i1(t) i2(t) i1(t) i1'(t) n1 : n 2 i2(t)

n1 : n2
+ + + iM(t) +

v1(t) LM v2(t)
v1(t) v2(t)
– –
– –
i3(t)
i3(t)
v1(t) v2(t) v3(t) +
+
n 1 = n 2 = n 3 = ...
v3(t)
v3(t) 0 = n 1i 1' (t) + n 2i 2(t) + n 3i 3(t) + ...
–
– : n3
: n3
Ideal
transformer
B(t) v1(t) dt
saturation

slope LM

H(t) i M (t)
 i1(t) i1'(t) n1 : n 2 i2(t)
di (t)
v1(t) = L M M + iM(t) +
dt
v1(t) LM v2(t)
t
i M (t) – i M (0) = 1 v1( )d – –
LM 0
i3(t)
+
v3(t)

–
: n3
Ts Ideal
0= 1 v1(t)dt transformer
Ts 0
 Q1 Q3
D1 D3 D5
i1(t) iD5(t) L i(t)
1 : n
+ +
+
Vg +
– vT(t) vs(t) C R v
–
– –
: n
D2 D4 D6
Q2 Q4
 Q1 Q3
D1 D3 D5
i1(t) i1'(t) iD5(t) i(t) L
1 : n
+ +
+ iM(t)

Vg +
– vT(t) LM vs(t) C R v
–
– –
: n iD6(t)
D2 D4 Ideal D6
Q2 Q4
Transformer model
 iM(t)

Vg – Vg
LM LM
vT(t) Vg
0 0
–Vg

i(t)
I i

vs(t)
nVg nVg

0 0
iD5(t) i
0.5 i 0.5 i
0 t
0 DTs Ts Ts+DTs 2Ts

conducting Q1 D5 Q2 D5
devices: Q4 D6 Q3 D6
D5 D6
 D5 L
: n iD5(t) i(t)
+ +

vs(t) C R v

– –
: n
D6
vs(t)
nVg nVg

0 0
iD5(t) i
0.5 i 0.5 i
0 t
0 DTs Ts Ts+DTs 2Ts

conducting Q1 D5 Q2 D5
devices: Q4 D6 Q3 D6
D5 D6
 D5 L
: n iD5(t) i(t) i(t)
+ + I i

vs(t) C R v vs(t)
nVg nVg

– – 0 0
: n
D6 iD5(t) i
0.5 i 0.5 i
0 t
0 DTs Ts Ts+DTs 2Ts

conducting Q1 Q2
V = vs devices: Q4
D5
D6 Q3
D5
D6
D5 D6
V = nDV g
 Q1
D1 D3
i1(t) iD3(t) L i(t)
Ca 1 : n
+ +
+
Vg +
– vT(t) vs(t) C R v
–
– –
Cb : n
D2 D4
Q2
 D2 L
n1 : n2 : n3
+

D3 C R V

Vg +
– –
Q1
D1
 D2 L
n1 : n 2 : n 3
+
iM i1 ' +
+ – +

LM v1 v2 v3 D3 vD3 C R V

Vg + – + –
– i3 – –
i1 i2
Q1 +
D1
vQ1

–
 v1
Vg

n
– n 1 Vg
2
iM

Vg n Vg
LM – n1
2 LM 0

vD3
n3
n 1 Vg

0 0
DTs D2Ts D3Ts t
Ts
Conducting Q1 D1 D3
devices: D2 D3
 n1 : n2 : n3 D2 on L

+ +
iM i1'
+ – +

LM v1 v2 v3 vD3 C R V

Vg + – + –
– i3 – –
i1 i2

D1 off
Q1 on
 n1 : n2 : n3 L

+ +
iM i1'
+ – +

LM v1 v2 v3 D3 on vD3 C R V

Vg + – + –
– i3 – –
i1
i2 = iM n1 /n2
Q1 off
D1 on
 n1 : n2 : n3 L

iM + +
i 1'
+ – +
=0
LM v1 v2 v3 D3 on vD3 C R V

Vg + – + –
– i3 – –
i1 i2
Q1 off D1 off
v1
Vg

n
– n 1 Vg
2
iM

Vg n Vg
LM – n1
2 LM 0

v1 = D V g + D2 – V g n 1 /n 2 + D3 0 = 0
 v1 = D V g + D 2 – V g n 1 /n 2 + D 3 0 = 0

n
D2 = n 2 D
1

D3 = 1 – D – D2 0
n2
D3 = 1 – D 1 + 0
n1

D 1 1
n D
1+ 2 2
n1
iM(t)

DTs D2Ts D3Ts t

iM(t)

DTs D2Ts 2Ts t

 D2 L
: n3
+

D3 C R V

vD3
n3
n 1 Vg

n
vD3 = V = n 3 DVg
1
0 0
DTs D2Ts D3Ts t
Ts
Conducting Q1 D1 D3
devices: D2 D3
D 1
n
1+ 2
n1

n
max vQ1 = V g 1 + n 1
2

D 1
2
 Q1
D3 L
D1
+
1:n

Vg +
– D4 C R V

D2
Q2

D 1
2
 Q1
D1 L
1 : n i(t)
– + +
iD1(t)
Vg vT(t)
+
vs(t) C R V
–
vT(t)
+ – –

D2
Q2
 iM(t)

