Tecnológico Nacional de México

Instituto tecnológico de Tijuana

Departamento de ingeniería eléctrica y electrónica

Carrera:
Ingeniería Biomédica

Materia:
Electrónica Analógica

Tarea

Hecho por:
Castro Medina Michelle - 16210662

Profesor:
Ing. Cipriano Ponce Oliva
Fecha de entrega:
Tijuana B.C., 11 de abril de 2018
 Transistores FET.
El transistor FET es un dispositivo semiconductor, su funcionamiento
se basa en el control de la corriente por medio de un campo eléctrico.
El FET tiene tres terminales: Fuente, Drenaje (D) y Compuerta (G). La
compuerta es la terminal de control. El voltaje que se aplique entre la
compuerta y la fuente controlará la corriente entre la fuente y el
drenaje.
Es un dispositivo unipolar, ya que la corriente es transportada por
portadores de una polaridad. De acuerdo a esto encontramos dos
tipos: canal N que es si la corriente se debe a 𝑒 − , o canal P, si la
corriente se debe a 𝑝+ .
JFET.
Los JFET trabajan en modo de empobrecimiento. Esto quiere decir
que una tensión de mando aplicada a la terminal de compuerta puede
empobrecer (extraer) de portadores el canal.
El canal N contiene electrones N suficientes para alimentar la
corriente. Si la compuerta se hace negativa, los electrones libres serán
impulsados fuera del canal, ya que las cargas del mismo signo se
repelen. Entonces en el canal quedarán menos portadores y su
resistencia se hará mucho mayor. Si la compuerta se hace lo
suficientemente negativa, puede que el componente deje de conducir.