ; mais cet électron subit des chocs. Lors des chocs, les électrons cèdent
de l’énergie au matériau, mais cette perte est compensée par l’énergie fournie par
le champ électrique. D’un point de vue macroscopique, l’électron est alors animé
d’une vitesse moyenne proportionnelle au champ électrique.
Considérons maintenant un semi-conducteur.
Dans le cas d’une bande vide, il n’y a pas de conduction possible, malgré la présence
de niveaux énergétiques disponibles, car l’absence d’électron exclut le transport de
l’électricité.
Considérons maintenant le cas d’une bande pleine et occupons nous des électrons
présents dans cette bande pleine. Comme la bande est pleine, il n’y a aucun niveau
d’énergie vacant : il n’y a donc aucune chance pour un électron d’acquérir de
l’énergie sous l’influence d’un quelconque champ électrique. Il n’y a donc pas de
conduction possible pour les électrons d’une bande pleine.
Pour qu’il y ait une possibilité de conduction, il faut que la bande de conduction
soit partiellement remplie. On a de la chance : c’est le cas avec les SC à température
ambiante.
c) En conclusion
Dans les SC, les porteurs de charge peuvent être créés par deux mécanismes dis-
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b) Situation à l’équilibre
Condition de neutralité électrique
La première relation à laquelle obéit un SC est la condition de neutralité électrique
locale, c’est-à-dire en tout point r de l’espace, définie par la condition suivante :
ρ = q ¥ (p + ND – n − NA) = 0
ρ désignant la densité de charge électrique.
Par suite :
p + ND – n − NA = 0, soit n − p = ND − NA
La relation précédente impose donc une première contrainte sur la concentration
des porteurs mobiles en fonction de ND et NA, c’est-à-dire en fonction des données
technologiques de fabrication.
a b
thermique.
b) Relation d’Einstein
La mobilité représente l’aptitude d’un électron/trou à se déplacer sous l’effet d’un
déséquilibre de potentiel, tandis que la constante de diffusion représente l’aptitude
d’un électron/trou à se déplacer sous l’effet d’un déséquilibre de concentration de
porteurs de charge. On peut donc penser qu’il y a peut-être un lien entre ces deux
paramètres… C’est effectivement le cas, la relation d’Einstein permettant de « pas-
ser » d’un paramètre à l’autre via l’unité de tension thermodynamique Vt à l’aide des
relations suivantes :
DN = Vt·μN
DP= Vt·μP
transistor. Dans ce cas, ce sera la loi d’évolution temporelle de la densité des porteurs
qu’il sera intéressant de calculer car elle permet de déterminer le temps nécessaire
pour que le composant revienne dans son état initial après suppression de l’excitation.
Deux types de situations (voir ci-dessous) peuvent de nouveau se rencontrer selon que
le composant travaille en faible injection, comme dans les composants de signal, ou en
forte injection comme dans les composants de puissance. Ces deux situations conduisent
à des « calculs » différents, même si elles découlent des mêmes équations de continuité.
Dans un modèle unidimensionnel, le bilan des charges conduit à l’équation de conti-
nuité fondamentale suivante (ne pas oublier qu’il y a la même pour les trous) :
∂n 1 ∂J
= Gn − Rn + × n
∂t q ∂X
Le courant total d’électrons Jn étant défini par Jn = JnC + JnD, les courants JnC et JnD
désignant respectivement les courants de conduction et de diffusion spécifiques des
électrons. Le retour à l’équilibre impliquant un excès de porteurs initial, on peut
supposer Rn >> Gn.
Conséquence
Dans l’hypothèse de faible injection, la conductivité (ou la résistivité) du SC n’est
pas modifiée
+ + + + + +
+ + +
+ + +
.
+ + + + + +
a b c
Figure 1.6 Concentration des porteurs (libres et fixes).
a) Avant injection. b) Après faible injection. c) Après forte injection.
Commentaire
La figure 1.6a représente un SC extrinsèque de type N (concentration de
dopants 5·1017/cm3 par exemple) à l’équilibre thermodynamique. Seuls sont
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représentés sur ce schéma les atomes ionisés et les électrons libres « fournis »
par ces atomes. Les trous créés par le processus de dopage ne sont pas repré-
sentés (il y en a en effet 0,5·103 par cm3 alors qu’il y a 5.1017 électrons…). Les
électrons et les trous créés par le mécanisme intrinsèque ne sont pas plus repré-
sentés (il y a 1010 électrons et 1010 trous par cm3). La figure 1.6b, qui représente
le même SC en faible injection, fait apparaître un électron et un trou supplé-
mentaires par rapport au nombre initial des électrons et des atomes donneurs. (9
atomes ionisés et 9 électrons libres). C’est encore bien beaucoup pour l’hypo-
thèse des faibles injections car la gamme de porteurs injectés est souvent de
l’ordre de… 100 fois plus faible que la concentration initiale des dopants.
18 Chap. 1. Les fondements du génie électronique
L’injection faible n’est pas sans conséquence sur les courants qui peuvent circuler
dans un SC. L’influence d’une faible injection sur un éventuel courant de conduction
des porteurs majoritaires est évidemment négligeable. La modification d’un éventuel
courant de conduction des porteurs minoritaires est significative, mais il n’en reste
pas moins que le courant de conduction des porteurs minoritaires reste très faible
devant le courant de conduction des porteurs majoritaires. Ce seront donc les courants
de diffusion qui vont devenir déterminants dans ce cas, les courants de diffusion des
électrons et des trous ne différant que par l’intermédiaire des constantes de diffusion.
Conséquence
Dans l’hypothèse de forte injection la résistivité de la couche SC originelle est
susceptible de varier de façon très importante.
b) La recombinaison
Quelques notions
Les mécanismes de recombinaison dans le silicium sont essentiellement des méca-
nismes non radiatifs. Les processus de restauration vers l’équilibre impliquant des
paires électrons-trous sont divers et nombreux. Ils peuvent être directs (un électron
se recombine avec un trou) ou impliquer la participation de niveaux énergétiques
pièges situés sensiblement au milieu de la bande interdite (d’où le nom de pièges
profonds quelque fois utilisé). Ces pièges peuvent être associés à des impuretés
20 Chap. 1. Les fondements du génie électronique
particulières (or…) qui ont été introduites volontairement dans le silicium… ou/et à
des contaminants involontaires.
Le principal mode de recombinaison dit de Shockley Read Hall « fonctionne » de la
façon élémentaire suivante :
Un électron est d’abord capturé par une impureté puis un trou est capturé par la
même impureté. Ceci entraîne la disparition d’une paire électron-trou : l’impureté
s’est bien comportée en centre recombinant. Mais on peut envisager d’autres méca-
nismes élémentaires avec ce piège : si le piège qui a capturé l’électron possède une
plus grande probabilité de le réémettre, l’impureté a simplement piégé transitoire-
ment un électron : elle s’est comportée en piège à électron.
La compréhension des phénomènes de recombinaison est donc loin d’être simple…
Mais ces phénomènes sont très importants car leur maîtrise conditionne l’optimi-
sation technologique des composants. Selon les cas, on désirera que cela « diffuse
bien », ou que cela « recombine peu », comme dans la base des transistors de signaux
bipolaires, ou au contraire que cela « recombine vite » comme dans certaines zones
de composants de puissance…
Exemple
Soit un SC de type N et résistivité ρ = 10−2 Ω·m correspondant à une concentration
en atomes donneurs dans ce matériau égale à ND ≈ 6·1015/cm3. En régime d’ionisa-
tion totale, la concentration des électrons est définie par n ≈ ND = 6·1015/cm3 et la
concentration des trous est telle que p ≈ ND/ni2 = 4·104/cm3. Supposons une injec-
tion faible de 104 porteurs. Il lui correspond une variation relative de porteurs
(6 ⋅ 1015 + 4 ⋅ 10 4 ) − 6 ⋅ 1015 4
majoritaires telle : = ⋅ 10 −11 ≈ 0. On peut donc
6 ⋅ 1015 6
considérer que celle-ci est pratiquement nulle. Par contre, la variation relative
de la densité des trous est de 75 %. La densité des porteurs majoritaires ne
subissant aucune modification, les porteurs majoritaires n’ont quasiment
aucune influence sur la durée du retour à l’équilibre. A contrario, la concentra-
tion de trous, qui a subi une variation importante, sera déterminante pour ce
retour à l’équilibre.
1.3 Modélisation du retour à l’équilibre 21
Bien que la densité locale des porteurs soit nulle en x = W, le courant de diffusion
en x = W, est différent de zéro. Défini par la relation Jn = qDn(∂n/∂x)x = W, il vaut
simplement − N0/W. Il est donc égal au courant en x = 0. Autrement dit, il y a
égalité des courants de diffusion à l’entrée et à la sortie de la zone P, c’est-à-dire
de la… base.
L’hypothèse d’ionisation totale conduit à des concentrations initiales de porteurs
dans la couche P égales respectivement à :
pP = 1018 trous/cm3 et nP = 2,25·102 électrons/cm3
La surface du triangle associée à la loi de variation N(x) correspond à la charge
permanente stockée dans la couche lors d’une injection permanente de porteurs
(comme c’est le cas en régime continu dans un transistor…). La charge stockée
dans la base est une charge de porteurs minoritaires dite de diffusion valant :
Qd = 1/2 qN0·W·S.
La surface S de l’émetteur est telle que S = 25 ¥ 25 ¥ (10−4)2 donc :
Qd = 0,5 ¥ (1,6·10−19)(1016) ¥ (0,5 ·10−4) ¥ (625·10−8) = 0,2510−12 F
1.3 Modélisation du retour à l’équilibre 23
Évidemment, c’est faible, mais il faudra de toute façon un « certain temps » pour
éliminer cette charge.
W
N 0 exp +
Ln
A= et B = N 0 − A
W W
exp + − exp −
Ln Ln
exp ( x ) − exp ( − x )
En introduisant la fonction sh(x) définie par : sh x = , il vient,
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2
tous calculs faits :
W − x
sh
Ln
N (x) = N0
W
sh
Ln
La loi de variation suit donc une loi de variation « d’allure » exponentielle.
Négliger la recombinaison revient à supposer que la durée de vie des électrons
est supérieure au temps nécessaire pour traverser la couche d’épaisseur W ou, ce
qui revient au même à supposer que l’épaisseur de la couche P est beaucoup plus
petite que la longueur de diffusion Ln.
24 Chap. 1. Les fondements du génie électronique
Diffusion
avec recombinaison
W
Zone N Zone P
Figure 1.7 Diffusion et recombinaison.
1.4 LE COMPOSANT
1.4.1 Composants bipolaires et unipolaires
Les composants bipolaires sont caractérisés par les propriétés suivantes.
• La circulation d’un courant implique le déplacement de porteurs mobiles de deux
types : des électrons ET des trous.
• Les porteurs se déplacent sous l’action de deux mécanismes : la conduction sous
l’action d’un champ électrique (drift) ET la diffusion sous l’action d’un gradient
de concentration.
• Une alternance de couche SC de type N et P définissant une jonction.
1.4 Le composant 25
L’électricien
A B A B A B
L’électronicien
Le physicien
.
.
.
.
a b c d
Figure 1.8
Dans les composants unipolaires (de signal ou de puissance), la situation est diffé-
rente (figure 1.8c) : le niveau de conduction dépend de la concentration d’un seul
type de porteurs et le principe physique de fonctionnement de ces composants fait
que l’on ne peut travailler en forte injection (on est toujours conditionné par la ther-
modynamique). Ces composants n’autoriseront donc pas de densités de courant
élevées, ils pourront présenter des résistances de faible valeur mais ce sera pour de
faibles valeurs de la tension appliquée (inférieures à 75 V par exemple).
Dans toutes les autres situations physiques, le comportement des composants est
équivalent à celui d’une résistance.
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Les fonctions
du génie électronique
2
S a(t)
t
Figure 2.1 Signal analogique.
2.1 Éléments de modélisation : signaux et sources 31
Dans un signal échantillonné, la variable temps est une variable discrète définie
uniquement lors de certains instants, la fonction associée, continue initialement,
n’est donc définie qu’aux instants d’échantillonnage. En règle générale, la discrétisa-
tion dans le temps se fait de façon périodique avec une période T : le temps est ainsi
discrétisé aux instants T, 2T, 3T,…, nT. On utilise souvent les termes de « cadence »,
de « pas d’échantillonnage » ou de « fréquence d’échantillonnage ».
Comme nous l’avons dit, l’échantillonnage peut conduire à une perte d’informations.
Ainsi, pour reconstituer un signal sinusoïdal de fréquence f, il est nécessaire d’échantil-
lonner à une fréquence supérieure à 2f. De façon plus générale, un signal quelconque
ne présentant aucune composante au-delà d’une fréquence fmax doit être échan-
tillonné à une fréquence supérieure à 2fmax pour permettre une reconstitution
correcte, à partir du signal échantillonné, du signal originel (théorème de Shannon).
Le signal échantillonné est une notion théorique : ce type de signal n’a pas
d’existence matérielle dans la mesure où l’opération d’échantillonnage nécessite
un certain temps, aussi faible soit-il.
Se(t)
0 T 2T 3T 4T t
Dans un signal quantifié, c’est la fonction, c’est-à-dire la valeur du signal, qui est discré-
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tisée, tandis que le temps varie de façon continue. La quantification est une opération
qui consiste à remplacer la valeur exacte du signal, susceptible de prendre a priori une
infinité de valeurs, par une valeur approchée définie par un multiple entier d’une valeur
élémentaire, appelé « niveau » ou « pas de quantification » ou encore « quantum q ». En
règle générale, les différents quanta (pluriel de quantum) sont tous égaux et on convient
de représenter par le niveau nq toute valeur du signal comprise entre 0 et [nq, (n + 1)q[.
Le signal quantifié apparaît alors comme une représentation approchée en escalier
(fonction à partie entière) du signal originel.
La quantification de la fonction se traduit par une erreur, qui sera évidemment d’au-
tant plus faible que le quantum q est plus petit. Cette erreur e est toujours inférieure
au pas de quantification.
32 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique
Ainsi :
| e | < q
Sur le signal originel, elle introduit un bruit caractéristique dit « bruit de
quantification ».
Sq(t) Seq(t)
4q 4q
3q 3q
2q 2q
q q
T 2T 3T 4T t T 2T 3T 4T t
a b
Dans un signal numérique, la variable temps et la valeur du signal sont toutes deux
discrétisées. Comme dans le cas des signaux échantillonnés, il ne s’agit pas de
signaux physiques dans la mesure où leur durée est théoriquement nulle, mais elle
ne l’est pas en pratique. Nous pouvons définir les signaux numériques comme des
signaux qui ont été :
• échantillonnés ;
• quantifiés ;
• codés : la valeur du nombre n de quanta ayant été transformée – codée – selon
une loi déterminée, par exemple sa valeur binaire équivalente NB codée sur 3 bits
(cf. figure 2.4a).
NB SN(t)
100 100
011 011
010 010
001 001
000 000
q 2q 3q nq t
T 2T 3T 4T
a b
Un signal numérique est donc une suite de valeurs numériques évoluant dans le
temps comme le signal analogique initial.
Par ailleurs, si la valeur du signal quantifié fournit la valeur exacte du signal initial à
certains instants, le signal numérique associé ne peut être, de façon générale, qu’une
valeur approchée de ce signal.
SN*(t)
SB(t)
3V
t t
–V
a b
– 3V
Un signal binaire est un signal physique numérisé particulier qui ne comporte que
deux valeurs discrètes.
On peut, par exemple, utiliser les valeurs 0 V et 5 V comme en logique TTL ou des
valeurs − V et + V, la valeur V pouvant varier entre 3 V et 15 V, comme dans les
codes NRZ (non retour à zéro) utilisés dans certains types de transmissions, etc.
I V
+ RI E0
E0 V
− V = E0 − RI·I
I
a b
Imax
I V
+ E0
V
−
I
c d
Imax
I I
I0
I0 V
I = I0 − V/RI
V
a b
Vmax
I I
I0
V
V
c d
Vmax
Figure 2.7 a) Modèle d’un générateur de courant. b) Caractéristique I(V) associée.
c) Modèle d’une source de courant. d) Caractéristique I(V) associée.
Une solution alternative consiste à réaliser une mesure à vide et une mesure en
charge : l’utilisation d’une résistance de l’ordre de grandeur de la résistance interne
facilite les mesures et… les calculs.
Solution
T
1. La puissance moyenne est définie par P = (1 / T ) ∫ V (t ) I (t ) ⋅ dt
0
∂P
Le transfert de puissance sera maximal lorsque : =0
∂ RC
Posons : D = RC + RI alors :
∂P D − 2 RC
= ⋅ E2
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∂ RC 2D 3
Par suite, le transfert sera maximal lorsque : D − 2RC = 0 soit RC = RI.
Le transfert de puissance sera donc maximal lorsque la résistance de charge sera
égale à la résistance interne du générateur.
La puissance délivrée à la charge est alors telle que : P = E2/8 RI.
Application numérique : 62,5 mW.
une partie inductive, l’impédance de charge devra donc comporter une partie
capacitive équivalente et réciproquement.
Une autre interprétation possible est de considérer que la source d’excitation
débite dans un circuit série RLC constitué de : R (RC et RI), L (jXI), C (jXC).
L’obtention d’un circuit résistif implique que jXC = − jXI.
a) Définition
On distingue deux types de sources : les sources d’excitation et les sources liées ou
dépendantes.
• Les sources d’excitation ou indépendantes sont capables de délivrer un signal
ou une énergie : il peut s’agir soit de sources matérielles réelles qui prélèvent leur
énergie sur l’alimentation réseau ou des modèles de sources.
• Les sources liées ou dépendantes sont des modèles traduisant que l’ensemble des
caractéristiques de ces sources, dépend – ou est contrôlé – par une autre grandeur
(tension, courant) du circuit via une fonction, linéaire ou non, quelconque.
La source liée ne fournit par elle-même aucun signal ni aucune énergie : l’annula-
tion, pour quelque raison que ce soit, de la grandeur de contrôle annule la valeur de
la source dépendante. Le cas élémentaire correspond à une relation de linéarité entre
la valeur de la source liée et la grandeur de contrôle.
La représentation par sources contrôlées est bien adaptée, par principe, à la modéli-
sation des composants SC commandés fonctionnant en régime linéaire. Elle se prête
bien également à la modélisation du fonctionnement en régime linéaire de compo-
sants complexes tels les amplificateurs opérationnels, etc.
Même si la notion de sources dépendantes n’est pas spécifique de l’électronique du
signal, c’est dans ce domaine qu’elle est la plus largement utilisée.
Exemple
Modèle d’un amplificateur opérationnel
IE
VE
VS = k1 VE VS = k2 IE
a b
IE
VE
IS = k3 IE IS = k4 V
c d
Exemple
Modèle d’un amplificateur opérationnel de trans-impédance, amplificateur opéra-
tionnel de NORTON (Par exemple l’amplificateur LM 3900).
• Source de courant contrôlé par une source de courant (Current Controlled
Current Source : CCCS) : le paramètre de contrôle k3 est alors sans dimension.
Exemple
Modèle dynamique petits signaux du transistor bipolaire.
2.1 Éléments de modélisation : signaux et sources 41
• Source de courant contrôlé par une source de tension (Voltage Controlled Current
Source : VCCS) : le paramètre de contrôle k4, de dimension [I/V], est une conduc-
tance de transfert, ou transconductance, que l’on appelle souvent « pente ».
Exemple
Le modèle dynamique petits signaux du transistor MOS se caractérise par une
source de courant de sortie IDS contrôlée par une tension d’entrée VGS, le paramètre
de contrôle étant la pente gm : IDS = gm · VGS.
c) Source instantanée
Définition
Une source est dite instantanée lorsque sa valeur ne varie pas sur un très court
instant, quelle que soit la valeur de la charge branchée à ses bornes.
Si l’on considère des grandeurs physiques (ce qui exclut toute forme de courant ou
tension de type impulsion unité ou de DIRAC), alors une capacité est une source de
tension instantanée (figure 2.9a) car :
∆VC = ()
1 . t+
C ∫t −
i (u) du = 0, soit : VC(t−) = VC(t+)
+ − + −
VC(t−) = V0 VC(t+) = V0
+ − a
V0
I0 b
∆I = ()
1 t+
L ∫t −
. υ (u) du = 0 ou IL(t−) = IL(t+)
42 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique
La conséquence directe de ces propriétés est qu’une capacité dont une borne est
soumise à un échelon de tension transmet instantanément cet échelon sur l’autre
borne (figure 2.10).
∆V + - + - ∆V
A B A B
ANALOGIQUE ANALOGIQUE
DISCRET
NUMÉRISÉ
NUMÉRISÉ
2.2 Les fonctions du traitement des sources du signal 43
une représentation numérique associée. Le codage est ainsi une sous fonction impor-
tante des convertisseurs analogique numérique.
En transmission numérique, les fonctions de codage, et la fonction associée de déco-
dage, sont des opérations essentielles. Dans ce cas, deux types de codage, le codage
source et le codage de canal, sont possibles selon que l’objectif est d’enlever des
informations peu importantes (on travaille au niveau de la source ou de l’émetteur)
ou, au contraire, d’ajouter des informations supplémentaires au signal numérique
(on travaille au niveau du canal de transmission) pour diminuer l’influence du bruit
et/ou des perturbations parasites, réduire les erreurs de transmission et pourquoi pas,
les détecter et les corriger.
44 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique
Le code ASCII
Le transcodage est aussi une fonction particulière de l’électronique numérique.
Certaines sources délivrent, par principe, des messages discrets constitués
d’une suite de symboles dont chacun est prélevé dans un ensemble de S symboles
différents appartenant à un alphabet [A]. Le cas le plus courant correspond
aux symboles alphanumériques (minuscules et majuscules) de l’alphabet latin,
éléments de ponctuation, chiffres arabes, etc. Cet ensemble définit ainsi 128
symboles élémentaires différents qui doivent êtres transcodés pour être exploi-
tables. Le transcodage associe à chaque symbole SI de l’alphabet [A] de départ
un mot binaire selon un protocole particulier. La loi de transcodage tradition-
nellement utilisée est le protocole/code ASCII (pour American Standard Code
for Information Interchange). À titre d’exemple, dans le protocole ASCII usuel
codé sur 8 bits, au chiffre « 0 » correspond le nombre binaire 00110000, au
chiffre « 1 » correspond 00110001, etc. De même, à la lettre majuscule « A »
correspond le nombre binaire 01000001, à la lettre minuscule « a » correspond
le nombre 01100001, etc. Le nombre binaire est ensuite transformé en signal
binaire. Des codes plus étendus (Unicode dit hexadécimal, ASCII décimal ou
hexadécimal) ont été évidemment créés depuis la naissance du code ASCII.
CONTINUE CONTINUE
ALTERNATIVE
ALTERNATIVE
2.4 Le matériel 45
Le tableau 2.II détermine les différents cas possibles de conversion directe, les para-
mètres secondaires de la conversion portant sur la nature (V ou I) des grandeurs
considérées et la réversibilité éventuelle du transfert de puissance entrée et sortie.
Il faut être capable non seulement de pouvoir modifier la nature de la source d’énergie
comme le font les structures traditionnelles de conversion, mais il est très impor-
tant évidemment de pouvoir faire varier et contrôler les paramètres caractéristiques
de sortie des convertisseurs en fonction des variations de son environnement. Ceci
l’implique l’utilisation de composants de puissance commandables ainsi qu’une
stratégie de commande de ces composants, c’est-à-dire une régulation du convertis-
seur conforme aux spécifications requises.
La fonction filtrage est largement utilisée dans le traitement des sources d’éner-
gie. Dans les structures de type hacheurs, il s’agit de filtres passe bas utilisés pour
obtenir des signaux de sortie quasi continus. Dans certains onduleurs de tension,
un filtre passe bas de sortie permet d’obtenir une tension sensiblement sinusoï-
dale à partir d’une tension en créneaux. Un filtre passe bas, disposé à l’entrée de
l’onduleur peut permettre, quant à lui, d’obtenir une tension quasi continue quels
que soient les pics de courant résultant de la fermeture ou de l’ouverture des inter-
rupteurs situés en aval.
Il est possible d’envisager des conversions de type indirect. Ainsi pour réaliser une
conversion AC/AC, on peut réaliser une conversion AC/DC suivie d’une conver-
sion DC/AC, c’est-à-dire associer un redresseur et un onduleur pour réaliser une
conversion AC/AC. Ce type d’approche, qui permet de disposer d’un nombre de
degrés de liberté plus grand que dans une conversion directe, est particulièrement
intéressant dans certains cas. (Régulation de vitesse des moteurs à courant alternatif
par exemple).
