Anda di halaman 1dari 14

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA

TRANSISTOR BIAS TETAP DAN BIAS PEMBAGI TEGANGAN

Tanggal pelaksanaan praktikum : 16 Oktober 2017

Asisten Praktikum :
Nur Hidayat, S.ST.

Disusun oleh :
Miftahul Fadillah Respati NIM: 031600481
Misbah Habib Putra NIM: 031600482
Muhammad Haris G. NIM: 031600483

PROGRAM STUDI ELEKTRO MEKANIKA


JURUSAN TEKNOFISIKA NUKLIR
SEKOLAH TINGGI TEKNOLOGI NUKLIR
BADAN TENAGA NUKLIR NASIONAL
YOGYAKARTA
2017
A. Tujuan Percobaan
1. Memahami prinsip kerja transistor bias tetap dan bias pembagi tegangan.
2. Membuktikan tegangan dan arus pada rangkaian bias tetap berdasarkan garis beban
untuk menentukan titik kerja rangkaian (Q).
3. Membuktikan tegangan dan arus pada rangkaian bias pembagi tegangan berdasarkan
garis beban untuk menentukan titik kerja rangkaian (Q)

B. Dasar Teori
Bias Tetap
Suatu transistor harus diberi bias dc untuk dapat dioperasikan sebagai penguat. Titik
kerja dc harus diatur agar variasi sinyal pada terminal input dapat dikuatkan/ amplifikasi
dan secara akurat direproduksi pada terminal output.

Garis Beban DC
Apabila arus basis (IB) bertambah, maka arus collector (IC) juga bertambah, sedangkan
tegangan collector-emiter (VCE) berkurang, begitu juga sebaliknya. Sehingga perubahan
pada VBB akan mengakibatkan perubahan titik kerja transistor di sepanjang garis lurus,
yang disebut dengan garis beban dc. Sebagai contoh, pergeseran titik Q yang disebabkan
perubahan arus base (IB), arus collector (IC) dan tegangan collector-emiter (VCE),
ditunjukkan pada Gambar 1.
Titik perpotongan garis beban dengan sumbu mendatar adalah VCE=VCC=10 volt. Titik
ini adalah titik cut-off, karena secara ideal IB dan IC sama dengan nol. Titik perpotongan
garis beban dengan sumbu vertical secara ideal adalah IC=45,5 mA. Titik ini adalah titik
saturasi, karena IC adalah maksimum pada titik dimana nilai VCE=0 dan IC=VCC/RC.
Berdasarkan hokum Kirchoff maka tegangan pada loop collector ditunjukkan pada
Persamaan 1.

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0 Pers.1

Hasilnya adalah persamaan garis lurus untuk garis beban dengan bentuk umum:
y=mx+b pada Persamaan 2.

1 𝑉𝐶𝐶 Pers.2
𝐼𝐶 = − ( ) 𝑉𝐶𝐸 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶

Dimana -1/RC adalah gradient (slope), sedangkan VCC/RC adalah konstanta.


Gambar 1 Ilustrasi pengaturan titik Q

Gambar 2 Garis beban dc

Rangkaian bias basis


Metode yang lebih praktis adalah menggunakan VCC sebagai sumber bias tunggal,
seperti yang ditunjukkan pada Gambar 3 (a). Untuk menyederhanakan rangkaian, symbol
baterai dapat dihilangkan dan diganti dengan terminal garis yang ujungnya diberi lingkaran
kecil, yang menyatakan tegangan, seperti pada Gambar 3 (b).
Gambar 3 Rangkaian bias basis
Analisa dari rangkaian Gambar 3, untuk daerah linier dapat diuraikan sebagai berikut:

