Laboratorio de Electrónica Industrial Fundamentos del Tiristor y MOSFET de Potencia

Práctica I: Fundamentos del Tiristor y MOSFET de Potencia

1. Disparo del Tiristor

Figura 1: Circuito de disparo del tiristor

1. Construya el Circuito de la Figura 1.

2. Obtenga la forma de onda de salida en R3. Dibujela en la figura 2.

Figura 2: Circuito de disparo del tiristor

3. Varı́e el potenciometro para variar el ciclo de trabajo del tiristor.

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2. Caracterı́sticas del MOSFET tipo Enriquecimiento

Figura 3: Circuito para medir las Caracterı́sticas del MOSFET tipo Enriquecimiento

1. Construya el circuito de la Figura 7.

2. Varı́e el voltaje V2 de 0 a 12V mientras V1 permanece constante y mida la corriente de drenador. Repita
para diferentes valores de V1 (de 0 a 10V). Grafique las caracterı́sticas del transistor MOSFET tipo Enrique-
cimiento.

Figura 4: Caracterı́sticas del transistor MOSFET tipo Enriquecimiento

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3. Varı́e el voltaje de V1 (voltaje de compuerta) de 0 a 8V mientras V2 (voltaje del drenador-surtidor) se

mantiene constante (12V) y mida la corriente del drenador. Grafique la caracterı́stica de transferencia del
MOSFET tipo Enriquecimiento.

Figura 5: Caracterı́stica de transferencia del MOSFET

4. De ambas gráficas, identifique el valor de VGS(th) y calcule la constante de construcción del dispositivo k.

VGS(th) = (1)

IDS(on)
k= (VGS(on) −VGS(th) )2 =

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A. Datasheet del Tiristor

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A.1. Transistor de Potencia MOSFET tipo Enriquecimiento

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