2.4 LE MATÉRIEL
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Énergie Signal
a b
Conclusion
En termes de modèle de circuit associé, nous pourrons donc trouver à l’intérieur
d’un convertisseur de signal tout élément passif (R, C, L, M), tout type de source
contrôlé, et des interrupteurs ouverts ou fermés.
a b
amplifiés normalement.
L’utilisation de liaisons capacitives permet de séparer les régimes statiques et
dynamiques.
L’utilisation de toute résistance est en principe exclue car elle entraîne des pertes
dans le convertisseur et une dégradation du rendement.
De même l’utilisation de composants actifs SC fonctionnant en mode linéaire est
exclue pour les mêmes raisons.
Conclusion
En termes de modèle de circuit associé, nous pourrons trouver à l’intérieur d’un
convertisseur de source d’énergie des éléments passifs de type (C, L, M) exclu-
sivement et des interrupteurs ouverts ou fermés
L’ouverture et la fermeture des interrupteurs, c’est-à-dire des composants SC,
sont réalisées de façon périodique selon « la bonne séquence » pour permettre les
transferts d’énergie nécessaires entre le générateur d’entrée et la charge.
Cet ensemble de règles constitue les outils de base de synthèse des CVP.
De la modélisation
et des modèles
3
en électronique
3.1 LA MODÉLISATION
3.1.1 Les objectifs de la modélisation
De façon générale, la modélisation doit permettre de répondre à trois types de
questions :
• à quoi sert le dispositif ?
• comment marche le dispositif étudié ?
• comment est constitué le dispositif ?
La modélisation implique donc trois types d’études complémentaires portant sur : la
fonction, le comportement et la structure du dispositif modélisé.
On modélise en électronique pour :
• disposer d’une relation ou d’une description, de préférence mathématique,
permettant de représenter, rigoureusement ou, au mieux, le comportement d’un
composant SC, d’un circuit, d’un dispositif… ;
• connaître la loi de variation de la grandeur de sortie en réponse à une entrée donnée
(de type sinusoïdal, créneaux périodiques, forme quelconque) ;
• étudier le comportement d’un circuit, d’un dispositif, en évitant de recourir à des
mesures expérimentales souvent contraignantes à réaliser et onéreuses ;
• prévoir le comportement en régime normal d’un circuit, d’un système… ;
50 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique
• prévoir le comportement d’un circuit, d’un système, etc. dans diverses situations
environnementales en évitant de recourir à des mesures expérimentales souvent
contraignantes et/ou difficiles à réaliser (Application en asservissement).
a) Linéarité
Un modèle est dit linéaire lorsque, R(t) désignant sa fonction réponse et a1, a2 deux
constantes de valeur quelconques, il obéit à la relation suivante :
R [a1·x1(t) + a2·x2(t)] = a1·R[x1(t)] + a2·R[x2(t)]
quelles que soient les constantes a1 et a2.
Le théorème de linéarité est identique au théorème de superposition largement utilisé
en électronique.
En général, les modèles ne sont linéaires que dans une certaine zone de fonction-
nement limitée. On peut quelquefois étendre la linéarité en décomposant la zone de
fonctionnement en différentes zones, de caractéristiques différentes, pour lesquelles
le modèle est linéaire : un tel modèle est alors dit linéaire par morceau.
Pour les composants semi-conducteurs, le fonctionnement peut être localement
linéaire : il concerne des signaux de faible niveau par rapport aux valeurs correspon-
dantes du point de polarisation (approximation linéaire en régime dynamique, petits
signaux).
3.1 La modélisation 51
La linéarité est une propriété essentielle dans la modélisation car elle permet une
détermination naturelle des différentes fonctions caractéristiques des modèles, fonc-
tion de transfert en particulier, à partir de la réponse à une entrée type.
b) Invariance en temps
Un modèle est qualifié d’invariant en temps lorsque sa réponse est inchangée lors
d’un changement quelconque de la valeur t0 de l’origine des temps. Ainsi :
Si : S(t) = R[E(t)] désigne la réponse du modèle à l’entrée E(t),
Alors : S(t − t0) = R[E(t − t0)], quelle que soit la valeur de t0.
L’invariance temporelle signifie que le modèle réagit de la même façon quel que soit
l’instant d’application de l’excitation à l’entrée.
c) Causalité
Une fonction est dite strictement causale si elle est telle que f(t) = 0 lorsque t < 0.
Un modèle, un circuit, un système est dit causal lorsqu’il est soumis à une entrée
causale E(t) = 0 pour t ≤ 0, sa sortie S(t) est également causale : S(t) = 0 pour t ≤ 0.
Un système physique est toujours causal si sa variable est la variable réelle « temps ».
Par contre tous les systèmes physiques ne sont pas nécessairement causaux.
Exemple
En optique, l’entrée − l’objet − peut être nulle dans le demi-plan x < 0 alors que la
sortie − l’image − peut être non nulle pour x < 0).
a) Modèle de connaissance
Définition
Un modèle est dit de connaissance lorsqu’il est élaboré à partir des lois générales
propres au domaine d’études concerné : lois de Kirchoff (électricité + électronique),
lois de Maxwell (électromagnétisme), lois de Fourier (thermique)…
Le modèle de connaissance est un modèle exact qui implique de connaître la
structure de l’élément à modéliser qu’il s’agisse d’un composant, d’un circuit ou
d’un dispositif.
Il peut donner lieu à des modèles très complexes comportant un grand nombre de
paramètres dont il faut évidemment connaître les valeurs. À titre d’exemple, le déve-
loppement de la microélectronique et de la nanoélectronique implique des modèles
de connaissances physiques des transistors bipolaires et des MOS de plus en plus
complexes et un nombre de paramètres de plus en plus grand lorsqu’on utilise des
niveaux de modélisation de plus en plus élevés.
b) Modèle comportemental
A contrario, dans les modèles comportementaux, on ne connaît pas ou peu le « maté-
riel » interne de la boîte : on connaît, au mieux, certaines relations caractéristiques
entrée/sortie.
Le domaine de fonctionnement étant naturellement limité, on essaie de le restreindre
encore à un domaine plus réduit pour pouvoir approximer la relation entrée/sortie par
des relations linéaires.
Ce type d’approche est évidemment particulièrement bien adapté à la modélisation
des composants SC fonctionnant en petits signaux.
En termes de modélisation, on utilise souvent des approches complémentaires
différentes (comportemental et physique) pour obtenir un modèle simple et réaliste.
Ainsi, dans la modélisation du comportement dynamique en petits signaux de
composants électriques tel les MOS, on « part » d’un modèle comportemental que
l’on peut simplifier en tenant compte des propriétés physiques pour obtenir un
« bon » modèle.
E (r ) et H (r ) désignant les champs déterminés en régime de courants continus.
Dans le cas général, supposons maintenant que l’on ne peut plus négliger les effets
de propagation dans un « élément source quelconque » (conducteur d’un dispositif
électrotechnique, d’un tronçon de circuit électrique, électronique…).
Considérons par exemple deux sections, séparées d’une distance L, de ce conducteur.
L’ARQS suppose que ces courants sont identiques, c’est-à-dire que : I1(t) = I2(t).
Si l’ARQS n’est plus satisfaite, étant donné que la propagation du phénomène
électromagnétique sur la distance L nécessite un temps τ = L/VP (VP : vitesse de
propagation dans le milieu) la phase du courant ne sera égale à ω · t qu’au bout du
temps τ, alors qu’au temps t considéré, elle n’est que : ω (t – τ).
54 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique
phénomènes de propagation : par suite elle pourra être modélisée simplement par des
éléments (R, L, C...) localisés.
Finalement, le modèle global défini dans cette approche consiste en un nombre infini
de cellules élémentaires identiques définies par des éléments localisés : un tel modèle
est appelé modèle à constantes distribuées ou réparties.
La description mathématique rigoureuse de ce type de modèles conduit à des équa-
tions différentielles aux dérivées partielles dans lesquelles interviennent les variables
de temps et d’espace (x ou r selon les types de propagations).
Selon la fréquence de fonctionnement, un même élément, par exemple un câble
coaxial, pourra être modélisé par un modèle à constantes localisées (en basses
fréquences) et par un modèle à constantes réparties (en hautes fréquences).
iC
V(x,t) V(x + dx,t)
Figure 3.1 C.dx
M M
dx
56 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique
Solution
1. La loi des nœuds appliquée au point B conduit à la relation suivante :
i(x, t) =iC + i(x + dx, t) avec : iC =(C·dx)(∂v(x + dx, t)/∂t)
Par ailleurs en utilisant la formule des développements limités, il vient :
v(x+dx,t) =v(x) + (∂v(x,t)/∂x)dx +.......
En remplaçant dans l’expression de iC et en se limitant au premier ordre :
∂v( x , t )
iC ≈ C ⋅ dx
∂t
3.2 Modèles circuit et approximation des régimes quasi stationnaires 57
2. La même méthode est utilisée dans ce cas. La loi des mailles appliquée à la
maille ABM conduit à la relation suivante :
v(x,t) = vl + v(x + dx,t) avec vl = (L·dx) ⋅ ∂i(x,t)/∂t
or : v(x + dx,t) = v(x) + (∂v(x,t)/∂x) ⋅ dx + …
En combinant ces deux relations, nous obtenons :
∂i ( x , t ) ∂v( x , t )
v ( x , t ) = L ⋅ dx ⋅ + v( x ) + dx + ...
∂t ∂x
∂v( x , t ) ∂i ( x , t )
soit − dx = Ldx ⋅
∂x ∂t
Soit finalement :
∂v ∂i
− = L
∂x ∂t
La méthode ZIZS
De l’état d’un circuit…
De façon générale, pour déterminer le futur d’un circuit ou d’un système à partir
d’un instant donné t0, on n’a pas besoin de connaître tout ce qui s’est passé dans
l’intervalle ]–∞, t0] : on a seulement besoin de connaître son état (voir ci-dessous)
à l’instant t0, la façon dont le circuit a atteint l’état particulier à l’instant t0 n’ayant
aucune importance.
L’état d’un circuit ou d’un système représente donc la connaissance minimale du
passé d’un circuit ou d’un système nécessaire pour déterminer son futur. Si on essaie
d’être un peu plus précis, l’état d’un circuit à un instant t0 désigne tout ensemble de
conditions initiales qui, associé aux entrées, permet de déterminer de façon unique
toutes les variables du circuit pour tout t ≥ t0.
Encore faut-il que ces conditions initiales puissent déterminer sans ambiguïté l’état
d’origine… La variable d’état doit donc être nécessairement continue. Les variables
d’état « naturelles » en électronique sont :
• le courant circulant dans une inductance ;
• la tension aux bornes d’une capacité.
I
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+
E L
– R
Figure 3.2
Le circuit sera supposé dans l’état initial, imposé par un circuit extérieur, tel que
iL(0–) = I0. On supposera : E > R.I0. À l’instant t = 0+, on applique un échelon de
tension E en fermant l’interrupteur K (non représenté sur la figure 3.2).
62 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique
L
R
Figure 3.3
L’équation différentielle correspondante est :
di
L + R⋅i = 0
dt
D’où :
di R
= − dt
i L
L
Posons = τ , τ désignant la constante de temps.
R
En intégrant, nous obtenons pour solution générale de cette équation :
( )t
iSG ( t ) = C ⋅ exp −
τ
(3)
C : constante d’intégration quelconque ( > 0, < 0) à déterminer.
La constante d’intégration C de la solution générale de l’équation homogène est
déterminée par la relation :
iSG(0) = i(0) – iP(0)(4)
Ne pas oublier que la présence de l’inductance impose la continuité du courant à
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+
E
– R
Figure 3.4
La solution particulière est donc :
E
iSP ( t ) = (5)
R
On peut évidemment déterminer directement cette valeur à partir de l’équation
inhomogène (1).
Commentaire :
Une autre interprétation possible du schéma simplifié est de considérer la
situation équivalente en régime sinusoïdal et de faire tendre la période T(t) vers
l’infini. Dire que T(t) → +∞ revient à dire que ω → 0 et que f → 0. Par suite :
Lω → 0.
1.4. Détermination de la solution générale de l’équation différentielle
La solution générale est telle que i(t) = iSG(t) + iSP(t), soit :
( )
t E
i ( t ) = C ⋅ exp − + (6)
τ R
La constante C de la solution générale de l’équation homogène est déterminée
par
iSG(0) = i(0–) – iSP(0–)
avec la condition initiale i(0–) = I0.
Soit :
E E
C = i ( 0− ) − ≡ I 0 −
R R
Nous obtenons donc pour solution générale l’expression suivante :
2. Méthode ZIZS
(
i (t ) = I 0 −
E
R ) ( ) t
⋅ exp − + (7)
τ
E
R
2.1. Nous devons calculer :
• la réponse à entrée nulle en fonction des valeurs définissant l’état du circuit ;
• et la réponse à l’état nul, qui suppose, elle, que les valeurs caractéristiques
de l’état du circuit sont nulles. Pour l’équation du premier ordre qui nous
concerne, l’état du circuit est défini par iL(0–) = 0.
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 65
I0
L
R
Figure 3.5
D’après l’analyse de la question 1.2, l’équation différentielle caractérisant
l’évolution de i(t) est :
di
L + R⋅i = 0
dt
avec la condition initiale : i(0–) = I0.
Compte tenu des résultats antérieurs, il vient immédiatement :
( ) t
iZI ( t ) = I 0 ⋅ exp − (8)
τ
2.3. Réponse à état nul
Le schéma simplifié correspondant à cette réponse est identique à la figure 3.2 de
l’énoncé avec cette fois la condition initiale : i(0–) = 0.
La réponse iZR(t) est donc solution de l’équation différentielle suivante :
di
L + R⋅i = E
dt
Cette réponse iZR(t) est la somme d’une solution particulière i1(t) de l’équation
avec second membre et de la solution générale de l’équation sans second membre
i2(t) dans l’hypothèse i(0–) = 0.
Compte tenu des résultats précédents (cf. questions 1.2 et 1.3), il vient
immédiatement :
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E
i1 ( t ) =
R
D’où :
( )
i2 ( t ) = A ⋅ exp −
t
τ
E
( )
iZS ( t ) = + A ⋅ exp −
R
t
τ
En tenant compte de la condition initiale, iZS(0) = 0, il vient :
E
+A=0
R
66 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique
E
A=−
R
Finalement nous obtenons pour iZS(t) :
iZS ( t ) =
E
R (
1 − exp −
t
τ ( ))
L’expression finale de la solution est donc :
i(t)= iZI(t) + iZS(t)
( τt ) + ER (1 − exp(− τt ))
i ( t ) = I 0 exp − (9)
iZI(t)
I0
iZI(t) = I0exp(–t/ )
IZS(t)
E/R
i(t)
E/R
I0
t
Figure 3.6
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 67
Régime forcé
Le régime forcé correspond à la solution de l’équation différentielle entrée/sortie
inhomogène, le second membre étant égal à l’entrée appliquée.
Remarquer que la solution particulière SPASM(t) et la réponse à état nul SZS(t) (zero
state response) correspondent toutes deux à des régimes forcés, au sens « mathé-
matique » du terme, c’est-à-dire à une réponse du système avec excitation. Mais
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les réponses dans les deux cas en question ont, une fois de plus, une interprétation
« physique » très différente.
La solution particulière SPASM(t) de l’équation différentielle avec second membre
représente la réponse finale ou permanente du circuit.
La réponse à état nul SZS(t) s’accompagne généralement d’une première partie tran-
sitoire, dont la durée dépend des constantes de temps du circuit, avant d’atteindre le
régime permanent.
Nous définirons le régime forcé par la solution particulière SPASM(t).
68 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique
Réponse totale
La réponse totale S(t) est définie par la somme des deux termes correspondant
r espectivement au régime libre et au régime forcé : S(t) = SL(t) + SF(t).
t +T dI
<<VV
L L>>=
= ∫t L. dt = L ⋅ [ I (t + T ) − I (t ) ] = 0
dt
En régime non stationnaire, ces deux propriétés ne sont plus satisfaites. Les seules
propriétés qui subsistent quelles que soient les conditions d’excitation réelles (on
exclut ainsi toute excitation forcée non physique par impulsion de Dirac dans les
équations intégrales de définition de (VC(t) et IL(t)) sont des propriétés générales de
continuité instantanée :
• de la tension aux bornes d’une capacité : VC[t0−] = VC[t0+], quel que soit t0 ;
• du courant circulant dans une inductance IL[t0−] = IL[t0+], quel que soit t0.
Question rouge
La continuité de la tension aux bornes d’une capacité et la continuité du courant
dans une inductance traduisent la conservation de la charge et des flux, ou
encore, de façon plus générale la continuité de l’énergie, d’origine électrique
et/ou magnétique. Ainsi, à titre d’exemple, la relation caractéristique i = C·dV/
dt caractéristique d’une capacité permet d’écrire :
t0+ t0+
∫t −
0
C ⋅ dV = ∫t −
0
i ⋅ dt
R1 L1
i(t)
R2
Figure 3.7
E
L2
70 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique
Définition
On appelle réponse impulsionnelle la réponse en sortie du modèle correspondant
à l’application à l’entrée d’une excitation particulière : l’impulsion unité δ(t), le
circuit étant supposé au repos (toutes conditions initiales nulles) (figure 3.8).
s(t)
e(t)
s(t)
h(t)
Modèle
t e(t) s(t) t
dans le domaine fréquence une certaine gamme de fréquence définie par ∆f = 1/∆t
qui correspond sensiblement à la bande passante du circuit, du système.
Produit de convolution
Les propriétés de linéarité et d’invariance temporelle permettent de déterminer natu-
rellement et simplement l’expression de la sortie d’un circuit linéaire en réponse à
une entrée quelconque à l’aide de la réponse impulsionnelle par l’expression suivante
appelée produit de convolution :
+∞
S (t ) = ∫ e(τ ) ⋅ h(t − τ ) d τ
0
72 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique
On peut vérifier, en effectuant le changement de variable u = t − τ, que cette intégrale
peut encore s’écrire :
+∞
S (t ) = ∫0 e(t − u) ⋅ h(u) ⋅ d u
e) Approche fréquentielle
Approche phénoménologique
Comme nous l’avons déjà indiqué, on appelle gain complexe H(jω) le rapport des
amplitudes complexes de la sortie sur l’entrée.
Ainsi défini, le gain complexe est un nombre complexe :
• dont le module est égal au rapport des amplitudes de sortie/entrée ;
• dont l’argument est défini par la différence des arguments de sortie et d’entrée
c’est-à-dire par le déphasage de la sortie par rapport à l’entrée. (Attention à
bien déclencher l’oscilloscope).
Par suite, l’application d’un signal sinusoïdal à l’entrée implique l’apparition d’une sortie
sinusoïdale de même fréquence. Le rapport des amplitudes complexes est défini par :
+∞
H ( jω ) = ∫0 e − jω u ⋅ h(u) ⋅ d u
qui représente la transformée de Fourier de la réponse impulsionnelle.
La fonction H(jω), appelé généralement gain complexe en électronique, s’appelle
transmittance isochrone par référence au régime sinusoïdal considéré dans l’analyse
des systèmes linéaires.
La sortie s’écrira donc sous la forme complexe suivante :
S (t ) = e jω t H ( jω ) .exp ( jφ (ω ) ) = H ( jω ) ⋅ e j(ω t +φ (ω ))
Quant à la forme réelle, elle prend la forme : S (t ) = Re [ H ( jω ) ⋅ e j(ω t +φ (ω )) ] et
S (t ) = H ( jω ) ⋅ cos (ω t + φ (ω ) ) = G ( jω ) ⋅ cos (ω t + φ (ω ) )
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 73
b) Équation d’état
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Les intérêts de cette méthode sont multiples. Comme la description par variables
externes, cette méthode est tout à fait générale. Elle est susceptible d’être utilisée
non seulement pour des modèles monovariables mais également pour des modèles
multivariables. Elle peut être utilisée avec des modèles non linéaires ou avec des
modèles variant en temps.
Cette méthode conduit à représenter systématiquement le modèle d’un composant,
d’un circuit par les mêmes schémas généraux.
avec :
a = Fx′(X,Y) = Cte et b = FY′(X,Y) = Cte
L’approche comportementale conduit à des représentations génériques de type circuit
à constantes localisées associant éléments passifs et sources contrôlées.
Le problème de base dans cette approche est la validité de l’approximation linéaire.
Il est clair qu’elle sera d’autant plus justifiée que x/X et y/Y seront très faibles (ordre
de grandeur a priori : 0,1). Dès lors que cette condition n’est plus vérifiée, il y a
tout à craindre que les paramètres a et b ne puissent plus être considérés comme
constants. Par ailleurs, si l’approche comportementale n’implique aucune connais-
sance théorique ou de physique, tout en permettant néanmoins d’être générique, elle
impose une connaissance technique conséquente nécessitant un nombre important
de mesures. Il est indispensable à partir de la définition théorique des différents para-
mètres, de disposer de techniques de mesures fiables des paramètres, de déterminer
et connaître l’influence de la position du point de repos (I, V) sur les paramètres,
l’influence de la température, de la fréquence.
Enfin, même si certains modèles tels que le modèle admittance sont mieux adaptés,
du fait des spécificités de mesure des paramètres, aux fréquences élevées, (il est
plus facile aux fréquences élevées de faire des mesures en court-circuit qu’en circuit
ouvert…) du fait même de sa représentation par des modèles à constantes locali-
sés, les modèles quadripolaires sont inadaptés pour représenter le comportement des
composants SC aux fréquences très élevées où peuvent intervenir des phénomènes
de propagation. Mais il y a toujours des solutions : on peut alors utiliser des para-
mètres Sij appelés paramètres de diffusion.
I1 I2
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V1 Quadripôle V2
I1 I2
Figure 3.9 Modèle par quadripôle : conventions.
b) La matrice impédance
Les variables indépendantes choisies dans ce type de modèle sont les courants d’en-
trée I1 et de sortie I2. On exprimera donc les tensions V1 et V2 en fonction de ces
deux variables.
76 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique
Exemple
∂V ∂V
V1 ( I1 , I 2 ) = V1 (I1 , I 2 ) + ( I1 − I1 ) 1 + (I 2 − I 2 ) 1
∂ I1 I1,I2 ∂ I 2 I1,I2
Soit : v1 = Z11.i1 + Z12. i2
Ce type de modélisation conduit à une relation sortie/entrée définie par l’équation
matricielle suivante : v = Z·i
v1 i1 Z11 Z12
Avec : v= i= Z=
v2 i 2 Z 21 Z 22
Le modèle générique circuit associé est représenté à la figure 3.10.
I1 I2
+ +
V1 Z 12 .I2 Z 21 .I1 V 1 V2
- -
Figure 3.10 Modèle impédance.
Les paramètres impédances sont des paramètres définis en circuit ouvert : à l’entrée
ouverte correspondent Z12 et Z22, à la sortie ouverte correspondent Z11 et Z21 ; les mesures
correspondantes étant réalisées sous excitation sinusoïdale. Il faut remarquer que ces
paramètres sont définis par des rapports d’amplitude complexe tension/courant: ils sont
donc en principe caractérisés par un module et une phase. Ce n’est que dans un domaine
de fréquences relativement basses que l’on pourra négliger les termes de phase.
c) La matrice admittance
Les variables indépendantes choisies dans ce type de modèle sont les tensions d’en-
trée et de sortie. Ce type de modélisation obéit à une relation sortie/entrée définie par
l’équation matricielle suivante :
Y11 Y12
i = Y·v Y=
Y21 Y22
Le modèle générique circuit associé est représenté à la figure 3.11.
I1 I2
V1 1
Y 12.V2 Y 21.V1
1 V2
Y 11 Y22
Les paramètres admittances sont définis avec bornes d’entrée ou de sortie en court-
circuit : à l’entrée en court-circuit correspondent Y12 et Y22, à la sortie en court-circuit
correspondent Y11 et Y21.
Les paramètres admittances sont utilisés essentiellement dans le domaine des
fréquences élevées (F > 100 MHz). La détermination des paramètres yij implique en
effet des mesures sur le composant en court-circuit, mesures qui sont beaucoup plus
faciles à réaliser que des mesures en circuit ouvert comme dans le cas des paramètres
impédances.
+
V1 1 V2
h12.V2 h21.I1
h22
-
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I1 I2 I1 I0
+ RG +
EG V1 Ze V2 R CH RG V1 Zs E0
– –
a b
Nous limiterons notre étude aux composants suivants : les diodes, les transistors
bipolaires et les composants à effet de champ à grille isolée.
Nous avons donc laissé « de côté » de fait des composants importants tels en élec-
tronique du signal les transistors à effet de champ à jonction ou, en électronique de
puissance, les thyristors, les thyristors « bloquables » (GTO, gate turn-off) et les IGBT.