1. Tegangan drop yang melalui RB adalah VCC-VBE, sehingga Persamaan 3 menjadi

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 Pers.3


𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

2. Berdasarkan hokum Kirchoff, tegangan disisi collector dapat dituliskan menjadi


Persamaan 4

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0 Pers.4

3. Penyelesaian untuk VCE menjadi Persamaan 5

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 Pers.5

4. Dengan mengabaikan kebocoran arus ICBO, telah kita ketahui bersama bahwa
IC=β.IB, maka Persamaan 6 menjadi

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 Pers.6


𝐼𝐶 = 𝛽. ( )
𝑅𝐵

5. Pada Persamaan 6 ditunjukkan bahwa nilai IC bergantung pada β. Sehingga kerugian


pada rangkaian bias ini adalah berubahnya nilai β akan menyebabkan perubahan pula
pada IC dan VCE yang berakibat perubahan pada titik kerja transistor (Q) dan
membuatnya menjadi rangkaian bias yang sangat bergantung pada β, dan perlu
diketahui bahwa nilai β bervariasi terhadap suhu.
Dasar teori bias pembagi tegangan
Bias tegangan pada base transistor dapat dikembangkan dengan pembagi tegangan
resistor R1 dan R2, seperti terlihat pada Gambar 4. Pada titik A, ada dua lintasan arus yang
menuju ke ground, yang satu melalui R2 sedangkan yang satunya melalui junction base
emitter dari transistor.

Gambar 4 Rangkaian bias pembagi tegangan


Apabila arus base sangat kecil dibandingkan dengan arus yang melalui R 2, maka
rangkaian bias dapat dipandang sebagai pembagi tegangan sederhana yang terdiri dari R1
dan R2, seperti yang diperlihatkan pada Gambar 5 (a). Apabila arus base tidak cukup kecil
untuk diabaikan dibandingkan dengan I2, maka resistansi input dc. RIN(base), dari base
transistor ke ground harus ikut diperhitungkan. Keberadaan RIN(base) parallel dengan R2,
sebagaimana terlihat pada Gambar 5 (b).

Gambar 5 Penyederhanaan rangkaian pembagi tegangan


Untuk mengembangkan formula resistansi input dc pada base transistor, digunakan
diagram pada Gambar 6, dimana VIN dicatukan diantara base dan ground, dan IIN adalah
arus yang masuk ke base. Berdasarkan hokum Ohm maka Persamaan 7 menjadi:

𝑉𝐼𝑁 Pers.7
𝑅𝐼𝑁(𝑏𝑎𝑠𝑒) =
𝐼𝐼𝑁
Dengan menerapkan hukum Kirchoff tegangan di sekitar rangkaian
base emitter maka Persamaan 8 menjadi

𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 Pers.8


Dengan asumsi bahwa VBE<<IE RE, maka Persamaan 8 menjadi
Persamaan 9

𝑉𝐼𝑁 ≅ 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 Pers.9

Karena IC≈IE dan IC = β.IB, maka Persamaan 10 menjadi

𝑉𝐼𝑁 ≅ 𝛽. 𝐼𝐵 . 𝑅𝐸 Pers 10

Arus input juga sebagai arus base (IIN=IB), dengan subtitusi IB pada
Persamaan 7 maka didapat Persamaan 11

𝑉𝐼𝑁 𝛽. 𝐼𝐵 . 𝑅𝐸 Pers.11
𝑅𝐼𝑁(𝑏𝑎𝑠𝑒) = ≅ = 𝛽. 𝑅𝐸
𝐼𝐼𝑁 𝐼𝐵

Gambar 6 Resistansi input dc adalah VIN/IIN


Transitor NPN yang dibias pembagi tegangan (voltage divider) ditunjukkan pada
Gambar 7. Untuk menentukan tegangan pada base dengan menggunakan formula
pembagian tegangan. Resistansi total dari base ke ground adalah R2//β.RE.
Pembagian tegangan dibentuk oleh R1 dan R2 paralel dengan resistansi dari base ke
ground, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 7 (b). Nilai VB dihitung menggunakan
Persamaan 12.

𝑅2 //𝛽. 𝑅𝐸 Pers.12
𝑉𝐵 = ( ) . 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + (𝑅2 //𝛽. 𝑅𝐸 )

Apabila β.RE<<R2, maka Persamaan 12 menjadi Persamaan 13

𝑅2 Pers.13
𝑉𝐵 = ( ) . 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2

Tegangan base dapat ditentukan dengan tegangan emitter melalui


Persamaan 14

𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 Pers.14
Arus emitter dapat dicari dengan menggunakan hokum Ohm
𝑉𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸

Karena IC≅IE maka dapat dituliskan Persamaan 15

𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 Pers.15
𝐼𝐶 =
𝑅𝐸

Pernyataan VCE sebagai fungsi IC dapat dicari dengan menggunakan hokum Kirchoff
tegangan sesuai Persamaan 16.

