EJERCICIO 2

En el circuito de la figura siguiente calcular RB y RC.

Datos: Ics0 ≅ 0 y β = 100.

IB IC = 10 mA

VCE = 5 V
VBE = 0,7 V 10V
5V
IE

5 − 0,7 10 − 5
RB = = 43 K RC = = 0,5 K
0,1 10

EJERCICIO 3

En el circuito de la figura siguiente calcular RB y RC. Datos: Ics0 ≅ 0 y β = 100.

IC = 10 mA

IB VCE = 5 V
VBE = 0,7 V

5 − 0,7 + ( −10,1 x 0,1K )

RB = = 32K 9
0,1mA

10 − 5 + ( −10,1 x 0,1K )
RC = = 0,399K
10 mA
EJERCICIO 4

En el circuito de la figura siguiente calcular la tensión colector base si α = 0,98

y consideramos despreciables VEB y ICs0.

IE IC

VCB

VCB = - 18 + 3,92 x 3k = - 6,24 V

EJERCICIO 5

En el circuito de la figura siguiente calcular la tensión de salida VS suponiendo

despreciable ICs0 y siendo VEB = 0,7V y α = 0,98.

IE IC

VEB VCB
VS

IB

VS = IC . RC – 12 = 4 . 1,4 mA – 12 = - 6,4 Volt.

EJERCICIO 6

En el circuito de la fig. siguiente calcular el valor de R1 si ICs0 = 0, VEB = - 0,7V,

α = 0,98 e IE = 3 mA.

C
IR1
IC

B
IB
VBE IE = 3mA

IR2
M

VR1 7,86 V
R1 = = = 62,3 k
I R1 0,126 mA

EJERCICIO 7

El transistor de la fig. siguiente es de silicio. Calcular corrientes, tensiones y

potencias. α = 0,99, ICS0 = 10-6 mA.

IB IC

VCE
VBE
IE
 − VBB − VBE −1− (− 0,7 )
IB = = = − 0,15 mA
RB 2

I C = 99 . (− 0,15) − (1 + 99 ).10 −6 = − 14,85 mA

IE = - IC – IB = - ( - 14,85) – (- 0,15) = 15 mA

VCE = - 6,51 Volt.

VCB = VCE – VBE = = - 5,81 Volt.

PBB = VBB X IB = 1 X 0,15 = 0,15 mW

Potencias cedidas
PCC = VCC X IC = 8 X 14,85 = 118,8 mW

PRB = RB X IB2 = 2 X 0,152 = 0,045 mW

PRL = RL X IC2 = 0,1 X 14,852 = 22,052 mW

Potencias consumidas
PJ1 = VBE X IE = 0,7 X 15 = 10,15 mW

PJ2 = VCB X IC = 5,81 X 14,85 = 86,27 mW

EJERCICIO 8

El transistor de circuito de la fig. siguiente es de silicio y tiene una β = 100.

Calcular: IB, IC, IE, VCE y VCB. Determinar la zona de trabajo del transistor.

IE IC

VEB IE VCB

VBC = - 6,73 Volt.

El transistor está en la zona activa, pues:

a) La unión de emisor está polarizada directamente pues VBE > 0

b) La unión de colector está polarizada inversamente pues VBC < 0
EJERCICIO 9

Determinar el valor de las resistencias R1, R2 y R3 en el circuito de la fig.

Datos:
I1
VCC = 20 Volt., I1 = 13,75 mA
IB IE
VZ = 12 Volt., rz = 22 Ω

IZ
VEC = 4 Volt., IE = 2,5 mA

VEB = 0,7 Volt., β = 99

IC
ICS0 = 0, VCE(Sat) = 0

VCC − VB 20 −12,3
R1 = = = 0,56K
I1 13,75

VCC − VB − VEB 20 −12,3 − 0,7

R2 = = = 2K8
IE 2,5 mA

VCC − I E . R 2 − VEC 20 − 2,5 mA . 2,8K − 4

R3 = = = 3636 Ω
βI B 99 . 25.10 −3
EJERCICIO 10

En el circuito de la fig. siguiente, hallar la zona de funcionamiento del transistor.

DATOS:
VBE = 0,7 Volt β = 100

VCE = 10 – 1,252 – 2,48 = 6,267 V

Como VCE > 0 el transistor trabaja en la zona activa.

EJERCICIO 12

Comprobar si el transistor T1 del circuito de la fig. siguiente está saturado y

calcular las tensiones y corrientes del transistor T2. Suponer hFE(min) = 40,
VBE = 0,7 y VCE(Sat) = 0,2 V.