Outre que ces composants peuvent faire l’objet d’analyse spécifique, les trois compo-
sants que nous avons choisis représentent les deux familles technologiques actuelles,
à savoir les composants bipolaires et les composants à effet de champ. À ce titre
ils sont représentatifs des problèmes que nous pourrons rencontrer dans ces deux
familles de composants. En outre, ces composants appartiennent à deux types de
familles de composants aux fonctionnalités différentes : les éléments commandables
(transistor bipolaire et MOSFET) et les éléments non commandables comme les
diodes. Ils permettront donc d’évaluer les possibilités respectives de ces composants
par rapport par exemple, au mode de fonctionnement en commutation.
• Quelle est l’influence de la température, des tensions, des courants sur le compor-
tement du composant et sur la valeur des éléments du modèle circuit représentatif ?
a) Le mode linéaire
I
∆i << I0
Mode linéaire
∆v << V0
∆v
V0 V
I
Commutation P
commandée
Commutation
spontanée
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QC
V
QS
Figure 4.2 Le mode non linéaire.
Les états statiques des interrupteurs sont faciles à caractériser, soit par mesures
expérimentales, soit par une modélisation plus ou moins évoluée. Par contre, le
comportement dynamique des composants entres ces deux états implique un modèle
grand signal généralement non linéaire. Le passage d’un état statique à l’autre est
désigné sous le terme de commutation.
84 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs
c) Influence de la fréquence
Aux fréquences élevées (f >> 10 MHz environ) et quel que soit le type de compo-
sant, il est indispensable de tenir compte dans le modèle équivalent petits signaux
des éléments parasites internes des composants, c’est-à-dire essentiellement de leurs
capacités interélectrodes.
Une capacité est particulièrement importante : il s’agit de la capacité parasite entrée/
sortie CP du composant, correspondant à l’impédance ZR (figure 4.3a), qui intro-
duit un couplage d’autant plus important entre l’entrée et la sortie que la fréquence
augmente. Il est possible d’évaluer l’influence de cette capacité parasite respective-
4.1 Utilisation des composants SC 85
ment sur l’entrée et sur la sortie : c’est le théorème de Miller ou effet Miller lorsqu’on
s’intéresse essentiellement à l’effet sur l’entrée.
ZR
VE ZE GV ZS VS
VE GV VS
a b
Ceci conduit alors à un schéma dans lequel entrée/sortie sont isolées (figure 4.3b).
La capacité parasite entraîne l’apparition :
• au niveau de l’entrée, d’une capacité CE telle que CE = (1 – GV) · Cp ;
GV − 1
• au niveau de la sortie d’une capacité Cs telle que CS = ⋅ CP.
GV
(GV désigne le gain en tension du montage.)
L’influence de cette capacité parasite se traduira donc essentiellement au niveau de
l’entrée : elle constitue la limitation haute fréquence commune de tous les compo-
sants fonctionnant en régime linéaire.
Modèles d’interrupteurs
Dans le domaine de l’électronique analogique, l’un des outils fondamentaux
de modélisation est la méthode des modèles de sources dépendantes analysée au
chapitre 2, § 2.1.5. Dans le domaine de l’électronique de puissance, c’est la notion
d’interrupteur qui est l’outil de base. La tension et le courant d’un interrupteur étant
définis selon la convention récepteur, le modèle lui-même est caractérisé par ses
propriétés fonctionnelles :
• statiques,
• et dynamiques
Comme nous l’avons vu, dans le domaine statique, on utilise la notion de segment
pour définir l’interrupteur, le segment représentant le lieu des points de fonc-
tionnement (I,V) possibles de l’interrupteur durant les états ouverts ou fermés de
l’interrupteur.
Comme l’interrupteur ne peut être qu’ouvert ou fermé, on approxime généralement
en modélisation les caractéristiques de court-circuit ou de circuit ouvert du (ou des)
composants associés avec les demi-axes correspondants (V = 0 ou I = 0), sachant
que, dans la réalité, les caractéristiques en question, spécifiques des composants
utilisés, ne sont évidemment pas confondues avec les axes.
Dans le domaine dynamique, c’est le mode de « passage » entre les deux états
statiques et le cycle de commutation qui sont les éléments essentiels car le mode de
passage entre les états détermine les pertes dans le composant. Se rappeler qu’une
commutation spontanée se fait sans perte, alors qu’une commutation commandée se
caractérise par des pertes importantes.
Selon les cas, ce passage pourra être spontané ou commandé. Rappelons que la
commutation est spontanée si les points de fonctionnement avant et après la commu-
tation sont situés sur deux demi-axes de signes contraires, le point de fonctionnement
se déplaçant en suivant les axes durant la commutation. Elle est commandée si les
points de fonctionnement avant et après la commutation sont situés sur deux demi-
axes de même signe, soit positif, soit négatif. Le cycle de commutation n’est rien
d’autre que la période de fonctionnement de l’interrupteur considéré : on part d’un
état initial, le point de fonctionnement se déplace sur le cycle selon un certain sens,
c’est-à-dire selon un enchaînement spécifique des états ouverts et fermés, avant de
revenir à l’état initial.
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Sachant d’une part qu’il y a que deux états (ouvert, avec V > 0 par exemple, ou
fermé avec I > 0 par exemple) initiaux possibles et que l’objectif est de changer
d’état, d’une façon ou d’une autre, sachant d’autre part qu’il n’y a que deux
modes (spontané ou commandé) de changement d’état possible, l’analyse des
différents cas possibles à partir de l’état initial montre que le cycle de fonction-
nement d’un interrupteur élémentaire appartient nécessairement au tableau de la
figure 4.4.
88 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs
Blocage COMMANDÉ
SPONTANÉ
Amorçage BI-V BI-I
S
P
I I I
O
N
T
A V
N
É V V
I
BI I
C V
O
M V
M
A V
N
D I
É
BI
I
V
Les caractéristiques des « composants » potentiels sont indiquées en gras, alors que
le mode de description du cycle est indiqué en pointillé. La partie « circulaire » du
parcours dynamique de l’interrupteur commandé signifie simplement que l’inter-
rupteur est soumis à des excursions de tension et courant importantes. Ainsi, il est
possible de rencontrer six types d’interrupteur :
• l’interrupteur tout spontané, ou spontané pour faire simple. Son fonctionne-
ment implique deux quadrants de signes contraires (l’interrupteur représenté à
titre d’exemple sur la figure implique les quadrants I et III). Deux interrupteurs
avec des cycles symétriques par rapport à l’origine sont possibles sont possibles.
On passe d’un interrupteur à un autre en permutant les bornes du composant
associé ;
• l’interrupteur tout commandé, ou commandé. Son fonctionnement implique
un seul quadrant avec des demi-axes de même signe. Deux interrupteurs sont
possibles impliquant respectivement les quadrants I ou III ;
• l’interrupteur commandé à l’amorçage, et donc spontané au blocage implicite-
ment, avec ses deux variantes, bidimensionnelles en tension ou en courant ;
4.1 Utilisation des composants SC 89
4.2 LA DIODE
kT N A N D NA ND
VD = ln 2 = VT ln
q ( ni ) ( ni )2
P N
p(x)
direction du
n(x) mouvement des trous
direction du
mouvement des électrons a
pNO
nPO
XP XN
IT = Cste
iP (trous)
iN (électrons)
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iP (trous)
iN (électrons) b
XP XN
V
IS : courant de saturation
n : coefficient d’origine physique qui
I = I S ⋅ e n⋅VT − 1
prend des valeurs comprises entre 1 et 2
selon la gamme de courant.
V
IS
Figure 4.7 Caractéristique I(V) : modèle de Shockley.
• Polarisation directe
Lorsqu’on applique une polarisation en directe à une diode, on peut supposer avec
une bonne approximation, dès que V > 100 mV, que la relation courant–tension est
telle que :
V I
I ≈ I S ⋅ exp et V ≈ VT ⋅ ln
VT IS
Ainsi la tension directe varie de façon logarithmique avec le courant de la diode : par
suite, la tension varie très peu avec le courant d’une diode de signal.
Exercice
On considère une diode de signal telle que ND= 1016 atomes/cm3, NA =
1014 atomes/cm3 et IS = 10−14 A.
Calculer la valeur de la tension de diffusion VD et les valeurs de V correspondant
à I = 1 mA et I = 100 mA à T = 20 °C.
Solution
À T = 20 °C, VT = 25,25 mV, l’application des formules du cours donne
VD = 581 mV.
Pour I = 1 mA, V = 639,5 mV.
Pour I = 100 mA, V = 755,8 mV.
La tension est effectivement peu sensible à la valeur du courant direct.
V0
La résistance statique RS de la diode est définie par : RS = .
I0
V0 et I0 correspondent aux valeurs du point de fonctionnement – le point de repos
– considéré.
La résistance dynamique rD de la diode est définie quant à elle par :
rD = ( )
∂V VT 25,25
∂ I V0 , I 0 soit ( rD )kΩ = I = ( I )
µA
I I I
V V V
V0 VD
Figure 4.8 Les différents niveaux de modélisation
de la caractéristique d’une diode.
• Polarisation inverse
Dès que V < 0 V, on peut supposer avec une bonne approximation que : I ≈ − IS.
Le courant inverse IS appelé courant de saturation double sensiblement chaque fois
que la température augmente de 10 °C.
En termes de schéma équivalent, il est nécessaire de tenir compte de la capacité de
déplétion CDE définie par :
∂Q
CDE =
∂VE
avec VE : tension extérieure appliquée.
De façon générale, la loi de variation CDE(VE) dépend du type de la capacité (abrupte,
graduelle…) selon la loi :
CDE = K (VD + VE )m
VE désignant la tension extérieure appliquée et m étant fonction de la technologie
utilisée (m ≈ − 1/2 à − 1/3).
Cette loi de variation est mise à profit dans les varicaps pour réaliser des capacités
réglables par la tension inverse.
et une accélération de plus en plus grandes. Par suite, ils acquièrent une énergie de
plus en plus élevée qui va leur permettre de créer des paires électrons-trous lors des
chocs avec les atomes du cristal. Ces paires électrons-trous sont à leur tour accé
lérées et vont créer de nouveau d’autres paires par ionisation par chocs : il en résulte
un processus en cascade, caractérisé par un facteur de multiplication M, qui conduit
au courant théoriquement infini… C’est l’avalanche.
rd = ( )
dVz
dI I Constante
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P 25 μm
N 100 μm
Si une telle structure permet de tenir des tensions élevées, elle va nécessairement
entraîner du fait de sa résistivité élevée une chute de tension importante lorsque la
diode sera en directe et par suite des pertes en conduction élevées, d’où nouveau
problème…
La solution de principe la plus logique et la plus « simple » est de réduire alors
la résistivité de cette couche lorsque la diode est polarisée en directe. Pour arriver
à diminuer dans des proportions très importantes cette résistivité, on devra donc
injecter des quantités extrêmement élevées de trous et d’électrons, bien supérieures
au dopage initial de la couche N− ou P− et sensiblement égales (pour respecter
l’hypothèse de quasi-neutralité électrique).
Mais… nouveau problème, ces porteurs en excès devront être totalement éliminés
pour que la diode polarisée en inverse puisse retrouver son pouvoir de coupure et
supporter de nouveau des tensions inverses élevées. Cette disparition des porteurs
en excès ne pourra se faire instantanément : cela prendra « un certain temps » qui
correspond au temps de recouvrement inverse tRR (reverse recovery time). Ce para-
mètre représente l’un des paramètres les plus critiques des diodes HT ou des diodes
de puissance en commutation.
On imagine aisément que les problèmes seront plus complexes qu’avec une diode
signal : la géométrie est plus élaborée, la densité des électrons et des trous est très
supérieure au dopage originel des couches semi-conductrices et il faut éliminer
tous les porteurs en excès avant que la diode ne recouvre totalement son pouvoir de
coupure.
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Diodes Schottky
Au niveau macroscopique, la première propriété des diodes Schottky consiste dans
leur faible chute de tension en directe : alors que les diodes de signal standard en sili-
cium ont une chute de tension directe d’environ 0,65 V, les diodes de signal Schottky
équivalentes ont une tension directe typique dans la gamme de 0,15 V à 0,35 V. Elles
se caractérisent aussi par l’absence de temps de stockage.
Dans le domaine « signal », elles sont utilisées dans diverses variantes de la logique
TTL (« low Schottky », « low power Schottky », « FAST »…) pour réduire les temps
de stockage via l’utilisation de circuits d’anti-saturation type « Baker clamp » (voir
le chapitre 5).
100 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs
Exercice
Le circuit de la figure 4.10a est attaqué par le signal de la figure 4.10b. Analyser
le comportement du circuit en régime permanent. On supposera la capacité
initialement déchargée et la diode idéale. Tracez l’allure du signal de sortie.
4.2 La diode 101
T = 1 ms
E = 10 V
RI C C = 0,1 µF
e(t)
RI = 50 Ω
E P = 1 MΩ
e(t) D
VS
R
t
T/2 T
Figure 4.10
avec une valeur restant sensiblement constante durant chaque intervalle de temps.
s(t)
T/2 T t
–E
Figure 4.11
102 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs
d) Régime dynamique
Comportement en régime harmonique
Lorsqu’on soumet une diode simultanément à une tension continue et un à signal
alternatif de faible amplitude, la diode peut être modélisée par le schéma équiva-
lent de la figure 4.12 qui se caractérise, outre la capacité de déplétion CDE et la
résistance dynamique rD précédemment définies, par une capacité Cdi, capacité de
diffusion.
CDE
Cdi
RS LS
rd
Figure 4.12 Modèle dynamique d’une diode aux fréquences élevées.
En polarisation directe, la capacité de déplétion est généralement négligée devant la
capacité de diffusion. Il ne subsiste que les éléments spécifiques du modèle dyna-
mique en polarisation directe et… des éléments parasites.
Par contre, les éléments du modèle dynamique sont malheureusement non linéaires
car ils varient à la fois avec la polarisation continue et la fréquence.
Ainsi la résistance dynamique et la capacité de diffusion varient avec :
• la fréquence de fonctionnement ;
• la position du point de repos.
En basses fréquences, on peut supposer : Cdi = τD /2rD, où τD désigne la durée de vie
des porteurs minoritaires.
Lorsque la fréquence augmente, la résistance dynamique rD et la capacité Cdi
1
décroissent en …
f
En plus, la capacité Cdi croît proportionnellement avec la tension directe appliquée.
Au final le schéma équivalent pratique d’une diode signal en régime harmonique doit
tenir compte en outre des éléments parasites (une résistance série et une inductance
parasite).
Il est donc essentiel de connaître avec précision les conditions de mesure de la capa-
cité telles que peuvent les donner les fiches techniques.
Diode en commutation
La commutation d’une diode, quel que soit son type, signal ou haute tension,
implique une variation brutale et très importante de la tension appliquée aux
bornes de la diode. D’une façon générique et quel que soit le type de diode,
4.2 La diode 103
RI
+ R
VCC VRR
D +
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Figure 4.13
Les formes idéales des courants et tensions durant la commutation sont représentées
figure 4.14. On peut définir :
• le temps de stockage ou temps de plateau par l’intervalle de temps tP ;
• le temps de recouvrement inverse (reverse recovery time) par l’intervalle de temps
tRR = tP + tF.
104 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs
V
I VD
ID
tP t
t tP
VRR (2)
RR
(1) –VRR
II
a b
I, V
RI ID
VD t2 t
L t1
VCC + VRR t3
+ –VRR
D I RM
a VRM b
5.1.2 Présentation
a) Le composant transistor
Le transistor est un composant semi-conducteur constitué, hormis des cas très par-
ticuliers (fonctionnement en très haute fréquence : utilisation d’AsGa par exemple,
transistors de puissance : utilisation de SiC) de silicium monocristallin. Il comporte
deux jonctions PN situées côte à côte, définissant ainsi deux familles de composants
108 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
possibles : les transistors NPN et les transistors PNP. La région centrale est appelée
base, les deux régions de même nature étant appelées respectivement émetteur et
collecteur. Les symboles utilisés habituellement pour représenter ces deux types de
transistors sont donnés aux figures 5.1a et 5.1b.
C C
P C N C
B N B B B
P
P N
E E E E
a b
Les deux jonctions, émetteur–base (JE) et collecteur–base (JC), différent tant par leurs
caractéristiques géométriques que par leurs caractéristiques physiques (dopage). On
peut donc envisager différents modes de fonctionnement selon les états des deux
jonctions JE et JC.
On appellera fonctionnement en mode normal le fonctionnement défini par les
conditions suivantes : JE passante et JC bloquée. Dans ce mode fonctionnement, qui
correspond au fonctionnement usuel du transistor, le transistor se comporte comme
une source de courant commandé par un courant.
Il existe également un mode de fonctionnement dit mode inversé, défini par les condi-
tions suivantes : JE bloquée et JC passante. Du fait de la dissymétrie des dopages et de
la dissymétrie de la structure d’un transistor bipolaire, les caractéristiques électriques
en mode inversé sont très différentes du mode normal. Ainsi le gain en courant en
mode inversé est 15 fois plus faible (ordre de grandeur) que le gain en mode normal,
et la tension de saturation est l’ordre de 10 fois plus faible (ordre de grandeur) que
la tension de saturation en mode normal. Ce mode de fonctionnement n’est que rare-
ment utilisé, si ce n’est dans les portes logiques TTL (transistor-transistor logic).
b) Courants et tensions
Pour définir le sens des courants circulant dans un transistor, on peut convenir d’uti-
liser le sens conventionnel des courants auquel cas : IE = IB + IC.
On peut convenir également d’orienter les courants vers l’intérieur du transistor
auquel cas les courants satisfont à la relation générale suivante : IE + IB + IC = 0.
Quant aux tensions inter électrodes, elles satisfont à la relation :
(VB – VE) + (VE – VC) + (VC – VB) = 0 soit VBE + VEC + VCB = 0
5.1 Le transistor bipolaire 109
tion importante d’électrons originels qui vont pouvoir arriver au bord de la zone de
charge d’espace de la jonction base collecteur qui elle, en fonctionnement normal,
est polarisée en inverse par une tension continue. Ces électrons sont alors soumis
au champ électrique intense qui les propulse de l’autre côté de la jonction dans le
collecteur (figures 5.2a et 5.2b).
L’effet transistor se caractérise donc par le passage d’un courant important à travers
une jonction qui est pourtant polarisée en inverse…
Lorsqu’on superpose aux tensions continues précédentes des tensions alternatives,
sous réserve que l’état des jonctions ne soit pas modifié, il se produit simplement une
modulation des phénomènes précédents par rapport aux valeurs d’équilibre, mais
cela marche toujours…
110 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
(Z CE )JE (Z CE)JC
Flux
a
électrons
SC N SC P SC N
Flux
électron b
longitudinal
recombinaison
dans émetteur
Il est possible d’associer à ces deux types d’études statique et dynamique deux
groupes de paramètres de signification différente. Pour éviter toute confusion, nous
désignerons respectivement par α et β les gains en courant statiques, respectivement
en montage base commun et émetteur commun. Nous utiliserons la notation hij pour
désigner les paramètres dynamiques hybrides.
En mode inversé, ces valeurs seront totalement différentes et beaucoup plus faibles.
À titre d’exemple, la valeur de βI (pour mode inversé) est environ 20 fois plus faible
que sa valeur en mode normale, la tension VEC (analogue de VCE en mode normal)
présente des effets « d’avalanche » vers 5 V, etc. Le seul intérêt du mode inversé est
sa tension de saturation qui est environ 10 fois plus faible que celle du mode normal.
Les paramètres ICBO et ICEO désignent des « courants de fuite ». Le courant ICBO
désigne le courant de fuite de la jonction collecteur base avec émetteur en l’air (open
emitter). Le courant ICEO est d’une nature différente : il désigne le courant circulant
entre collecteur et émetteur lorsque la base est en l’air (open base).
V
BE
Enfin, la jonction base émetteur est caractérisée par la loi : I B = I S ⋅ e n⋅VT − 1 .
112 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
IC
VCEcroissant VCE2
IB
VCE1
IB VEC
VCES
(VBE) D
VBE
Figure 5.3 Les réseaux de caractéristiques.
Valeurs typiques : (VBE)D = 0,5 V ; VCES ≤ 0,6 V.
• Caractéristiques IB(VBE) à VCE = Cte
Ce réseau de caractéristiques est peu sensible à l’influence de VCE de sorte que l’on
peut considérer pour des transistors petits signaux que le réseau de caractéristiques
d’entrée se ramène à une caractéristique unique.
IC
IE= 0
X = – 1,5V
R
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IB = 0
IB< 0
R
croissant
BVCB0
BVCE0 BVCER BVCEX
(VCE0)SUS
D’un point de vue technologique, toutes choses égales par ailleurs (entre autres
les conditions externes de polarisation de la jonction émetteur JE), les tensions de
claquage seront d’autant plus élevées que la zone collecteur aura une résistivité plus
élevée, c’est-à-dire sera moins dopée. C’est ainsi qu’on introduit une couche supplé-
mentaire peu dopée dans les transistors haute tension.
D’un point de vue technique, différentes tensions de claquage peuvent être définies.
En effet si le mécanisme de claquage (ionisation par chocs) est le même que pour
une diode, les tensions de claquage dépendent de la configuration (montage base
commune, émetteur commun…) et de l’environnement du transistor (résistance et
tensions externes).
Par ailleurs, même si l’on utilise le terme de tension de claquage le fonctionnement
d’un transistor signal dans cette zone n’est pas nécessairement destructif. Il peut
même s’avérer particulièrement intéressant avec un transistor signal, si l’on maîtrise
bien les conditions de fonctionnement, car il conduit à des temps de commutation
particulièrement rapides. Par contre, avec un transistor de puissance et par rapport
aux tensons de claquage, on ne « s’aventure pas » dans la zone de tension comprise
entre (VCE)SUS et BVCBO (cf. ci-dessous) à moins d’être sûr que la tension base émet-
teur soit bloquée. De plus, il faut tenir compte de problèmes électrothermiques
spécifiques aux transistors bipolaires qui conduisent à limiter le déplacement du
point de fonctionnement durant la commutation à l’intérieur d’aires de sécurité (Safe
Operating Area : SOA).
La tension de claquage de la jonction collecteur base, l’émetteur étant en l’air, est
désignée par le symbole BVCB0. C’est la plus haute tension que peut théoriquement
supporter un transistor. ( ordre de grandeur : de 100 V à 1 000 V ou plus).
Dans le cas d’un transistor dont la jonction base émetteur est soumise à l’action
d’un circuit extérieur (tension inverse + résistance), quatre éléments qualitatifs sont
à connaître :
• La tension supportée par le collecteur sera d’autant plus élevée que la jonction
base émetteur sera d’autant mieux bloquée.
• Pour améliorer la tenue aux tensions élevées du collecteur, il est nécessaire d’uti-
liser une tension de polarisation base négative avec une résistance aussi faible que
possible pour éviter que le courant de fuite ne vienne créer une chute de tension
directe modifiant de façon conséquente la polarisation inverse.
• Les différentes caractéristiques IC (VCE) de claquage présentent une zone à résis-
tance différentielle négative.
• À forts courants, la valeur de la tension des différentes caractéristiques tend vers
la même valeur asymptotique appelée tension de maintien (sustaining voltage)
(VCE)SUS.
La figure 5.4 représente l’évolution de ces différentes tensions de claquage en
fonction des conditions de polarisation base. Les fiches techniques précisent géné-
ralement l’évolution de la tension de claquage en fonction de la résistance émetteur
base et, éventuellement, de la tension inverse appliquée. En ce qui concerne la valeur
des sources de polarisation inverse, elle se situe généralement dans la gamme 1,5 V
à 3,5 V.
5.1 Le transistor bipolaire 115
V
VCE << CC
2
En dynamique, l’élément déterminant est l’optimisation de la position du point de
repos en vue d’obtenir des variations maximales et symétriques du signal.
En régime sinusoïdal, l’obtention d’excursions symétriques du signal de sortie
conduit à choisir un point de repos au milieu de la droite de charge dynamique.
Pour déterminer les valeurs de polarisation, on fait appel habituellement à une
méthode graphique. On représente respectivement la droite de charge dans le plan
de sortie IC(VCE) et la droite d’attaque dans le plan d’entrée IB(VBE). L’intersection
de ces droites avec les réseaux correspondant définit les points de repos. Le choix du
116 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
point de repos dans le plan IC(VCE), est défini à partir des considérations précédentes.
La valeur des résistances dépend de la méthode de polarisation utilisée.
RC
R2
R1
RE VEM ≈ 2 à 4V
une chute de tension βREIB dans la base, tout se passe comme si on avait introduit
une résistance de valeur βRE dans le plan d’attaque. Cette technique correspond à
une contre-réaction de courant en continu avec entrée série. (cf. chapitre 7)
RB RC
B C
IB rd
+ IC = IB +V
+
– VBB –
CC
–Vd
E
IE RE
En basse fréquence
Le comportement de chaque montage (émetteur commun, base commun et col-
lecteur commun) peut faire l’objet d’une modélisation par l’une quelconque des
représentations quadripôlaires : paramètres impédances, admittances, hybrides.
