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AMPLIFICADORES BASICOS JFET

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de


juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser
usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia
controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta
o compuerta (G) y fuente (S).

A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por
un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a
través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente.
Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de
modo que ofrece resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los
terminales D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero
(región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad
adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica,
hasta determinado límite cuando deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión
entre los terminales D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D
(ID o corriente de drenaje) es una curva característica y propia de cada JFET.

Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se


halla frecuentemente en el orden de1010 ohmios), lo cual
significa que tiene un efecto despreciable respecto
a los componentes o circuitos externos conectados a su
terminal de puerta.

El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el paso de una


cierta cantidad de corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea principal; existen
2 tipos de JFET los de canal n y los de canal p, se comentará para el caso de JFET de
canal n, lo que se comente para el de canal n, es similar para el de canal p, la diferencia
será el sentido de las corrientes y las tensiones sobre el JFET; constan de 3 pines, los
cuales reciben los nombres de drenaje(D), compuerta(G) y fuente(S); lo que hace el JFET
es controlar la cantidad de corriente que circula entre el drenaje y la fuente, esa corriente
se controla mediante la tensión que exista entre la compuerta y la fuente._2N3819
En la imagen anterior se muestra un JFET de canal n, en este caso el 2N3819, se muestran
los 3 pines que tiene con sus nombres, el orden va depender del JFET, se tiene que ver su
hoja de datos para conocerlos.

Están fabricados con materiales semiconductores tipo n y tipo p, al igual que los diodos;
la figura que sigue es una representación para comprender como están distribuidos los
materiales semiconductores para el de canal n y el de canal p, y las conexiones de los
pines a estos semiconductores, la figura servirá para tener una idea del comportamiento
del JFET.
A partir de aquí se va a comentar para el caso del JFET de canal n, pero la idea es similar
para el caso del de canal p; en la figura anterior se puede ver que para el JFET de canal
n, al material semiconductor tipo n se le han conectado en extremos opuestos el
drenador(D) y la fuente(S), mientras el material tipo p se conecta a la compuerta(G), se
observa que hay un paso o un canal entre el drenador y la fuente, formado por el
semiconductor tipo n de allí el nombre de canal n, el cual está rodeado por el material
semiconductor tipo p, entre la compuerta y la fuente se forma un diodo, en el transistor
JFET lo que se hace es polarizar en inversa este diodo, para el caso del JFET de canal n
la tensión de polarización de dicho diodo tiene que ser negativa y a lo mucho igual a cero,
se la representa como VGS (tensión compuerta fuente), lo que se logra al hacer esto es
que la región de agotamiento del diodo se puede controlar variando la tensión VGS,
cuando la VGS=0 la región de agotamiento del diodo será mínima y el canal n será lo
mas ancho que pueda; si poco a poco la tensión VGS se hace negativa, esta hará que la
región de agotamiento del diodo crezca, ya que el diodo se polariza en inversa, esto a su
vez hace que el canal semiconductor se angoste, llegará un momento que la VGS sea lo
suficientemente negativa que hará que la región de agotamiento sea tan grande como para
que el canal semiconductor desaparezca o se cierre; a esa tensión se le conoce como
tensión compuerta fuente de apagado o de corte del JFET y se representa como VGSoff.
Para polarizar un JFET de canal n, de la batería o fuente de alimentación VGG que se use
entre la compuerta y la fuente se conectará su polo negativo hacia la compuerta(G) y hacia
la fuente(S) su polo positivo; la batería o fuente de alimentación VDD que se conecta
entre el drenaje y la fuente, es la encargada de suministrar la corriente que se controla con
la VGS, VDD se conecta con su polo positivo en el drenaje(D) y el negativo a la fuente(S);
si el JFET es de canal p las conexiones de las alimentaciones se inverten, tal como se ve
en la imagen siguiente.