Vg – Vg
LM LM
vT(t) Vg
0 0
–Vg

i(t)
I i

vs(t)
nVg nVg

0 0
iD1(t) i
0.5 i 0.5 i
0 t
0 DTs Ts Ts+DTs 2Ts

Conducting Q1 D1 Q2 D1
devices: D1 D2 D2 D2
 Q1 D1

Vg + L V
–

Q1 D1

–
1:1

Vg + V
– L

+
 Q1 D1

–
1:1

Vg + LM V
–

+
1:n D1

LM C V
Vg +
–
Q1 –
 Transformer model

ig +
i + 1:n D1 iC

LM vL C R v
Vg + –
– –

Q1
 Transformer model

ig +
i + 1:n iC vL = V g
+ LM vL C R v iC = – v
Vg
–
R
– ig = i
–

vL = V g
iC = – V
R
ig = I
 Transformer model i/n
ig +
=0 +
i 1:n iC vL = – nv
–
+ vL v/n C R v i C = ni – v
Vg
–
R
+ ig = 0
–
–

vL = – V
n
iC = n – V
I
R
ig = 0
 vL
Vg

vL = D Vg + D' – V
n =0
–V/n

I/n – V/R
M(D) = V = n D
iC
Vg D'

i C = D – V + D' nI – V = 0
–V/R R R
ig
I
I = nV
D'R
0
DTs D'Ts t I g = i g = D I + D' 0
Ts
Conducting
devices: Q1 D1
vL = D Vg + D' – V
n =0 +
Ig I

i C = D – V + D' nI – V = 0 Vg + DI + DV D'V + D'I V

R R – – g n – n R

I g = i g = D I + D' 0 –

1:D D' : n
I +
Ig

Vg + R V
–

–
 i(t) L

+ vL(t) –
D1
1 : n io(t)
Q1 Q3 +
+
Vg +
– vT(t) C R v
–
–
: n
Q2 Q4 D2
 V/n
vT (t)

0 0

– V/n
vL(t) Vg Vg

Vg –V/n Vg –V/n

i(t)
I

io(t) I/n I/n

0 0
DTs D'Ts DTs D'Ts t
Ts Ts
Conducting Q1 Q1 Q1 Q2
devices: Q2 Q4 Q2 Q3
Q3 D1 Q3 D2
Q4 Q4
 vL(t) Vg Vg

Vg –V/n Vg –V/n

i(t)
I vL = D V g + D' Vg – V
n =0

DTs D'Ts DTs D'Ts t

Ts Ts M(D) = V = n
Conducting Q1
Q2
Q1
Q4
Q1
Q2
Q2
Q3
Vg D'
devices:
Q3 D1 Q3 D2
Q4 Q4
 Q1
D1
1 : n
– io(t) +
Vg vT(t)
i(t) L +
C R V
+ vL(t) – –
vT(t)
+ –

D2
Q2

M(D) = V = n
Vg D'
 Q1
D1
1 : n
+
Vg
C R V

D2
Q2
 +
L1 C1 D1

Vg + C2 R v
– L2
Q1
–

L1 C1 D1
1:n
i1 ip is +

Vg + C2 R v
–
Q1
–
 ip(t) i1

L1 C1 ip D1
1:n
i1 is +
i2
– i2
Vg + LM C2 R v
– = L2 (i1 + i2) / n
Q1 is(t)
–
Ideal 0
Transformer
model i1(t)
I1

M(D) = V = nD
Vg D' i2(t)
I2

DTs D'Ts t
Conducting Ts
devices: Q1 D1
 1

Vg + 2 V
–

C1 L2
1:n
+

D1 C2 R v
Vg +
–
Q1
–
 L1 L2
–
C1
Vg + Q1 D1 C2 R v
–

L1 L2
–
C1a C1b
Q1
Vg + D1 C2 R v
–

+
 L1 L2
+
C1a C1b
Q1
Vg + D1 C2 R v
–

M(D) = V = nD –
V g D' 1:n
 k
S= V jI j
j=1
 Pload
U=
S
 +
1:n D1

LM C V
Vg +
Vg –
VQ1,pk = Vg + V =
n D' Q1 –

ig
P
I Q1,rms = I D = load I
Vg D

0
S = VQ1,pk I Q1,rms = Vg + V
n I D DTs D'Ts t
Ts
Conducting
devices: Q1 D1
 1:D D' : n
I +
Ig

Vg + R V
–
Pload = D'V nI
–

S = V Q1,pk I Q1,rms = Vg + V
n I D

Pload
U= = D' D
S
 0.4
max U = 0.385 at D = 1/3

0.3

n = V D'
Vg D U 0.2

0.1

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

D
 semiconductor device cost
per rated kVA
semiconductor cost =
per kW output power voltage current converter
derating derating switch
factor factor utilization
 D2 L
n1 : n2 : n3
+

D3 C R V

Vg +
– –
Q1
D1
 +
1:n D1

LM C V
Vg +
–
Q1 –
 n1 V
D=
n 3 Vg

D'VTs
i=
2L

D'VT s
L=
2 i
 n3 2
V= V
n1 g 1 + 4K2
D
with K = 2 L / R Ts, and R = V 2 / Pload

D= 2 K n1 V
2 D=
2n 3V g n 3 Vg
–1 –1
n 1V
 n
max vQ1 = Vg 1 + n 1
2

2
n i n3
I Q1,rms = 3 D I2 + DI
n1 3 n1