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 − 𝑉𝐶𝐸 = 0 Pers.16

Karena IC≅IE maka,


𝑉𝐶𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 𝐴𝑇𝐴𝑈 𝑉𝐶𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 +. 𝑅𝐸 )

Gambar 7 Transistor NPN dengan bias pembagi tegangan

C. Alat dan Bahan


1. Modul Praktikum Elektronika
2. Laptop dengan aplikasi Multisim terinstall
D. Langkah Kerja
Percobaan Transistor Bias Tetap
1. Susunlah rangkaian seperti gambar menggunakan transistor 2N3904.

2. Ukurlah tegangan pada RB dan RC menggunakan multimeter. Lalu hitung IBQ dan ICQ,
kemudian catat hasilnya pada Tabel 1.

3. Berdasarkan hasil perhitungan langkah 2, tentukan penguatan arus dc transistor (β)


dan catat hasilnya pada Tabel 1.
𝐼𝐶𝑄
β=
𝐼𝐵𝑄
4. Ukurlah tegangan VB dan VC secara individual dan catat hasilnya pada Tabel 1.
5. Bandingkan nilai yang didapat dari langkah 4 dengan nilai yang didapat secara terori
dengan nilai β yang didapat dari langkah 3 dan untuk nilai VBE =0,7 volt, catat hasilnya
pada Tabel 1.
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵𝑄 . 𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 . 𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵𝑄 =
𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 =
𝑅𝐵
𝜷

6. Hitunglah titik saturasi [IC(sat)] pada garis beban dari rangkaian percobaan ini dengan
persamaan sebagai berikut:
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) ≅
𝑅𝐶
Catat hasilnya pada Tabel 2.
7. Hitunglah titik cut-off [VCE(off)] pada garis beban dari rangkaian percobaan ini dengan
persamaan sebagai berikut:
𝑉𝐶𝐸(𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝐶𝐶
Catat hasilnya pada Tabel 2.

8. Berdasarkan hasil pada langkah 6 dan 7, gambar garis beban dc, kemudian letakkan
titik kerja transistor (Q) yang didapat hasil pengukuran dan perhitungan.
9. Dengan menggunakan transistor yang berbeda (transistor 2N3903) ulangi langkah 2
sampai dengan 8.
10. Berdasarkan hasil percobaan lakukan analisis, pembahasan dan tuliskan kesimpulan.

Percobaan transistor bias pembagi tegangan


1. Susunlah rangkaian menggunakan transistor 2N3904 seperti gambar.

2. Gunakan nilai VBE yang umum untuk transistor silicon (0,7 V), hitunglah nilai
tegangan dc base (VB), emitter (VBE), collector (VC) dan collector-emitter (VCE) untuk
rangkaian percobaan. Kemudian catat hasilnya pada Tabel 3.
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶

3. Ukurlah tegangan dc base (VB), emitter (VBE), collector (VC) dan collector-emitter
(VCE) untuk rangkaian percobaan menggunakan multimeter. Kemudian catat hasilnya
pada Tabel 3.
4. Bandingkan hasil yang didapat dari langkah 2 dan 3. Bagaimana errornya?
5. Ukurlah tegangan pada RC menggunakan multimeter, untuk mendapatkan nilai ICQ,
kemudian catat hasilnya pada Tabel.3.
6. Hitunglah arus collector IC, menggunakan rumus pendekatan
𝑉𝐸
𝐼𝐶𝑄 ≈ karena 𝐼𝐶𝑄 ≈ 𝐼𝐸𝑄 untuk β yang besar
𝑅𝐸
Kemudian catat hasilnya pada Tabel 3

7. Hitunglah titik saturasi [IC(sat)] pada garis beban dari rangkaian percobaan ini dengan
persamaan sebagai berikut:
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) ≅
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Catat hasilnya pada Tabel 4.

8. Hitunglah titik cut-off [VCE(off)] pada garis beban dari rangkaian percobaan ini dengan
persamaan sebagai berikut:
𝑉𝐶𝐸(𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝐶𝐶
Catat hasilnya pada Tabel 4.

