Apabila kita berbicara tentang elektronika maka tidak akan lepas dari

semikonduktor. Memang pada awal kelahirannya elektronika didefenisikan sebagai cabang

ilmu listrik yang mempelajari pergerakan muatan didalam gas ataupun vakum.

Penerapannya sendiri juga menggunakan komponen-komponen yang utamanya memanfaat

kedua medium ini, yang dikenal sebagai Vacuum Tube. Akan tetapi sejak ditemukannya

transistor, terjadi perubahan trend dimana penggunaan semikonduktor sebagai pengganti

material komponen semakin populer dikalangan praktisi elektronika. Puncaknya adalah saat

ditemukannya Rangkaian Terpadu (Integrated Circuit) pada akhir dekade 50-an yang

telah menyederhanakan berbagai rangkaian yang sebelumnya berukuran besar menjadi

sangat kecil. Selain itu penggunaan material semikonduktor juga memberikan fleksibilitas

dalam penerapannya.

Operasi semua komponen benda padat seperti dioda, LED, Transistor

Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya (solid state)

didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Secara umum semikonduktor

adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat

konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator

tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnit,

tetapi pada semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif.

Elemen terkecil dari suatu bahan yang masih memiliki sifat-sifat kimia

dan fisika yang sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga partikel

dasar, yaitu: neutron,proton, dan elektron. Dalam struktur atom, proton dan

neutron membentuk inti atom yang bermuatan positip dan sedangkan

elektron-elektron yang bermuatan negatip mengelilingi inti. Elektron-

elektron ini tersusun berlapis-lapis. Struktur atom dengan model Bohr dari

bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan, silikon dan germanium

terlihat pada gambar 1.1.

Seperti ditunjukkan pada gambar 1.1 atom silikon mempunyai elektron yang
mengorbit (yang mengelilingi inti) sebanyak 14 dan atom germanium
mempunyai 32 elektron. Pada atom yang seimbang (netral) jumlah elektron
dalam orbit sama dengan jumlah proton dalam inti. Muatan listrik sebuah
elektron adalah: - 1.602-19 C dan muatan sebuah proton adalah: + 1.602-19
C.
Elektron yang menempati lapisan terluar disebut sebagai elektron

valensi. Aktifitas kimiawi dari sebuah unsur terutama ditentukan oleh

jumlah elektron valensi ini. Unsur-unsur pada tabel periodik telah disusun

sedemikian rupa berdasarkan jumlah elektron valensinya. Silikon (Si) dan

Germanium (Ge) berada pada Grup IV karena memiliki empat elektron

valensi pada kulit terluarnya, sehingga disebut juga semikonduktor dasar

(elemental semiconductor). Sedangkan Gallium Arsenik(GaAs) masing-

masing berada pada Grup III dan V, sehingga dinamakan semikonduktor

gabungan (compound semiconductor).

 Atom-atom silikon yang berdiri sendiri dapat digambarkan sebagai

lambang unsur (Si) dengan empat buah garis kecil yang terpisah (Gambar 1).

Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga

dengan atom tetra-valent (bervalensi empat). Saat atom-atom ini

berdampingan cukup, elektron valensinya akan berinteraksi untuk

menghasilkan kristal. Struktur akhir kristalnya sendiri adalah dalam

konfigurasi thetahedral sehingga setiap atom memiliki empat atom lainnya

yang berdekatan. Elektron-elektron valensi dari setiap atom akan

bergabung dengan elektron valensi dari atom didekatnya, membentuk apa

yang disebut ikatan kovalen (covalent bonds) seperti terlihat pada Gambar

2. Struktur kisi-kisi kristal silikon murni ini dapat digambarkan secara dua

dimensi guna memudahkan pembahasan. Lihat gambar 1.2. Salah satu sifat

penting dari struktur ini adalah bahwa elektron valensi selalu tersedia pada

tepi luar kristal sehingga atom-atom silikon lain dapat terus ditambahkan

untuk membentuk kristal yang lebih besar.

