SEMICONDUCTORES

a. Definición de semiconductor:

Los semiconductores son los cuerpos que permiten el paso de la

corriente con mucha dificultad. Estos materiales tienen una estructura
cristalina cúbica y los más utilizados son el germanio y el silicio (los
átomos de estos elementos forman un enlace covalente, con lo cual no
se dispone de ningún electrón libre, que es el que puede llevar la
corriente eléctrica).

Como su mismo nombre indica, un semiconductor es un material que

se encuentra entre dos extremos de conductividad eléctrica: la
situación de aislante y la de conducción. Hay diversos factores que
hacen que un semiconductor se comporte como aislante o conductor,
como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la
radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre. En otras palabras, los semiconductores tienen una
capacidad de conducción eléctrica que es inferior a la que posee un
conductor metálico pero también es superior a la que tiene un
elemento aislante.

b. Tipos de semiconductores:

1. Semiconductor intrínseco: Es un semiconductor puro. A

temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo
tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía
térmica.

En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y

huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a
que por acción de la energía térmica se producen los electrones libres
y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como
huecos con lo que la corriente total es cero.

La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular

hacia la derecha (del terminal negativo de la pila al positivo) y a los
huecos hacia la izquierda.
2. Semiconductor extrínseco: Son los semiconductores que están
dopados, esto es que tienen impurezas. Hay 2 tipos
dependiendo de qué tipo de impurezas tengan:

2.1 semiconductor tipo N: Se llama material tipo N al que

posee átomos de impurezas que permiten la aparición de
electrones sin huecos asociados a los mismos
semiconductores. Los átomos de este tipo se llaman
donantes ya que “donan” o entregan electrones. Suelen ser
de valencia cinco, como el arsénico y el fosforo. De esta
forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya
que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero
posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos
que conforman la estructura original, por lo que la energía
necesaria para separarlo del átomo será menor que la que
necesitaba para romper una ligadura en el cristal de silicio
(o del semiconductor original).

2.2 Semiconductor tipo P: Se llama así al material que tiene

átomos de impurezas que permiten la formación de huecos
sin que aparezcan electrones asociados a los mismos,
como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este
tipo se llaman aceptadores, ya que “aceptan” o toman un
electrón. Suelen ser de valencia tres, como el aluminio,
indio o el galio. Nuevamente, el átomo introducido es
neutro, por lo que no modificara la neutralidad eléctrica del
cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su
última capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que
tendera a tomar electrones, por lo que los primeros serán
los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios.
Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores
mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos
de impurezas introducidos.
c. Estructura atómica de los semiconductores:

Estructura atómica del silicio: mostramos la estructura atómica

del silicio en su estado puro ya que es el elemento principal en
los semiconductores y es a su vez la base para la creación de
dicho material (semiconductor).

Aquí podemos observar la estructura del silicio tiene forma

cubica en su distribución de átomos

Ahora si podemos ver la estructura atómica de los

semiconductores como se enlazan los átomos de distintos
materiales que forman al material, en la siguiente imagen
podemos apreciar la estructura atómica que forma la unión del
silicio y aluminio.
Es un semiconductor extrínseco dopado con aluminio, tipo P
mayoritariamente con carga positiva o huecos.

En la siguiente imagen podemos observar a la estructura

atómica de un semiconductor de silicio y antimonio de tipo N.

Es un semiconductor extrínseco dopado con antimonio, tipo N

mayoritariamente con carga negativa por aumento de electrones
en otras palabras ausencia de huecos en su estructura.

d. Ubicación en la tabla periódica de los semiconductores

intrínsecos:

Los semiconductores intrínsecos están ubicados el grupo 14 en

como lo son el silicio y germanio elementos puros generalmente
son usados como base para la creación de semiconductores
extrínsecos.
 Los elementos sombreados en rojo que muestra la tabla
periódica son los semiconductores.

e. Enlaces atómicos en los semiconductores:

SEMICONDUCTOR TIPO N5 CON UN SOLO ENLACE DE TRES ELECTRONES

Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del nitrógeno

que lo vamos a identificar como un dopaje tipo N5 donde es N,
porque es un dopaje que permite la aparición de electrones
adicionales asociados al dopaje y 5, porque el átomo dopante donante
es del grupo del nitrógeno donde tienen todos a 5 electrones de
valencia.

SEMICONDUCTOR TIPO N6 CON SOLO DOS ENLACES DE TRES

ELECTRONES.
Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del Oxígeno
que lo vamos a identificar como un dopaje tipo N6 donde es N,
porque es un dopaje que permite la aparición de electrones
adicionales asociados al dopaje y 6, porque el átomo dopante donante
es del grupo del oxígeno donde tienen todos a 6 electrones de
valencia.

