2.

4 Langkah-langkah Percobaan
2.4.1 Testing kondisi BJT
1. Untuk BJT periksalah kondisi transistor, dengan cara memeriksa diode
emitor dan dioda kolektor dari transistor.

Tabel 2.1 Resistansi dioda BJT

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO Basis Basis keadaan
No No Keterangan
Type Meter Emitor Kolektor Baik Buruk
Seri
(Ω) Ohm (Ω) Ohm

1 BC547 NPN Digital

2 BC557 PNP Digital

2.4.2 Konfigurasi BJT

A. Fixed bias
1. sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.11
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar transistor dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.2

Gambar 2.11 Konfigurasi Fixed Bias

Tabel 2.2 Konfigurasi Fixed bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

(A) (A) (V) (V)

B. Voltage divider bias

1. sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.12
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar transistor dingin).
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
4. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.3

Gambar 2.12. Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.3 Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE Β Keterangan

2
2.5 Data Hasil Percobaan
2.5.1 Resistansi Dioda BJT
Setelah melakukan testing Kondisi BJT dengan memeriksa transistor,
dengan memeriksa dioda emitter dan collector didapat hasil pada tabel 2.4
sebagai berikut.

Tabel 2.4 Resistansi Dioda BJT

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO Basis Basis keadaan
No Keterangan
No Type Meter Emiter Kolektor Baik Buruk
Seri
(Ω) Ohm (Ω) Ohm

Analog - - - - - -

Karena
adanya
1 BC547 NPN
Digital 0,640 - 0,636 √ - hambatan
pada proses
pengukuran

Analog - - - - - -

Karena
adanya
2 BC557 PNP
Digital 0,631 - 0,636 √ - hambatan
pada proses
pengukuran
2.5.2 Konfigurasi Fixed Bias
Dari melakukan proses percobaan Konfigurasi fixed bias sesuai dengan
rangkaian pada gambar 2.11 didapat hasil pada tabel 2.5 sebagai berikut :

Tabel 2.5 Konfigurasi Fixed bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

(A) (A) (V) (V)

1 0,00012 0,00008 11,80 11,87 0,66 BC 547

2 0,00012 0,00008 0,623 0,623 0,66 BC557

2.5.3 Konfigurasi Voltage Divider Bias

Setelah melakukan proses percobaan pada Voltage divider bias sesuai
dengan rangkaian pada gambar 2.12 di dapat hasil pada tabel 2.6 sebagai
berikut.

Tabel 2.6 Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE Β Keterangan

(A) (A) (V) (V)

1 0,0048 0,12 0,363 2,95 25 BC 547

2 0,0048 0,12 11,99 0,750 25 BC557

2.6 Analisis Hasil Percobaan
2.6.1 Resistansi Dioda BJT
Sebuah Transistor dikatakan baik apabila adanya hambatan atau
mempunyai suatu nilai yang dapat ditampilkan pada alat ukur dan transistror
yang menampilkan nilai nol atau tak hingga maka transistor tersebut dikatakan
tidak baik karena hasilnya tidak dapat di definisikan, maka dalam proses
percobaan ini BJT jenis NPN (BC547) dan jenis PNP (BC557) yang diperiksa dan
didapat perolehan data pada tabel 2.7 sebagai berikut :

Tabel 2.7 Resistansi Dioda BJT

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO Basis Basis keadaan
Keterangan
No No Seri Type Meter Emiter Kolektor Baik Buruk
(Ω) Ohm (Ω) Ohm

Karena

1 BC547 NPN adanya

Digital 0,640 - 0,636 √ - hambatan
pada proses
pengukuran

Karena
adanya
2 BC557 PNP
Digital 0,631 - 0,636 √ - hambatan
pada proses
pengukuran