9. Berdasarkan hasil pada langkah 7 dan 8, gambar garis beban dc, kemudian letakkan
titik kerja transistor (Q) yang didapat hasil pengukuran dan perhitungan.
10. Dengan menggunakan transistor yang berbeda (transistor 2N3903) ulangi langkah 2
sampai dengan 9.
11. Berdasarkan hasil percobaan lakukan analisis, pembahasan dan tuliskan kesimpulan.
E. Data Hasil Percobaan

Percobaan Bias Tetap

Tabel 1. Data Pengukuran dan Perhitungan Parameter Transistor

Parameter Transistor 2N3904 Transistor 2N3903

Pengukuran Perhitungan Pengukuran Perhitungan

𝑰𝑩 9,55 μA 9,53 μA 9,56 μA 9,53 μA

𝑰𝑪 1,54 mA 1,53 mA 702 mA 700 mA

β 161,26 161,25 73.430 73.430

𝑽𝑩 672,9 mV 705 mV 4,901 mV 705 mV

𝑽𝑪𝑬 13,45 V 13,47 V 5,856 V -684 V

Tabel 2. Data untuk Kondisi Saturasi dan Cut-off

Kondisi Transistor 2N3904 Transistor 2N3903

𝑰𝑪 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪 𝑽𝑪𝑬

Saturasi 15 mA 0 15 mA 0

Cut off 0 15 0 15

Saturasi
ICmax

Titik Kerja (Q)

Cut Off (VCEmax)


Percobaan Bias Pembagi Tegangan

Tabel 3. Data Pengukuran dan Perhitungan Parameter Transistor

Parameter Transistor 2N3904 Transistor 2N3903

Pengukuran Perhitungan Pengukuran Perhitungan

𝑰𝑩 7,5 μA 7,6 μA 14,79 μA 15,29 μA

𝑰𝑪 1,06 mA 1,075 mA 1,04 mA 1,075 mA

β 141,33 141,33 70,32 70,32

𝑽𝑩 4,95 V 5V 4,901 V 5V

𝑽𝑪𝑬 5,717 V 5,6475 V 5,856 V 5,6475 V

Tabel 4. Data untuk Kondisi Saturasi dan Cut-off

Kondisi Transistor 2N3904 Transistor 2N3903

𝑰𝑪 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪 𝑽𝑪𝑬

Saturasi 1,72 mA 0 1,72 mA 0

Cut off 0 15 V 0 15

Saturasi
Titik Kerja (Q)
ICmax
Cut Off (VCEmax)
F. Pembahasan
Percobaan Bias Tetap

1. Transistor 2N3904
Perbandingan antara hasil pengukuran pada Multisim dengan hasil perhitungan
menggunakan rumus teori, hasil yang didapat tidak memiliki penyimpangan yang
terlalu besar. Penyimpangan terbesar ada pada VB yaitu sebesar 32,1 mV. Namun, nilai
ini masih dapat dianggap penyimpangan yang kecil.
Nilai kerja untuk IC adalah 1,54 mA dan untuk VCE adalah 13,45 V.

2. Transistor 2N3903
Diantara semua perbandingan data yang diperoleh antara hasil pengukuran dan
perhitungan, hanya ada satu penyimpangan yang cukup besar yaitu nilai VCE. VCE pada
hasil pengukuran yaitu bernilai 14,29 V sedangkan pada hasil perhitungan bernilai (-
684 V) atau memiliki selisih sebesar 689,856 V. Hal ini disebabkan oleh nilai IC yang
nilainya mencapai 700 mA. Sehingga dalam perhitungan VCE, hasil yang didapat pun
menyimpang cukup jauh.
Nilai kerja untuk IC adalah 702 mA dan untuk VCE adalah 14,29 V.

Percobaan Bias Pembagi Tegangan

1. Transistor 2N3904
Perbandingan antara hasil pengukuran pada Multisim dengan hasil perhitungan
menggunakan rumus teori, hasil yang didapat tidak memiliki penyimpangan yang
terlalu besar.
Nilai kerja untuk IC adalah 1,06 mA dan untuk VCE adalah 5,717 V.

2. Transistor 2N3903
Perbandingan antara hasil pengukuran pada Multisim dengan hasil perhitungan
menggunakan rumus teori, hasil yang didapat tidak memiliki penyimpangan yang
terlalu besar.
Nilai kerja untuk IC adalah 1,04 mA dan untuk VCE adalah 5,856 V.
G. Kesimpulan
Berdasarkan data hasil percobaan dan pembahasan diatas, kesimpulan yang dapat
diambil disajikan berupa grafik titik kerja rangkaian (Q).

1. Percobaan Bias Pembagi Tegangan:

Saturasi
ICmax

Titik Kerja (Q)

Cut Off (VCEmax)

2. Percobaan Bias Pembagi Tegangan

Saturasi
Titik Kerja (Q)
ICmax Cut Off (VCEmax)