 Meskipun terikat dengan kuat dalam struktur kristal, namun bisa saja

elektron valensi tersebut keluar dari ikatan kovalen menuju daerah konduksi

apabila diberikan energi panas. Bila energi panas tersebut cukup kuat untuk

memisahkan elektron dari ikatan kovalen maka elektron tersebut menjadi

bebas atau disebut dengan elektron bebas. Pada suhu ruang terdapat kurang

lebih 1.5 x 1010 elektron bebas dalam 1 cm3 bahan silikon murni (intrinsik)

dan 2.5 x 1013 elektron bebas pada germanium. Semakin besar energi panas

yang diberikan semakin banyak jumlah elektron bebas yang keluar dari

ikatan kovalen, dengan kata lain konduktivitas bahan meningkat. Setiap

elektron yang menempati suatu orbit tertentu dalam struktur atom tunggal

(atau terisolasi) akan mempunyai level energi tertentu. Semakin jauh posisi

orbit suatu elektron, maka semakin besar level energinya. Oleh karena itu

elektron yang menduduki posisi orbit terluar dalam suatu struktur atom

atau yang disebut dengan elektron valensi, akan mempunyai level energi

terbesar. Sebaliknya elektron yang paling dekat dengan inti mempunyai level

energi terkecil. Level energi dari atom tunggal dapat dilihat pada gambar

1.3.
 Di antara level energi individual yang dimiliki elektron pada orbit

tertentu

terdapat celah energi yang mana tidak dimungkinkan adanya elektron

mengorbit.

Oleh karena itu celah ini disebut juga dengan daerah terlarang. Suatu

elektron tidak dapat mengorbit pada daerah terlarang, tetapi bisa

melewatinya dengan cepat. Misalnya bila suatu elektron pada orbit tertentu

mendapatkan energi tambahan dari luar (seperti energi panas), sehingga

level energi elektron tersebut bertambah besar, maka elektron akan

meloncat ke orbit berikutnya yang lebih luar yakni dengan cepat melewati

daerah terlarang. Hal ini berlaku juga sebaliknya, yaitu apabila suatu

elektron dipaksa kembali ke orbit yang lebih dalam, maka elektron akan

mengeluarkan energi.
 Dengan kata lain, elektron yang berpindah ke orbit lebih luar akan

membutuhkan energi, sedangkan bila berpindah ke orbit lebih dalam akan

mengeluarkan energi. Besarnya energi dari suatu elektron dinyatakan

dengan satuan elektron volt (eV). Hal ini disebabkan karena definisi energi

merupakan persamaan: W = Q . V

dimana:

W = energi Joule (J)

Q = muatan (Coulomb)

V = potensial listrik [Volt (V)]

Dengan potensial listrik sebesar 1 V dan muatan elektron sebesar

1.602-19 C, maka energi dari sebuah elektron dapat dicari: W = (1.602-19

C) (1 V) = 1.602-19 J

Hasil tersebut menunjukkan bahwa untuk memindahkan sebuah elektron

melalui beda potensial sebesar 1 V diperlukan energi sebesar 1.602-19 J.

Atau dengan kata lain: 1 eV = 1.602-19 J.

Bila atom-atom tunggal dalam suatu bahan saling berdekatan (dalam

kenyatannya memang mesti demikian) sehingga membentuk suatu kisi-kisi

kristal, makaatom-atom akan berinteraksi dengan mempunyai ikatan

kovalen. Karena setiap elektron valensi level energinya tidak tepat sama,

maka level energi jutaan elektron valensi dari suatu bahan akan membentuk

range energi atau yang disebut dengan pita energi valensi atau pita valensi.

Gambar 1.4 menunjukkan diagram pita energi dari bahan isolator,

semikonduktor dan konduktor.

Suatu energi bila diberikan kepada elektron valensi, maka elektron

tersebut akan meloncat keluar. Oleh karena elektron valensi terletak pada

orbit terluar dari struktur atom, maka elektron tersebut akan meloncat ke
daerah pita konduksi. Pita konduksi merupakan level energi dimana elektron

terlepas dari ikatan inti atom atau menjadi elektron bebas. Jarak energi

antara pita valensi dan pita konduksi disebut dengan pita celah atau daerah

terlarang. Seberapa besar perbedaan energi, Eg, (jarak energi) antara pita

valensi danpita konduksi pada suatu bahan akan menentukan apakah bahan

tersebut termasuk isolator, semikonduktor atau konduktor. Eg adalah

energi yang diperlukan oleh elektron valensi untuk berpindah dari pita

valensi ke pita konduksi. Eg dinyatakan dalam satuan eV (elektron volt).

Semakin besar Eg, semakin besar energi yang dibutuhkan elektron valensi

untuk berpindah ke pita konduksi. Pada bahan-bahan isolator jarak antara

pita valensi dan pita konduksi (daerah terlarang) sangat jauh. Pada suhu

ruang hanya ada sedikit sekali (atau tidak ada) elektron valensi yang sampai

keluar ke pita konduksi. Sehingga pada bahan-bahan ini tidak dimungkinkan

terjadinya aliran arus listrik. Diperlukan Eg paling tidak 5 eV untuk

mengeluarkan elektron valensi ke pita konduksi.

