TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE SALINA CRUZ

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
PRACTICA:
PRACTICA CON TIRISTORES TRIAC

PROFESOR:
PACHECO LÓPEZ APOLINAR
ALUMNO:
HERNÁNDEZ CRUZ MIGUEL ÁNGEL

NÚMERO DE CONTROL: 141020012

CARRERA: ING. ELECTRÓNICA

GRUPO: “8C”
EL TRIAC
TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de
los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es unidireccional
y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un
interruptor capaz de conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en
cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en anti paralelo. Posee
tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo)
y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.
El TRIAC es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar
el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en
ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la
corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado
independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de
puerta positiva o negativa.
La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura, aunque funciona siempre
como un tiristor de cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce a través de P1N1P2N2 y
en sentido T1-T2 a través de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad
de puerta negativa. La complicación de su estructura lo hace más delicado que un tiristor
en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para
intensidades de algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400 a 1000 (V)
de tensión de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar a frecuencias
bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores.
El TRIAC actúa como dos rectificadores controlados de silicio
(SCR) en paralelo, este dispositivo es equivalente a dos
"latchs" (transistores conectados con realimentación positiva,
donde la señal de retorno aumenta el efecto de la señal de
entrada). La diferencia más importante que se encuentra entre
el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en
este último caso cada uno de los dispositivos conducirá
durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente, bloqueándose cuando la corriente
cambia de polaridad, dando como resultado una conducción completa de la corriente
alterna.
El TRIAC, sin embargo, se bloquea durante el breve instante en que la corriente de
carga pasa por el valor cero, hasta que se alcanza el valor mínimo de tensión entre T2
y T1, para volver de nuevo a conducir, suponiendo que la excitación de la puerta sea la
adecuada. Esto implica la pérdida de un pequeño ángulo de conducción, que en el caso
de cargas resistivas, en las que la corriente está en fase con la tensión, no supone
ningún problema. En el caso de cargas reactivas se debe tener en cuenta, en el diseño
del circuito, que en el momento en que la corriente pasa por cero no coincide con la
misma situación de la tensión aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos
de tensión entre los dos terminales del componente
APLICACIONES MÁS COMUNES
 Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.
 Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.
 Funciona como interruptor electrónico y también a pila.
 Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones
como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en
los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No
obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores eléctricos, se
deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se
apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.
 Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido.

DESARROLLO
Diseñe un circuito triac utilizando los software de simulación que conozca, este circuito
puede utilizar cualquier tiristor triac comerciales.
Materiales:
 Protoboard
 Cables Dupones.
 Un Tiristor Triac.
 Un botón n/a.
 Una fuente DC.
 Cable tipo alambre.

Primero realizamos, la simulación del circuito en proteos como se muestra a

continuación.
Una vez comprobado el correcto funcionamiento, en el software de simulación proteus,
nos pasamos a la conexión física en el protoboard.

ANÁLISIS DEL CIRCUITO:

Funciona para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad
de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión
o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser
disparado independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante una
corriente de puerta positiva o negativa.

CONCLUSIÓN
 Como se pudo notar el Triac es un SCR bidirreccional.
 La corriente y la tensión de encendido disminuyen con el aumento de
temperatura y con el aumento de la tensión de bloqueo.
 Las corrientes de pérdida del Triac son pequeñas, del orden de 0,1 A a la
temperatura ambiente.
 El Triac conmuta del modo de corte al modo de conducción cuando se inyecta
corriente a la compuerta. Después del disparo la compuerta no posee control
sobre el estado del Triac. Para apagar el Triac la corriente anódica debe
reducirse por debajo del valor de la corriente de retención IH.
ANEXO
Philips Semiconductors Product specification