Dari data hasil percobaan dapat dianalisis bahwa adanya hambatan pada
proses testing kondisi BJT, pada proses testing kondisi BJT jenis NPN (BC547)
didapat 0,640 Ω(Ohm) pada kaki emitter dan pada collector didapat 0,636
Ω(Ohm) yang diukur dengan menggunakan alat ukur AVO meter, maka transistor
dikatakan dalam kondisi baik karena sebuah transistor dikatakan dalam kondisi
baik jika adanya hambatan pada proses pengukuran atau menampilkan hasil
yang diukur pada alat ukur dan bila pada proses pengukuran transistor
menampilkan hasil nol atau tidak terdefinisikan maka kondisi sebuah transistor
dalam keadaan rusak, sesuai dengan teori tersebut dapat dibuktikan bahwa pada
proses testing BJT dikatakan dalam keadaan baik karena terdapat nilai pada kaki
emitter sebesar 0,640 Ω (Ohm) dan pada collector didapat hasil sebesar 0,636 Ω
(Ohm). Sesuai uraian diatas dapat disimpulkan bahwa percobaan sudah sesuai
dengan teori.
Sama seperti proses tadi bahwa pada testing kondisi BJT jenis PNP
(BC557) didapat 0,631 Ω(Ohm) pada kaki emitter dan pada collector didapat
0,636 Ω(Ohm) yang diukur dengan menggunakan alat ukur AVO meter, maka
transistor dikatakan dalam kondisi baik karena sebuah transistor dikatakan dalam
kondisi baik jika adanya hambatan pada sebuah transistor dalam proses
pengukuran atau menampilkan hasil yang diukur pada alat ukur, dan bila pada
proses pengukuran transistor menampilkan hasil nol atau tidak terdefinisikan
maka kondisi sebuah transistor dalam keadaan rusak, sesuai dengan teori
tersebut dapat dibuktikan bahwa pada proses testing BJT dikatakan dalam
keadaan baik karena terdapat nilai pada kaki emitter sebesar 0,631 Ω (Ohm) dan
pada collector didapat hasil sebesar 0,636 Ω (Ohm). Sesuai uraian diatas dapat
disimpulkan bahwa percobaan sudah sesuai dengan teori.

2.6.2 Konfigurasi Fixed Bias

Rangkaian fixed bias (bias tetap), pada rangkaian transistor ini cukup
sederhana karena hanya terdiri dari dua resistor RB dan RC, kapasitor C1 dan
C2 yang berfungsi mengisolasi tegangan DC dari transistor ke tingkat sebelum
maupun sesudahnya, namun tetap mengalirkan sinya AC.

Gambar 2.13 Konfigurasi Fixed Bias

Dalam perhitungan dapat digunakan persamaan 2.11, 2.12, 2.13 di

berikut ini :
 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 = 𝑅𝐵
…………..................…………. (2.11)

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
………….................………..… (2.12)

𝐼𝐶
𝛽= …………….……........….……… (2.13)
𝐼𝐵

1. Pada BC547

Diketahui :

VCC : 12 volt

RB : 100 KΩ (Ohm)

RC : 150 kΩ (Ohm)

A. Pada IB BC547 : B. Pada IC BC547 :

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 =
𝑅𝐵 𝑅𝐶

12 𝑉𝑜𝑙𝑡 12 𝑉𝑜𝑙𝑡
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 =
100000 𝐴 150000 𝐴

𝐼𝐵 = 0,00012 𝐼𝐶 = 0,00008

C. Pada β BC547

𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵

0,00008 𝐴
𝛽=
0,00012 𝐴

𝛽 = 0,66 𝐴
 2. Pada BC557

Diketahui :

VCC : 12 volt

RB : 100 KΩ (Ohm)

RC : 150 kΩ (Ohm)

A. Pada IB BC557 : B. Pada IC BC557 :

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 =
𝑅𝐵 𝑅𝐶

12 𝑉𝑜𝑙𝑡 12 𝑉𝑜𝑙𝑡
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 =
100000 𝐴 150000 𝐴

𝐼𝐵 = 0,00012 𝐼𝐶 = 0,00008

C. Pada β BC557

𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵

0,00008 𝐴
𝛽= = 0,66 𝐴
0,00012 𝐴

Pada seluruh hasil perhitungan di atas didapat hasil yang dilihat pada
tabel 2.8 berikut

Tabel 2.8 Konfigurasi Fixed bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

(A) (A) (V) (V)

