Informe NºI
Caracteristica I-V del diodo de union
Subgrupo: 01
Orlando Murcia Perdomo
20162151798
Juan Esteban Perez
20162153108
Diana Sofia Afanador
20162151429
Grafíca 1. Corriente del diodo de silicio vs Voltaje del diodo Diodo Germanio:
1.05𝑉
𝐼𝑠 = = 9.130𝑥10−14 𝐴𝑚𝑝
ID vs VD (Diodo silicio) (1.15𝑀Ω)(10𝑀)
10
ID (corriente diodo (mA))
Para VD = 16,09mV
8
16,08𝑚𝑉
6 𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑥 𝑒 2∗25𝑚𝑉 = 9.13𝑥10−14 𝐴𝑚𝑝
4
𝑛𝑉𝑇
𝑅𝐷 = = 5.47𝑥1011 Ω
2 𝐼𝐷
Resistencia estática:
ID vs VD (Diodo de germanio) Teniendo en cuenta la figura 1 y 2, se presentará una tabla con
los cálculos realizados para determinar la resistencia estática:
12
ID (Corriente diodo (mA))
10 𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
8 𝐼𝐷
6
Silicio Germanio
4 ID (mA) VD (V) RD (Ω) VD (V) RD (Ω)
2 0.2 0,48 2400 0,17 850
0 1 0,55 550 0,21 210
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 5 0,66 132 0,26 52
VD (Volatje diodo (V)) 10 0,75 75 0,29 29
Tabla n°2: Resistencia Estática.
Grafica 2. Corriente del diodo de germanio vs voltaje del diodo
Como se aprecia en los resultados, la resistencia que presenta
Se puede apreciar a partir de la figura 1 y 2, que el diodo de cada diodo va disminuyendo considerablemente, en el
silicio posee un voltaje inicial mayor que el de germanio, la cuestionario se explicará el porqué de este suceso.
causa principal de este efecto se debe a que el diodo de silicio
posee un voltaje de umbral o de activación mayor al de Voltaje umbral:
germanio; el comportamiento de las gráficas es similar y esto Teniendo en cuenta la figura 1 y 2, se determina el voltaje
se debe a que los dos diodos son del mismo tipo (unión PN) y umbral para cada uno de los diodos:
fuera de esto, no presentan ninguna falla ya que en comparación
con lo propuesto por la teoría la curva característica para cada Silicio Germanio
uno de los diodos representa el comportamiento en el flujo de VT (V) 0.6V 0.2V
electrones (corriente) que ocurre al ser sometido el diodo a una Tabla n°3: Voltaje umbral o de activación
tensión que polarice al mismo directa o inversamente.
Polarización en Inverso (Corriente de saturación): Demostración de los efectos de la Temperatura:
Finalmente se ajustó la fuente para que 𝑉𝑅 = 1𝑉 , se aplicó con
Diodo silicio: ayuda del cautín temperatura y se realizaron mediciones
2.5𝑚𝑉 respectivas de voltaje entre los terminales del diodo de silicio y
𝐼𝑠 = = 2.173𝑥10−16 𝐴𝑚𝑝
(1.15𝑀Ω)(10𝑀) luego en los terminales de la resistencia.
III. CUESTIONARIO
• Se reconoció el efecto que tiene la temperatura al ser
1. Polarización en inverso: aplicada sobre éste, principalmente la influencia que
f) Teniendo en cuenta los cálculos realizados, dichos valores adquiere sobre la barrera de potencial.
resistivos resultaron siendo notablemente altos, como
consecuencia se puede afirmar que el comportamiento del • Al realizar consultas teóricas se concluye que al ser
diodo es similar al de un circuito abierto. polarizado en directo el diodo de silicio posee una
resistencia muy pequeña pero que en comparación con
la del de germanio ésta es superior; ahora al ser
2. Resistencia Estática:
polarizados en inverso sus resistencias adquieren
b) Al ir incrementando la corriente, el voltaje también lo hace grandes valores.
teoría que fue ya planteada en la Ley de Ohm en circuitos DC
pero en sentido inverso la resistencia va disminuyendo • Cuando se trabaje o se realice un circuito haciendo uso
notablemente, y su principal causa radica en que los dos de los diodos se hace necesario implementar también
diodos van alcanzando su voltaje umbral: 0.7V para el de una resistencia conectada en serie la cual estará
Silicio y 0.3V para el de germanio. conectada al voltaje generado actuando así como un
limitante al paso de la corriente en el diodo evitando
3. Demostración de los efectos de la Temperatura: que este se dañe y trabaje de forma correcta. Su valor
estará determinado por la corriente que pase atraves de
b)La característica directa del diodo también se ve afectada él y el voltaje con que se desee trabajar.
por la temperatura, siendo el efecto más importante la
influencia sobre la barrera de potencial. Conforme aumenta V. REFERENCIAS.
la temperatura, la tensión directa necesaria para polarizar el [1] Ramos, Idalia. “Características de diodos”. [en línea].
diodo disminuye. 2014-2015, [16 de Marzo de 2016]. Disponible en:
http://mate.uprh.edu/~iramos/fisi3143/lab4.pdf
c) Al aumentar la temperatura en el diodo la resistencia va
disminuyendo ya que al hacerlo la tensión que se es [2]Ingelibre. “Diodos. Curva caracteristica y tension
requerida para poder polarizar el diodo va disminuyendo umbral”. [en línea]. 2014, [28 de Octubre de 2014].
constantemente puesto que la corriente de saturación Disponible en:
depende de la temperatura y también del nivel de dopado https://ingelibreblog.wordpress.com/2014/10/27/diodos-
como su área de unión. curva-caracteristica-y-tension-umbral/
d)Tiene un coeficiente de temperatura negativo (en inglés [3]Tutorial de diodos. “Dispositivos semiconductores”. [en
"tempo" negativo). El valor de esta variación en diodos de linea].2013, [Mayo de 2003]. Disponible en:
señal tanto de silicio como de germanio es de 2mV por grado http://arantxa.ii.uam.es/~labweb/electronica/tutorialdiodo.ht
centígrado ya la temperatura influye directamente sobre su ml
barrera de potencial.
IV. CONCLUSIONES
• Los diodos son dispositivos no lineales, poseen gran
importancia en el desarrollo de la industria
tecnologica; adquieren varias funciones y una de ellas
es actuar como rectificadores (diodos Zener) siendo
estos reguladores de voltaje, un caso común es la
transformación de corriente AC en DC.