Triacs BT136 series

GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA

Glass passivated triacs in a plastic SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. MAX. UNIT
envelope, intended for use in
applications requiring high BT136- 500 600 800
bidirectional transient and blocking BT136- 500F 600F 800F
voltage capability and high thermal BT136- 500G 600G 800G
cycling performance. Typical VDRM Repetitive peak off-state 500 600 800 V
applications include motor control, voltages
industrial and domestic lighting, IT(RMS) RMS on-state current 4 4 4 A
heating and static switching. ITSM Non-repetitive peak on-state 25 25 25 A
current

PINNING - TO220AB PIN CONFIGURATION SYMBOL

PIN DESCRIPTION
tab

1 main terminal 1
T2 T1
2 main terminal 2
3 gate
1 23 G
tab main terminal 2

LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
-500 -600 -800
VDRM Repetitive peak off-state - 5001 6001 800 V
voltages
IT(RMS) RMS on-state current full sine wave; Tmb ≤ 107 ˚C - 4 A
ITSM Non-repetitive peak full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to
on-state current surge
t = 20 ms - 25 A
t = 16.7 ms - 27 A
I2t I2t for fusing t = 10 ms - 3.1 A2s
dIT/dt Repetitive rate of rise of ITM = 6 A; IG = 0.2 A;
on-state current after dIG/dt = 0.2 A/µs
triggering T2+ G+ - 50 A/µs
T2+ G- - 50 A/µs
T2- G- - 50 A/µs
T2- G+ - 10 A/µs
IGM Peak gate current - 2 A
VGM Peak gate voltage - 5 V
PGM Peak gate power - 5 W
PG(AV) Average gate power over any 20 ms period - 0.5 W
Tstg Storage temperature -40 150 ˚C
Tj Operating junction - 125 ˚C
temperature

1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.

August 1997 1 Rev 1.200

Philips Semiconductors Product specification

Triacs BT136 series

THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
Rth j-mb Thermal resistance full cycle - - 3.0 K/W
junction to mounting base half cycle - - 3.7 K/W
Rth j-a Thermal resistance in free air - 60 - K/W
junction to ambient

STATIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
BT136- ... ...F ...G
IGT Gate trigger current VD = 12 V; IT = 0.1 A
T2+ G+ - 5 35 25 50 mA
T2+ G- - 8 35 25 50 mA
T2- G- - 11 35 25 50 mA
T2- G+ - 30 70 70 100 mA
IL Latching current VD = 12 V; IGT = 0.1 A
T2+ G+ - 7 20 20 30 mA
T2+ G- - 16 30 30 45 mA
T2- G- - 5 20 20 30 mA
T2- G+ - 7 30 30 45 mA
IH Holding current VD = 12 V; IGT = 0.1 A - 5 15 15 30 mA
VT On-state voltage IT = 5 A - 1.4 1.70 V
VGT Gate trigger voltage VD = 12 V; IT = 0.1 A - 0.7 1.5 V
VD = 400 V; IT = 0.1 A; 0.25 0.4 - V
Tj = 125 ˚C
ID Off-state leakage current VD = VDRM(max); - 0.1 0.5 mA
Tj = 125 ˚C

DYNAMIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
BT136- ... ...F ...G
dVD/dt Critical rate of rise of VDM = 67% VDRM(max); 100 50 200 250 - V/µs
off-state voltage Tj = 125 ˚C; exponential
waveform; gate open
circuit
dVcom/dt Critical rate of change of VDM = 400 V; Tj = 95 ˚C; - - 10 50 - V/µs
commutating voltage IT(RMS) = 4 A;
dIcom/dt = 1.8 A/ms; gate
open circuit
tgt Gate controlled turn-on ITM = 6 A; VD = VDRM(max); - - - 2 - µs
time IG = 0.1 A; dIG/dt = 5 A/µs

August 1997 2 Rev 1.200

Philips Semiconductors Product specification

Triacs BT136 series

Ptot / W BT136 Tmb(max) / C IT(RMS) / A BT136

8 101 5

7 104 107 C
= 180 4
6 1
107
120
5 110 3
90
60
4 113
30
3 116 2

2 119
1
1 122

0 125 0
0 1 2 3 4 5 -50 0 50 100 150
IT(RMS) / A Tmb / C

Fig.1. Maximum on-state dissipation, Ptot, versus rms Fig.4. Maximum permissible rms current IT(RMS) ,
on-state current, IT(RMS), where α = conduction angle. versus mounting base temperature Tmb.