Dans le domaine BF (f < 1 MHz typiquement), c’est le modèle hybride du montage
émetteur commun qui est généralement utilisé. Cela conduit à représenter le
120 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
comportement d’un transistor par les paramètres hij en montage émetteur commun
conformément aux relations suivantes :
vBE = h11E·iB + h12E·vCE
iC = h21E·iB + h22E·vCE
Le paramètre h12 est un paramètre de « réaction » de la sortie sur l’entrée (effet
d’Early en alternatif). En général, et sauf cas particulier, on le suppose nul. Ensuite
selon le degré de précision recherché ou le domaine d’application, on tient compte
ou non du paramètre h22.
Les fiches techniques donnent systématiquement la valeur du gain en courant h21 et
il est possible de trouver d’autres paramètres (h11 par exemple) voire dans certaines
fiches techniques l’ensemble des paramètres hij.
Il ne faut pas oublier que pour une même référence les paramètres dynamiques
peuvent varier de 50 % voire plus, qu’ils dépendent de la valeur du courant de repos,
de tension continue de repos VCE, température, etc. Les valeurs typiques de ces para-
mètres sont données ci-dessous à titre d’exemple pour un transistor bien connu : le
« 2N 2219A ». Ces paramètres ont été déterminés pour une fréquence test égale à
1 kHz avec VCE = 10 V et IC = 10 A.
h11E = 1,25 kΩ h12E = 4·10−4
h21E = 75 h22E = 25·10−6 S
Les trois types de montages Émetteur Commun (EC), Collecteur Commun (CC) et
Base Commune (BC) se caractérisent par les propriétés génériques suivantes :
• montage EC. Utilisation générale : montage inverseur avec gains en tension et en
courant élevés, impédances d’entrée de valeur moyenne (1 kΩ), impédance de
sortie de valeur relativement élevée (50 kΩ) ;
• montage CC. Utilisation en étage de sortie ou à impédance d’entrée élevée :
montage non inverseur avec gain en tension unité, gain en courant élevé, impé-
dance d’entrée de valeur élevée (150 kΩ mais attention à l’influence du pont de
polarisation), impédance de sortie de faible valeur (50 Ω) ;
• montage BC. Utilisation haute fréquence : montage non inverseur avec gain en
tension élevé, gain en courant unité, impédance d’entrée de faible valeur (20 Ω),
impédance de sortie de valeur élevée (1 MΩ).
+ VCC + VCC
R2
CL1 CL1
CL2 CL2
RI RI
RE R1 RE
vS vS
e(t) e(t)
Figure 5.7 Figure 5.8
+ VCC
R2
r
CL1
CL2
RI
CB RC vS
R1 RE
e(t)
Figure 5.9
122 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
Solution
1. Le schéma équivalent est donné à la figure 5.10. Les lois de Kirchoff permettent
d’écrire :
ve = h11ib + (h21 + 1)ibRe
vs = (h21 + 1)ibRe
Par suite, la résistance d’entrée RE est telle que :
RE = ve/ib = h11 + (h21 + 1)Re
RE ≈ 475 kΩ
iB
RI h11 h 21.iB
e(t) RE vS
Figure 5.10
1 v
Application numérique : ≈ 0,5 ⋅ 10 −3 et e ≈ 11 MΩ .
ε iR
Compte tenu de la valeur élevée de cette résistance on peut supposer que
i = ir + ib ≈ ib. Ainsi les relations écrites à la question 1 restent valables et le gain
en tension du circuit est effectivement très peu sensible à l’influence de r.
Si la valeur de ε tend vers zéro, la valeur (1/ε) tend vers l’infini. Par suite la
résistance équivalente en parallèle sur la résistance d’entrée tend également vers
l’infini. D’un point de vue dynamique, cette résistance peut alors être débranchée
du schéma équivalent.
Dans la résistance r circule uniquement le courant continu de polarisation de
base.
Il revient au même de dire que ε tend vers zéro ou que GV tend vers + 1. Cela
signifie simplement que l’on renvoie, par l’intermédiaire du montage collecteur
commun, sur l’extrémité de la résistance r la valeur de la tension qui existe à
l’autre extrémité de la même résistance.
4. Compte tenu de l’ordre de grandeur habituel des différentes impédances, nous
pouvons donc retenir comme formule pratique : R ≈ h21·RE et R ≈ 475 kΩ.
5. La résistance de charge Rc apparaît en parallèle sur la résistance RE. Si cette
résistance est inférieure à RE, elle peut réduire de façon importante la valeur de la
résistance d’entrée. Dans ce cas, la solution la plus simple consiste à augmenter
la valeur du gain en courant du transistor : ceci peut être réalisé en utilisant un
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de ce modèle peuvent être reliés non seulement aux paramètres physiques du compo-
sant, mais aussi aux paramètres comportementaux : les « hijE ».
Cette représentation tient compte enfin de la technologie particulière des transis-
tors bipolaires via l’introduction d’une résistance dite d’accès à la base rBB’ (base
spreading resistance, résistance de la zone située entre le contact de base et la région
active de base située sous l’émetteur, ordre de grandeur : 25 Ω à 100 Ω).
CB’C
rBB’ C
B B’
rB’E rB’C
VB’E rCE
gm.V’B’E
CB’E
E
E
Figure 5.11 Schéma équivalent en P ou naturel.
rBB’
B C
CB’E CB’C
rB’E
gm .V’B’E
E E
Aux fréquences encore plus élevées, d’autres approches sont encore possibles
comme l’utilisation des paramètres Yij voire l’utilisation de paramètres particuliers
type Sij qui sont spécifiques des effets de propagation.
• Variation du gain en fonction de la fréquence
Pour calculer la loi de variation du gain aux fréquences élevées, nous pouvons utili-
ser le schéma équivalent de la figure 5.12 puisque le paramètre h21(jω) est déterminé
avec V2 = 0 V.
Lorsque la sortie est en court-circuit, la capacité de réaction CB’C est simplement
ramenée à l’entrée. Le gain en courant h21E prend alors la forme suivante :
I gm
h21e ( jω ) = − S =
IB gB′ E + jω (CB'E + CB′ C )
Toutes simplifications faites, cette formule conduit à l’expression suivante :
h (0) 1
h21e ( jω ) = − 21e avec : ω β =
ω rB′ E (CB′ E + CB′ C )
1+ j
ωβ
La variation fréquentielle du gain dynamique obéit donc à une loi du 1er ordre, la
fréquence de coupure étant définie par fβ = 2πωβ.
La plupart du temps, la valeur de fβ n’est pas directement mesurée : on mesure le gain
dans une zone de fréquence de transition correspondant à une fréquence supérieure
à fβ mais inférieure à la fréquence, dite fréquence unité, pour laquelle le gain est égal
à 1. Dans cette zone de transition, le gain est tel que :
h21e(jω)·f = fβ·h21(0 ) = fT
La valeur de la fréquence de transition fT est le seul paramètre petits signaux carac-
téristique de la fréquence qui soit systématiquement fourni dans les fiches techniques.
Les valeurs de fT s’étendent, suivant le type de transistor de quelques dizaines de
MHz à quelques dizaines de GHz.
La variation du gain dynamique en courant dans le montage base commune est
donnée elle aussi par une loi analogue :
h (0)
h21b ( jω ) = 21b
ω
1+ j
ωα
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Par ailleurs la tension inverse doit être telle que : VBE > BVEB0 avec BVEB0 tension
base émetteur de claquage (valeur typique : − 7 V).
En régime de blocage et pour des transistors petits signaux, la valeur de la résistance
série de base en régime de blocage est « relativement peu critique ». C’est la condi-
tion statique de saturation du transistor qui est utilisée pour la calculer.
Il est possible de considérer trois types de saturation d’un transistor : la saturation
directe (la jonction JE est plus passante que la jonction JC), la saturation inverse (la
jonction JC est plus passante que la jonction JE) et la saturation symétrique (les deux
jonctions sont également passantes).
Pour assurer la saturation directe du transistor il faut injecter dans la base un courant
de base If tel que : If > IBES = ICES/β.
ICES désigne le courant collecteur à saturation (calculé avec VCES ≈ 0,2 V pour des
transistors petits signaux), IBES le courant de base minimal en limite de saturation et
β le gain en courant statique du transistor pour la valeur particulière ICES du courant
collecteur.
Pour assurer la saturation quelle que soit la dispersion des gains en courant statique
(les variations de température…), on injecte un courant base If tel que : If = (FS)IBES.
Le terme FS désigne le facteur de saturation ; la valeur de ce paramètre est comprise
entre 1,5 et 3.
Dans ces conditions, le transistor travaille avec un gain forcé réel défini par :
βF ≈ ICES/If
En fait, pour saturer un transistor on injecte donc beaucoup plus de courant dans la
base qu’il n’en faut dans le régime linéaire.
Régime dynamique
Supposons le transistor initialement bloqué, ses courants base et collecteur sont nuls
et l’extension des zones de déplétion est maximale.
De façon générique le temps de fermeture peut être décomposé en deux intervalles
(figure 5.13).
VBE IC
VE
VBES
t t
t
td td tr
Le transistor restera dans l’état bloqué initial tant que la diode base émetteur reste
bloquée soit tant que : VBE < (VBE)D = 0,5 V. Lorsque la diode base émetteur devient
passante, le transistor rentre dans la zone de fonctionnement normal. Cet intervalle
de temps (td) définit le temps de retard (delay time).
Le temps de montée (rise time : tr) est défini comme l’intervalle de temps compris
entre l’instant où la diode base émetteur commence à devenir passante et l’instant où
le transistor commence à devenir saturé : il correspond donc au fonctionnement en
mode normal du transistor.
Supposons maintenant le transistor initialement saturé, ses courants base et collec-
teur, sont constants, respectant les inégalités précédemment définies dans le régime
statique.
La transition vers l’état bloqué est initiée par l’inversion du courant de base : les
porteurs en excès dans la base commencent à être éliminés par recombinaison et par
le courant de commande base.
Le temps d’ouverture peut être décomposé en trois intervalles (figure 5.14).
IB IC
VE
t t
t
ts tf ts tf
Durant l’intervalle (ts) que nous appellerons temps de stockage (storage time) le
courant collecteur reste constant, la tension VCE aux bornes du transistor ne variant
pratiquement pas alors que des porteurs en excès dans la base sont éliminés. Cet
intervalle se termine lorsque la jonction JC quitte l’état passant et que le transistor
rentre dans son mode de fonctionnement normal.
Durant l’intervalle (tf : fall time), se poursuit l’élimination des charges en excès dans
la base. Mais le transistor fonctionne maintenant en régime normal ou linéaire et le
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courant IC décroît. Cet intervalle de temps caractérise le temps de descente (fall time)
du courant.
Enfin, durant l’intervalle (t > tf), le courant inverse de base continue à enlever
des porteurs des zones de charge d’espace du transistor. De ce fait, la dimension
des zones de charges d’espace se rapproche progressivement de leurs dimensions
statiques. L’état ouvert final est obtenu lorsque les valeurs des régions de transition
ont retrouvé leurs valeurs statiques correspondant à l’état ouvert du transistor, le
courant inverse de base devient alors nul.
L’optimisation de la commande du courant base dépend du type d’application. Pour
les transistors bipolaires de signal, on utilise généralement une forme se rapprochant
de la figure 5.15.
128 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
IB
CB D2
RI
VE RB T
D1
Par contre, il n’optimise pas les pertes dissipées par le transistor à l’ouverture. En
effet, si on bloque immédiatement la jonction base émetteur par ce courant élevé,
la jonction collecteur base devra « se débrouiller » toute seule (par recombinai-
son) pour éliminer les charges en excès et cela peut prendre du temps et les pertes
(produit VCE(t).IC(t)) peuvent être importantes… Avec les transistors signal, ce
n’est pas problématique. Il n’en est pas de même avec les transistors de puissance.
Dans ce cas on utilise initialement un courant inverse « modeste » et on « attend »
que le transistor commence à se désaturer en « surveillant » sa tension collecteur-
émetteur (le transistor travaille ainsi toujours à pertes faibles). À cet instant, on
injecte un courant inverse de base suffisamment important pour bloquer la jonc-
tion base-émetteur.
5.2 Transistors à effet de champ 129
On désigne de façon générique sous le nom de composant à effet de champ des com-
posants qui répondent aux trois propriétés suivantes :
• le courant correspond au déplacement de porteurs de charges d’un seul type de
charge : électrons ou trous ;
• les porteurs se déplacent dans un canal semi-conducteur sous l’effet d’un champ
électrique de transport ;
• le contrôle de la résistance du canal est assuré par un champ électrique intense
perpendiculaire au sens de circulation du courant.
Les composants à effet de champ utilisent donc deux champs électriques perpen-
diculaires : un champ de contrôle et un champ de transport, beaucoup plus faible.
C’est le champ de contrôle qui est à l’origine du terme générique effet de champ.
130 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
Zone P E
Source
E
Drain N Canal N N
(–) Canal N (+)
E Substrat P
Zone P
a b
zone isolante déplétée zone isolante SiO2
a) De la capacité MOS
Modes de fonctionnement d’une structure MIS (métal-isolant-SC)
On considère une structure élémentaire, composé d’un substrat SC et d’une mince
couche isolante (l’oxyde de silicium SiO2) et d’une électrode de grille métallique
correspondant au schéma de la figure 5.19. Nous supposerons que l’isolant ne
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présente aucune perte et que le substrat est un SC de type P. Dans de telles condi-
tions, il ne peut exister aucun courant circulant dans cette structure.
Lorsqu’on applique une tension continue négative sur la grille de cette structure, la
tension correspondante se répartit entre l’isolant et pour une très faible partie sur la
zone superficielle de la zone P (la zone P n’est pas parfaitement conductrice). Il y a
donc création dans l’isolant et en limite de la couche SC d’un champ électrique élevé
compte tenu des ordres de grandeur de l’épaisseur de la couche isolante.
Ce champ a pour conséquence d’attirer les trous du substrat semi-conducteur au
voisinage de l’interface : la densité des trous au voisinage de cette interface devient
donc supérieure à la concentration d’équilibre dans le volume du matériau. Ce mode
correspond au mode de fonctionnement en accumulation.
132 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
+++++++++++ - - - - - - - - - - - - Canal
- - - - - -
- - - - - - zD - - - - - -
- - - - - -
- - - - - -
zmax
C OX
Figure 5.20 Capacité d’entrée.
C SSC
• Mode accumulation
La capacité Cssc correspond à la modulation de la zone d’accumulation lorsque la
tension varie. La valeur de cette dernière, qui croit exponentiellement avec VGS est
telle que : Cssc >> COX, toute la tension grille se retrouvant appliquée aux bornes de
la couche d’oxyde isolante. Par suite, CE ≈ COX.
• Mode déplétion
La capacité Cssc est la capacité correspondant à la zone déplétée de la structure MIS :
cette capacité est analogue à celle d’une jonction PN. La capacité totale de la struc-
ture s’écrit donc :
1 1 1 1
= +
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CE COX C D COX
• Mode d’inversion
On se retrouve dans une situation analogue au mode de fonctionnement en accumu-
lation, la zone déplétée étant écrantée par la couche conductrice d’inversion. Nous
avons donc de nouveau : CE ≈ COX.
Mais il est nécessaire de tenir compte de la fréquence de variation de la tension grille.
En effet, si le mécanisme de déplétion d’une couche peut être considéré comme
instantané, il n’en est pas de même du mécanisme d’inversion qui repose sur la
création thermique de paires électrons trous. Ce mécanisme possède une constante
de temps qui est beaucoup plus grande que le mécanisme électrique de création de
la couche de déplétion. Si la fréquence du signal grille devient trop élevée (ordre de
134 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
VDS
VGS
ID
G
S D
N N
SiO2
P
Pour assurer le blocage des deux jonctions PN associées aux contacts source et drain,
le substrat (substrate, body ou bulk) est relié en général au potentiel source, supposé
fixe, ou à une tension négative fixe.
Pour interpréter ces ordres de grandeur, il faut se rappeler que, dans le silicium cris-
tallin, la distance entre deux atomes les plus proches est de 0,235 nm. Des problèmes
nouveaux sont devenus importants comme le courant de fuite dans les oxydes de
grille minces : on a alors changé la nature de l’oxyde, passant du dioxyde de silicium
aux matériaux à permittivité élevée. On arrive cependant à des limites technolo-
giques et physiques. De plus, la puissance dissipée croît avec la densité d’intégration
et avec la fréquence de fonctionnement.
En outre, même si, en laboratoire, on peut réaliser des choses étonnantes, le transfert
industriel est très complexe. Jusqu’où peut-on contrôler avec suffisamment de préci-
sion et de reproductibilité les étapes de fabrication de composants silicium fabriqués
en grande série ? À cela, il faut ajouter le facteur économique : les coûts de produc-
tion deviennent de plus en plus grands tandis que les dimensions se réduisent.
Alors quel est l’avenir des MOS et de la nanoélectronique ?
G G G G
Nous limiterons par la suite notre analyse à l’étude des composants canal N à
enrichissement.
e) Régime statique
Le réseau de caractéristique de sortie : ID(VDS) à VGS = Cte.
• Influence de VGS
Lorsque VGS = 0 V, le MOS est initialement bloqué.
Le canal étant préalablement formé par inversion du substrat (VGS > VT), on polarise
le drain à une faible valeur (quelques dixièmes de volts).
Lorsqu’on augmente la tension VGS, on diminue la valeur de la résistance RC du canal.
136 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
• Influence de VDS
Lorsque la tension drain source est faible, le MOS se comporte comme nous l’avons
vu comme une résistance variable dont la valeur est commandée par la tension VGS
1 .VDS .
selon la relation : I DS =
RC (VGS )
Lorsque la valeur de la tension drain source est suffisamment faible, le potentiel le
long du canal garde sensiblement la même valeur (canal équipotentiel). Par suite, il
n’y a aucune modification de la forme et des caractéristiques géométriques du canal.
Lorsque la tension d’alimentation drain augmente, arrive un moment où il n’est plus
possible de considérer le potentiel le long du canal comme constant. Par suite, les
conditions de fonctionnement de la structure MIS varient localement tout le long du
canal. On peut supposer que le potentiel varie de façon linéaire le long du canal. Côté
source, la couche superficielle reste toujours inversée alors que côté drain, compte
tenu de la tension positive élevée appliquée au drain qui existe maintenant, elle est
beaucoup moins inversée. Le long du canal existent des situations intermédiaires.
La forme géométrique du canal va donc se déformer conformément à la figure 5.23a.
• Aux fortes valeurs de VDS : pincement du canal
Lorsque V DS continue d’augmenter, la tension appliquée à la structure
métal/isolant/semi-conducteur au niveau du drain continue de diminuer.
Lorsque cette tension est telle que : VDS = VGS – VT, alors : VGS – VDS = VT.
Le canal se trouve en limite d’inversion au niveau du drain. Une telle configuration
définit le pincement du canal (pinch off) (figure 5.23b).
VGG
VGG métal
métal
couche couche
oxyde oxyde
S D S D
(N) (N) (N) (N)
couche inversée couche inversée
SC : Substrat P SC : Substrat P
VDS << VGS a b
VDS = VGS – VP
Figure 5.23 a) Régime ohmique ou linéaire : VDS << VGS
b) Limite de pincement VDS = VGS – VP
Lorsque la tension VDS atteint cette tension de saturation VDSS (notation non norma-
lisée) définie par VDSS = VGS – VT, le courant reste alors sensiblement constant quelle
que soit la valeur de la tension drain source VDS.
Pour des tensions supérieures à la tension VDSS, le canal conducteur est interrompu
entre drain source, la région proche du drain passant alors en régime de déplétion
(figure 5.24). La conséquence est que la longueur effective du canal diminue tandis
que le courant drain augmente faiblement : cela « ressemble » d’un point de vue
5.2 Transistors à effet de champ 137
VGG
métal
couche
oxyde
S D
(N) (N)
couche inversée région
déplétée
SC : Substrat P
VDS << VGS
Encore après on atteint la gamme des tensions de claquage. Toutes choses égales par
ailleurs, les tensions de claquage des transistors MOS sont inférieures aux tensions
de claquage des transistors bipolaires. Par contre les courbes IDS (VDS) ne présentent
pas de zone à résistance différentielle négative et les problèmes électrothermiques
sont inexistants.
I DS
zone VGS = 5 V
ohmique
VGS = 4,5 V
VGS > Vt
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VGS = 4 V
VGS = 3,5 V
VGS = Vt
VD S
La limite entre ces deux zones correspond au pincement (pinch off) du canal. Le lieu
des points de pincement du canal est défini par la relation : VDS – VGS = VP.
138 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
f) Relations fondamentales
Les relations simplifiées données ci-dessous découlent de simplifications de modéli-
sations physiques plus ou moins évoluées. On se doute que, compte tenu des ordres
de grandeurs précédemment mentionnés, les relations en question sont complexes.
Une modélisation physique traditionnelle conduit à une expression du courant drain
source qui s’exprime en fonction :
• de données géométriques : la longueur L du canal et sa largeur W ;
• de données physiques : la mobilité μ (compte tenu des dimensions, il y a en plus
des différences importantes suivant la direction du champ électrique, transversal
ou longitudinal, que l’on considère) ;
• de la quantité de charge totale Qt stockée dans le canal. Cette quantité de charge
dépend quant à elle des tensions VDS et VGS et bien évidemment de la tension de la
tension de seuil du MOS VT (threshold voltage).
La valeur de la tension de seuil d’un MOS à enrichissement canal N est généralement
comprise entre 1 V à 7 V.
Deux familles de relations peuvent être utilisées pour le réseau de sortie IDS = f(VDS)
à VGS = Cte.
RD
R2 R2 RD RD
R1 R1 RG
RS RS
a b c
Le régime dynamique
Modèle basses fréquences
Le modèle circuit équivalent en basse fréquence du montage source commune est
donné à la figure 5.27a : il correspond, dans sa version la plus simple, à une source de
courant contrôlée par une tension.
ID IG ID
G D G D
CGD
VGS a VGS b
gm.VGS CGS
gm.VGS
S S S S
Mais il faut tenir compte de l’effet de substrat sur le modèle dynamique petits signaux
(cf. § « Effet de substrat » dans le § 5.2.3f).
Comme nous l’avons vu, en régime de saturation, un transistor NMOS peut être
défini par les équations suivantes :
β
I DSS = ⋅ (VGS − VT )2 (1 + λVDSS )
2
VT = VT0 + ϒ[(VSB + VI)1/2 – (VI)1/2]
Les paramètres λ, ϒ et VI sont positifs tant pour les transistors canal N que canal P.
Si la tension source-substrat présente une composante alternative, il y a création
d’une composante alternative de la tension de seuil : celle-ci va donc entraîner une
composante alternative du courant drain.
142 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors
Les différents potentiels étant référencés par rapport à la source, le courant IDS peut
s’écrire de façon générale sous la forme suivante :
IDS = IDS (VGS, VBS, VDS)
Par suite, la différentielle totale est telle que :
∂I ∂I ∂I
dI DS = DS dVGS + DS dVBS + DS dVDS
∂VGS ∂VBS ∂VDS
∂ I ∂ I ∂ I ∂I
dI DS = DS dVGS +DS DS
En définissant la transconductance par gdmb
VBS, et+ DS dpar
V la résistance
∂VGS ∂VBS ∂VBS ∂VDS DS
parallèle r, nous obtenons pour modèle de MOS :
dV
I DS = gm dVGS + gmb dVBS + DS
r
En utilisant les notations habituelles :
dIDS ≡ iDS dVGS ≡ vGS dVBS ≡ vBS dVDS ≡ vDS
on écrit :
vDS
iDS = gm vGS + gmb vBS +
r
Dans une version plus évoluée par rapport au schéma de base du modèle équivalent dyna-
mique petits signaux (figure 5.27a), on peut tout d’abord introduire la résistance parallèle r.
Enfin, l’effet de substrat se traduit par l’apparition d’une transconductance de réac-
tion supplémentaire par rapport au schéma précédent. Cette transconductance est
définie au voisinage du point de repos P du MOS par la relation :
∂I
gmb = DS
∂VBS P
Si l’on suppose, pour simplifier, λ = 0, il est possible de déterminer une relation
simple entre gm et gmb.
