Anda di halaman 1dari 12

Kaidah Semikonduktor

Penggolongan Semikonduktor

Silikon merupakan unsur dengan waarna abu-abu mengkilat yang paling banyak digunakan sebagai
bahan dasar dalam pembuatan semikonduktor. Hal ini tidak terlepas dari sifat silikon yang keras
dengan titik lebur yang tinggi yakni sekitar 1410 °C. (lihat pula: pembuatan dan pemurnian silikon).
Silikon yang digunakan untuk pembuatan semikonduktor adalah silikon dengan kemurnian yang
tinggi, dengan pengotor tidak boleh lebih dari 10‾8%.

Silikon dengan kemurnian tinggi biasanya digunakan pada chip peralatan elektronik di bidang mileter
seperti chip pada peluru kendali, radar, dan pesawat tempur, sedangkan lempengan yang paling
tidak murni digunakan untuk membuat chip pada peralatan elektronik dengan kualitas yang rendah.

Semikonduktor Intrinsik

Semikonduktor intrinsik dibagi menjadi:

Semikonduktor intrinsik unsur, misalnya Si dan Ge.

Semikonduktor intrinsik senyawa, misalnya GaAs atau CdS.

Pada 0 K semikonduktor intrinsik memiliki pita valensi seperti pada gambar. Elektron-elektron pada
pita valensi yang terisi penuh dianggap tidak bergerak bebas pada 0 K sehingga diangap tidak dapat
menghantarkan arus listrik.

Kanaikan temperatur akan meningkatkan energi termal elektron-elektron pada pita valensi. Pada
temperatur ruang sebagian kecil elektron-elektron pada pita valensi memiliki energi termal yang
harganya relatif lebih besar dari energi ambang. Akibatnya elektron-elektron tersebut dapat
berpindah (tereksitasi) secara termal ke pita konduksi seperti pada gambar berikut.

Akibat adanya eksitasi termal tersebut pita konduksi terisi sejumlah kecil elektron, sedangkan pada
pita valensi akan terbentuk sejumlah kecil tempat kosong yang disebut dengan lubang (hole) yang
bermuatan positif. Jumlah hole yang terbentuk adalah sama dengan jumlah elektron yang
tereksitasi. Ketika diberi potensial: adanya sedikit tempat kosong pada pita valensi memungkinkan
elektron-elektron pada pita valensi untuk bergerak meskipun tidak sebebas gerakan elektron-
elektron pada pita konduksi. Dapat bergeraknya elektron pada pita konduksi dan pita valensi
memungkinkan semikonduktor menghantarkan arus listrik pada temperatur ruang.

Jumlah elektron pada pita konduksi walaupun dapat bergerak bebas tetapi jumlahnya sangat sedikit
akibatnya daya hantar listrik semikonduktor intrinsik selalu lebih rendah dibanding daya hantar
listrik logam. Semikonduktor intrinsik atau semikonduktor tipe-i merupakan semikonduktor murni
dimana pada kondisi kesetimbangan termal kerapatan atau jumlah lubang (hole) pada pita valensi
dan kerapatan atau jumlah elwktron pada pita konduksi adalah sama.

Pada waktu terjadi hantaran listrik pada semikonduktor dapat dianggap terjadi migrasi elektron
menuju kutub positif dan migrasi hole menuju kutub negatif. Dapatnya elektron tereksitasi dari pita
valensi ke pita konduksi akibat naiknya energi termal elektron-elektron memungkinkan digunakan
semikonduktor untuk membuat termistor (thermistor = temperature sensitive resistor).

Eksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi disebabkan pula oleh energi foton dari sinar yang
mengenai permukaan semikonduktor. Dapatnya elektron-elektron tereksitasi dari pita valensi ke pita
konduksi akibat energi foton yang mengenai permukaan semikonduktor memungkinkan
semikonduktor digunakan untuk membuat foto sel (photo cell) misalnya fotosel CdS.

