SEMICONDUCTORES

(Tipos y Métodos de
Síntesis)
NANOMATERIALES
JOSÉ ANTONIO FLORES SALDVAR NANO 51

UNIVERSIDAD
TECNOLOGICA DE
TULANCINGO
SEMICONDUCTORES (Tipos y Métodos de Síntesis)

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SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la
presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Los semiconductores son materiales que, con respecto a la conductividad eléctrica, se hallan
entre los materiales aislantes y metales. Los elementos químicos semiconductores de la
tabla periódica son: Cadmio (Cd), Aluminio (Al), Galio (Ga), Boro (B), indio (In), Silicio (Si),
Carbono (C), Germanio (Ge), Fósforo (P), Arsénico (As), Antimonio (Sb), Selenio (Se), Teluro
(Te) y Azufre (S).

La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, es decir, forman 4 enlaces
covalentes. (TODO ES QUIMICA, 2012)

Semiconductores intrínsecos y extrínsecos | Semiconductor

intrínseco |
Intrínsecos Material puro que tiene un
Los semiconductores tienen conductividades eléctricas como rango de conductividad
las de los aislantes y los conductores y poseen brechas de como la de los aislantes y los
energía lo suficientemente pequeñas para que los electrones conductores.
puedan ser promovidos de la banda de valencia a la banda de
conducción. Un semiconductor intrínseco es un cristal
perfecto sin defectos, dislocaciones, sustituciones o fronteras
de grano que tiene una banda de valencia completamente
llena y una banda de conducción completamente vacía | Banda de valencia |
Banda que contiene
separada por una brecha de bandas de menos de 2 eV. electrones
El silicio es el semiconductor intrínseco mas común. Cuando covalentemente enlazados.
cuatro átomos de silicio están bastante próximos, sus orbitales
se superponen y forman híbridos, cada uno conteniendo dos
electrones como se muestra en la ilustración 1. Los orbitales
forman un tetraedro para permitirles estar tan separados en el
espacio como sea posible. Los átomos adyacentes de silicio
forman enlaces covalentes con la banda de valencia | Banda de conducción |
completamente llena y la banda de conducción Banda que contiene electrones
completamente vacía. conductivos en un estado de
energía más alto.
Cuando un campo eléctrico es aplicado a un cristal de silicio,
los electrones en la banda de valencia ganan energía y se
mueven a la banda de conducción desocupada. Cuando se
aplica la suficiente energía al electrón para superar la brecha
de energía, el electrón se vuelve libre y deja un agujero
detrás. | Agujero |
La energía proporcionada también puede ser en forma de un Sitio vacante con carga positiva
fotón de luz o resultante de la vibración térmica. El electrón dejado por un electrón que se
libre migra a través del cristal en respuesta al campo. El mueve a un estado de energía
más alto.
agujero con carga positiva también migra debido a que los
electrones adyacentes hacen un túnel dentro del agujero en la
banda de valencia, rellenando ese agujero, pero dejando uno
nuevo detrás. Como resultado, hay dos portadores de carga

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distintos, los electrones de carga negativa y los agujeros de carga positiva. Los electrones
migran en la dirección opuesta del campo,

Ilustración 1 Formación hibrida de átomos de

silicio

mientras que los agujeros migran en la dirección del campo como se muestra en la ilustración
2.
La corriente en el semiconductor se conduce a través del movimiento de los agujeros y los
electrones.
La cantidad de electrones en la banda de conducción es una fuerte función de temperatura.
En casi cero absoluto, todos los electrones estarían en la banda de valencia con la banda
de conducción vacía. A medida que la temperatura se incrementa, más electrones son
capaces de superar la brecha de energía y entrar a la banda de conducción, dejando detrás
un agujero en la banda de valencia. (NEWELL, 2010)