En effet :
∂I
gmb = − DS
∂VSB P
En exprimant gmb en fonction de VT, nous pouvons écrire :
∂ I ∂V
gmb = − DS T
∂VT ∂VSB
Il est possible de déterminer les deux dérivées partielles à l’aide des relations précé-
dentes. Nous obtenons ainsi :
∂ I DS
= − β (VGS − VT ) ≡ − gm
∂VT
∂VT ϒ 1
∂V = 2 ⋅ V + V ≡ η
SB SB 1
Ces différents paramètres sont donc reliés ensemble par la relation suivante :
gmb = h ·gm
D’un point de vue ordre de grandeur, si l’on suppose, comme nous l’avons indiqué
précédemment, ϒ = 0,5 V1/2, VI = 0,5 V, et en supposant en outre pour simplifier
VSB = 0, la valeur de h est telle que :
h ≈ 0,35
Par suite, les valeurs de h seront toujours telles que :
0 ≤ h ≤ 0,35
gmb ≤ 0,35gm
Ne pas oublier que la transconductance dépend des conditions de polarisation (ID et
VGS en particulier).
Pour information, il ne faut pas oublier que les différentes capacités des MOS
varient de façon non linéaire avec le mode fonctionnement du MOS et les tensions
appliquées.
des MOS (et elles sont nombreuses…). Sans rentrer dans le détail de ces modèles,
on rencontrera nécessairement :
• des résistances parasites d’accès au drain et à la source ;
• des capacités parasites supplémentaires entre ces bornes d’accès ;
• des capacités parasites spécifiques liées à la technologie de fabrication (effets de
recouvrement des couches…).
utilisés comme circuits de liaison entre deux étages quelconques que l’on souhaite
isoler d’un point de vue continu. Les circuits CR et RL sont quelque fois utilisés,
dans la réalisation d’impulsion de faibles durées. Ils interviennent souvent dans la
modélisation de phénomènes parasites tels, par exemple, la diaphonie (exemple :
couplage capacitif parasite entre pistes sur circuit imprimé).
b) Propriétés caractéristiques
Les circuits CR (figure 6.1a) ou RC ainsi que les circuits LR (figure 6.1b) ou LR
sont définis par une équation différentielle du premier ordre. Les propriétés élec-
triques des circuits du premier ordre dépendent du type d’élément réactif utilisé (L
ou C) et de l’emplacement de ce dernier dans le circuit considéré.
En régime harmonique, du point de vue du comportement, ils constituent des filtres
qui peuvent être, selon la position des composants soit de type passe-bas, soit de type
passe-haut.
C
L
VE R
VS
VE R
VS
Ce gain complexe peut être étudié de façon traditionnelle avec la technique des
diagrammes de Bode.
• Cas 1 : ω << ω0
ω ω
1+ j ≈ 1 et G ( jω ) ≈ j
ω0 ω0
ω
G ( jω ) ≈ et φ ≈ π/2
ω0
Si on représente G ( jω ) dB = 20 log G ( jω ) en fonction de la variable log w, cette
partie de courbe se caractérise par une pente de + 6 dB/octave (le gain est multiplié
148 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets
Conclusion
Aux fréquences basses, le circuit CR se comporte comme un différentiateur de la
tension d’entrée, alors qu’aux fréquences élevées, le circuit se comporte comme
un transmetteur, c’est-à-dire comme une simple liaison filaire.
Conclusion
En régime stationnaire la valeur de la tension de sortie est caractérisée par
< VS (t ) > = 0
VS
+E
VE
τ << θ
T a –E b
τ~θ τ >> θ
+E +E
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c d
Conclusion
Lorsque τ << θ, le circuit se comporte en différentiateur.
Lorsque τ >> θ, le circuit se comporte en transmetteur.
6.1.2 Circuit LC
a) Utilisation
Les composants réactifs L, C peuvent être associés de différentes manières.
Associés sous forme de diviseur potentiométrique, ils constituent des filtres du
second ordre de type passe-bas ou passe-haut équivalents des filtres du premier ordre
précédemment étudiés.
Associés sous forme série ou parallèle, ils constituent des circuits oscillants, ou
résonants, parfaits. En réalité, ces circuits sont toujours plus ou moins amortis, invo-
lontairement par les résistances des inductances, ou volontairement selon le type
d’application.
En électronique du signal, du fait des problèmes technologiques de réalisation, les
circuits L, C sont le plus souvent utilisés en HF : circuits accordés, circuits oscillants
plus ou moins amortis, réalisation de charges en HF ou VHF, amplificateurs sélectifs,
circuits adaptateurs d’impédance… Ces circuits LC peuvent être également quel-
quefois utilisés dans des gammes de fréquences intermédiaires dans la réalisation de
certains oscillateurs.
En électrotechnique, les circuits résonants série sont, par exemple, utilisés pour
dériver les harmoniques polluant les réseaux d’alimentation.
En électronique de puissance, ils constituent du fait de l’absence d’éléments dissi-
patifs, les éléments de base de la synthèse des convertisseurs de puissance. Ils peuvent
être utilisés comme filtres passe-bas ou en tant que circuit résonant. Ainsi, dans les
hacheurs, par exemple, ils assurent une fonction de filtre passe bas du second ordre
et permettent d’obtenir une tension de sortie sensiblement continue à partir d’une
tension d’entrée périodique en créneau. Dans les onduleurs, ils peuvent être utilisés
comme filtres d’entrée et de sortie des onduleurs de tension. Dans d’autres types
d’onduleurs (onduleurs à résonance) c’est un circuit résonant série R, L, C qui est
utilisé pour jouer le rôle de charge et ce sont les propriétés du circuit oscillant qui
conditionne la régulation mise en œuvre.
Ne pas oublier que si les propriétés des circuits sont identiques, les réalisations
technologiques sont totalement différentes.
6.1 Circuits à composants passifs 151
L
C
Figure 6.4 Le filtre LC. VE VS
1
En posant ω 0 = , il vient :
LC
1
G ( jω ) = 2
ω
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1−
ω 0
• 1er cas : ω << ω0 et G(jω) ≈ 1, alors G ( jω ) ≈ 1 et φ ≈ 0.
−2 −2
ω ω
• 2e cas : ω >> ω0 et G ( jω ) = − alors G ( jω ) ≈ et φ ≈ − π.
ω 0 ω 0
Exercice d’application
Tracez les diagrammes asymptotiques et les diagrammes réels correspondant
au filtre LC.
152 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets
Propriétés caractéristiques
La qualité d’une source de tension peut être évaluée par trois propriétés :
• la valeur de la résistance interne ;
• la sensibilité aux fluctuations de la tension d’alimentation ;
• la sensibilité à la température.
Les applications de type signal sont peu sensibles au paramètre température ; ce n’est
pas le cas ni pour les applications de puissance à base de composants discrets ni pour
les composants intégrés.
Structure
Le principe traditionnel des références de tension est basé sur l’utilisation d’une
tension de référence : celle-ci peut être délivrée par une diode régulatrice de tension
(appellation usuelle diode « Zener ») la solution alternative classique étant la chute
de tension directe VD, typiquement égale à 0,65 V d’une jonction.
Dans un cas comme dans l’autre, il est souvent nécessaire de compenser la varia-
tion en température de la tension de référence. Pour ce faire, dans les montages à
composants discrets, on associe souvent une jonction polarisée en direct (dérive en
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 153
b) Les circuits
+VCC
+V CC
IR
R
T
D2
R2
V REF VR R2
I
R1
R1
VREF
D1
I
Ce type de montage est souvent utilisé dans la réalisation des tensions de pré-polari-
sation dans les amplificateurs de classe AB.
Le montage de la figure 6.6 est un montage traditionnel qui permet, via les chutes de
tension des différentes diodes et jonctions et des valeurs particulières des résistances,
une compensation de la dérive en température de la tension de référence.
Exercice
On se propose d’analyser le comportement en température du circuit de la
figure 6.6.
1. Exprimez la tension VEM en fonction de VZ et calculez les tensions VEM et VREF.
154 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets
b) Propriétés caractéristiques
On rencontre habituellement deux types de sources :
• les sources qui fournissent un courant que nous appellerons source injectrice de
courant (current source) ;
• les sources qui extraient un courant que nous appellerons puits de courant (current
sink).
Dans le premier cas, une des bornes du dipôle de charge sera généralement reliée à
l’alimentation positive + VCC alors que, dans le second cas, une des bornes du dipôle
« charge » est reliée à une alimentation négative – VCC (figure 6.7).
Les sources de courant sont caractérisées par leur dynamique de fonctionnement
∆I = IM − Im, les valeurs des tensions minimales et maximales correspondantes, et
la valeur de leur résistance interne. Les tensions minimale et maximale limitant le
bon fonctionnement des sources de courant sont déterminées par des phénomènes
non linéaires (par exemple saturation/blocage de transistor bipolaire) affectant les
composants de la source de courant.
c) Structure
La réalisation des sources de courant élémentaires est basée sur l’utilisation de modes
de fonctionnement spécifiques des composants. Pour le transistor bipolaire, ce sont la
polarisation de la jonction base émetteur par une source de tension et la relation entre
le courant collecteur et la tension base émetteur qui sont utilisées, à savoir :
V
I C = I S ⋅ exp BE
VT
Pour les transistors MOS, c’est le fonctionnement dans la zone de saturation qui est
utilisé, le courant IDS déterminé par IDS ≈ K(VGG – VT)2 étant en première approxi-
mation indépendant de VDS dans cette zone.
Dans un cas comme dans l’autre, l’influence – la réaction – de la tension de sortie
(effet d’Early pour les transistors bipolaires, effet de modulation de la longueur du
canal pour les composants à effet de champ) sur la valeur du courant de sortie est
souvent le problème le plus délicat à résoudre.
+VCC
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+VCC
I0
Dipôle
charge
Dipôle
charge
I0
a b
–VCC –VCC
d) Circuits
Circuits élémentaires
Les figures 6.8a et b représentent les schémas de principe de ces sources élémentaires.
I
I
+ VBB +
– – VGG
a b
Exercice
On se propose de déterminer les caractéristiques de la source de courant de la
figure 6.8a. On travaille à température ambiante : VT = 25,84 mV (T = 300 K).
Les données de ce circuit sont les suivantes : VBB = 0,7 V, β = 100, VAF = 200 V.
On suppose par ailleurs le courant de saturation associé à la caractéristique
IB(VBE) égal à 4·10−18 A.
Calculez le courant nominal de la source en l’absence d’effet d’Early. Calculez
la valeur de la résistance interne de la source de courant.
Quel est le phénomène physique limitant le bon fonctionnement de cette source
aux faibles tensions ?
Donnez dans le cas de la source de courant MOS le phénomène physique limitant
le bon fonctionnement de cette source aux faibles tensions.
Solution
1. Le courant nominal de la source(en négligeant l’effet d’Early) est déterminé
par : I0 = β⋅IS·exp(VBB/VT). Par suite : I0 = 0,212 mA.
Lorsqu’on tient compte de l’effet d’Early, le courant de la source devient tel que
I = I0(1 + VCE/VAF).
Par suite, la résistance interne de la source vaut RI ≈ VAF/I0.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 157
D’où : RI ≈ 943 kΩ.
Aux faibles tensions le bon fonctionnement de cette source de courant est limité
par la saturation du transistor qui se produit pour une tension de l’ordre de 0,2 V
à 0,4 V environ pour un transistor signal.
I I
T1
+ VBB + VBB2 +
– R –
– VBB1
a b
R
Pour améliorer les performances du montage, il est nécessaire d’augmenter la valeur
de la résistance R : ceci entraîne évidemment des problèmes en termes de polarisa-
tion continue. La solution est alors d’augmenter la valeur de la résistance à l’aide
d’un second transistor dont la résistance de sortie jouera le rôle de R (figure 6.9b).
Figure 6.10 Figure 6.11
3. Cas particuliers
Si RE = 0 alors R = 0 et Rs = ρ (résultat attendu…).
Si RE tend vers l’infini, alors R ≈ h11 et par suite :
1 h
RS ≈ ρ ⋅ 1 + h11 + 21
ρ h11
Comme : h11/ρ << h21, il vient finalement :
Rs ≈ ρ (1 + h21)
Il y a donc tout intérêt à utiliser une résistance RE aussi élevée que possible : c’est
le cas lorsque RE constitue la résistance de sortie d’un montage émetteur commun.
La résistance de sortie avec RE infinie est multipliée par le gain en courant du tran-
sistor : cette propriété est spécifique de la contre-réaction de courant à entrée série.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 159
b) Propriétés caractéristiques
Ces structures permettent d’obtenir :
• des valeurs de courant statique aussi proches qu’il est possible ;
• des valeurs de résistance dynamique aussi proches que possible ;
• des valeurs de résistance dynamique aussi élevées que possible.
c) Structure
À la différence des sources de courant usuelles dont le principe repose sur une pola-
risation par des sources de tension, ce sont des sources de courant qui sont utilisées
cette fois pour la polarisation. Par ailleurs, dans les miroirs de courant, on utilise de
façon systématique des composants supposés identiques par « construction ». Les
réalisations peuvent être à composants bipolaires ou de type MOS. Il en résulte dif-
férentes configurations classiques : Widlar, Wilson…
Que ce soit en technologie bipolaire ou MOS, ce sera une fois de plus
la réaction de la tension de sortie sur le courant de sortie (effet d’Early
pour les uns, effet de modulation de largeur du canal pour les MOS)
qui limitera les performances de ces circuits. Mais, il y a toujours des
« solutions » possibles : on retrouve les techniques de boostrap…
d) Circuits
Source de courant de Widlar
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IN + VCC
IC3 = IOUT
R
IC3
T3
IC1 IC2
T1 T2
b) Propriétés caractéristiques
En principe, ce type d’amplificateur, qu’il s’agisse d’un étage amplificateur élé-
mentaire, d’un amplificateur opérationnel ou d’un amplificateur d’instrumentation,
devrait travailler uniquement sur la différence des tensions d’entrée selon la rela-
tion : VS = K·(e2 − e1).
En réalité, il n’est pas possible d’obtenir des gains identiques avec chacune des deux
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Dans le cas général, un amplificateur différentiel peut être modélisé par un quadri-
pôle comportant deux entrées e2, e1 référencées par rapport à la masse et deux sorties
s2, s1 référencées par rapport à la masse. Si on suppose que cet amplificateur fonc-
tionne de façon linéaire, les grandeurs de sortie et d’entrée sont liées par les relations
linéaires suivantes :
s1 = k11·e1+ k12·e2
s2 = k21·e1+ k22·e2
Les coefficients kij sont homogènes à des gains en tension.
L’amplificateur sera dit symétrique si une permutation des entrées se traduit par une
permutation des valeurs de sorties, soit :
s2 = k11 e2+ k12 e1
s1 = k21 e2+ k22 e1
Ces deux groupes de relations devant être vérifiées quelles que soient e2 et e1, il s’en-
suit : k11 = k22 et k12 = k21.
Dans ces conditions nous obtenons alors pour expression de la valeur de la sortie
s2 − s1 dite sortie symétrique :
s = s2 − s1 = k22·(e2 − e1) + k21(e1 − e2)
soit : s = s2 − s1 = (k22 − k21)·(e2 − e1)
Pour que la sortie symétrique d’un amplificateur linéaire soit de type différentiel, il
faut donc que l’amplificateur soit symétrique.
e = e2 + e1 − e2 − e1 ≡ e − eMD
1 2 2
MC
2
e + e e − e e
e2 = 2 1
+ 2 1
≡ eMC + MD
2 2 2
Le couple de tension d’entrée e1, e2 peut donc être décomposé en un nouveau couple
de tension comprenant (figure 6.14) :
• une tension identique appliquée aux deux entrées, à savoir la tension de mode
commun eMC = 1/2(e1 + e2) ;
• deux tensions opposées appliquées aux deux entrées. Ces dernières définissent la
tension différentielle : eMD = e2 – e1.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 163
s1 s1 s1
e2
A.D A.D + A.D
s2 s2 s2
e1
+ – e
eMC emd md
2 – + 2
s2 = eMD . ( G2
MD
)
+ GDC + eMC ⋅ ( G2CD
+ GMC )
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e
Par suite : sMD = GMD ⋅ eMD + GCD ⋅ eMC = GMD ⋅ eMD + MC .
ΓS
« Appliquer » une tension de mode commun eMC revient dans ce cas à appliquer
une tension de mode différentiel eMC/ΓS
« Appliquer » une tension de mode commun eMC, revient dans ce cas à appliquer
une tension de mode différentiel eMC/ΓA
Lorsque l’amplificateur est idéal GDC = GCD = 0, la valeur particulière du facteur
de mérite est appelée alors taux de réjection en mode commun TRMC (Common
Mode Rejection Ratio : CMRR).
Ce dernier est défini par l’expression suivante :
GMD
+ GDC
ΓA = 2
GCD
+ GMC
2
Le taux de réjection en mode commun avec sortie symétrique est donc égal, au
facteur 1/2 près, au rapport du gain en mode différentiel au gain en mode commun.
Le facteur d’erreur différentiel est défini quant à lui par :
GCD
FD =
2GMC
Ces différents facteurs sont reliés par la relation suivante :
TRMC
ΓS =
FD
Ne pas oublier que les facteurs de mérite sont très sensibles aux niveaux
avec lesquels travaille l’amplificateur (il faut être en régime linéaire).
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 165
+VCC +VCC
C1 C2
2.I0 E
– VCC
a) Utilisation
Le montage cascode est utilisé dans la plupart des étages amplificateurs fonction-
nant à fréquence élevée. Il peut être rencontré aussi bien dans des applications grand
public (étage d’entrée TV par exemple) que dans la conception de circuits intégrés
HF, d’amplificateurs large bande ou d’impulsion, etc.
b) Propriétés caractéristiques
Ce montage peut être aussi bien réalisé à l’aide de transistors bipolaires que de
transistors MOS. Un étage cascode à transistor bipolaire présente un gain en basse
166 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets
fréquence sensiblement du même ordre de grandeur que celui d’un montage émet-
teur commun simple. Il présente par contre une bande passante beaucoup plus
grande et une réponse impulsionnelle en petits signaux plus rapide. Ces propriétés
sont obtenues grâce à la suppression de l’effet Miller de l’étage d’entrée qui travaille
avec un gain en tension unité. C’est le second étage qui fournit le gain en tension,
l’influence de la capacité parasite collecteur–base étant fortement réduite dans la
mesure où celle-ci se trouve simplement reliée à la masse.
c) Structure
Avec des composants bipolaires, ce montage utilise deux transistors correspondant
à un étage émetteur commun chargé par un montage base commune (figure 6.16).
+VCC
RC
Figure 6.16 Amplificateur
VBB2 T2 VS cascode.
+
C2
T1
+
VE RE
VBB1
L’émetteur du premier étage est relié à la masse d’un point de vue dynamique, sa sortie
étant reliée à l’émetteur du second transistor. Quant au second étage, sa base est reliée
à la masse d’un point de vue dynamique, la sortie du montage cascode étant prélevée
aux bornes de la résistance de charge située dans le collecteur du second transistor.
Le mélange des technologies est souvent intéressant : ainsi l’association d’un tran-
sistor MOS monté en source commune avec un transistor bipolaire monté en base
commune présente, outre des propriétés fréquentielles intéressantes, une impédance
d’entrée élevée.
Les différents montages (cf. § 6.2.8 et 6.2.9) que nous allons voir par la suite représen-
tent des solutions alternatives au circuit élémentaire. Parmi toutes ces variantes,
l’émetteur suiveur de White se caractérise par sa très faible impédance de sortie, sa
linéarité, « l’identité » de son comportement par rapport aux impulsions positives et
négatives. Il peut donc être aussi bien utilisé dans les amplificateurs impulsionnels
qu’entrer dans la composition d’étages de sortie d’amplificateurs BF, en particulier
d’amplificateurs Hi-Fi, etc.
b) Propriétés caractéristiques
Ce circuit est composé de deux transistors bipolaires montés en série. Une contre-réac-
tion de tension assure un gain unité au montage. Le courant de repos I0 circulant dans
les deux transistors est déterminé par le transistor T2, le courant de sortie Is fourni
à la charge étant déterminé par Is = I1 – I2. En régime dynamique petits signaux,
soumis à une impulsion positive, le transistor T1 conduit de façon plus importante,
entraînant de fait une chute du potentiel de son collecteur. Cette chute est trans-
mise instantanément à la base du transistor T2 par la capacité de liaison CL. Ainsi le
transistor supérieur T1 conduit « plus » tandis que, simultanément, le transistor T2
conduit « moins ».
Cette spécificité de fonctionnement de l’étage de White est particulièrement intéres-
sante pour des impulsions négatives. En effet, un simple étage émetteur commun
répond « toujours mieux » dans le sens de la conduction que dans le sens contraire
(c’est le problème de la variation de β avec le courant…). Dans le cas de l’étage suiv-
eur de White, l’impulsion négative d’entrée s’accompagne, via la capacité de liaison
CL, d’une augmentation du potentiel de base de T2. Le signal de sortie correspond
alors à une diminution de conduction de T1 et simultanément à une augmentation de
l’état passant de T2 : ceci est particulièrement intéressant en termes de réponse tran-
sitoire. La dynamique d’entrée du mode linéaire est relativement faible car les deux
transistors fonctionnent en classe A.
c) Structure
+ VCC
CL2
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R2
RB2 RC CL
C L1 RL
T2
T1
Rg
R1 RE
RB1
eg(t)
b) Propriétés caractéristiques
Il fournit des niveaux de sortie typiques de 3 V et 0,2 V. Le montage totem-pole peut
travailler aussi bien en injection (il fournit alors du courant vers la charge) qu’en
extraction de courant (il absorbe alors le courant fourni par une charge capacitive par
exemple). Il possède une bonne réponse indicielle tant sur les échelons positifs que
négatifs et un bon comportement sur charge capacitive.
À signaler que le fonctionnement du montage n’est pas symétrique : un transistor est
susceptible de fonctionner en régime bloqué, linéaire ou saturé alors que l’autre ne
peut prendre que deux états, bloqué ou saturé. Ce circuit ne peut éviter le phénomène
de conduction simultané des deux transistors lors de la commutation. Il y a donc
création de pointes de courant de l’ordre de 30-35 mA dans l’alimentation + Vcc. Il
est alors indispensable de filtrer les alimentations de ces circuits par des capacités
céramiques situées au plus près des bornes d’accès du circuit. Sinon, le montage est
un bon générateur de bruit pour la compatibilité électromagnétique (CEM)…
c) Structure
Ce montage associe en série (figure 6.18) un étage collecteur commun constitué par
T2 (résistance de charge typique : 130 ohms) à un étage émetteur commun, une diode
étant insérée dans la liaison entre les deux sorties, c’est-à-dire respectivement entre
l’émetteur et le collecteur des deux circuits. Ce montage est commandé par un transis-
tor bipolaire à charges réparties, comportant une résistance de charge dans le collecteur
et une résistance de charge dans l’émetteur. La diode permet d’assurer le blocage du
transistor supérieur monté en CC lorsque le transistor de commande est saturé.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 169
+5 V +5 V
1,6 k 130
T2
Figure 6.18 Schéma
d’un étage totem-pole.
T1 VS
1k
b) Propriétés caractéristiques
Quels que soient les composants utilisés (transistor bipolaire ou MOS à enrichis-
sement) le montage push-pull se caractérise par une distorsion, dite distorsion de
raccordement aux faibles niveaux de la tension d’entrée. Cette distorsion est parti-
culièrement pénalisante lors de la réalisation d’amplificateurs linéaires (exemple :
amplificateurs audiofréquence). La solution réside dans l’utilisation d’une tension
de pré-polarisation qui compense le seuil de conduction des composants utilisés
(tension base–émetteur de déblocage ou tension de seuil pour les MOS). Ce mode
particulier d’amplification définit la classe AB.
Ce montage peut être aussi bien réalisé à l’aide de transistors bipolaires que de tran-
sistors MOS (figure 6.19).
170 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets
En l’absence de signal d’entrée, les deux transistors constituant cette structure sont
bloqués. Chaque composant fonctionne alternativement selon la polarité de la tension
d’entrée en se comportant comme un amplificateur à gain en tension voisin de 1 et
gain en courant élevé. Ce mode de fonctionnement est caractéristique de la classe B
d’amplification.
+VDD
VE VS
– VDD
c) Structure
Ce montage comporte deux composants reliés en parallèle, les entrées (base ou grille)
sont reliées et commandées en dynamique par le même signal, la sortie se fait sur les
deux émetteurs, ou les deux sources, reliés ensemble (figure 6.19). Le montage ainsi
réalisé fonctionne en collecteur commun ou émetteur suiveur pour une réalisation à
transistors bipolaires et en drain commun pour la réalisation à transistors MOS.
L’alimentation du montage peut se faire de façon symétrique, avec deux alimen-
tations + VCC et − VCC, ou de façon asymétrique via une seule alimentation. Il est
nécessaire dans ce dernier cas d’utiliser une capacité de forte valeur qui remplace de
fait la fonction alimentation supprimée. Pour les amplificateurs de puissance, cela
conduit inévitablement à l’utilisation de capacité de valeur élevée.