1 0,00012 0,00008 11,60 11,87 0,66 BC 547

2 0,00012 0,00008 10,0 0,623 0,66 BC 557

 Maka dari hasi percobaan pengamatan konfigurasi Fixed Bias diatas
didapat sebuah hasil yang menunjukan dari basis (IB), collector ( IC), colector
emiter ( VCE), basis emitter ( VBE) dan di rangkum pada tabel 2.8 yang berupa
Basis (IB) sebesar 0,00012 A, collector ( IC) sebesar 0,00008 A, collector emitter
(VCE )sebesar 11,60 V , basis emitter (VBE) sebesar 11,87 V dan pada β didapat
hasil senilai 0,66 merupakan hasil dari BC547 dan pada basis collector 557
(BC557) didapatBasis( IB) senilai 0,00012 A , collector ( IC) senilai 0,00008 A ,
collector emitter (VCE) senilai 10,0 V , basis emitter (VBE ) senilai 0,623 V dan
pada β = 0,66
Berdasarkan hasil pengukuran pada tabel 2.8 persamaan dan
perhitungan antara transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah
arus dan polaritas tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus menuju
pada emitter sedangkan pada NPN arah arus menuju pada kolektor

2.6.3 Konfigurasi Voltage Divider Bias

Gambar 2.14 Konfigurasi Voltage divider bias

Berdasarkan pada rangkaian pada gambar 2.14 yaitu pada BJT PNP
(BC557) dan BJT NPN (BC547), dengan input AC yang dilakukan saat
percobaan maka kapasitor diganti dengan rangkaian terbuka

Pada BJT (NPN) dan (PNP) di dapatkan hasil sama yang di rumuskan
pada persamaan 2.11, 2.12, 2.13 maka dapat dihitungkan sebagai berikut :
1. Pada BC547

A. Pada IB BC547 B. IC Pada BC547

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 =
𝑅𝐵 𝑅𝐶
12 𝑣𝑜𝑙𝑡 12 𝑉𝑜𝑙𝑡
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 =
2481,203 100

𝐼𝐵 = 0,0048 𝐴 𝐼𝐶 = 0,12

C. RB Pada BC547

10000𝑥3300 D. Pada BC547

𝑅𝐵 =
10000 + 3300 𝐼𝐶
𝛽=
33000000 𝐼𝐵
𝑅𝐵 =
13300 0,12
𝛽= = 25
0,0048
𝑅𝐵 = 2481203

2. Pada BC557

A. IB Pada BC557 B. IC Pada BC557

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 =
𝑅𝐵 𝑅𝐶
12 𝑣𝑜𝑙𝑡 12 𝑉𝑜𝑙𝑡
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 =
2481,203 100

𝐼𝐵 = 0,0048 𝐴 𝐼𝐶 = 0,12 𝐴

C. RB Pada BC557
D. β Pada BC557
10000𝑥3300
𝑅𝐵 = 𝐼𝐶
10000 + 3300 𝛽=
𝐼𝐵
33000000 0,12
𝑅𝐵 = 𝛽=
13300 0,0048
𝛽 = 25
𝑅𝐵 = 2481203
Tabel 2.9 Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

(A) (A) (V) (V)