De la figura anterior se puede ver que al estar polarizado el diodo entre la compuerta y la
fuente en inversa, la corriente que se aparece a través de la compuerta IG es muy pequeña,
del orden de los nA, por eso se considera que IG=0, también es por este motivo que se
dice que el JFET tiene una alta impedancia de entrada, propiedad que se aprovecha en los
amplificadores basados en el JFET; la corriente que circula entre el drenaje y la fuente se
conoce como corriente de drenaje ID, el valor de esta corriente depende del valor de la
tensión VGS; como se ha visto anteriormente al hacer variar la VGS se logra que la región
de agotamiento aumente o disminuya, lo que hace que el canal por el que circula la
corriente de drenaje ID disminuya o aumente, al disminuir o aumentar el canal se controla
la cantidad de ID que circula por el JFET; esta es la forma que se controla la corriente por
tensión con el transistor JFET.

Cuando VGS=0 la región de agotamiento será mínima, en este caso si la tensión entre el
drenaje y la fuente VDS se aumenta la corriente de drenaje ID aumentará también, pero
llegará un momento que la corriente ID deje de aumentar por mas que se aumente la VDS,
en ese momento se dice que el JFET se ha saturado (en un JFET la VDS tiene un límite
que si se sobrepasa el JFET se dañará, ese valor máximo para VDS se encuentra en su
hoja de datos), a esa corriente ID que ya no aumenta mas se la conoce como corriente de
drenaje fuente de saturación la cual se simboliza como IDSS, es un dato muy importante
característico de los JFET que se encontrará en su hoja de datos; cuando la VGS=VGSoff
la corriente ID=0, como se puede ver la ID variará desde un mínimo de 0A hasta un
máximo de IDSS y todo esto controlado por la VGS.

Por ejemplo si se ve la hoja de datos del JFET de canal n 2N3819 se verá que
VDSmáx=25V, si se pasa de este valor posiblemente se dañe el JFET, también se ve que
IDSS esta entre 2mA y 20mA esto varía porque los JFET así sean de la misma familia
presentan este tipo de variaciones, por ejemplo puede que un 2N3819 tenga una
IDSS=5mA y en otro 2N3819 sea IDSS=14mA; para la tensión de corte es decir la
VGSoff la hoja de datos dice que será como máximo -8V; en la hoja de datos también
aparece un dato al que se le llama corriente compuerta fuente inversa IGSS que para este
caso tiene un valor de 2nA, esta vendría a ser la corriente por la compuerta, pero como se
ve es una cantidad muy pequeña, por ejemplo esta se a medido para una VGS=-15V
según la hoja de datos, como se ve para una tensión de VGS=-15V se tiene IG=2nA, es
de suponer que para una VGS=-5V la corriente IG será mucho menor por eso se puede
considerar que IG=0, con este dato se puede calcular la impedancia de entrada de este
JFET sería así:

Rent=Zent=|(VGS)/(ID)|

Zent=|(-15V)/(2nA)|

Zent=7500MΩ
POLARIZACION MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO

Ya que los mosfet de tipo empobrecimiento pueden operar en el modo de empobrecer,


pueden usarcé todos los métodos de polarización estudiados para los JFET. Estos
incluyen polarización de graduador, autopolarizacion, polariza por divisor de voltaje y
polarización por corriente de surtidor. Además de estos métodos de polarización los
MOSFE>T de tipo empobrecimiento admiten otra opinión. Ya un MOSFET del tipo de
empobrecimiento puede operar, ya se a en el modo de empobrecimiento o en el de
enriquecimiento, pueden fijarse el punto q en VGS= 0, como se muestra en una delas
figuras. Por lo tanto, una señal de Ca de entrada aplicada al graduador produce variaciones
arriba y abajo del punto Q. el hecho de que VGS pueda ser cero es una ventaja cuando se
trata de polarizar. Ello permite usar el circuito de polarización. A este circuito tan simple
no se le aplica voltaje ni al graduador , ni al surtidor,, por lo tanto VGS= 0 e ID = IDSS.
El voltaje de cc en el drenador es