Enfin il est très répandu dans les convertisseurs statiques de puissance soit pour la
commande des interrupteurs de puissance soit, selon les applications, comme interrupteur
principal. Cette structure est disponible sous forme de composant spécifique « intégré ».
b) Propriétés caractéristiques
En régime statique, à l’état bloqué ce dispositif peut présenter lorsque la base de T1
est en l’air des courants de fuite prohibitifs du fait que le courant de fuite ICEO du
premier transistor sert de courant de base pour le second. La solution est de dériver
ce courant de base via une résistance R2 branchée en parallèle entre base et émetteur
de T2. On peut estimer son ordre de grandeur en se plaçant dans le cas le plus défa-
vorable, à 100 °C par exemple, et en imposant que R2ICEO << (VBE)D.
La mise en conduction nécessite une tension de commande minimale de l’ordre de
1,2 V : elle est donc plus importante que celle d’un transistor normal.
En régime linéaire petits signaux, dans l’hypothèse où les paramètres h12 et h22 des
deux transistors sont nuls, nous obtenons un transistor équivalent dont les paramètres
caractéristiques équivalents β et h11 sont tels que :
h21 = 1h21+2h21·(1h21+ 1)
h11 = 1h11+2h11·(1h21+ 1)
1h 2h
ij et ij désignant
les paramètres relatifs aux transistors 1 et 2 respectivement.
Les gains disponibles en régime linéaire dépendent du type de montage Darlington
utilisé : signal, faible puissance ou puissance. Dans le premier cas, on peut obtenir
des gains de l’ordre de 5 000 à 10 000 pour des montages fonctionnant en régime
linéaire. Dans le second cas, les gains sont beaucoup plus faibles, dans le dernier
cas le fonctionnement en commutation entraîne l’utilisation de gains forcés qui sont
encore plus faibles aussi bien lors de la fermeture que plus encore, à l’ouverture.
c) Structure
Dans ce montage, l’émetteur du transistor de commande est relié directement à
la base du second transistor, tandis que les deux collecteurs sont reliés ensemble
(figure 6.20a).
À signaler qu’une variante du montage Darlington, le montage de Szikai (figure 6.20b)
associant deux transistors complémentaires, peut être quelquefois rencontrée dans
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Sortie
T1 T2
T1
T2
R1 R2
Sortie a b
qu’une diode soit insuffisante pour assurer le blocage de T1. Dans ce cas il est préfé-
rable alors d’utiliser deux, voire trois, diodes.
6.2.11 IGBT
a) Utilisation
Ce nom (Insulated Gate Bipolar Transistor) désigne un dispositif spécifique de
l’électronique de puissance, associant deux composants de principe différent, le
MOS et le transistor bipolaire. Les IGBT représentent le meilleur compromis pour
la réalisation de convertisseurs statiques de moyenne puissance dès lors que les ten-
sions mises en jeu deviennent supérieures à 300 V environ, certains modules de
puissance étant même susceptibles de travailler en haute tension (> 2 000 V).
b) Propriétés caractéristiques
Elles résultent de l’association de ces deux composants de technologie différente.
Puisque l’IGBT est un MOSFET, la tension grille–émetteur contrôle l’état du
composant. Lorsque cette tension sera inférieure à VGE(Th), il n’y a pas de couche
d’inversion permettant de créer un canal N entre émetteur et collecteur et le compo-
sant se trouve donc à l’état bloqué.
En régime statique, l’IGBT se caractérise, comme un transistor bipolaire, par de
bonnes capacités en densité de courant, et par suite en courant, associées à une faible
chute de tension, et par suite de faibles pertes dans l’état fermé. La valeur de sa
tension de sortie dans l’état fermé peut être modélisée par une tension de seuil de
l’ordre de 1 V à 1,5 V associée à une résistance série de l’ordre 10 mΩ à 25 mΩ.
Comme le transistor bipolaire, il peut supporter des tensions élevées à l’état ouvert.
En régime dynamique, la commande d’un IGBT, permet du fait de la partie MOS, une
commande simplifiée qui ne nécessite pas la circulation permanente d’un courant de
commande. Sa commutation est particulièrement rapide à la fermeture. Par contre,
à l’ouverture, il présente un phénomène de traînée du courant car si l’ouverture du
MOS est très rapide, par contre l’ouverture du transistor bipolaire qui se fait ensuite
à courant de base nul, est beaucoup plus longue.
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c) Structure
Ce dispositif associe un transistor de puissance bipolaire PNP commandé par un
MOS à enrichissement à canal N. C’est un composant multicellulaire (ordre de gran-
deur du courant d’une cellule : 1 mA à 1, 5 mA) qui peut se présenter sous la forme
d’un composant discret (une puce) ou d’un module de puissance (un interrupteur).
Au niveau macroscopique, le transistor IGBT (figures 6.21) peut être représenté par
le modèle élémentaire circuit de la figure 6.21a, la représentation habituellement
utilisée correspondant à la figure 6.21b.
174 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets
C
C
G
G
E a E b
Par contre, comme tous les composants bipolaires, l’injection de porteurs s’accom-
pagne inévitablement de stockage de charges, charges qu’il faudra éliminer avant
que l’IGBT ne retrouve son pouvoir de blocage. Cela peut se faire soit par un courant
externe de base, soit par élimination naturelle des porteurs… La première solution
étant irréaliste, les développements technologiques portent sur la réduction de la
durée de vie des porteurs dans la zone N− afin d’accélérer les recombinaisons entre
porteurs.
En résumé, on peut dire que l’IGBT a été développé pour travailler de manière simi-
laire au transistor MOSFET avec l’avantage de pouvoir faire varier la résistivité de
la zone faiblement dopée N− par injection de porteurs minoritaires grâce à la couche
additionnelle P insérée entre la zone N− et le contact de collecteur. C’est cette injec-
tion de porteurs minoritaires qui permet de réduire de manière significative la chute
de tension à l’état passant pour une tenue en tension inverse donnée.
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Bouclage et techniques
de réaction
7
des amplificateurs
statiques des composants peut conduire à des variations d’une dizaine de pour-cent,
voir plus, des valeurs de polarisation des composants…
Exemple
Pour deux composants bipolaires de même référence et de même point de repos,
les variations des paramètres dynamiques peuvent atteindre 50 %, voire plus.
De plus, les caractéristiques statiques des composants SC sont toutes, plus ou moins,
sensibles à la température.
Exemple
La tension directe d’une jonction décroît de 2 mV par degré…
De plus, la valeur des tensions d’alimentation n’est définie qu’avec une certaine
tolérance.
La solution traditionnelle est le bouclage (feedback) des amplificateurs, c’est-à-
dire l’utilisation des techniques de réaction dans les amplificateurs. Le principe est
de renvoyer tout ou partie d’une grandeur de sortie, la tension par exemple, pour
la soustraire de l’entrée : on définit ainsi une contre-réaction. Puisque, de façon
imagée on enlève une partie du signal normal de sortie, on peut s’attendre, toutes
choses égales par ailleurs, à une diminution du gain de l’amplificateur bouclé. Si le
gain en boucle ouverte vient alors à augmenter, pour une cause ou pour une autre,
la tension normale de sortie augmentera également. Si on enlève une grandeur
proportionnelle au signal de sortie, le signal renvoyé à l’entrée sera plus impor-
tant : on va donc soustraire une partie plus importante au signal d’entrée et la
tension réelle d’entrée va donc diminuer. Grâce à cette méthode, on désensibilise
le gain de l’amplificateur par rapport aux variations de ses paramètres propres de
boucle ouverte.
Plus généralement, l’ensemble des caractéristiques dynamiques (gain, bande
passante, impédance d’entrée et sortie, non-linéarité des étages internes…) de l’am-
plificateur est stabilisé par le processus de contre-réaction. Les caractéristiques de
l’amplificateur bouclé ne dépendent plus alors que des éléments extérieurs à l’ampli-
ficateur, c’est-à-dire du réseau de réaction.
La généralisation et l’application systématique de cette technique à des systèmes
complexes à grand gain conduit naturellement à la fonction de régulation des
systèmes (si l’entrée est fixe) ou à d’asservissement des systèmes lorsque l’entrée
est variable dans le temps.
Dans le domaine de l’électronique analogique, le prix à payer pour l’amélioration
de la stabilité des paramètres d’un amplificateur est la diminution du gain. Il faudra
donc maîtriser la technique des amplificateurs à grand gain pour pouvoir bénéfi-
cier le plus possible des avantages de cette technique : il est facile de comprendre
alors le pourquoi du développement des amplificateurs opérationnels en électronique
analogique ainsi que l’utilisation systématique des techniques de contre-réaction
dans ces derniers.
7.1 Le bouclage des amplificateurs 179
sortie sera donc fonction non seulement de la valeur instantanée de l’entrée, mais
également de la valeur de la sortie à un certain instant antérieur du fait du temps de
propagation, ou de transit, non nul de la boucle de réaction. Ce type de bouclage
conduit naturellement à un effet « mémoire ».
Les propriétés de ce type de bouclage sont mises en œuvre dans le domaine des
circuits intégrés logiques : des montages bistables ou bascules (flip flop) avec ses
nombreuses variantes se déclinant en bascules R-S, J-K… aux montages mono
stables, etc. et de façon plus générale aux circuits de logique séquentielle.
Remarque
Les grandeurs d’entrée et de sortie de l’amplificateur en boucle ouverte ne
sont pas nécessairement de même nature : elles conduisent soient à des fonc-
tions de transfert qui peuvent être selon les cas sans dimension (gain en
tension ou en courant : figure 7.1a et 7.1d) ou homogène à une impédance ou
une admittance.
7.1 Le bouclage des amplificateurs 181
IE Iε
Amplificateur VS Amplificateur
ε RC VS RC
de Tension RI IR de
Transimpédance
VE
VR Réseau de VE Réseau de
Réaction Réaction
injection prélèvement a b
RI IS IE Iε IS
Amplificateur
VS RC Amplificateur
ε de RI IR RC
Transadmittance de Courant
VE
Réseau de Réseau de
VR Réaction
Réaction
c d
En pratique
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Dans la suite de ce chapitre, nous traiterons de façon détaillée les deux premiers
types de contre-réactions. Nous avons vu par ailleurs l’intérêt de la réaction de
courant à entrée série sur l’impédance d’entrée au chapitre 5 et sur l’impédance
de sortie au chapitre 6.
le réseau de réaction sont soumis à la même tension. Par suite, une représentation
parallèle est naturelle car elle se prête à des calculs simples de l’impédance de
sortie et du courant total de sortie du système bouclé. Il en est de même lors d’une
injection parallèle de la grandeur de sortie.
Pour arriver à des résultats généraux, simples et réalistes, il faut disposer de modèles
de réseau de réaction parfaits, à savoir des réseaux :
• dont l’impédance côté sortie de l’amplificateur est soit infinie (lors du prélèvement
de la tension de sortie), soit nulle (lors de l’échantillonnage du courant de sortie) ;
• dont le dipôle équivalent côté entrée de la boucle de retour est modélisé soit par
une source de tension contrôlée, soit par une source de courant contrôlée.
Pour mener à bien cette approche (déterminer l’influence du réseau de charge sur
l’amplificateur, et représenter l’amplificateur bouclé sous forme de deux blocs
quadripôles indépendants : amplificateur en boucle ouverte et réseau de réaction
idéal), il est nécessaire d’utiliser certaines hypothèses simplificatrices, que l’on peut
résumer de la façon suivante :
• Le gain du système bouclé est uniquement fourni par l’amplificateur. Il revient au
même de dire que la transmission du signal dans le sens direct, c’est-à-dire de la
source vers la charge extérieure, se fait uniquement par l’amplificateur. Il revient
encore au même de dire, en termes de modélisation, que, quels que soient les
modèles utilisés, le paramètre de transfert direct, sens entrée-sortie de l’amplifi-
cateur, est très supérieur au paramètre équivalent, toujours sens entrée-sortie de
l’amplificateur, du réseau de réaction. Dans le cas idéal, le paramètre de transfert
direct équivalent du réseau de réaction est nul. Ce n’est qu’à cette condition que
l’on peut obtenir un réseau de réaction idéal : le réseau de réaction, vu côté sortie
de l’amplificateur, se réduisant alors à une impédance facile à calculer en ouvrant
ou en court-circuitant les extrémités ad hoc de l’amplificateur complet.
• L’information de retour transite uniquement par le réseau de réaction. Il
revient au même de dire que la transmission dans le sens inverse du signal, de
la charge extérieure vers la source, se fait uniquement par le circuit de réac-
tion. Il revient encore au même de dire, en termes de modélisation, que, quels
que soient les modèles utilisés, le paramètre de transfert inverse, dans le sens
sortie-entrée de l’amplificateur, du réseau de réaction est très supérieur au para-
mètre équivalent de l’amplificateur. Dans le cas idéal, le paramètre de transfert
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+ Amplificateur
VE ε V2
- de base
VR
i1 i2
+ h21 i1
h11
1/h22
- h V
12 2
Réseau de réaction
+
+
VE ε h22
- h11 VS
-
VR
+
+
- h12 Vs
VS
-
b
Figure 7.2 a) La contre-réaction de tension série : modèle du réseau de réaction.
b) Exemple de la contre-réaction série dans l’hypothèse h21 = 0.
Le gain en boucle ouverte de ce nouvel amplificateur est évidemment différent de
celui du modèle originel.
Une fois déterminé l’effet de charge du réseau de réaction, nous obtenons le modèle
dynamique complet de l’amplificateur en boucle ouverte et le modèle du réseau de
réaction (le modèle deux blocs).
Cette procédure est définie, dans les hypothèses simplifiées définies précédemment,
dans la « question rouge : comment découpler l’amplificateur et le réseau de réac-
tion ? (méthode simplifiée) » ci-après.
Un TD approprié permettra d’appréhender toutes les nuances de la modélisation
de ce type de contre-réaction. Il est possible de généraliser l’approche développée
dans cet exercice aux différents types de quadripôles susceptibles d’être utilisés pour
modéliser les quatre cas élémentaires de contre-réaction (analyser par exemple la
modélisation de la réaction parallèle-parallèle).
7.1 Le bouclage des amplificateurs 185
Dès lors que le gain de l’amplificateur en boucle ouverte est suffisamment grand (un
seul étage d’amplification peut suffire) et sous réserve que le gain en boucle fermée
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soit plus petit d’un ordre de grandeur au moins que le gain en boucle ouverte le gain
en boucle fermé est uniquement déterminé par le réseau de réaction.
ib2
h11
.ib2
ib1 iR
.ib1
iE iS Figure 7.4
h11 R4
VE(t) +
VS
RB R3 RC
-
VE h11
iE = − iB1
R3 R3
VE h11 VS
iR = − −
R4 R4 R4
7.1 Le bouclage des amplificateurs 189
R4 V R
iE = − β 2 iB1 + S 1 + 4
R3 R3 RC
La sommation membre à membre de ces deux relations donne, après multiplication
des deux membres par R3 RC, la relation suivante :
VS(RC + RS) = β2RC RS iB1 + (β + 1)RC R3 iB1
soit
R
VS = β 2 R’C iB1 + ( β + 1) R’C 3 iB1 (9)
RS
G1 N (10)
Avec les notations suivantes :
R R3
D = h11 + ( β + 1) RP N = β 2 R’C + ( β + 1) R’C 3 k =
RS R3 + R4
Application numérique (remarque générale : les valeurs numériques, tributaires
des algorithmes utilisés par les calculatrices, sont parfois arrondies) :
Compte tenu des valeurs des composants fournis dans l’énoncé, nous avons :
RS = 7,1 kΩ RP = 1,183 kΩ R’C = 0,441 kΩ
Il s’ensuit les valeurs suivantes de N/D, de l’inverse du gain et du gain :
N 1
= 55, 29 = 0, 23 G1 = 4, 36
D G1
190 Chap. 7. Bouclage et techniques de réaction des amplificateurs
T1
RB RC
R4 VS
VE(t)
Figure 7.5
VR R3
RE CD
RB
T2
T1
CL
VE(t) + R3 VS
R3 R4 RC
-
R4
a
R’C
h11
ib1
ib1
ib2
ib1 VS
RB ib2
VE(t) ie
+ h11 RC RS
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- Rp
b
Figure 7.6 a) La boucle ouverte : schéma circuit du régime dynamique.
b) La boucle ouverte : schéma équivalent en régime dynamique petits signaux.
L’amplificateur en boucle ouverte qui vient d’être défini par cette méthode
possède évidemment un gain différent de celui de l’amplificateur originel
représenté à la figure 7.3.
192 Chap. 7. Bouclage et techniques de réaction des amplificateurs
+
VR .VS VS
- Figure 7.7
Sortie
Entrée amplificateur
amplificateur
Il est facile de le vérifier en comparant les valeurs littérales des inverses des gains
G1 et G2 : elles ne sont pas égales…
2.2. Approche générale
2.2.1. Modélisation
L’amplificateur et le réseau de réaction sont modélisés par deux quadripôles a
priori quelconques. Le premier choix consiste à déterminer le type de quadripôle :
• modèle impédances zij ;
• ou admittance yij ;
• ou modèle hybride direct hij ou inverse gij.
Comme nous l’avons vu au paragraphe 7.1.3, il existe quatre types de contre-
réactions, à savoir :
• la contre-réaction de tension série ;
• la réaction parallèle ;
• la réaction de courant à entrée série ;
• la réaction de courant à entrée parallèle.
Si le prélèvement, ou le retour, de l’information s’effectue sous forme série, les
circuits associés à l’amplificateur et au réseau de réaction sont traversés par le
même courant. Par suite, il est intéressant d’utiliser comme modèle un générateur
de type série.
Si le prélèvement, ou le retour, de l’information s’effectue sous forme parallèle,
c’est une représentation des circuits sous forme de générateur parallèle qui est
la plus intéressante car l’amplificateur et le réseau de réaction sont soumis à la
même tension.
Par suite, le modèle naturel du réseau de retour de la réaction courant à entrée
série est un modèle impédance. De même, le modèle naturel du réseau de retour
de la réaction parallèle est un modèle admittance.
Les modèles de réaction bien adaptés à la contre-réaction de tension série et à
la réaction de courant à entrée série sont les modèles hybrides direct et inverse
respectivement.
Il est possible de donner une interprétation circuit simple des schémas des
figures 7.2a et b.
• La maille d’entrée (h11, h12) du quadripôle de réaction n’est rien d’autre que le
modèle du circuit, déterminé par le théorème de Thévenin, vu des bornes de retour,
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R4 h11
i1 i2 i1 i2
h21.i1
V1 +
V2 V1 h12.V2 1/h22 V2
R3
-
a b
Figure 7.8 a) Le réseau de réaction. b) Le modèle hybride.
Le calcul des paramètres hij en fonction des résistances R3 et R4 est classique. Les
paramètres h11 et h21 sont calculés avec sortie en court-circuit, tandis que les
paramètres h12 et h22 sont calculés avec entrée ouverte.
R4 R4
i1 i2 i2
V1 V1 V2
R3 R3
a b
Figure 7.9 a) Schéma vu de l’entrée avec sortie en court-circuit.
b) Schéma vu de la sortie avec entrée ouverte.
• Sortie en court-circuit :
–– Calcul de h11 :
V R3 R4 R3 R4
h11 = 1 V1 = i1 h11 =
i1 R3 + R4 R3 + R4
–– Calcul de h21 :
i R3 R4 − R3
h21 = 2 V1 = i1 = − R4i2 h21 =
i1 R3 + R4 R3 + R4
• Entrée ouverte :
–– Calcul de h12 :
V1 R3 R3
h12 = V1 = V2 h12 =
V2 R3 + R4 R3 + R4
7.1 Le bouclage des amplificateurs 195
–– Calcul de h22 :
i2 1
h22 = V2 = ( R3 + R4 ) i2 h22 =
V2 R3 + R4
On remarque que la méthode de découplage simplifiée amplificateur / réseau
de réaction n’est rien d’autre que la méthode de détermination des paramètres
hij, complétée de la bonne hypothèse, à savoir h21 = 0. Cette méthode permet de
ramener les éléments de la boucle de réaction respectivement à l’entrée et en
sortie du PA.
Les paramètres du modèle hybride équivalent au réseau de réaction sont tels
que :
h11 = 1,183 kΩ h12 = –h21 = 0,21126
h21 = –0,21126 1/h22 = 7,1 kΩ
La condition d’unilatéralité du quadripôle de retour h21 = 0 n’est donc pas
vérifiée. Par suite, on ne peut compléter le circuit de charge de l’amplificateur en
boucle ouverte par le schéma simplifié de la figure 7.9b car la décomposition de
l’amplificateur original en deux blocs indépendants par la méthode traditionnelle
n’est pas valable théoriquement. Il est nécessaire de disposer en parallèle sur
la sortie de l’amplificateur la charge supplémentaire, déduite du modèle hybride
(figure 7.10), ou de ses variantes (figures 7.11b, c et d).
i2
–R3.iE1 R3 + R4 V2
R3 + R4
T1
Collecteur
R4 CT2
CT2
iE1 R4
iE1 R3
R3
a b
R3 + R4 CT2
+ CT2
R3 iE1 R3.iE1 RS = R3 + R4
-
RS
c d
Figure 7.11 a) Circuit vu de la sortie. b) Modèle vu de la sortie.
c) et d) Charge introduite par le réseau de réaction.
2.3. Modèle d’amplificateur en boucle fermée et calcul des gains
Compte tenu de la question 2.2.2, les schémas circuit et dynamique petits signaux
valables en boucle fermée sont donnés en figure 7.12.
iB1 R’
+ VCC
RE
RB CD h11
T2 iB1 iB2 R3.iE1
CL T1
VS
RB RS
VE(t) + + h11 RC RS
VS VE(t) Rp
RS
- R3 R4 RC - iB2
+ ++
+ R3 iE1 VR
k.VS
R3.VS -
-
R3+R4 -
a b
1 1
= +B
G1 G0
En identifiant cette expression à la formule (10) [question 1.1] et compte tenu
de la notation B ≡ k, il est possible de déterminer le gain en boucle ouverte de
l’amplificateur bien que l’on n’ait pas encore identifié le modèle de l’amplificateur
en boucle ouverte. Ainsi :
N
G0 =
D
Avec :
R3
N = β 2 R’C + ( β + 1) R’C
RS
D = h11 + (β + 1)RP
Par rapport au gain en boucle ouverte obtenu via la méthode simplifiée
traditionnelle (cf. question 2.1.3), on constate que les erreurs, absolue et
relative, commises sur le gain en boucle ouverte par la méthode simplifiée sont
telles que :
N ’’
∆G0 = G0 – G’0 =
D
∆G0 N ’’
=
G0 N
Avec :
R3
N ’’ = ( β + 1) R’C
RS
L’erreur relative commise sur le gain en boucle ouverte est très faible (faire
l’application numérique). Compte tenu des propriétés du gain d’un amplificateur
bouclé, son influence sur le gain de l’amplificateur bouclé sera encore plus faible
puisqu’elle sera divisée par le gain de boucle (1 + B G0).
2.2.4. Le modèle deux blocs
Ainsi, les questions 2.2.1, 2.2.2 et 2.2.3 montrent que l’amplificateur bouclé originel
peut effectivement se décomposer en deux quadripôles indépendants (cf. figure 7.13) :
• un amplificateur en boucle ouverte, de gain G0 = VS/ε incluant les effets de charge
du réseau de réaction sur l’entrée (résistance série RP) et sur la sortie (résistance
parallèle RS et source de courant (R3/RS)iE1) ;
• un réseau de réaction de fonction de transfert β modélisé par une source de
tension contrôlée côté entrée de l’amplificateur et une impédance d’entrée infinie
pour le prélèvement de la tension de sortie.
7.2 La réaction de tension série 199
R’C
h11
iB2
ib1 R3.iE1
iB1 RS
RC RS
h11
VE (t) + Rp
VS
-
+
VR k.VS VS
-
VE zS
ε = VE –VR VS
+ G0 VE ε zE +
G0 . ε
–
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– Z2
VS
VR = β . VS Z1
VR = β . VS
a b
La fonction de transfert de la boucle de réaction, définie par (VR/VS), est telle que
β = VR VS .
200 Chap. 7. Bouclage et techniques de réaction des amplificateurs
Une fois de plus, c’est la valeur du terme 1 + β⋅G0 qui détermine la stabilité du gain
en boucle fermée.
A contrario la sensibilité du gain en boucle fermée aux variations de β est très grande.