Karena temperatur dapat menambah jumlah elektron yang tereksitasi dari pita vaensi ke pita
konduksi sehingga daya hantar listrik semikonduktor bertambah besar. Banyaknya elektron yang
tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi dapat diperkirakan berdasarkan distribusi Boltzmann.
Meskipun kenaikan temperatur dapat meningkatkan daya hantar listrik semikonduktor, akan tetapi
hal ini hanya berlaku pada daerah kerja semikonduktor. Semikonduktor silikon memiliki temperatur
kerja di bawah 150 °C. Diatas 150 °C kenaikan temperatur tidak menaikan daya hantar listrik
semikonduktor karena pada temperatur tersebut akan merusak kristal sehingga fungsinya sebagai
semikonduktor menjadi hilang.

Semikonduktor Ekstrinsik

Semikonduktor ekstrinsik dibuar dengan memberikan pengotor (dopant) dalam jumlah kecil (dalam
ppm) pada semikonduktor intrinsik unsur. Dikenal 2 macam semikonduktor intrinsik yaitu:

Semikondultor tipe-p

Semikonduktor tipe-n

Semikonduktor tipe-p

Semikonduktor tipe-p dibuat dengan memberikan pengotor berupa unsur-unsur dari golongan 13
seperti boron (B) atau galium (Ga) pada semikonduktor intrinsik Si atau Ge.

Sebelum penambahan pengotor diagram semikonduktor Si seperti pada gambar di atas. pengotor B
yang ditambahkan memiliki beberapa pita energi, salah satu diantaranya terletak sedikit diatas pita
valensi semikonduktor Si. Pita energi tersebut belum sepenuhnya terisi elektron sehingga
memungkinkan untuk tereksitasinya sejumlah elektron dari pita valensi Si ke pita pengotor sehingga
menambah jumlah hole yang terdapat pada pita valensi semikonduktor Si seperti ditunjukan pada

gambar.

Adanya tambahan jumlah hole pada pita valensi Si menyebabkan elektron-elektron pada pita
tersebut semakin mudah bergerak dibandingkan sebelum penambahan pengotor. Akibatnya daya
hantar listrik semikonduktor tipe-p lebih besar dibanding daya hantar listrik semikonduktor Si mula-
mula. Adanya pengotor 10 atom B dalam 100000 atam Si akan meningkatkan daya hantar
semikonduktor dengan kelipatan 1000 kali.
Semikonduktor yang diperoleh dari penambahan unsur-unsur 13 seperti boron dan galium pada
seperti semikonduktor intrinsik Si atau Ge disebut semikonduktor tipe-p (positif) karena adanya
pengotor B atau Ga menyebabkan bertambahnya jumlah hole yang bermuatan positif pada pita
valensi Si. Semikonduktor ini disebut juga semikonduktor akseptor karena pengotor yang
ditambahkan menerima elektron-elektron dari pita valensi semikonduktor intrinsik aslinya.

Pada waktu semikonduktor didoping dengan galium, beberapa atom silikon pada kisi kristalnya akan
diganti dengan atom-atom galium. Seperti yang telah dijelaskan pada bagian sebelumnya bahwa
hole terbentuk bila elektron pada pita valensi mengalami perpindahan atau ekesitasi ke pita
pengotor boron.

Apabila semikonduktor tipe-p diberi beda potensial (diberi arus listrik) maka dapat dianggap terjadi
aliran hole yang bermuatan positif. Berpindahnya hole dari satu posisi ke posisi yang lain
menyebabkan terjadinya hantaran arus listrik pada semikonduktor tipe-p.

Semikonduktor tipe-p dapat juga diperoleh dari semikonduktor intrinsik senyawa yang memiliki
keelktronegatifan lebih rendah jumlahnya dibuat lebih banyak dibandingkan jumlah atom penyusun
senyawa yang memiliki keeltronegatifan lebih tinggi. Galium arsenida (GaAs) merupakan
semikonduktor senyawa dengan keelektronegatifan atom Ga < As. Apabila jumlah atom Ga dibuat
lebih banyak maka diperoleh GaAs(1-x) (x<<1) yang merupakan semikonduktor tipe-p.

