DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA ANALÓGICA PRÁCTICAS DE LABORATORIO

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Grupo: Electrónica Fecha:26/01/2018 Calificación

Nombre alumno: JHOHAN ALEJANDRO LÓPEZ MORALES

Nombre alumno: ANA ISABEL GALLARDO PALOMINO

PRÁCTICA # 5: Amplificador multietapa

Desarrollar la práctica y elaborar una memoria descriptiva que contenga los apartados que se
indica. Se deberá aportar una tabla comparativa con los resultados obtenidos en el análisis
teórico, en la simulación y en el montaje real tanto en DC como en AC.

Se deberán incluir imágenes correspondientes a las simulaciones y a las medidas reales

realizadas con la instrumentación de laboratorio, tanto para valores de continua como de las
formas de onda en alterna.

1. ESPECIFICACIONES
Diseñar un amplificador multietapa de pequeña señal para frecuencias intermedias, basada en
los componentes utilizados en las prácticas anteriores. Debe cumplir las siguientes
especificaciones:

 Impedancia de entrada > 1M

 Impedancia de salida < 75 
 Ganancia de tensión > 100 V / V

2. CONSIDERACIONES DE DISEÑO.

 Se pueden utilizar transistores BJT, JFET o MOSFET (utilizar preferentemente los

componentes de prácticas anteriores).
 La alimentación del sistema ha de ser de +/- 12V.

3. MEMORIA DE LA PRÁCTICA.

La memoria del proyecto ha de incluir los siguientes apartados:

 Diseño y cálculos teóricos.

 Consideraciones de diseño adoptadas, debidamente justificadas.
 Simulación, incluyendo las pantallas de osciloscopio.
 Montaje y puesta en funcionamiento, incluyendo las pantallas de osciloscopio.
 Análisis comparativo de los resultados de las 3 fases anteriores.
 Lista de componentes utilizados.

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En esta práctica se usan:

-1 transistor JFET debido a que su impedancia de entrada es infinita (teóricamente) modo

emisor común;
-2 transistores BJT, uno en modo colector común para conseguir un seguidor de tensión
y que, por tanto, la ganancia no se vea afectada a la salida. El otro se coloca en emisor
común para aumentar la ganancia en tensión.

Lista de materiales empleados:

- 1 transistor 2N3819
- 2 transistores 2N3904
- 6 condensadores 1uF
- 1 resistencia 10MΩ
- 1 resistencia 5,7MΩ
- 1 resistencia 1MΩ
- 1 resistencia 2kΩ
- 1 resistencia 3kΩ
- 4 resistencias 10kΩ
- 3 resistencias 1kΩ
- 1 resistencias 5kΩ

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AM1
R2 15,7M

RD 3k
C3 1u Vod

VD
Vi

R3 1k C1 1u

VG
12
VDD 20 T1 2N3819
Vos
R1 1M

C2 100u
+

Vi

R4 10k
RS 2k

Primera etapa J-FET

• Realizamos el estudio de la polarización y del punto de trabajo a nivel teórico.

Determinar los valores teóricos de VD, VG y VS, así como los de ID, IG e IS.

Para hacer los siguientes cálculos, trabajamos en DC.

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VDD VDD

RD 3k
R1 15,7MEG

T2 2N3819
RS 2k
R2 1MEG

A continuación, calculamos el modelo equivalente de Thevenin.

RTH=(R1*R2)/(R1 + R2)= 15,7 M/16,7M=0,94MΩ
VTH=Vcc*(R2/(R1+R2))=20*(1/16,7)=0.72V
VDD
RD 3k

RTH 940k
T1 2N3819
RS 2k

VTH 1,2

Obtenemos ID mediante la siguiente formula:

VGS 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
Vp
VGS=VTH-ID*RS

Despejamos ID y sustituimos en la primera ecuación:

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐺𝑆 VGS 2
= 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
RS Vp
Tomando como valores de IDSS=14mA y Vp=-4
Despejamos y sustituimos obteniendo:
2
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆
+ 14 ∗ ( + 1) − 9/25 = 0
2 4
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Donde VGS es igual a:

VGS1= --5.9527V y VGS2=-2.6187V
Rechazamos VGS1 puesto que VGS1 no puede ser menor que Vp quedándonos con
VGS2.
−2,6187 2
𝐼𝐷 = 14𝑚𝐴 (1 − ) = 1,67𝑚𝐴
−4
Siendo ID=IS
VS=ID*RS=1,67mA*2k=3,34V
VD=VDD-ID*RD=12-1,67mA*3k=6.99V
VDS=VD-VS=3.65V
VGS=VG-VS VG=VGS+VS=-2,6187+3.34=0.72V
El punto de trabajo sería:

• VGS=-2.6187V
• VDS=3.65V
• ID=1,67mA

• Calculamos los parámetros del modelo equivalente en pequeña señal. Calcular

los parámetros del cuadripolo resultante; impedancia de entrada (Zin), impedancia
de salida (Zo); ganancia en tensión Av.

Calculamos gm con la siguiente formula

2 ∗ 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝐼𝐷 𝑚𝐴
𝑔𝑚 = ∗√ = 2,41
−𝑉𝑝 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉

La impedancia en la entrada es igual a la resistencia Thevenin:

Zin=RTH=0,94MΩ

La impedancia en la salida es igual a RD:

Zout=RD=3KΩ
La ganancia en tensión es igual a:
Vo Vo Vi
ΔV = = ∗
Vs Vi Vs
Donde:
Vo −gm ∗ Vgs RD ∗ RL RD ∗ RL 𝑉
= ∗ = −𝑔𝑚 ∗ = −5.56
Vi Vgs RD + RL RD + RL 𝑉

Vi RTH 𝑉
= = 0.99
Vs RTH + R 𝑉

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Luego la ganancia en tensión será:

V
ΔV = −5,505
V

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Segunda Etapa BJT salida emisor común

R2 1k
R8 10k
VC2

IC2
V1 12
Vout

C1 1u
Vs

C4 1u VB2
R1 1,5k IB2
T2 2N3904

IE
VE2
VG1
+

C6 1u
R7 5k

R12 82k
R10 1k

• Realizamos el estudio de la polarización y del punto de trabajo a nivel teórico. Determinar los
valores teóricos de Vc, Vb y Ve, así como los de Ic, Ib e Ie.

Para hacer los siguientes cálculos, trabajamos en DC.

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A continuación, calculamos el modelo equivalente de Thevenin.

RTH=(R1*R2)/(R1 + R2)= 50K/15K=3,33K
VTH=Vcc*(R2/(R1+R2))=12*(5/15)=4V

El modelo equivalente sería el siguiente:

12

Para el cálculo de IB, nos basamos en el análisis del circuito:

VTH=IB*RTH +VBE+IE*RE VTH=IB*RTH +IB*(β +1)*RE + VBE

Donde VBE=0,7V
Entonces despejamos IB quedando:
VTH − VBE 4 − 0.7
𝐼𝐵 = = = 0.01615mA
RTH + RE ∗ (β + 1) 3.33k + 1k ∗ (200 + 1)

IE=IC=IB* β =0.01615mA*200=3.23mA
Para el cálculo de VC:
VC=Vcc-IC*RC =12V-3.23mA*1k=8.72V
Para el cálculo de VE:
VE=IE*RE=3.23mA*1k=3.23V
Para el cálculo de VB:
VB=VBE+VE=0.7V+3.23V=3.93V

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VCE=VC-VE=5.49V
Al ser VC>VB nos encontramos en la zona activa.
El punto de trabajo sería:
IC=3.23mA
VCE=5.49V

V(V) I(mA)
C 8.72 3.23
B 3.93 0.01615
E 3.23 3.23

• Calculamos los parámetros del modelo equivalente en pequeña señal. Calcular los
parámetros del cuadripolo resultante; impedancia de entrada (Zin), impedancia de salida
(Zo); ganancia en tensión Av.
calculamos los parámetros gm, re y rπ.
IC 3.23mA
𝑔𝑚 = = = 129.2mA/V
VT 0.025V
β 200
𝑟π = = = 1.55kΩ
gm 129.2
β 200
α β+1
𝑟𝑒 = = = 201 = 7.7Ω
gm gm 129.2
Ahora calculamos Zin y Zout:
Al ser re tan pequeña la obviamos.
Zin=RTHB || rπ=