1 0,0048 0,12 0,638 2,95 25 BC 547

2 0,0048 0,12 11,99 0,150 25 BC557

Maka dari hasi percobaan pengamatan konfigurasi Volltage

Divider Bias pada tabel 2.9 didapat sebuah hasilyang menunjukan dari
basis (IB), collector (IC), colletor emitter ( VCE), basis emitter ( VBE) dan di
rangkum pada tabel 2.10 yang berupa Basis (IB) sebesar 0,0048A,
collector ( IC) sebesar 0,0048A, collector emitter (VCE )sebesar 0,636 V ,
basis emittor (VBE) sebesar 2,95 V dan pada β didapat hasil senilai 25
merupakan hasil dari BC547 dan pada basis collector 557 (BC557)
didapatBasis( IB) senilai 0,0048 A , collector ( IC) senilai 0,12 A , collector
emitter (VCE) senilai 11,99 V , basis emitter (VBE ) senilai 0,150V dan pada
β senilai 25
Berdasarkan hasil pengukuran diatas persamaan dan perhitungan
antara transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah arus dan
polaritas tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus menuju
pada emitter sedangkan pada NPN arah arus menuju pada collector dan
pada transistor jenis NPN tegangan basis dan kolektornya positif terhadap
emitor, sedangkan pada transistor PNP tegangan basis dan kolektornya
negatif terhadap tegangan emitor.
2.7 Pertanyaan dan Jawaban
2.7.1 Pertanyaan :
1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan
saturasi?
2. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter,
buatlah grafik,
a. IC terhadap VCE
b. VBE terhadap IB
c. hFE terhadap IC.
3. Tentukan titik Q pada BJT, pada tiap konfigurasi!
4. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan
cara kerja BJT!
5. Sebutkan kegunaan dari BJT serta aplikasinya?
6. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah
cut-off, aktif dan saturasi, jelaskan jawaban anda menurut
hasil percobaan!
7. Dari keempat jenis bias pada BJT, mana yang paling stabil
(pergeseran titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan!
8. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias?
9. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori,
mungkinkah disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan
jawaban anda menurut data percobaan yang diperoleh dan
data sheetnya!
10. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan
dan beri kesimpulannya
11. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan
berikan kesimpulan umumnya pada akhir percobaan.
2.7.2 Jawaban :
1.A Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai
tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat
perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off
yaitu darikeadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON).
Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal
angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh
status transistor OFF dan ON.

B. Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif,
dimana arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva
ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus
IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).

Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan

pada loop collector (rangkaian CE), maka dapat diperoleh
hubungan :
VCE = VCC - ICRC
Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :
PD = VCE.IC
Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah
tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya.
Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya
temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu
untuk mengetahui spesifikasi PDmax. Spesifikasi ini menunjukkan
temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor
masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi
kapasitas daya PDmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.
C. Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7
volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base
 yang mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat
menyebabkan aliran elektron.
2.A. Bias Tetap : Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai
maximum dan berpotongan dengan Vce saturasi.
B. Bias Emiter Terstabilkan : Titik Q point terjadi pada
perpotongan garis Ibo dan garis yang menghubungkan Vcc
dan Vcc / Rc+Re
C. Bias Pembagi Tegangan : Titik Q point terjadi pada pertemuan
garis dari k dan Vge
3. Sesuai dengan percobaan didapat bahwa Ketika base dihubungkan
dengan catu tegangan positif dan emiter dicatu dengan tegangan
negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini
akan mengurangi tegangan barrierinternal sehingga muatan
mayoritas (tipe n) mampu untuk melewati daerah sambungan pn
yang ada. Beberapa hole dan elektron akan mengalami rekombinasi
di daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui device dibawa
oleh hole pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada emitter (daerah
tipe-n ). Karena derajat doping pada emitter (daerah tipe n) lebih
besar daripada base (daerah tipe p), arus maju akan dibawa lebih
banyak oleh elektron. Aliran dari muatan minoritas akan mampu
melewati sambungan pn sebagai kondisi reverse bias tetapi pada
skala yang kecil sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan
dapat diabaikan.
4. Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebagai saklar. Satu
contoh di mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam
rangkaian elektronika digital. Dalam elektronika digital biasanya
hanya terdapat dua keadaan, yaitu voltase ada dan voltase nol atau
dengan kata lain hanya terdapat keadaan on dan off.
5. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor
kecil, maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban.
Titik cut-off menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang
mungkin dalam rangkaian. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15
V, yaitu tengangan catu kolektor.
 Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan
basis yang menghasilkan gain arusnya 10. Karena di sana lebih dari
cukup arus basis untuk menjenuhkan transistor.
Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier
( IC = B * IB). Beta adalah salah satu dari parameter transistor, bagian
dari base transistor. Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200, tapi bisa
juga sampai 800. Berada pada daerah aktif VBE = 0.6 – 0.7 V .
6. Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias
pembagi tegangan. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter
disebut dengan bias pembagi teganyan. Kita dapat mengenalinya
dengan adanya pembagi tegangan pada rangkaian basis.
7. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan
yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan
beban tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p.
Reverse Bias adalah hubungan yang terjadi saat pusat negative
baterai dihubungkan pada sisi-dan pusat positif baterai dihubungkan
dengan sisi-n
8. Tidak sesuainya hasil percobaan dengan teori bisa saja disebabkan
oleh rusaknya transistor. Karena kurangnya perawatan atau mungkin
umur alat yang sudah lama. Kerusakan transistor bisa saja terjadi
karena transistor telah melewati daerah breakdown
9. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan
memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan
teori yang ada. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan
didalam pembacaaan skala pada alat ukur multimeter
10. - Kondisi BJT
* BJT dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau
hambatan diodenya dapat dihitung.
- Karakteristik BJT
* Penambahan VCE secara konstan tidak menyebabkan
perubahan IC atau perubahan IC sangat kecil (tidak signifikan)