Semikonduktor GaAs memiliki kemampuan merespon signal lebih cepat dibanding dibanding
semikonduktor dengan bahan dasar silikon. GaAs memiliki kemampuan frekuensi memperkuat signal
dengan frekuensi sampai 100 GHz. Untuk frekuensi yang lebih tinggi dapat digunakan semikonduktor
indium fosfida (InP).

Pada saat ini frekuensi di atas 50 GHz adalah jarang digunakan untuk kepentingan komersial. Oleh
karena itu peralatan elektronik di dunia cenderung menggunakan semikonduktor dengan bahan
dasar silikon. Sejumlah kecil saja peralatan elektronik di dunia yang menggunakan semikonduktor
GaAs. Penyebabnya, semikonduktor GaAs adalah lebih mahal dibandingkan semikonduktor dengan
bahan dasar silikon, baik ditinjau dari harga bahan dasarnya maupun biaya untuk sintesisnya.
Sedangkan peralatan elektronika yang menggunakan semikonduktor InP jumlahnya sangat terbatas.

Semikonduktor tipe-n

Semikonduktor tipe-n dibuat dengan memberikan pengotor berupa unsur-unsur dari golongan 15
seperti arsenik (As) pada semikonduktor intrinsik Si atau Ge. Sebelum penambahan pengotor
diagram semikonduktor seperti pada gambar 1.
Pengotor As yang ditambahkan memiliki beberapa pita energi, salah satu di antaranya terletak
sedikit di bawah pita konduksi semikonduktor Si. Pita As tersebut memiliki kelebihan elektron karena
elektron valensi As adalah 5. Elektron-elektron dari pita As dapat berinteraksi ke pita konduksi Si
sehingga jumlah elektron pada pita valensi Si bertambah banyak seperti yang ditunjukan pada

gambar berikut.

Adanya tambahan jumlah elektron pada pita konduksi Si akan meningkatkan daya hantar listrik
sehingga daya hantar listik semikonduktor tipe-n yang diperoleh lebih besar dibandingkan daya
hantar semikonduktor Si mula-mula.

Semikonduktor intrinsik unsur dikategorikan oleh unsur-unsur golongan 15, seperti semikonduktor Si
yang yang dikotori oleh fosfor atau arsenik, disebut semikonduktor tipe-n (negatif). Adanya pengotor
menyebabkan bertambahnya jumlah elektron yang bermuatan negatif pada pita konduksi.
Semikonduktor ini disebut juga semikonduktor tipe donor karena pengotor yang ditambahkan
memberikan elektron-elektron pada semikonduktor intrinsik aslinya.

Pada waktu semikonduktor silikon didoping dengan arsenik, beberapa atom silikon pada kisi
kristalnya diganti dengan atom-atom arsenik.

Apabila semikonduktor tipe-n diberi beda potensial (diberi arus listrik) maka akan terjadi aliran
elektron dari satu posisi ke posisi yang lain sehingga menyebabkan terjadinya hantaran arus listrik.

Semikonduktor tipe-n dapat juga diperoleh dari semikonduktor intrinsik senyawa apabila atom
penyusun senyawa yang memiliki keelektronegatifan lebih tinggi jumlahnya dibuat lebih banyak
dibandingkan jumlah atom penyusun senyawa yang memiliki keelektronegatifan lebih rendah.

Galium arsenida (GaAs) merupakan semikonduktor senyawa dengan keelektronegatifan atom Ga<
As. Apabila jumlah atom As dibuat lebih banyak maka diperoleh Ga(1-x) (x<<1) yang merupakan
semikonduktor tipe-n. Gabungan dari semikonduktor galium arsenida tipe-p dan tipe-n dapat
digunakan untuk menghasilkan sinar laser.
Penggolongan Semikonduktor

Silikon merupakan unsur dengan waarna abu-abu mengkilat yang paling banyak digunakan sebagai
bahan dasar dalam pembuatan semikonduktor. Hal ini tidak terlepas dari sifat silikon yang keras
dengan titik lebur yang tinggi yakni sekitar 1410 °C. (lihat pula: pembuatan dan pemurnian silikon).
Silikon yang digunakan untuk pembuatan semikonduktor adalah silikon dengan kemurnian yang
tinggi, dengan pengotor tidak boleh lebih dari 10‾8%.

