CONCLUSIONES

El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como

lo es el transistor BJT.

El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la

aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la

compuerta y el surtidor (VGS)

Formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a

través de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado

a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Source a

Drenador disminuye.

El transistor JFET tiene una alta resistencia de entrada (en

Megaohm). Lo que hace que la corriente atraves del FET sea mas
Constante

2)MOSFET

En estos transistores, la puerta no se conecta

 directamente al semiconductor, sino a través de

una fina capa de aislante (SiO2), de ahí que se

llamen transistores FET de puerta aislada

Existen los MOSFET de acumulación o

enriquecimiento, y los MOSFET de deplexión o

 Si se fija una tensión positiva desde la puerta al
empobrecimiento, cada uno de los cuales puede

ser de canal N o de canal P.

 MOSFET COMPRADO CON BJT

 Controlado por voltaje

 Dispositivo de portadores mayoritarios

 Compuerta eléctricamente aislada, por lo que

presenta una alta impedancia de entrada

MOSFET ENRIQUECIMIENTO
Analizamos el caso de canal N.
Si se fija una tensión positiva desde la puerta al

surtidor, no hay prácticamente conducción de

electricidad, pero los electrones libres de la zona P

(pocos, porque en esta zona lo abundante son los

huecos), se ven atraídos hacia la capa aislante

próxima a la puerta.

 Esto es equivalente a agrandar la zona N.

 Si se agranda lo suficiente, se crea un cierto canal

de conducción que une las zonas N del drenador y

del surtidor.

 La tensión mínima para la formación del canal, se

llama tensión umbral o tensión threshold, en

nomenclatura inglesa, cuyas siglas son VT