* Besar β ditentukan oleh besar IC dan IB

*Besar arus collector dan emitter adalah sama

- Konfigurasi BJT

*Nilai IB, IC, VBE, dan β tetap konstan walaupun terjadi perubahan
waktu tetapi VCE mengalami perubahan nilai (tidak signifikan
2.8 Simpulan
Pada percobaan BJT (Bipolar Junction Transistor), didapat
beberapa kesimpulan yang yang menyatakan dari beberapa percobaan
yang dilakukakan dan hasil yang didapat, maka didapatnya kesimpulan
dari laporan praktikum sebagai berikut.
1. Transistor adalah sebuah komponen elektronika yang digunakan
untuk penguat,sebagai sirkuit pemutus, sebagai penyambung,
sebagai stabilitas tegangan, modulasi sinyal dan lain-lain.
2. BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis
transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode
yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga
terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C),
dan basis (B)
3. Pada testing kondisi BJT didapat kesimpulan bahwa sebuah
transistor apabila dalam kondisi baik maka akan mempunyai suatu
nilai hambatan nol dan bila tidak dapat dihitung maka dalam
keadaan rusak..
4. Pada konfigurasi BJT fixed bias persamaan dan perhitungan
antara transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah
arus dan polaritas tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah
arus menuju pada emitter sedangkan pada NPN arah arus menuju
pada kolektor. Nilai IB, IC, dan β ataupun BJT PNP dan NPN
memiliki nilai yang sama, karena nilai VCC, RB, dan RC yang
diketahui sama. Sedangkan pada tengangan kolektor dan
tegangan basis memiliki nilai yang berbeda, pada BJT tipe PNP
tegangan pada kolektor tegangan pada kolektor maupun basis
memiliki nilai yang lebih besar daripada tegangan kolektor dan
basis pada BJT tipe NPN.
5. Pada konfigutasi BJT voltage divider bias pada transistor jenis
NPN tegangan basis dan kolektornya positif terhadap emitor,
sedangkan pada transistor PNP tegangan basis dan kolektornya
negatif terhadap tegangan emitor. Pada konfigurasi BJT Voltage
Divider Bias persamaan dan perhitungan antara transistor PNP
dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas
tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus menuju pada
emitter sedangkan pada NPN arah arus menuju pada kolektor.
Nilai IB, IC, dan β pada BJT PNP ataupun NPN memiliki nilai yang
sama, karena nilai VCC, RB, dan RC yang diketahui sama.
Sedangkan pada tengangan kolektor dan tegangan basis memiliki
nilai yang berbeda, pada BJT tipe PNP tegangan pada kolektor
tegangan pada kolektor maupun basis memiliki nilai yang lebih
kecil dari pada tegangan kolektor dan basis pada BJT tipe NPN.
 Daftar Pustaka

1. Achmad Zulfikar.2007. Bias dalam Transistor. (Online). Tersedia:

http://www.gudangmateri.com/2010/04/bias-dalam-transistor-
bjt.html, (diakses pada 2 maret 2017)
2. Ahmad Sudrajat. 2008. Pembelajaran Remedial dalam
KTSP.(online). Tersedia:
(http://ahmadsudrajat.wordpress.com, (diakses pada 8 Maret
2017).
3. Suprianto. 2015. Pengertian, cara kerja dan fungsi Transistor
(Online) . Tersedia :
(http://blog.unnes.ac.id/antosupri/pengertian-cara-kerja-dan-
fungsi-transistor/, (diakses pada 8 Maret 2017)
4. Tiara Novita Sari. 2013. BJT DAN FET. [online]. Tersedia:
http://tiyaranofitasari.blogspot.co.id/2013/05/bjt-dan-fet.html,
(diakses pada 21 Maret 2017)
LAMPIRAN