Silikon dengan kemurnian tinggi biasanya digunakan pada chip peralatan elektronik di bidang mileter
seperti chip pada peluru kendali, radar, dan pesawat tempur, sedangkan lempengan yang paling
tidak murni digunakan untuk membuat chip pada peralatan elektronik dengan kualitas yang rendah.

Semikonduktor Intrinsik

Semikonduktor intrinsik dibagi menjadi:


Semikonduktor intrinsik unsur, misalnya Si dan Ge.

Semikonduktor intrinsik senyawa, misalnya GaAs atau CdS.

Pada 0 K semikonduktor intrinsik memiliki pita valensi seperti pada gambar. Elektron-elektron pada
pita valensi yang terisi penuh dianggap tidak bergerak bebas pada 0 K sehingga diangap tidak dapat
menghantarkan arus listrik.

Kanaikan temperatur akan meningkatkan energi termal elektron-elektron pada pita valensi. Pada
temperatur ruang sebagian kecil elektron-elektron pada pita valensi memiliki energi termal yang
harganya relatif lebih besar dari energi ambang. Akibatnya elektron-elektron tersebut dapat
berpindah (tereksitasi) secara termal ke pita konduksi seperti pada gambar berikut.

Akibat adanya eksitasi termal tersebut pita konduksi terisi sejumlah kecil elektron, sedangkan pada
pita valensi akan terbentuk sejumlah kecil tempat kosong yang disebut dengan lubang (hole) yang
bermuatan positif. Jumlah hole yang terbentuk adalah sama dengan jumlah elektron yang
tereksitasi. Ketika diberi potensial: adanya sedikit tempat kosong pada pita valensi memungkinkan
elektron-elektron pada pita valensi untuk bergerak meskipun tidak sebebas gerakan elektron-
elektron pada pita konduksi. Dapat bergeraknya elektron pada pita konduksi dan pita valensi
memungkinkan semikonduktor menghantarkan arus listrik pada temperatur ruang.

Jumlah elektron pada pita konduksi walaupun dapat bergerak bebas tetapi jumlahnya sangat sedikit
akibatnya daya hantar listrik semikonduktor intrinsik selalu lebih rendah dibanding daya hantar
listrik logam. Semikonduktor intrinsik atau semikonduktor tipe-i merupakan semikonduktor murni
dimana pada kondisi kesetimbangan termal kerapatan atau jumlah lubang (hole) pada pita valensi
dan kerapatan atau jumlah elwktron pada pita konduksi adalah sama.

Pada waktu terjadi hantaran listrik pada semikonduktor dapat dianggap terjadi migrasi elektron
menuju kutub positif dan migrasi hole menuju kutub negatif. Dapatnya elektron tereksitasi dari pita
valensi ke pita konduksi akibat naiknya energi termal elektron-elektron memungkinkan digunakan
semikonduktor untuk membuat termistor (thermistor = temperature sensitive resistor).
Eksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi disebabkan pula oleh energi foton dari sinar yang
mengenai permukaan semikonduktor. Dapatnya elektron-elektron tereksitasi dari pita valensi ke pita
konduksi akibat energi foton yang mengenai permukaan semikonduktor memungkinkan
semikonduktor digunakan untuk membuat foto sel (photo cell) misalnya fotosel CdS.

Karena temperatur dapat menambah jumlah elektron yang tereksitasi dari pita vaensi ke pita
konduksi sehingga daya hantar listrik semikonduktor bertambah besar. Banyaknya elektron yang
tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi dapat diperkirakan berdasarkan distribusi Boltzmann.

Meskipun kenaikan temperatur dapat meningkatkan daya hantar listrik semikonduktor, akan tetapi
hal ini hanya berlaku pada daerah kerja semikonduktor. Semikonduktor silikon memiliki temperatur
kerja di bawah 150 °C. Diatas 150 °C kenaikan temperatur tidak menaikan daya hantar listrik
semikonduktor karena pada temperatur tersebut akan merusak kristal sehingga fungsinya sebagai
semikonduktor menjadi hilang.