IC1 = 9,8 < 40 . 0,28 = 11,27 mA = hFEmin x IB lo que demuestra que el transistor
T1 está saturado.
Al estar T1 saturado y como VCE(Sat) es una tensión inferior a los 0,7 V que
necesita T2 para conducir, este permanecerá al corte. Por lo tanto tenemos que:

IB = 0 IC2 = 0 VBE2 = 0,2 V VCE = VCC = 10 V

EJERCICIO 13

Diseñar el circuito de la fig. siguiente para que el transistor funcione entre corte
y saturación cuando se aplique una señal cuadrada cuyos valores extremos sean
de 0 Volt. y – 5 Volt.

Datos:
VBE (Sat.) = - 0,7 V
VCE (Sat.) = 0 V
IC (Sat.) = 20 mA
hFE = β = 90
0V
-5 V

VCC − VCE (Sat ) VCC −5

RC = ≈ = = 250 Ω
IC IC 20.10 −3

90 . 4,3
RB ≤ =19350 Ω
20 .10 −3

por lo tanto, cualquier valor de RB por debajo de 19350 Ω saturará al transistor.

EJERCICIO 14

Calcular el valor de la tensión en V0 en las dos posiciones del circuito de la fig.

siguiente.

Datos: hFE = 100, VBE = 0,7 VCE (Sat.) = 0,2 V T1 = T2

POSICION A:

V0 = VCE 2 − VBB = VCE (sat ) − VBB → V0 = 0,2 − 3 = − 2,8V

POSICION B

T1 está saturado, D Z no conduce y T2 está trabajando al corte, por lo que en

estas condiciones V0 = VCC = 12 Volt.
EJERCICIO 15

En el circuito de la fig. determinar la zona de trabajo del transistor en los

siguientes casos:
a) E = 0,4 Volt.
b) E = 10 Volt.

Datos:
IC

IB VCE Sat. = - 0,2 Volt.

VBE = - 0,7 Volt.
IE β = 50

a)
Como VBE < VEBγ = 0,7 Volt.
el transistor trabaja al corte.

b)
El transistor está en la zona activa.

EJERCICIO 16
Analizar los dos circuitos siguientes, e indicar si se encuentran trabajando en la zona activa o
en saturación.

Datos: hFE = 100, VCE(Sat) = 0,2 Volt., VBE(Sat)= 0,8 Volt., Rb = Amarillo-Negro- Naranja
Rc = Rojo - Rojo – Rojo Re = Verde – Negro - Rojo

Circuito (A) Circuito (B)

SOLUCION:

Circuito (A):

El transistor está saturado, pues la corriente real de base del transistor es mayor que la
corriente de base en saturación 0’1 mA > 0’044 mA

Circuito (B):

El transistor no está saturado, pues la corriente real de base del transistor es menor que la
corriente de base en saturación , 0’007 mA < 0’0136 mA

EJERCICIO 17
Para el circuito de la fig. siguiente, calcular el mínimo valor de RC para que el transistor
permanezca en saturación

12 V
Datos.-
Transistor de silicio
RC
VBE Sat. = 0,8 Volt.
VCE Sat. = 0,2 Volt.
RB β = 90
VBB = 7 Volt.
RB = Rojo - Violeta - Amarillo
VBB

Solución
El valor mínimo de RC = 5K7
EJERCICIO 18

En el circuito de la fig. siguiente, el transistor es de silicio, siendo su βcc = 80. Calcular la

corriente por el zener así como la potencia disipada por el transistor.

Zx10

IZ = 14,7 – 7,75 = 6,95 mA

1) Pdt = 6,56 W

EJERCICIO 19
En el circuito de la fig. siguiente, calcular los valores de RB y R1 de manera que el transistor
I
esté saturado con una relación C = 20, si la corriente por el LED es de 20 mA.
IB

Datos:

Rele (12 V, 200 Ω)

LED (VLED = 2 V)
Diodo (Vγ = 0,6 V)
Transistor (VBE = 0,6 V, β = 120)

RB = 1,1 K R1 = 500 Ω
EJERCICIO 20
En el circuito de la fig. siguiente, calcular el valor de RC que situa al transistor en la frontera
entre la zona activa y saturación.

Datos:
VB = 6 V
RE = 200 Ω
Transistor (VBE = 0,6 V, β = 89)

RC = 0,539 KΩ