3.33 ∗ 1.55
Zin == = 1.05kΩ
3.33 + 1.55

Zout=Rc
Zout=1k.
Para calcular la ganancia en V procedemos a:
Vo Vo Vi
ΔV = = ∗
Vs Vi Vs
RC ∗ RL
Vo −gm ∗ Vbe ∗ RC + RL RC ∗ RL 1k ∗ 82k
= = −gm ∗ = −129.2 ∗ = −127.64V/V
Vi Vbe RC + RL 1k + 82k

Zin Vi Zin 1.05k

Vi = 𝑉𝑠 ∗ = = = = 0.412V/V
Rs + Zin Vs Rs + Zin 1.5k + 1.5k

Por lo tanto:
ΔV = −127.64 ∗ 0.412 = −52.588V/V

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Tercera Etapa BJT Salida colector común

• Realizamos el estudio de la polarización y del punto de trabajo a nivel teórico. Determinar los
valores teóricos de Vc, Vb y Ve, así como los de Ic, Ib e Ie.

R8 10k
VC2

IC2
V1 12
Vsuer

C4 1u VB2
R1 1k IB2
Vs2

T2 2N3904

IE

VE2 Vout
VG1
+

C6 1u
R12 10k
R7 5k

R10 1k

Para hacer los siguientes cálculos, trabajamos en DC.

12

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A continuación, calculamos el modelo equivalente de Thevenin.

RTH=(R1*R2)/(R1 + R2)= 50K/15K=3,33K
VTH=Vcc*(R2/(R1+R2))=12*(5/15)=4V

El modelo equivalente sería el siguiente:

12

Para el cálculo de IB, nos basamos en el análisis del circuito:

VTH=IB*RTH +VBE+IE*RE VTH=IB*RTH +IB*(β +1)*RE + VBE

Donde VBE=0,7V
Entonces despejamos IB quedando:
VTH − VBE 4 − 0.7
𝐼𝐵 = = = 0.01615mA
RTH + RE ∗ (β + 1) 3.33k + 1k ∗ (200 + 1)

IE=IC=IB* β =0.01615mA*200=3.23mA
Para el cálculo de VC:
VC=Vcc-IC*RC Rc =0Vc=Vcc
Para el cálculo de VE:
VE=IE*RE=3.23mA*1k=3.23V
Para el cálculo de VB:
VB=VBE+VE=0.7V+3.23V=3.93V
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VCE=VC-VE=8.77V
Al ser VC>VB nos encontramos en la zona activa.
El punto de trabajo sería:
IC=3.23mA
VCE=8.77V

V(V) I(mA)
C 12 3.23
B 3.93 0.01615
E 3.23 3.23

• Calculamos los parámetros del modelo equivalente en pequeña señal. Calcular los
parámetros del cuadripolo resultante; impedancia de entrada (Zin), impedancia de salida
(Zo); ganancia en tensión Av.
calculamos los parámetros gm, re y rπ.
IC 3.23mA
𝑔𝑚 = = = 129.2mA/V
VT 0.025V
β 200
𝑟π = = = 1.55kΩ
gm 129.2
β 200
α β+1
𝑟𝑒 = = = 201 = 7.7Ω
gm gm 129.2
Ahora calculamos Zin y Zout:
Al ser re tan pequeña la obviamos.
Zin=RTHB || [rπ+( RE || RL)*(β+1)]=

10 ∗ 1
3.33 ∗ (1.55 + ( ) ∗ (200 + 1))
Zin = 10 +1 = 3.27kΩ
10 ∗ 1
3.33 + (1.55 + ( ) ∗ (200 + 1))
10 + 1