Ilustración 2 Migración de un electrón libre y

un agujero

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Extrínsecos
Al introducir impurezas especificas llamadas dopantes en los
| Dopantes | semiconductores, se produce un semiconductor extrínseco. La
Impurezas añadidas
deliberadamente a un conductividad de un semiconductor extrínseco depende
material principalmente de la clase y numero de dopantes y es casi
para mejorar la independiente de la temperatura dentro de rangos de temperatura
conductividad
limitadas. La naturaleza del material dopante impacta grandemente
del material.
las propiedades del semiconductor.
En un semiconductor intrínseco, el número de electrones (n)
| Semiconductor
promovidos a la banda de conducción siempre es igual al número
extrínseco |
Creado mediante la de agujeros (p) dejados detrás en la banda de valencia, pero esto
introducción no es verdad para los semiconductores extrínsecos. Si el átomo
de impurezas llamadas
dopantes
dopante dona electrones a la banda de conducción, el número de
dentro de un semiconductor. agujeros en la banda de conducción será menor que el número de
electrones en la banda de conducción y el semiconductor se
clasifica como semiconductor tipo n. Similarmente, es posible
| Semiconductor tipo n |
Semiconductor en el que un añadir un dopante que remueva los electrones de la banda de
dopante dona electrones a la valencia, resultando en más agujeros en la banda de valencia que
banda de conducción, haciendo
que el número de agujeros
los electrones en la banda de conducción. Este dopante crea un
sea menor que el número de semiconductor tipo p.
electrones en la banda de La molécula dopante añadida a un semiconductor tipo n funciona
conducción.
como donador de electrones y típicamente involucra un átomo
del Grupo VA (fosforo, arsénico o antimonio) con una valencia de
| Semiconductor tipo p |
Semiconductor en el que un 5. Cuatro de los electrones en tal átomo son participantes activos
dopante remueve los en el enlace covalente, pero el quinto electrón no tiene nada con
electrones
de la banda de valencia,
que enlazarse y flota a un nivel de energía justo por debajo de la
provocando que haya más banda de conducción. La energía requerida para promover ese
agujeros que electrones en la electrón a la banda de conducción es sustancialmente más
banda de valencia.
pequeña que la energía requerida para promover un electrón típico
de la banda de valencia como se muestra en la ilustración 3
| Receptor de
electrones |
Molécula que acepta
electrones
de otra sustancia.

| Donador de
electrones |
Molécula que dona
electrones a
otra sustancia.
Ilustración 3 Diferencias de los niveles de energía en semiconductores extrínsecos

Este comportamiento tiene impacto significativo en las propiedades

del semiconductor. Cuando las temperaturas están demasiado bajas como para
proporcionar suficiente energía para superar aun la barrera de energía reducida del electrón
donante, casi no hay conductividad. Sin embargo, para todo el rango de temperaturas que
proporcionan suficiente energía para superar la energía reducida pero no la suficiente para
superar la banda prohibida toda la conductividad del semiconductor está controlada por el
número de átomos dopantes (y, por lo tanto, electrones donantes) presentes. Esto hace de

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los semiconductores extrínsecos ideales para las aplicaciones microelectrónicas debido a

que las propiedades del material se rigen por una característica controlable (número de
átomos dopantes) en vez de una variable externa como la temperatura.
La molécula dopante añadida a un semiconductor tipo p funciona como receptor de
electrones y generalmente involucra un átomo del Grupo IIIA (boro, aluminio, galio o indio)
con una valencia de 3. Con solo tres electrones disponibles, estos dopantes no pueden
participar totalmente en el proceso de enlace covalente sin lanzar un electrón desde otro
lugar en la banda de valencia, lo cual deja un agujero detrás. Estos sitios de agujeros tienen
un nivel de energía ligeramente más alto que el resto de la banda de valencia, así es que
una barrera de energía más pequeña debe superarse para crear un agujero en la banda de
valencia como se muestra en la ilustración 4. Este agujero puede entonces migrar y llevar
carga. (NEWELL, 2010)

Ilustración 4 Barrera de energía para un semiconductor tipo p

Tipo n
Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5 electrones de valencia)
como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en
exceso, los cuales, al no encontrarse enlazados, se moverán fácilmente por la red cristalina
aumentando su conductividad. De ese modo, el material tipo N se denomina también
donador de electrones.

Ilustración 5 Semiconductor tipo N

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Tipo p
Se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia) como el Boro (B), indio (In) o
Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4 electrones necesarios para
establecer los 4 enlaces covalentes, en la red cristalina estos átomos presentarán
un defecto de electrones (para formar los 4 enlaces covalentes). De esa manera se
originan huecos que aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina.
Así, al material tipo P también se le denomina donador de huecos (o aceptador de
electrones). (Landin, 2014)

Ilustración 6 Semiconductor tipo P

Ilustración 7 Semiconductores utilizados en la electrónica

Tipos de semiconductores Ejemplos

Semiconductores simples Si, Ge

Semiconductores compuestos
SiC, SiGe
IV-IV

Semiconductores compuestos III-

GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP, InSb
V

Semiconductores compuestos II-

ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe
VI

AlxGa1–xAs, GaAs1–xPx, Hg1–xCdxTe, GaxIn1–

Aleaciones
xAs1–yPy

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