ITSM / A BT136 IT(RMS) / A BT136

1000 12

IT ITSM
10
T time
8
Tj initial = 25 C max

100 6
dIT /dt limit
4
T2- G+ quadrant

10 0
10us 100us 1ms 10ms 100ms 0.01 0.1 1 10
T/s surge duration / s

Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
on-state current ITSM, versus pulse width tp, for current IT(RMS), versus surge duration, for sinusoidal
sinusoidal currents, tp ≤ 20ms. currents, f = 50 Hz; Tmb ≤ 107˚C.

ITSM / A BT136 VGT(Tj)

30 VGT(25 C) BT136
1.6
IT I TSM
25
1.4
T time
20 Tj initial = 25 C max 1.2

15
1

10 0.8

5 0.6

0 0.4
1 10 100 1000 -50 0 50 100 150
Number of cycles at 50Hz Tj / C

Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak Fig.6. Normalised gate trigger voltage
on-state current ITSM, versus number of cycles, for VGT(Tj)/ VGT(25˚C), versus junction temperature Tj.
sinusoidal currents, f = 50 Hz.

August 1997 3 Rev 1.200

Philips Semiconductors Product specification

Triacs BT136 series

IGT(Tj) IT / A BT136
IGT(25 C) BT136 12
3 Tj = 125 C
T2+ G+ Tj = 25 C typ max
T2+ G- 10
2.5 Vo = 1.27 V
T2- G- Rs = 0.091 ohms
T2- G+ 8
2

1.5 6

1 4

0.5 2

0 0
-50 0 50 100 150 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Tj / C VT / V

Fig.7. Normalised gate trigger current Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
IGT(Tj)/ IGT(25˚C), versus junction temperature Tj.

IL(Tj) Zth j-mb (K/W) BT136

IL(25 C) 10
TRIAC
3 unidirectional

2.5 bidirectional
1
2

1.5

0.1 P tp
D
1

0.5 t

0.01
0 10us 0.1ms 1ms 10ms 0.1s 1s 10s
-50 0 50 100 150
Tj / C tp / s

Fig.8. Normalised latching current IL(Tj)/ IL(25˚C), Fig.11. Transient thermal impedance Zth j-mb, versus
versus junction temperature Tj. pulse width tp.

IH(Tj) dVcom/dt (V/us)

1000
IH(25C) TRIAC
3
off-state dV/dt limit
BT136...G SERIES
2.5
BT136 SERIES
100 BT136...F SERIES
2

1.5

1 10

0.5 dIcom/dt = 5.1 3.9 3 2.3 1.8 1.4

A/ms
0 1
-50 0 50 100 150 0 50 100 150
Tj / C Tj / C

Fig.9. Normalised holding current IH(Tj)/ IH(25˚C), Fig.12. Typical commutation dV/dt versus junction
versus junction temperature Tj. temperature, parameter commutation dIT/dt. The triac
should commutate when the dV/dt is below the value
on the appropriate curve for pre-commutation dIT/dt.

August 1997 4 Rev 1.200

Philips Semiconductors Product specification

Triacs BT136 series

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm
4,5
Net Mass: 2 g max
10,3
max
1,3
3,7

2,8 5,9
min

15,8
max

3,0 max
3,0
not tinned
13,5
min
1,3
max 1 2 3
(2x) 0,9 max (3x)
0,6
2,54 2,54 2,4

Fig.13. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.

Notes
1. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".

August 1997 5 Rev 1.200

Philips Semiconductors Product specification

Triacs BT136 series

DEFINITIONS
Data sheet status
Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification This data sheet contains final product specifications.
Limiting values
Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
 Philips Electronics N.V. 1997
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LIFE SUPPORT APPLICATIONS

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products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products
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August 1997 6 Rev 1.200

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