Zout= RE || [rπ+( RTHB || Rs)]=

3.33 ∗ 1
1 ∗ (1.55 + )
Zout = 3.33 + 1 = 0.6987kΩ
3.33 ∗ 1
1 + (1.55 + )
3.33 + 1
Para calcular la ganancia en V procedemos a:
Vo Vo Vi
ΔV = = ∗
Vs Vi Vs
RE ∗ RL RE ∗ RL
Vo IB ∗ (β + 1) ∗ (β + 1) ∗ RE
= RE + RL = + RL = 0.99V/V
Vi IB ∗ (rπ + (β + 1) ∗ RE ∗ RL ) rπ + (β + 1) ∗ RE ∗ RL
RE + RL RE + RL
Zin Vi Zin
Vi = 𝑉𝑠 ∗ = = = 0.77V/V
Rs + Zin Vs Rs + Zin

Por lo tanto:
ΔV = 0.99 ∗ 0.77 = 0.76V/V
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Habiendo calculado la ganancia de cada etapa se lleva a cabo el cálculo de la ganancia

total:
ΔVTotal = 0.76 ∗ −52.588 ∗ −5.505 = 220.0176 𝑉/V
Vdc
RD 3k

R5 1k
RG1 15,7MEG

R4 10k

R8 10k
VD VC1 VC2
Id

IC1

IC2
Vsuer
V1 12

C8 1u
Vo1

C7 1u

VB
C3 1u C1 1u VB1 VB2
R6 1,5k IB1 R9 1k IB2
Vs1

Vs2
Vin

T3 2N3819 T1 2N3904 T2 2N3904

R3 1k C4 1u
VG1 VS VE1 VE2
+

R11 5k Vout

C6 1u

R2 82k
C2 1u

C5 1u
R1 1k
RS 2k

R10 1k
RG2 1MEG

R7 5k

R12 10k
R14 1k

300.00m

200.00m
Voltage (V)

100.00m

0.00

-100.00m
Vin
Vout
-200.00m
0.00 2.00m 4.00m 6.00m

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Hemos retirados las RS y Las RL del diseño final puesto que había perdidas y su ganancia
disminuía.

Vdc
RD 3k

R5 1k
RG1 15,7MEG

R4 10k

R8 10k
VD VC1 VC2
Id

IC1

IC2
V1 12
Vo1

Vsuer
VB
C3 1u C8 1u VB1 C4 1u VB2
IB1 IB2
Vs1

Vs2
Vin

T3 2N3819 T1 2N3904 T2 2N3904

VG1 VS VE1 VE2

+

Vout
R11 5k

C6 1u
C2 1u

C5 1u
RS 2k

R10 1k
RG2 1MEG

R7 5k

R12 10k
R14 1k

1.00
Vout
888,49m

500.00m
Voltage (V)

Vin
0.00 120.55m

-500.00m

Vin
-1.00
Vout
0.00 1.00m 2.00m 3.00m 4.00m 5.00m

Nótese que la ganancia ha variado con el cambio.

La ganancia en tensión sería:

𝛥V=Vout/Vin.  𝛥V=7.37V/V

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Los valores salen bastante parecidos, aunque varían un poco.

(I=mA,V=V) REAL simulado

IB1 0,01615 0,01786
IB2 0,01615 0,01688
IC1 3,23 3,23
IC2 3,23 3,23
ID 1,67 1,35
VB1 3,93 3,94
VB2 3,93 3,94
VC1 8,72 8,77
VC2 12 12
VD 6,99 7,94
VE1 3,23 3,24
VE2 3,23 3,25
VG 0,72 0,718
VS 3,34 2,7

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Una vez hechos los cálculos teóricos y simulado pasamos a montarlo y medirlo con el
osciloscopio.

GND

CLK+CH1
Vcc
CH2
C

La ganancia en tensión sería:

𝛥V=Vout/Vin.  𝛥V=4.79 V/V

La ganancia real se reduce debido a múltiples factores, como son la tolerancia de las
resistencias y las diferencias entre transistores, ya que, aunque se usan dos BJT, no se
puede asegurar el mismo comportamiento en ambos puesto que es muy poco común
que ambos pertenezcan a la misma oblea en su proceso de fabricación.

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