En effet :
∆G ∆β β G0
=
G β 1 + β G0
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La bande passante
Dans le cas général, si l’on s’intéresse à la bande passante d’un amplificateur en
boucle fermée soumis à une contre-réaction, deux cas sont possibles :
Lorsque β⋅G0 >> 1, nous avons vu que G = GI : par suite les caractéristiques gain/
fréquence sont complètement définies par le réseau de réaction.
Lorsque : 0 < β⋅G0 << 1, G ≈ G0 : les caractéristiques gain/fréquence en boucle
fermée sont alors identiques aux caractéristiques en boucle ouverte.
202 Chap. 7. Bouclage et techniques de réaction des amplificateurs
Gains dB
G0
100
80
Figure 7.15 Variation
60 des gains en fonction
40 de la fréquence.
(1 + β . G0)dB
GF
20
ω0 ωF ω
10 102 103 104 105 106 107
7.2 La réaction de tension série 203
ze VE Ze = ze .(1+ G0)
L’impédance en boucle fermée est définie quant à elle par ZE. Par suite :
V ε V
ZE = E = . E
i i ε
Or : e = VE − β·VS = VE − β·G0.e.
Donc : VE = e (1 + β·G0).
Finalement : Z E = z E ⋅ (1 + β ⋅ G0 ) ≈ z E ⋅ β ⋅ G0 si (1 + β ⋅ G0 ) ≈ β ⋅ G0 .
Dans la mesure où β·G0 >> 1, la résistance d’entrée en BF est simplement multipliée
par le gain de boucle.
La contre-réaction de tension accroît donc très fortement la résistance d’entrée de
l’amplificateur : l’entrée de l’amplificateur se rapproche d’un circuit à impédance
d’entrée élevée caractéristique d’un amplificateur de tension.
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c) L’impédance de sortie
Soit zS la valeur de la résistance de sortie de l’amplificateur en boucle ouverte.
Pour calculer la résistance de sortie de l’amplificateur en boucle fermée, nous
utilisons la méthode générale explicitée dans le chapitre 3 et brièvement rappelée
ci-dessous :
• on éteint la source d’excitation indépendante VE ;
• on branche en sortie une source de tension E0 qui va ré-exciter l’amplificateur et
entraîner via le bouclage de l’amplificateur la création d’une tension d’entrée et
par suite d’une tension en sortie de l’amplificateur et d’un courant de sortie I0 ;
204 Chap. 7. Bouclage et techniques de réaction des amplificateurs
E0
• par définition, la valeur de l’impédance de sortie est définie par : Z S = .
I0
VE I0
= – Va zS VS
+
– –G0 . VR
+
E0
–
VR = β . VS
Marges de stabilité
Il ne suffit pas qu’un amplificateur soit « mathématiquement » stable il faut qu’il soit
suffisamment insensible à toutes les variations possibles des paramètres de l’ampli-
ficateur (en particulier le gain de l’amplificateur lui-même) et de son environnement
7.2 La réaction de tension série 205
Phase
GdB
ϕ
Gain Arg ( β G0)
de
20 – 140
Boucle
10 ( βG0)dB
ω – 160
Mp
0 – 180
MG
– 10
–2 00
– 20
ω
• Marge de gain
On cherche tout d’abord la valeur de la pulsation ωπ pour laquelle le déphasage du
gain de boucle de l’amplificateur bouclé est égal à –π. La marge de gain MG sera
définie par l’augmentation du gain de boucle, exprimée en dB, que l’on peut tolérer
avant d’atteindre la valeur critique égale à 1. Par suite la marge de gain sera définie par :
20 log ||β(ωπ)·G0(ωπ)|| + 20 log·MG = 20 log ||GC|| = 20 log 1
soit :
||β(ωπ)·G0(ωπ) ||dB + (MG)dB = 0
206 Chap. 7. Bouclage et techniques de réaction des amplificateurs
• Marge de phase
Pour avoir la marge de phase, on cherche tout d’abord la valeur de la pulsation ω1
pour laquelle le module du gain de boucle est égal à 1, soit une valeur en décibel égal
à zéro. La marge de phase MP sera définie comme la variation de phase du gain de
boucle, que l’on peut tolérer avant d’atteindre la valeur critique de − π. Par suite la
marge de phase est définie par :
arg [β(ω1)·G0(ω1))] + MP = − π
Soit :
MP = −π + arg β(ω1)·G0(ω1))
La valeur de MP, comme celle de MG, relève de convention. Un bon compromis corres-
pond à des valeurs de l’ordre de − 30°à − 60°. En électronique, une valeur de − 45° est
généralement satisfaisante. Concrètement cela signifie que, même si la nouvelle valeur
du gain de boucle à la pulsation ω1 entraîne un retard de phase supplémentaire de 45°
par rapport à la configuration initiale, l’amplificateur bouclé restera stable.
e) Propriétés particulières
Les performances des amplificateurs sont souvent perturbées et/ou limitées par la
présence de signaux étrangers créés par les insuffisances de filtrage des alimentations
stabilisées, les non-linéarités des composants SC originels constituant l’amplifica-
teur, les bruits, et particulièrement le bruit thermique, la diaphonie, etc. Dans certains
cas, la contre-réaction permet de réduire les effets négatifs de ces signaux étrangers,
mais dans d’autres cas la contre-réaction est inefficace et n’apportera aucune amé-
lioration par rapport à ces perturbations. Nous allons préciser ces propriétés à travers
deux exemples.
perturbé par des parasites externes (créés, par exemple, par l’absence de régulation
et un filtrage insuffisant de son alimentation VCC). Dans ce cas, la contre-réaction
de l’équipement permet de réduire l’influence des signaux parasites sur le second
amplificateur et, par suite, d’améliorer son rapport signal/bruit. Par contre cette
amélioration implique que les signaux étrangers (parasites et/ou bruit) ne soient
appliqués qu’au niveau du second amplificateur.
En conclusion, on peut donc réduire l’influence de signaux étrangers dans un ampli-
ficateur seulement s’il est possible de concevoir un second amplificateur de gain
en tension suffisant, et de rapport signal/bruit meilleur que celui de l’amplificateur
originel, que l’on puisse associer à l’amplificateur initial.
Dans la pratique électronique, ce principe est mis en œuvre dans la réalisation des
amplificateurs de puissance. On peut ainsi décomposer un amplificateur de puissance
en deux parties (figure 7.19) : un premier étage utilise une alimentation + V/− V
parfaitement stabilisée, travaille à bas niveau et présente un gain en tension élevé,
la partie fort niveau travaillant avec un gain en tension unité et un gain en courant
élevé. Il est alors possible d’alimenter l’amplificateur de puissance proprement dit
par un ensemble simplifié de redressement + filtrage, les valeurs des condensateurs
de filtrage étant évidemment adaptés aux courants de crête à fournir…
+V +Vcc + V(t)
RI
+ +
+ Gv=+1
E Gv>>1
– GI >>1
– – R2
–V – Vcc + V(t) VS
R1
Jusqu’à présent, nous avons supposé que tous les composants et circuits utilisés
dans les schémas blocs possédaient des caractéristiques de transfert linéaires. D’une
façon générale, les composants SC ne présentent pas de caractéristiques de transfert
parfaitement linéaires : elles sont au mieux linéaires par morceaux, avec deux mor-
ceaux ou trois morceaux (petits niveaux, niveaux intermédiaires et forts niveaux).
L’utilisation de la contre-réaction permet de réduire la non-linéarité des transistors
bipolaires utilisés en étage de sortie. Les transistors bipolaires, en particulier les
transistors bipolaires de puissance, présentent en effet, outre les problèmes de satura-
tion, une non-linéarité importante crée par la caractéristique de transfert IC(VBE). La
contre-réaction permet de réduire l’influence des variations de gain dynamiques de la
caractéristique de transfert des composants internes constituant le second amplifica-
208 Chap. 7. Bouclage et techniques de réaction des amplificateurs
RI
+ +
+
E A.L A.N.L
–
– – R2
VS
R1
Mais, il ne faut pas croire que la contre-réaction est sans conséquence et qu’elle ne
possède pas de limitations intrinsèques.
Si le signal reste très proche d’un signal sinusoïdal alors que le module du gain de
l’amplificateur en B.O diminue aux niveaux élevés, c’est parce qu’à l’intérieur de
l’amplificateur bouclé, les signaux de commande de la partie puissance de l’amplifica-
teur bouclé ont nécessairement augmenté pour compenser la baisse de gain. En outre
la distorsion existe toujours, mais elle se trouve à l’intérieur de l’amplificateur bouclé,
la linéarité de l’amplificateur étant obtenue grâce à la « prédistorsion » adéquate des
signaux de commande de la partie puissance que réalise de fait le bouclage.
Par ailleurs on pourrait penser qu’il suffit de continuer à augmenter le gain de boucle
pour tout compenser, mais la contre-réaction ne peut tout compenser. Elle est inef-
ficace en particulier lorsque le fonctionnement d’un composant SC quitte le
régime linéaire. C’est le cas des transistors bipolaires fonctionnant à très bas niveau
(en dessous du seuil de déblocage des transistors bipolaires) et de tout composant
fonctionnant à très fort niveau. Plus généralement, c’est le cas lorsqu’un composant
fonctionne en interrupteur ouvert ou fermé et ne satisfait plus les conditions géné-
rales de linéarité.
Z1 Iε
–
Figure 7.21 La réaction IE
parallèle. ε Zd
+
E +
– VS
Nous utiliserons ainsi une approche basée sur les courants pour calculer le gain en
boucle fermée, avec : Ie = IE – IR or Ie ≈ 0 et
VE + ε −VS − ε
IE = , IR =
Z1 Z2
D’où :
VE
Z1
V
=− S −ε
Z2
1
+(1
Z1 Z 2 )
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G = − Z 2 G ⋅ V = ε + V
I
Z1 I E β S
Posons : et
VS
1 = Z1 GI ⋅ VE = + VS
β Z1 + Z 2 β ⋅ G0
Finalement, nous obtenons l’expression générale suivante :
β ⋅ G0
G = GI
1 + β ⋅ G0
210 Chap. 7. Bouclage et techniques de réaction des amplificateurs
c) Impédance d’entrée
Impédance d’entrée vue par l’amplificateur soumis à une réaction parallèle
Le montage correspondant est donné aux figures 7.22a et b. Nous désignerons par zd
l’impédance d’entrée de l’amplificateur en boucle ouverte.
E
L’impédance d’entrée spécifique de la réaction parallèle est définie par : Z P = .
i
Il est intéressant de calculer l’admittance d’entrée YP = i/E.
i i i i 1 i E − VS 1 + G0
YP = = ε + R avec ε = et R = =
E E E E zd E Z2 Z2
Z2 Z2 I1
Iε
Z1
–
–
I zS I2 I0
ε ε Zd
+ Zd G0 . ε
E +
+ +
– VS E0
–
a b
I1 I2 I0
+ +
Z2 Z1 ׳+ Z2 zS
E Zd E0
– 1 + G0 1 + β .G0 –
a b
d) Impédance de sortie
Pour calculer l’impédance de sortie en boucle fermée, nous utilisons toujours la
méthode générale précédemment utilisée pour la contre-réaction de tension.
E
La valeur de l’impédance de sortie sera définie par : ZS = 0 , I0 désignant le courant
I0
fourni par la source de tension E0 branché en sortie. Comme précédemment, calcu-
lons l’admittance de sortie YS.
I I
YS = 1 + 2
E0 E0
I1 1 Z′ ⋅ z I 1 E0 − G0 ⋅ ε
avec = ; Z1′ = 1 d et 2 = .
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E0 Z1′ + Z 2 Z1′ + zd E0 E0 zS
I0 1 1 + β ⋅ G0
Nous obtenons finalement YS = = +
E0 Z1′ + Z 2 zS
212 Chap. 7. Bouclage et techniques de réaction des amplificateurs
8.1 PRÉSENTATION
Le chapitre qui suit concerne un circuit intégré spécifique qui représente actuellement
l’élément de base le plus utilisé dans les applications d’électronique analogique.
Il est susceptible d’être rencontré sous de multiples noms, l’appellation ancienne
traditionnelle étant le terme d’amplificateur opérationnel (AOP) par référence aux
opérations mathématiques élémentaires (sommation, intégration…) qui étaient réa-
lisées dans les calculateurs analogiques. En France, on tend à privilégier depuis
quelques années le terme d’amplificateur linéaire intégré (ALI).
Nous allons nous intéresser à un circuit intégré, c’est-à-dire à un circuit comportant
plusieurs éléments amplificateurs réalisés sur un même substrat – encore et toujours
le silicium – avec des interconnexions métalliques à base d’aluminium, de cuivre,
etc., réalisées également in situ durant le processus d’intégration.
Ce circuit est un amplificateur de différence – on utilise traditionnellement le terme
« amplificateur différentiel » – il possède un très grand gain, une impédance d’entrée
élevée et une faible impédance de sortie. Sa bande passante s’étend jusqu’au « continu »
Différents symboles sont également susceptibles d’être utilisés : la représentation
française normalisée est représentée à la figure 8.1a, le symbole traditionnel utilisé
dans les pays anglo-saxons est donné quant à lui à la figure 8.1b.
214 Chap. 8. L’amplificateur opérationnel
+ Vcc
VS
+ ∞
+
VS
a
– –
V + V– b
– Vcc
Figure 8.1 a) Représentation d’un AOP idéal. b) Symbole d’un AOP.
8.1.1 De la structure…
Au premier coup d’œil, l’amplificateur opérationnel apparaît comme un circuit très
complexe où apparaissent de nombreuses sources et miroirs de courant. Dans un
AOP, à base de transistors bipolaires ou non, on peut néanmoins identifier différents
éléments caractéristiques :
• un amplificateur différentiel d’entrée avec sortie symétrique (différentielle) ou
asymétrique ;
• un miroir de courant, de structure plus ou moins évoluée, utilisé comme charge de
cet amplificateur d’entrée ;
• une source de courant alimentant les émetteurs de l’amplificateur différentiel
d’entrée ;
• un second étage à grand gain en tension ;
• un étage de sortie type push-pull à gain en tension unité et grand gain en courant.
Finalement, en règle générale un AOP est donc constitué de deux étages à grand gain
en tension et d’un étage de sortie, ces différents étages étant à liaison directe. Cette
particularité permet donc à un AOP de présenter une fréquence de coupure basse
égale à zéro hertz, c’est-à-dire de « passer le continu ».
Les variantes sont soit de type structurel, soit de type technologique. D’un point
de vue structurel, certains AOP peuvent utiliser pour second étage un amplificateur
différentiel, d’autres peuvent utiliser un amplificateur à grand gain avec montage
Darlington. Il peut être aussi utilisé un translateur de niveau pour ramener le poten-
tiel de sortie à zéro, etc. L’utilisation de composants spécifiques à effet de champ,
tels les JFET ou les MOS, dans la réalisation de tout ou partie d’un AOP, permet,
quant à elle de réduire de plusieurs ordres de grandeur impédance et courants
d’entrée.
8.1 Présentation 215
Entrée Sortie
+
ε +
G0 . ε VS
–
–
+ –
V V
(c’est-à-dire à fréquence nulle) étant très élevée, typiquement 105. La valeur des
tensions de saturation d’un AOP correspond sensiblement à la valeur de ses alimen-
tations. La valeur des tensions de saturation dépend du type d’AOP utilisé car un
AOP peut être alimenté de façon symétrique par deux alimentations + VCC et − VCC
(± 12 V ou ± 15 V), ou avec une seule alimentation. Pour les AOP standard, la tension
de saturation est égale, à 1,5 V près, à la valeur ± VCC des tensions d’alimentation.
Pour les applications basses tensions (inférieures à 5 V) pour lesquelles cette tension
de déchet pourrait s’avérer excessive, il est plus intéressant d’utiliser des sorties
(rail-to-rail output) dont la dynamique est très proche de la tension d’alimentation.
On peut obtenir ainsi obtenir avec des AOP en technologie CMOS des tensions de
saturation quasiment égales (à 1 % près environ) à la tension d’alimentation ; la
tension maximale de sortie étant d’autant plus proche de VCC que la résistance de
charge est élevée (RC >> 50 Ω).
L’amplificateur n’est pas seulement limité en niveau de tension, il est aussi limité en
courant maximal disponible (ordre de grandeur de l’ordre d’une dizaine de milliam-
pères pour un amplificateur standard).
Les ordres de grandeur des résistances différentielles d’entrée vont de 106 à 1012 Ω
selon le type de composants SC (transistors bipolaires ou composants à effet de
champ) utilisés dans l’amplificateur d’entrée. Les résistances de mode commun, qui
correspondent aux résistances de fuite des entrées + et − par rapport à la masse, sont
quelquefois précisées dans les fiches techniques. La résistance de sortie propre de
l’amplificateur, de l’ordre de 50 Ω à 200 Ω, est également indiquée. En règle géné-
rale les fiches techniques précisent la tension maximale de mode commun supportée
par les entrées.
La bande passante petit signaux d’un amplificateur opérationnel est en général très
faible : typiquement de l’ordre de 10 à 100 Hz ; mais il ne faut pas oublier que cette
bande passante est associée à un gain statique très élevé, souvent supérieur à 105.
Le produit gain–bande passante restant constant lorsqu’on boucle l’amplificateur, la
diminution du gain s’accompagnera d’une augmentation correspondante de la bande
passante petits signaux. Pour un AOP compensé en fréquence standard, la courbe
gain–fréquence correspond à celle d’un filtre passe bas du premier ordre.
Comme tous les amplificateurs de différence, la tension de sortie d’un AOP dépend
non seulement de la tension différentielle d’entrée mais également de la tension de
mode commun définie par VMC = 1/2(V+ + V−). Cette tension peut devenir importante
pour les amplificateurs dont aucune des entrées n’est reliée à la masse et ce d’autant
plus que l’influence de la tension de mode commun devient de plus en plus impor-
tante au fur et à mesure que la fréquence augmente. Les fiches techniques fournissent
généralement les courbes de variation du taux de réjection en mode commun avec
la fréquence. À titre d’exemple, pour un amplificateur classique (type « 741 ») le
TRMC est égal à 90 dB pour la fréquence de 1 Hz, il commence à chuter à 100 Hz et
ne vaut plus que 20 dB à 1 MHz…
8.2 Analyse des propriétés électriques des amplificateurs bouclés 217
La valeur de la sortie d’un AOP laissé en boucle ouverte et dont les deux entrées sont
reliées à la masse ne sera donc pas égale à 0 V mais sensiblement à ± VCC du fait de
cette tension de décalage. La tension de décalage correspond à la valeur particulière
que doit fournir une source de tension pour ramener à zéro la tension de sortie.
Les ordres de grandeur dépendent du type de composant SC utilisé dans l’étage
d’entrée. Pour des AOP utilisant des transistors bipolaires la tension de décalage
est voisine d’une dizaine à quelques millivolts. Pour des AOP utilisant des JFET à
l’entrée, elle est généralement du même ordre de grandeur (3 à 20 mV), avec une
dérive en température voisine d’une dizaine de microvolts par degré celsius. Pour
des AOP réalisés en technologie MOS, la tension de décalage peut être encore plus
faible (0,5 mV par exemple) avec des dérives en température inférieure à 2 μV/°C.
La tension de décalage à l’entrée peut être modélisée par une source de tension, même
si cette source n’est en aucun cas assimilable à une source de tension d’excitation
indépendante ou à une source contrôlée, disposée en série avec l’entrée inverseuse ou
non inverseuse. Ce modèle (figure 8.3) permet un calcul simple de l’influence de la
tension de décalage sur la valeur de la tension de sortie de l’AOP bouclé.
I–
+ – + +
Voff
I+
– –
a b
Certains AOP proposent des circuits spécifiques externes (consulter fiche technique)
pour compenser cette tension de décalage. Pour ce réglage : il est plus facile de réali-
ser ce réglage avec l’AOP en boucle fermée et un gain croissant 10, 100…
d’entrée JFET, voire inférieures, au pico ampères pour des AOP à technologie MOS.
Les ordres de grandeur du courant Id, à technologie équivalente, sont environ 5 à 10
fois plus faibles.
Les courants de polarisation I+ et Iˉ peuvent être modélisés par des sources de courant
(figure 8.3b) disposées en série avec les entrées inverseuse et non inverseuse.
Pour les amplificateurs travaillant à très faible niveau (les intégrateurs, etc.), une
bonne précaution consiste avec des amplificateurs standard à transistors bipolaires à
équilibrer les impédances d’entrée vues par les bornes − et + de l’AOP (figure 8.4) :
ceci permet d’annuler l’erreur en continu introduite par le courant moyen de polari-
sation. Il ne subsiste plus que l’erreur introduite par le courant de décalage.
R2
Ip
R1
+ VS = 0
R = R 1 // R 2
Pour les AOP en technologie MOS ou à très faible courant d’entrée, cette précaution
n’est pas indispensable.
c) Conclusion
La technologie des amplificateurs a fait de tels progrès, que hormis certaines appli-
cations spécifiques les erreurs en régime statique peuvent être souvent négligées.
De façon générale il faut néanmoins se rappeler que ces erreurs peuvent avoir des
conséquences importantes dans les intégrateurs (dérive naturelle de l’intégrateur
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le chapitre en question l’influence de la valeur finie du gain, qui plus est variable
avec la fréquence, sans toujours prendre en compte l’influence de l’impédance d’en-
trée non infinie, de l’impédance de sortie non nulle, du taux de réjection en mode
commun non infini. En fait l’influence de ces différents paramètres peut, selon les
applications, être plus ou moins importante.
En ce qui concerne l’influence des impédances d’entrée et de sortie, elles entraî-
nent en fait une réduction du gain en boucle ouverte G0 de l’AOP. Compte tenu
des développements technologiques, les impédances d’entrée des AOP actuels sont
suffisamment grandes pour que leur influence sur la valeur du gain en boucle ouverte
puisse être négligée. L’influence de l’impédance de sortie propre de l’AOP dépend
essentiellement de l’impédance de charge utilisée. Quant au TRMC, il entraîne des
problèmes de non-linéarité dans les montages de type non inverseur, alors qu’il n’a
aucune influence sur les montages dont l’entrée + est reliée à la masse.
R1 –
zS
ε +
– G0 . ε
+
RL VS
10 kΩ). En général, dès que RL ≥ 2 kΩ, on peut supposer que l’AOP est capable de
délivrer sa tension maximale nominale.
Ve – R2
VS
R1
Le schéma d’étude du montage non inverseur est donné à la figure 8.6. Comme nous
l’avons vu précédemment, la relation générale déterminant la valeur de la tension
de sortie d’un amplificateur de différence en régime de fonctionnement linéaire est
donnée par :
VS = GMD·VMD + GMC·VMC
GMD ≡ G0
+ −
VMD = V − V ≡ ε
avec 1 + et GMD G0
VMC = 2 (V + V ) ≈ V ≈ V ≈ VE GMC = TRMC = TRMC
− + −
Ainsi lorsque le TRMC n’est pas infini, l’application d’une tension de mode commun
VE
VE est équivalente à l’application d’une tension de mode différentiel .
TRMC
Il s’ensuit des problèmes de non-linéarité de la caractéristique de transfert VS = f(VE).
En effet, à une fréquence donnée, le TRMC varie de façon importante avec la tension
de mode commun et se dégrade lorsque le niveau de commun augmente (figure 8.7).
D’autre part, à un niveau de mode commun donné, le TRMC varie par ailleurs avec la
fréquence de fonctionnement et se dégrade de façon importante lorsque cette dernière
augmente. Il y a donc limitation intrinsèque de linéarité propre au montage non inverseur.
VS
AOP idéal
AOP réel
VE
Figure 8.7 Caractéristique de transfert d’un AOP réel.
Cas du montage non inverseur.
(G0) dB
(G0) dB
G0 G0
100 100
Valeurs Pente – 6 dB/octave
typiques Pente – 6 dB/octave
AOP 741 Pente
5 –12 dB/octave
G0 = 10
f0 = 10 Hz
f1 = 106 Hz
ω 0
ω
0
ω0 ω1 ω1 ω2
a b
S =
dV
( )
= 0
d t max CC
I
( ddVt )
S
max
<S avec : VS = V0·sin ωt, soit : V0 <
S
2π f
La courbe V0(f) en grands signaux (maximum peak output voltage vs frequency),
qui correspond à une hyperbole, est systématiquement fournie dans les fiches tech-
niques, la résistance de charge étant également précisée (2 kΩ ou 10 kΩ) (figure 8.9).
VS
14 –
Figure 8.9 Courbe
de variation de l’amplitude
du signal.
6–
Fonctionnement
en « grands signaux ».