Semikonduktor Ekstrinsik

Semikonduktor ekstrinsik dibuar dengan memberikan pengotor (dopant) dalam jumlah kecil (dalam
ppm) pada semikonduktor intrinsik unsur. Dikenal 2 macam semikonduktor intrinsik yaitu:

Semikondultor tipe-p

Semikonduktor tipe-n

Semikonduktor tipe-p

Semikonduktor tipe-p dibuat dengan memberikan pengotor berupa unsur-unsur dari golongan 13
seperti boron (B) atau galium (Ga) pada semikonduktor intrinsik Si atau Ge.

Sebelum penambahan pengotor diagram semikonduktor Si seperti pada gambar di atas. pengotor B
yang ditambahkan memiliki beberapa pita energi, salah satu diantaranya terletak sedikit diatas pita
valensi semikonduktor Si. Pita energi tersebut belum sepenuhnya terisi elektron sehingga
memungkinkan untuk tereksitasinya sejumlah elektron dari pita valensi Si ke pita pengotor sehingga
menambah jumlah hole yang terdapat pada pita valensi semikonduktor Si seperti ditunjukan pada

gambar.

Adanya tambahan jumlah hole pada pita valensi Si menyebabkan elektron-elektron pada pita
tersebut semakin mudah bergerak dibandingkan sebelum penambahan pengotor. Akibatnya daya
hantar listrik semikonduktor tipe-p lebih besar dibanding daya hantar listrik semikonduktor Si mula-
mula. Adanya pengotor 10 atom B dalam 100000 atam Si akan meningkatkan daya hantar
semikonduktor dengan kelipatan 1000 kali.

Semikonduktor yang diperoleh dari penambahan unsur-unsur 13 seperti boron dan galium pada
seperti semikonduktor intrinsik Si atau Ge disebut semikonduktor tipe-p (positif) karena adanya
pengotor B atau Ga menyebabkan bertambahnya jumlah hole yang bermuatan positif pada pita
valensi Si. Semikonduktor ini disebut juga semikonduktor akseptor karena pengotor yang
ditambahkan menerima elektron-elektron dari pita valensi semikonduktor intrinsik aslinya.

Pada waktu semikonduktor didoping dengan galium, beberapa atom silikon pada kisi kristalnya akan
diganti dengan atom-atom galium. Seperti yang telah dijelaskan pada bagian sebelumnya bahwa
hole terbentuk bila elektron pada pita valensi mengalami perpindahan atau ekesitasi ke pita
pengotor boron.

Apabila semikonduktor tipe-p diberi beda potensial (diberi arus listrik) maka dapat dianggap terjadi
aliran hole yang bermuatan positif. Berpindahnya hole dari satu posisi ke posisi yang lain
menyebabkan terjadinya hantaran arus listrik pada semikonduktor tipe-p.

Semikonduktor tipe-p dapat juga diperoleh dari semikonduktor intrinsik senyawa yang memiliki
keelktronegatifan lebih rendah jumlahnya dibuat lebih banyak dibandingkan jumlah atom penyusun
senyawa yang memiliki keeltronegatifan lebih tinggi. Galium arsenida (GaAs) merupakan
semikonduktor senyawa dengan keelektronegatifan atom Ga < As. Apabila jumlah atom Ga dibuat
lebih banyak maka diperoleh GaAs(1-x) (x<<1) yang merupakan semikonduktor tipe-p.
Semikonduktor GaAs memiliki kemampuan merespon signal lebih cepat dibanding dibanding
semikonduktor dengan bahan dasar silikon. GaAs memiliki kemampuan frekuensi memperkuat signal
dengan frekuensi sampai 100 GHz. Untuk frekuensi yang lebih tinggi dapat digunakan semikonduktor
indium fosfida (InP).

