¿Que es strain gage?

Es un dispositivo para medir las deformaciones [1], su traducción se asocia con

galgas extensiométricas, ellos pueden ser clasificados como mecánicos, ópticos o
eléctricos dependiendo del principio de operación y sus características de
construcción[2].

 Strain Gauges de resistencia: La resistencia en un material conductor

cambia con los cambios dimensionales , que toma lugar cuando el conductor
es deformado elásticamente. Cuando el material es estirado , los conductores
se alargan y se encogen causando un incremento en la resistencia. El valor
resultante es linealmente relacionado a la deformación por una constante
llamado factor de medición o gauge strain.

 Capacitance Strain Gauges: Los medidores de deformaciones con

capacitancias, van a depender de características geométricas. La
capacitancia de un simple plato paralelo es proporcional a:


 Donde C es la capacitancia y va variar con el cambio en el área de la placa
(a), o el espacio t entre las placas y k es la constante dieléctrica.

 La capacitancia de los materiales en medidores de deformación puede ser

escogida para satisfacer los requisitos mecánicos, eso le da a las galgas ser
más rígidas promoviendo una ventaja sobre las galgas de resistencia.

 Galgas de deformación fotoeléctricas: Un extensómetro (un aparato con

palancas mecánicas) es usado para amplificar el movimiento de un
espécimen. Un haz de luz va pasar a través de una abertura variable y
accionada por el extensómetro .Para luego ser dirigida a la celda fotoeléctrica
, la cantidad de luz alcanzando llegando alas celdas caria , causando una
intensidad variable en la corriente generada por la celda.
 Galgas extensiométricas de semiconductores: un cambio en la carga
electrónica , a través de las caras del cristal ocurre cuando el material esta
sometido a esfuerzos. El efecto de piezoresistividad esta definido como un
cambio en la resistencia del material debido a un esfuerzo aplicado y ese
termino es usado con frecuencia cuando se habla de materiales
semiconductores. La resistividad de un semiconductor es inversamente
proporcional al producto de la carga eléctrica, el numero de portadores de
carga, y su movilidad promedio. El efecto de aplicar un esfuerzo producirá un
cambio en el numero y promedio de la movilidad de los portadores de carga.