2–
Rappelons tout d’abord que, comme nous l’avons indiqué dans le chapitre consacré
au bouclage des amplificateurs, un amplificateur bouclé sera stable s’il satisfait à la
condition suivante :
||(β(ω*)·G0(ω*)|| < 1 lorsque arg [β(ω*)·G0(ω*)] = − π
Pour les amplificateurs compensés présentant une chute du gain en BO de − 6 dB/
octave, il résulte des résultats précédents que l’AOP en boucle fermée soumis à une
contre-réaction résistive est inconditionnellement stable car le déphasage asympto-
tique de ce type d’AOP tend vers − π/2.
Pour les amplificateurs non compensés présentant une chute du gain en BO de
− 12 dB/octave et dont en outre le gain en boucle ouverte G0 est supérieur à 1 pour
226 Chap. 8. L’amplificateur opérationnel
| G0 |dB
G0
Circuit stable
Circuit instable
ω
ω1 ω2
Cette condition fixe donc pour les AOP une valeur minimale du gain en boucle
fermée. En général, cette valeur est de l’ordre de 3 à 5, selon l’AOP utilisé. Aussi
paradoxal que cela puisse paraître, c’est le montage le plus simple, c’est-à-dire le
montage suiveur qui est le plus sensible aux oscillations parasites pour cette famille
d’AOP.
8.2 Analyse des propriétés électriques des amplificateurs bouclés 227
C2
R1
R2
R2
R1 VE VS
VE VS
C2
courbe de déphasage.
3. Calculez les coordonnées de la valeur maximale de déphasage et la valeur
correspondante du gain.
4. Montrez que la valeur jM du déphasage maximal peut s’écrire :
k −1
sin ϕ =
k +1
Rappel : On utilisera les relations trigonométriques suivantes :
sin (a − b) = sin a·cos b – sin b·cos a
cos (arctan x) = (1 + x2)−0,5
sin (arctan x) = x/(1 + x2)0,5
228 Chap. 8. L’amplificateur opérationnel
2. Module du gain
La variation du module est déterminée par l’évolution fréquentielle de
1 + jkτω
A= avec les propriétés limites suivantes :
1 + jτω
1
G ( jω ) ω → 0 = et G ( jω ) ω →∞ = 1
k
La condition G ( jω ) ω →∞ = 1 traduit simplement le fait que la capacité se
comporte comme un court-circuit aux fréquences élevées.
Le dénominateur est tel que :
tw >> 1 ou w >> 1/t ||G(jw)|| ≈ tw
tw << 1 ou w << 1/t ||G(jw)|| ≈ 1
Le numérateur est tel que :
ktw >> 1 ou w >> 1/kt ||G(jw)|| ≈ ktw
ktw << 1 ou w << 1/kt ||G(jw)|| ≈ 1
Le tracé se fait de façon classique. Il s’agit pour les parties variables avec la
fréquence, de droites de pente + 6 dB/octave ; on soustrait ensuite le dénominateur
du numérateur.
La phase de gain est obtenue par différence des courbes de phase du numérateur
et du dénominateur.
8.2 Analyse des propriétés électriques des amplificateurs bouclés 229
Figure 8.12
1
4. Nous avons vu que : jM = arctan k − arctan
k
230 Chap. 8. L’amplificateur opérationnel
(
sin ϕ M = sin arctan k − arctan
1
k )
et en développant sin (a − b) :
1
k 1 k 1 k −1
sin ϕ M = ⋅ − ⋅ =
1+ k 1 1 1+ k k +1
1+ 1+
k k
Applications numériques :
10 ⋅ 100
τ = ⋅ 103 ⋅ 10 ⋅ 10 −12 = 9,8 ⋅ 10 −8 s
110
1 108
ωM = ⋅ ≈ 3,35 ⋅ 106 rad/s
11 9,0
10 + 100
k = = 11
10
fM = 533 kHz et sin jM = 0,833, soit jM ≈ 56°
CF
|G0 |dB
RF G0
– Sans CF
RE
CE
+ Avec CF
VE VS
a b
CF
+
ε
RF
– ε
VS RE VR –1
CE
c
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Par contre, il ne doit pas se tromper dans l’interprétation de cette pratique. Pour
interpréter correctement le rôle de cette capacité, il ne faut pas considérer l’AOP,
mais l’ensemble des éléments, éléments parasites compris, constituant le réseau de
réaction. Ainsi l’arrêt des oscillations n’est pas dû à un effet d’intégration – de retard
de phase – qui serait introduit par l’introduction de la capacité en contre-réaction sur
l’AOP, mais au contraire à un effet différenciateur – d’avance de phase – introduit
dans le réseau de réaction.
R2
+
zS R0 R1
CF
VE – G0 . ε –
zS R0
RL VS VE + G0 . ε
CL VS
R1 R2 CL
a b
Lorsqu’il est nécessaire de disposer d’une faible impédance de sortie, il est préfé-
rable par contre d’intégrer la résistance r dans le bouclage de l’amplificateur. Les
valeurs habituellement utilisées se situent dans la gamme de 10 à 50 W pour les
résistances et 10 à 50 pF pour les capacités.
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Applications
de l’amplificateur
9
opérationnel
Pratiquement, lorsque l’entrée non inverseuse est reliée à la masse, l’entrée inver-
seuse constitue une masse virtuelle. Il suffit alors généralement d’écrire l’égalité des
courants d’entrée et de réaction pour déterminer la fonction de transfert du montage.
Lorsque l’entrée non inverseuse n’est pas reliée à la masse, il faut calculer au préa-
lable la tension de l’entrée non inverseuse.
En mode commun
Les tensions de mode commun sont limitées sensiblement par la valeur des tensions
d’alimentation. Des différences existent selon que l’AOP utilise une technologie à
transistors bipolaires ou des MOS pour la réalisation de l’étage d’entrée. En règle
générale, pour les montages sensibles au mode commun (circuits de type non inver-
seur par exemple) on utilise des diodes Schottky avec une résistance série dans l’entrée
sensible pour limiter le courant à une valeur de l’ordre de quelques milliampères.
Intégrateur et différentiateur
Les schémas des montages pratiques sont donnés à la figure 9.1.
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R2
R2
C2
R1 R1
– –
Ve C1
+ Ve +
VS VS
a b
R2
+
VS
VE R1
–
–
VS
VE
R2 +
R1
VREF2
VREF1
Figure 9.2 Figure 9.3
Calculez dans chacun des cas la valeur du rapport des résistances et la valeur
de la tension de référence.
Solution
Dans le premier cas, le gain défini par le rapport de ΔVS/ΔVE est égal à 14/2 = 7.
Le gain de l’amplificateur non inverseur étant défini par la formule 1 + R2/R1, la
valeur de R2/R1 est égale à 6.
L’influence du décalage introduit par la tension de référence continue VRef peut
être calculée par le théorème de superposition. On éteint la source VREF1, on
9.1 Applications en régime linéaire 239
Amplificateur différentiel
Le montage élémentaire est donné à la figure 9.4a. À signaler :
R R
• Que seule la condition 2 = 4 permet d’obtenir un amplificateur de différences
R1 R3
idéal. Le non-respect de cette condition, suite à une dispersion ou à une précision
insuffisante des résistances, conduit inévitablement à l’introduction d’une tension
parasite de mode commun.
• L’inégalité des impédances présentées par chacune des voies de l’amplificateur.
• La valeur relativement modeste des impédances d’entrée.
• L’amplificateur d’instrumentation permet de s’affranchir de ces problèmes.
R2
+
B
R1 e1 R
– –
R2 R
–
e1 R3 D
R1
+ VS C VS
+
– R2 R
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e2 A R
R4 +
e2
a b
Amplificateur d’instrumentation
Le schéma général d’un amplificateur d’instrumentation est donné à la figure 9.4b.
Cette structure est disponible en circuit intégré.
240 Chap. 9. Applications de l’amplificateur opérationnel
Solution
L’amplificateur différentiel de sortie ayant un gain de + 1, il suffit donc de
calculer les tensions des points A et B.
Pour calculer VA, on éteint la source e1. Par suite les entrées de l’AOP 1, sont
telles que : V+ = V− = 0. La valeur du potentiel du point D est donc VD = 0.
L’AOP 2 est monté en amplificateur non inverseur : son gain est donc égal à :
R
1+ 2
R1
Pour calculer VB, on éteint la source e2. Par suite les entrées de l’AOP 2, sont
telles que : V+ = V− = 0. La valeur du potentiel du point C est donc VC = 0.
L’AOP 1 est monté en amplificateur non inverseur : son gain est donc égal à
R
1+ 2
R1
Finalement on somme les contributions de chaque source (théorème de
superposition) :
R
VS = VA − VB = 1 + 2 (e2 − e1 )
R1
Amplificateur de courant
Cette amplification peut être réalisée selon deux schémas traditionnels selon que
l’on travaille en courant ou en tension.
– +
I0 I0
R
VS – VS
+
a b
Amplificateur de charge
Le comportement électrique de divers capteurs est susceptible d’être modélisé par
une source de courant associé à une capacité CT spécifique du transducteur. Il en
est ainsi aussi bien de capteurs piézoélectriques (ordre de grandeur de CT : 1 nF à
50 nF) utilisé pour des mesures d’accélération, de vitesse mécanique que de capteurs
semi-conducteurs (détecteurs à diodes au silicium ou au germanium) utilisés pour la
mesure de rayons X ou de rayons g en instrumentation nucléaire.
Ces capteurs, qui délivrent « naturellement » une charge Q, sont très sensibles aux
effets parasites capacitifs, qu’il s’agisse des variations de CT sous l’effet des condi-
tions de polarisation ou de l’influence de la capacité CC en parallèle due aux liaisons
coaxiales.
R2 I2
Cr R1 I1
+Vcc
–
–
+
R3 I3 VS
I0
CS
T1
+ VS
a b
Les spécifications des amplificateurs de charge dédiés aux mesures mécaniques sont
précisées dans les notices techniques. En instrumentation nucléaire, à titre d’exemple,
les valeurs de C T sont de l’ordre de 1 pF à quelques centaines de pF selon le type
242 Chap. 9. Applications de l’amplificateur opérationnel
Référence de tension
Dans ce type d’application, ce sont les influences de la tension d’alimentation et la
température qui sont les paramètres sensibles. De nombreux circuits utilisent soit
la chute de tension en directe d’une diode, soit une tension de référence définie par
une diode Zener (de nombreux schémas sont disponibles dans la littérature spécia-
lisée.). Une autre approche intéressante utilise l’unité de tension thermodynamique
VT = kT/q, qui permet une compensation de la référence dans une large gamme de
température
Source de courant
Il existe de nombreuses variantes de circuits utilisant un ou plusieurs AOP qui per-
mettent de réaliser la fonction source de courant.
Une source de courant utilise généralement deux boucles de réaction. Une contre-
réaction permet de créer une source de tension, et par suite, via l’introduction d’une
résistance série Rs de définir la valeur du courant de court-circuit de la source de
courant. Pour compenser ensuite l’élévation de tension aux bornes de Rs et le courant
dérivé par le réseau de réaction lorsqu’on charge la source de courant, on introduit
244 Chap. 9. Applications de l’amplificateur opérationnel
R1
– G.E
VS
–
E
+ +
Figure 9.7 Figure 9.8
b) Les deux schémas correspondant sont donnés respectivement aux figures 9.9
et 9.10.
R2
R3
R1
– R3 G.E ICC
E ICC
–
+ +
Figure 9.9 Figure 9.10
c) Si l’on ne veut pas modifier la valeur du courant de court-circuit, comme le
potentiel côté masse de R3 s’est élevé de la valeur V, il faut élever le potentiel de
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R3 IM + ICC R3
IM ICC
V ICC
V V
– Charge R4
G.E –
Figure 9.11 Figure 9.12
246 Chap. 9. Applications de l’amplificateur opérationnel
G.E – Charge
R4
Figure 9.13 Figure 9.14
4. La même méthode peut évidemment être utilisée… sauf que la tension appliquée
à l’entrée + de l’AOP vaut maintenant V(R1/R1 + R4), le courant circulant dans le
diviseur potentiométrique valant : V/(R1 + R4)
Par suite, la condition de compensation s’écrit maintenant :
R3 R R1
V +V = V 1 + 2
R1 + R4 R1 R1 + R4
Soit finalement : R2 = R3 + R4.
Convertisseur d’impédance
Le développement des AOP a été pour beaucoup dans la synthèse pratique de
nouveaux composants tels par exemple : les convertisseurs d’impédance négative
(Negative Immittance Converter : NIC), les gyrateurs, les circulateurs… Indépen-
damment de leur intérêt théorique, ces composants ont permis une nouvelle approche
de la synthèse des filtres actifs.
• Les convertisseurs d’impédance négative
Les convertisseurs d’impédance négative sont des composants modélisables par des
quadripôles. Ils possèdent la propriété caractéristique suivante : une impédance Z
9.1 Applications en régime linéaire 247
branchée à l’un des dipôles apparaît à l’autre dipôle changée de signe. Deux types
de réalisations avec AOP sont possibles selon que le changement de signe est obtenu
via une action sur le courant (INIC) ou sur la tension VNIC.
I1 I2
I1 I2
impédance soit par sa matrice admittance. Les symboles utilisés habituellement pour
ce composant sont donnés aux figures 9.16a et 9.16b.
I1 I2
I1 I2
V1 RG V2 V1 V2
a b
Figure 9.16 a) Symbole d’un gyrateur. b) Symbole d’un gyrateur.
248 Chap. 9. Applications de l’amplificateur opérationnel
V1 0 − RG I1
= R 0 I 2
V2 G
À remarquer que le gyrateur est un élément linéaire, sans perte qui n’absorbe aucune
puissance de son environnement puisque V1(t)·I1(t) + V2(t)·I2(t) = 0.
Le gyrateur est un transformateur d’impédance car, à titre d’exemple, si un gyrateur
est fermé sur une impédance Zc, son impédance d’entrée prend la forme suivante :
R2
Z E = G . Ce composant permet donc une synthèse simple d’une inductance à l’aide
ZC
d’une capacité branchée en sortie. Il permet par conséquent d’envisager la synthèse
de circuits de filtrage par analogie avec les filtres passifs L, C.
R2
R1
– Vs –
iE
+ R3
+
ve Vs
ve R C0
C
L
R
r
RiE = jCωi1 et i1 = jRCωiE
Par ailleurs l’application de la loi de Kirchoff à la maille d’entrée conduit à :
VE = RiE + R(iE + i1) = 2R·iE + jR2·Cω·iE
Par identification avec l’expression proposée dans l’énoncé, nous obtenons donc :
r ≡ 2R et L ≡ R2·C
Ainsi l’impédance d’entrée est équivalente à l’impédance d’une inductance L en
série avec une résistance r. L’augmentation de l’impédance d’entrée est due à la
réaction introduite par C qui « bootstrape », au fur et à mesure que la fréquence
augmente, la résistance R.
250 Chap. 9. Applications de l’amplificateur opérationnel
Les filtres
De façon générale un filtre élémentaire est un dispositif sélectif qui présente 3 zones
fréquentielles caractéristiques : une bande de bonne transmission (la bande pas-
sante) du signal, une bande d’atténuation du signal et une zone de transition entre
ces deux bandes. Cette dernière, qui correspond aux fréquences intermédiaires dans
laquelle l’amplitude du signal varie avec la fréquence, définit de façon générale la
sélectivité du filtre.
Pour qu’il y ait bonne transmission du signal, le gain complexe doit présenter des
propriétés particulières : il en résulte donc des caractéristiques portant sur la varia-
tion fréquentielle du module du gain et sur la loi de déphasage. Ainsi ces paramètres
doivent satisfaire aux relations suivantes :
• G = Cste = K avec K éventuellement égal à 1 ;
• argG ( jω ) = Φ (ω ) = – τω avec τ temps de propagation dans le circuit.
Le retard introduit par le circuit doit donc varier linéairement avec la fréquence.
Dans ces conditions, le signal de sortie s(t) est relié au signal d’entrée e(t) par la
relation : s(t) = K·e(t − τ).
|G(jω) |dB
0
AB
AA
ω
ωc ωs (log)
Figure 9.19 Gabarit d’un filtre passe bas.
filtre indépendant de la charge. Par contre, la réalisation des filtres d’ordre 2 consti-
tue un point essentiel de la synthèse.
Dans la synthèse des filtres d’ordre deux par cellules élémentaires on peut rencon-
trer deux grandes familles de schémas selon que l’on utilise des AOP bouclés en
source de tension contrôlée ou avec réaction parallèle. Il s’ensuit deux familles de
filtres nommés respectivement filtres de Sallen-Key et filtres de Rauch (ou à réac-
tions multiples).
C1
C
R R
+ R I1
VS
VE
–
R C –
C2 R
VE +
r r
a b
Figure 9.20 a) Filtre passe bas d’ordre 2 : structure de Sallen-Key.
b) Filtre passe bande d’ordre 2 : structure de Rauch.
Les figures 9.20a et 9.20b donnent à titre d’exemple deux types de filtres le plus
souvent rencontrés : un filtre passe bas de type Sallen-Key et un filtre passe bande
avec structure de Rauch. Dans ces deux approches ce sont essentiellement la préci-
sion de la valeur des composants passifs qui déterminent le gain complexe.
L’approche par variable d’état consiste à décomposer le filtre en une partie dyna-
mique réalisée à l’aide d’intégrateurs et une partie statique constituée de sommateurs
pour simuler une fonction biquadratique générale de la forme suivante :
b2 p2 + b1 p + b0
G ( p) =
a2 p2 + a1 p + a0
Alors que dans le cas précédent, la structure du filtre dépend de la réponse choisie,
il est possible dans ce type d’approche de réaliser tout type de filtre du second ordre
(passe bas, passe haut…) avec une cellule universelle ayant trois ou quatre AOP.
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Dans ce type de synthèse, c’est la topologie du bouclage des différents AOP qui
détermine les spécificités de la réalisation (type d’entrée à la masse par exemple),
les différentes fonctions de filtrage susceptibles d’être réalisées et leurs spécificités
(indépendance des réglages par exemple).
L’approche par synthèse d’impédance utilise de façon systématique les différents
types de convertisseurs d’impédance pour la synthèse des inductances en particu-
lier : finalement on imite les filtres LC, ce qui permet de pouvoir utiliser les méthodes
traditionnelles de synthèse des filtres passifs.
Le développement de la technologie MOS a permis enfin un développement paral-
lèle très important des filtres à capacités commutées. En effet, dans la mesure où la
technologie permettait de disposer de bons interrupteurs et d’une bonne capacité, il
254 Chap. 9. Applications de l’amplificateur opérationnel
problèmes de saturation des AOP. Il faut également veiller que les gains de chaque
cellule soient du même ordre de grandeur dans les gammes de fréquences correspon-
dantes. Enfin, il faut pouvoir régler indépendamment fréquence de coupure et facteur
de qualité lorsque ce dernier devient très important.
R
R
– iD, VS R
R –
+ – R/2
VS RL VS
VE VE + +
VS
a b
Figure 9.21 a) Redresseur simple alternance.
b) Redresseur double alternance.
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VD
La diode conduit dès que ID > 0 soit : VE > .
G0
Ainsi le seuil de conduction de la diode est divisé par le gain de G0 de l’AOP.
L’expression de la tension de sortie Vs montre enfin que la pente de la caractéristique
G0
de transfert VS(VE) est égal à c’est-à-dire pratiquement à 1.
1 + G0
À partir de ce schéma de nombreuses variantes permettent d’obtenir un redressement
double alternance : on peut ainsi associer un amplificateur différentiel au redresseur
simple alternance précédent, à un redresseur simple alternance à double sortie… Le
schéma de la figure 9.21b représente un exemple simple de réalisation possible.
256 Chap. 9. Applications de l’amplificateur opérationnel
La fonction limiteur
VS VS
+ VCC + VCC
+ V0
– VREF VE VE
+ VREF VREF
– V0
– VCC
a b
Figure 9.22 a) Fonction limiteur. b) Fonction comparateur.
R2
Ve(t)
Ve(t) + +
VS
VS VREF
R1
–
VREF – a b
Dans le comparateur à zéro de tension, les entrées débitent sur des résistances : ce
type de circuit est donc bien adapté aux CNA possédant une, ou des sorties, en
courant. Le changement d’état de l’AOP se produit lorsque la tension ε passe par
R
zéro volt, soit lorsque VE = − 2 VRef .
R1
Ces schémas peuvent, en principe, être réalisés avec des AOP classiques. Mais
hormis quelques applications en très basses ou en basses fréquences, l’utilisation
d’un AOP classique est exclue du fait de son slew-rate très limité.
En règle générale, on utilise des AOP spécifiques. Prévus pour travailler en boucle
ouverte, ils présentent une structure plus simple que celle de l’AOP (un étage d’en-
trée différentiel + étage de détection du passage à 0V). Ils peuvent présenter des
étages de sortie très divers : étage de sortie à collecteur ouvert par exemple (avec un
« classique » : le comparateur LM 339) ou des étages directement compatibles avec
divers types de logiques.
Les bandes passantes sont beaucoup plus grandes que celles des AOP classiques, les
temps de basculement entre niveaux de sortie sont très faibles, il en est de même des
temps de propagation entrée/sortie.
Par contre, leur gain en boucle ouverte élevée et leur grande bande passante les rend
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VS
+ VCC
SB SH VE
– VCC
SH –
+
VE
VS
SB +
À signaler qu’il est possible d’utiliser un circuit d’aiguillage à diodes qui permet
d’utiliser un seul AOP. À signaler que ce type de fonction est disponible sous forme
d’AOP spécialisé (LTC 1042 ou équivalent par exemple), qu’il peut bénéficier de
circuit mémoire intégré dans l’AOP, de sortie compatible TTL, etc.
VS
+ VCC
VE
SB SH
– VCC
R2
R2
R1
R1 +
VS
+
VS
VE –
– VE
a b
R
à l’état haut tant que ε > 0 soit : VE > SB = 2 ⋅ ( −VCC ).
R1
En pratique, deux variantes sont possibles selon que le comparateur sera non inver-
seur (figure 9.27a) ou inverseur (figure 9.27b).
Il est possible par ailleurs de dé-symétriser les seuils, par exemple en décalant le
potentiel de l’entrée − par rapport au 0 Volt dans le montage de la figure 9.27a.
Les nouvelles conditions de basculement sont définies alors par la relation suivante :
R V + R1VS
ε = 2 E − VRef = 0 avec VS = ± VCC
R1 + R2
260 Chap. 9. Applications de l’amplificateur opérationnel
C ( )
V (t ) = V . 1 − exp − t + SBexp − t
CC
τ τ( )
( )τ ( )
VC (t ) = −VCC . 1 − exp − + SH exp − t
t
τ
L’AOP change d’état lorsque la tension de capacité atteint la valeur SH dans le
premier cas et SB dans le second cas (figure 9.28b).
R2 VS
+ VCC VS(t)
R1
+
VS
SH
-
Vc(t) t
R
VC(t) C2 SB
– VCC
a b
Figure 9.28 a) Multivibrateur astable. b) Formes d’ondes caractéristiques.
Il en résulte que les durées de chaque état de l’AOP sont égales et par suite, tous
calculs faits, la période T de la forme d’onde délivrée par l’AOP est telle que :
2 R2
T = 2τ ln 1 +
R1
9.2 Applications en régime non linéaire 261
R2 D2
Rp
R1 D1
AOP AOP
C2 entrée sortie
VC(t)
Index
A diffusion injection
abrupte 92 constantes 14 faible 16
accepteur 8 courant 14 forte 18
amplificateur diode
compensé 222 haute tension 98 J
de charge 241 Schottky 99
donneur 7 JFET 25, 130
décompensé 223
différentiel 239 dopage 6
d’instrumentation 239 dualité 151 L
avalanche (effet d’) 98 dynamique 82 linéarité 50
B E M
Baker clamp 129 Early 112
marge
bandes d’énergie 4 effet de substrat 139
état (équation d’) 73 de gain 205
bootstrap 249 de phase 206
C F Miller 85
filtre miroirs de courant 159
canal 132
de Rauch 253 mobilité 13
cascode 165
causalité 51 de Sallen-Key 253 mode
claquage 113 fréquence bloqué 110
code ASCII 44 de transition 125 inverse 110
unité 125
commutation linéaire 46, 82
commandée 86 non linéaire 46, 83
spontanée 86
G
normal 110
composants gabarit 251
gain forcé 126 saturé 110
bipolaires 24
générateur 35 modèle
unipolaires 25
constante génération recombinaison comportemental 52
localisée 53 12 de connaissance 52
gyrateur 247
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répartie 54 montage
courant base commune 120
de décalage à l’entrée H collecteur commun
218 Howland 244 120
moyen de polarisation à hystérésis (comparateur à) émetteur commun 120
l’entrée 218 258
Moore (loi de) 134
D I MOSFET 25, 130
Darlington 170 IGBT 173
impédance
P
découplage
amplificateur/réseau de d’entrée 78 pincement 136
réaction 182 de sortie 78 push-pull 169
264 Index