Pada saat ini frekuensi di atas 50 GHz adalah jarang digunakan untuk kepentingan komersial. Oleh
karena itu peralatan elektronik di dunia cenderung menggunakan semikonduktor dengan bahan
dasar silikon. Sejumlah kecil saja peralatan elektronik di dunia yang menggunakan semikonduktor
GaAs. Penyebabnya, semikonduktor GaAs adalah lebih mahal dibandingkan semikonduktor dengan
bahan dasar silikon, baik ditinjau dari harga bahan dasarnya maupun biaya untuk sintesisnya.
Sedangkan peralatan elektronika yang menggunakan semikonduktor InP jumlahnya sangat terbatas.

Semikonduktor tipe-n

Semikonduktor tipe-n dibuat dengan memberikan pengotor berupa unsur-unsur dari golongan 15
seperti arsenik (As) pada semikonduktor intrinsik Si atau Ge. Sebelum penambahan pengotor
diagram semikonduktor seperti pada gambar 1.

Pengotor As yang ditambahkan memiliki beberapa pita energi, salah satu di antaranya terletak
sedikit di bawah pita konduksi semikonduktor Si. Pita As tersebut memiliki kelebihan elektron karena
elektron valensi As adalah 5. Elektron-elektron dari pita As dapat berinteraksi ke pita konduksi Si
sehingga jumlah elektron pada pita valensi Si bertambah banyak seperti yang ditunjukan pada

gambar berikut.

Adanya tambahan jumlah elektron pada pita konduksi Si akan meningkatkan daya hantar listrik
sehingga daya hantar listik semikonduktor tipe-n yang diperoleh lebih besar dibandingkan daya
hantar semikonduktor Si mula-mula.

Semikonduktor intrinsik unsur dikategorikan oleh unsur-unsur golongan 15, seperti semikonduktor Si
yang yang dikotori oleh fosfor atau arsenik, disebut semikonduktor tipe-n (negatif). Adanya pengotor
menyebabkan bertambahnya jumlah elektron yang bermuatan negatif pada pita konduksi.
Semikonduktor ini disebut juga semikonduktor tipe donor karena pengotor yang ditambahkan
memberikan elektron-elektron pada semikonduktor intrinsik aslinya.

Pada waktu semikonduktor silikon didoping dengan arsenik, beberapa atom silikon pada kisi
kristalnya diganti dengan atom-atom arsenik.

Apabila semikonduktor tipe-n diberi beda potensial (diberi arus listrik) maka akan terjadi aliran
elektron dari satu posisi ke posisi yang lain sehingga menyebabkan terjadinya hantaran arus listrik.

Semikonduktor tipe-n dapat juga diperoleh dari semikonduktor intrinsik senyawa apabila atom
penyusun senyawa yang memiliki keelektronegatifan lebih tinggi jumlahnya dibuat lebih banyak
dibandingkan jumlah atom penyusun senyawa yang memiliki keelektronegatifan lebih rendah.

Galium arsenida (GaAs) merupakan semikonduktor senyawa dengan keelektronegatifan atom Ga<
As. Apabila jumlah atom As dibuat lebih banyak maka diperoleh Ga(1-x) (x<<1) yang merupakan
semikonduktor tipe-n. Gabungan dari semikonduktor galium arsenida tipe-p dan tipe-n dapat
digunakan untuk menghasilkan sinar laser.
Eksitasi elektron
Proses eksitasi adalah salah satu sarana utama dimana materi menyerap pulsa energi
elektromagnetik (foton), seperti cahaya, dan dengan dipanaskan atau terionisasi oleh dampak
partikel bermuatan, seperti elektron dan partikel alpha. Dalam atom, energi eksitasi diserap oleh
elektron yang mengorbit yang diangkat ke tingkat energi yang berbeda yang lebih tinggi.

Dalam inti atom, energi diserap oleh proton dan neutron yang ditransfer ke keadaan tereksitasi.
Dalam molekul, energi yang diserap tidak hanya oleh elektron, yang sangat antusias untuk
tingkat energi yang lebih tinggi, tetapi juga oleh seluruh molekul, yang sangat tereksitasi untuk
keadaan diskrit dari getaran dan rotasi.