VDS = VDD – IDss.RD

La polarización en cero es una característica peculiar de los MOSFET; no es aplicable en


transistores bipolares o en JFETs.
Aplicaciones del Mosfet Tipo Empobrecimiento

Una vez polarizado en el punto Q, el Mosfet de tipo de empobrecimiento puede


amplificar señales pequeñas de la misma forma en que lo hace el JFET. Los
amplificadores con MOSFET son similares a los amplificadores con JFET y por
consiguiente puede aplicarse la mayor parte del análisis de CA, por ejemplo. un
amplificador MOSFET CS tiene una ganancia de voltaje sin carga de (-gmRd) un surtidor
seguidor MOSFET tiene una impedancia de salida de (1/gm) y así sucesivamente. Si la
impedancia de entrada de un JFET no es suficientemente alta, se puede usar un MOSFET.
De hecho el MOSFET es un amplificador separado casi ideal por que el graduador aislado
significa que la resistencia de entrada de aproxima a infinito. Además los MOSFET tiene
excelentes propiedades de bajo ruido, de la misma forma que el JFET, la gm de un
MOSFET puede controlarse cambiando el voltaje CC, de graduador lo cual hace que los
MOSFET pueden utilizarse como amplificadores de CAG.

Algunos MOSFET tienen doble graduador. Esto quiere decir que tiene dos graduadores
separados, como el MOSFET de tipo empobrecimiento con doble graduador que se
muestra en la siguiente figura, por conveniencia el circuito utiliza polarización cero en
cada graduador. La señal de entrada CA excita el graduador inferior. El graduador
superior esta a tierra. Por su estructura interna, el MOSFET con doble graduador equivale
a un MOSFET excitando a otro MOSFET, como se observa en la figura. Aquí puede
reconocerse la conexión cascada, la parte inferior actúa como amplificador en
configuración CG. Como resultado el amplificador cascada tiene una ganancia de voltaje
sin carga de (–gmRD). Lo importante es recordar que el MOSFET de doble graduador
representa una forma conveniente de construir un amplificador cascada, este tipo de
amplificador es útil a altas frecuencias por su baja capacitancia de entrada.
TIPO ENRIQUECIMIENTO

Mosfet de tipo Incremental

Ya que el graduador de un MOSFET esta aislado del canal, podemos aplicarle un voltaje
positivo, como se muestra en la siguiente figura, el voltaje positivo en el graduador
incrementa el numero de electrones libres que fluyen atraves del canal, cuanto mas
positivo sea el voltaje en el graduador, mejor será la conducción de surtidor a drenador.
La operación del MOSFET, con un voltaje positivo de graduador se basa en
enriquecimiento de la conductividad del canal, esta operación recibe el nombre de
enriquecimiento.

En cualquiera de los modos de de operación del MOSFET, a causa de de la capa aislante


la corriente fluye por el graduador o compuerta es despreciable, la resistencia de entrada
de un MOSFET es increíblemente alta, por lo común del orden de 10 000MΩ a 10 000
000 MΩ.

Curvas De Drenador

la siguiente figura muestra las curvas típicas de drenador para un Mosfet de canal N, junto
con la línea de carga cc, para un circuito en configuración surtidor común, nótese que las
curvas de la parte superior tienen un voltaje VGS positivo y las de la parte tienen un
voltaje VGS negativo. La curva de drenador que se encuentra en la parte mas baja es
cuando VGS = VGS(apg). A lo largo de esta curva la corriente de drenador es
aproximadamente 0, cuando el voltaje VGS esta entre VGS(apag) y 0 ,se obtiene el modo
de operación de empobrecimiento, por otro lado cuando el cuando el voltaje VGS es
mayor que 0, se obtiene el modo de enriquecimiento.

Curva de Transconductancia

La siguiente figura muestra la curva de transcondutancia de un MOSFET . IDSS sigue


representando la corriente de drenador cuando el graduador y esta en corto, pero ahora la
curva se extiende a la derecha del origen, como se observa en la figura.

La relación de la corriente de drenador y el voltajegraduador es todavía parabolico, por


lo que puede aplicarse la ecuación siguiente.

ID = ISS {1- VGS/VGS(apg)}


Esta ecuación es igual a la ecuación de la ley cuadrática de un JFET. El valoe de VGS,
sin embargo, puede ser ahora positivo o negativo. Los MOSFET con una curva de
transconductancia como la de la figura anterior, son mas fáciles de polarizar que los JFET
ya que pueden usarse el punto Q, mostrado en la siguiente figura, en este punto VGS=0 e
ID=IDSS.