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Transistores MOSFET

TE214 Fundamentos da Eletrônica Engenharia Elétrica

Sumário

• Características Corrente-Tensão

Características i – v • MOSFET Canal n

(CC ou Baixas Freqüências)

drain gate body source
drain
gate
body
source
dreno porta corpo fonte
dreno
porta
corpo
fonte
Transistores MOSFET TE214 Fundamentos da Eletrônica Engenharia Elétrica Sumário • Características Corrente-Tensão Características i – v

O dreno é sempre positivo em relação à fonte

Características i D – v DS MOSFET canal n

saturação triodo Saturação: FET opera como amplificador Corte e Triodo: FET opera como chave • Em
saturação
triodo
Saturação:
FET opera como amplificador
Corte e Triodo: FET opera como chave
• Em Corte: v GS <V t
• Operando na Triodo:
1) induzir o canal com v GS ≥ V t
2) manter v DS pequeno de modo que o canal permaneça,
ou seja, v DS < v GS – V t (canal contínuo)
• Operando na Saturação:
1) induzir o canal com v GS ≥ V t
2) aumentar v DS de modo a estrangular, ou seja,
v DS ≥ v GS – V t (canal estrangulado)
corte

Características i D – v DS MOSFET canal n

Na região de corte:

i D = 0 para v DS > 0

Na região triodo:

i

D

k

n

W

L

(

v

GS

V t
V
t

) v

DS

1

2

v

DS

2

 

onde

k

n

C

n

ox

é o parâmetro de transcondutância

do processo (determinado pela tecnologia de

fabricação).

Características i D – v DS MOSFET canal n

Na região de saturação:

i D
i
D

1

k

  • 2 n

W

(
L

v

GS

V t
V
t

)

2

note que a corrente independe de v DS .

Características i – v MOSFET canal n • Na região de corte: – i = 0

Características i D – v DS MOSFET canal n

Na região de saturação:

– Como a corrente de dreno é independente da tensão de dreno, o MOSFET saturado se comporta como uma fonte de corrente controlada por v GS conforme a relação não-linear.

Características i – v MOSFET canal n • Na região de corte: – i = 0

Características i D – v DS MOSFET canal n

Resistência de saída finita na saturação:

– O ponto de estrangulamento do canal se move ligeiramente do dreno para fonte.

Características i – v MOSFET canal n • Na região de corte: – i = 0

– Mudança no comprimento do canal.

Características i D – v DS MOSFET canal n

r

o

  • V A

I

D

onde I D é a corrente de dreno

V A é a tensão de Early (parâmetro dependente da tecnologia de fabricação)

Características i – v MOSFET canal n r o  V A I D • •

Características i D – v DS MOSFET canal n

Na região de saturação:

– Modelo equivalente para grandes sinais do MOSFET canal n na saturação, incorporando a resistência de saída r O .

Características i – v MOSFET canal n r o  V A I D • •

MOSFET Canal p

• Ver livro-texto

– Sedra 5ª Ed. pag.155-156

Características i – v MOSFET canal n r o  V A I D • •
Características i – v MOSFET canal n r o  V A I D • •
Características i – v MOSFET canal n r o  V A I D • •
Características i – v MOSFET canal n r o  V A I D • •