SEMICONDUCTOR TIPO N7 CON TRES ENLACES DE TRES ELECTRONES.

Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del Flúor que lo
vamos a identificar como un dopaje tipo N7 donde es N, porque es un
dopaje que permite la aparición de electrones adicionales asociados al
dopaje y 7, porque el átomo dopante donante es del grupo del flúor
donde tienen todos a 7 electrones de valencia.
SEMICONDUCTOR TIPO P3 CON UN SOLO ENLACE DE UN ELECTRÓN

Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del Boro que lo
vamos a identificar como un dopaje tipo P3 donde es P, porque es un
dopaje que permite la aparición de hueco-partículas adicionales
asociadas al dopaje y 3, porque el átomo dopante donante de huecos
es del grupo del Boro donde solo tienen todos a 3 electrones de
valencia.
 f. Conductividad eléctrica en los semiconductores:

La conductividad eléctrica, que es la capacidad de conducir la

corriente eléctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una
de las propiedades físicas más importantes. Ciertos metales, como el
cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado,
ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos
conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se
comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas,
mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de
los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a
alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los
semiconductores se estudian en la física del estado sólido.

ELECTRONES DE CONDUCCIÓN Y HUECOS

Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos

químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el
arseniuro de galio, el seleniuro de zinc y el telurio de plomo. El
incremento de la conductividad provocado por los cambios de
temperatura, la luz o las impurezas se debe al aumento del número de
electrones conductores que transportan la corriente eléctrica. En un
semiconductor característico o puro como el silicio, los electrones de
valencia (o electrones exteriores) de un átomo están emparejados y
son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente
que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no están
libres para transportar corriente eléctrica. Para producir electrones de
conducción, se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones
de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que
pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan
contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos
transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de
la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la
temperatura
 g. Aplicación a la teoría de bandas de valencia en la conducción
eléctrica de metales

La banda de valencia (BV): está ocupada por los electrones de

valencia de los átomos, es decir, aquellos electrones que se
encuentran en la última capa o nivel energético de los átomos. Los
electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los
átomos, pero no intervienen en la conducción eléctrica.

La banda de conducción (BC): está ocupada por los electrones

libres, es decir, aquellos que se han desligado de sus átomos y
pueden moverse fácilmente. Estos electrones son los
responsables de conducir la corriente eléctrica.

En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la

corriente eléctrica debe haber poca o ninguna separación entre la BC
y la BV (que pueden llegar a solaparse), de manera que los electrones
puedan saltar entre las bandas. Cuando la separación entre bandas
sea mayor, el material se comportará como un aislante.
 h. Aplicación de los semiconductores :

Son usados en la elaboración de diodos transistores y termisores

principalmente.

Diodos:

Al unir un semiconductor N con otro P se produce un fenómeno de

difusión de cargas en la zona de contacto, que crea una barrera de
potencial que impide a los demás electrones de la zona N saturar los
restantes huecos positivos de la zona. Si unimos un generador como
se indica en la figura los electrones libres de la zona N son repelidos
por el polo negativo y los huecos de la zona P por el polo positivo,
hacia la región de transición, que atraviesan. La corriente pasa. No
ocurriría esto si la conexión se hubiera hecho con la polaridad
invertida. El dispositivo es un “diodo semiconductor” y actúa como
rectificador de corriente.

Transitores:

Un transistor está constituida por dos zonas: Dos N separadas por

una P (transistor NPN), esta disposición proporciona al conjunto unas
propiedades particulares, en especial amplificadoras. Dos P separadas
por una N (transistor PNP), permiten actuar sobre la intensidad de la
corriente electrónica que pasa entre dos cristales semiconductores del
mismo tipo, por medio de un electrodo metálico aislado por una
delgada capa de óxido. Un transmisor se emplea, sobre todo, como
amplificador y también en ordenadores, como interruptor rápido de la
corriente.

Termisores:

Se llama así a los semiconductores que son sensibles a los cambios

de temperatura, o mejor, a aquellos en que las variaciones tienen,
frente a la composición, un gran valor. Los materiales más usados son
óxidos de Cobalto (CoO), de Hierro (FeO), de Magnesio (MgO),
Manganeso (MnO), Níquel (NiO) y Titanio (TiO). Se utilizan en forma
de bola, disco o varilla, indicando con esto la forma en que se separa
el material base del termisor.