Pada bahan semikonduktor lebar daerah terlarang relatif kecil. Pada

suhu mutlak 0' Kelvin, tidak ada elektron valensi yang keluar ke pita

konduksi, sehingga pada suhu ini bahan semikonduktor merupakan isolator

yang baik. Beberapa elektron mungkin memperoleh cukup energi thermal

untuk memutuskan ikatan kovalen dan keluar dari posisi awalnya. Untuk

memutus ikatan kovalen ini, elektron tersebut mesti memperoleh sejumlah

energi minimum, Eg, atau sering juga disebut energi bandgap. Pada bahan

silikon dan germanium masing-masing Eg-nya adalah 1.1 eV dan 0.67 eV.

Elektron yang memperoleh energi minimum ini sekarang berada pada pita
konduksi dan dikatakan menjadi elektron bebas. Elektron bebas ini didalam
pita konduksi dapat berpindah-pindah sepanjang struktur. Jumlah aliran
elektron pada pita konduksi inilah yang lalu akan menghasilkan arus.
 Diagram pita energi ini dapat dilihat pada gambar diatas. Energi

Ev adalah energi maksimum dari pita energi valensi, sedangkan energi

Eg adalah perbedaan antara Ec dan Ev. Daerah antara kedua energi ini

disebut sebagai forbidden bandgap. Elektron-elektron tidak dapat berada

pada daerah ini, tetapi mereka dapat berpindah dari pita valensi ke pita

konduksi apabila memperoleh cukup energi.

Unsur yang memiliki energi bandgap yang besar, sekitar 3-6 elektron-

Volt (eV) adalah isolator, karena pada suhu kamar, tidak ada elektron bebas

yang berada pada pita konduksi. Sebaliknya, unsur yang mengandung

elektron bebas dalam jumlah yang sangat banyak pada suhu kamar adalah

konduktor. Pada semikonduktor, energi bandgap-nya berada pada kisaran 1

eV.

Karena muatan total dari unsur adalah netral, apabila elektron yang

bermuatan negatif memecah ikatan kovalennya dan keluar dari posisi

awalnya, sebuah ruang kosong yang bermuatan positif akan terbentuk pada

posisi tersebut. Dengan meningkatnya suhu, maka akan lebih banyak ikatan

kovalen yang pecah dan lebih banyak pula elektron bebas maupun ruang

kosong positif akan terbentuk.

 Elektron valensi dengan energi thermal tertentu dan berdekatan

dengan sebuah ruang kosong dapat berpindah posisi tersebut, sehingga

terlihat seperti muatan positif yang bergerak diantara semikonduktor.

Partikel bermuatan positif ini disebut hole. Pada gambar 1.4 dilukiskan

dengan lingkaran kosong. Meskipun hole ini secara fisik adalah kosong,

namun secara listrik bermuatan positip, karena ditinggalkan oleh energi

elektron yang bermuatan negatip. Level energi suatu hole adalah terletak

pada pita valensi, yaitu tempat asalnya elektron valensi. Apabila ada

elektron valensi berpindah dan menempati suatu hole dari atom sebelahnya,

maka hole menjadi tersisi dan tempat dari elektron yang berpindah

tersebut menjadi kosong atau hole. Dengan demikian arah gerakan hole

(seolah-olah) berlawanan dengan arah gerakan elektron.

Sedangkan pada bahan konduktor pita valensi dan pita konduksi saling
tumpang tindih. Elektron-elektron valensi sekaligus menempati pada pita
konduksi. Oleh karena itu pada bahan konduktor meskipun pada suhu O
derajat K, cukup banyak elektron valensi yang berada di pita konduksi
(elektron bebas).
 Pada semikonduktor, dua jenis partikel bermuatan ini berjasa dalam

menghasilkan arus : elektron bebas yang bermuatan negatif, serta hole yang

bermuatan positif. Konsentrasi elektron dan hole adalah parameter penting

dalam karakterikstik dari sebuah unsur semikonduktor, karena mereka

berpengaruh langsung terhadap besarnya arus.

SEMIKONDUKTOR INSTRINSIK (MURNI)

 Semikonduktor instrinsik adalah sebuah unsur semikonduktor kristal

tunggal tanpa atom jenis lain didalamnya. Pada sebuah semikonduktor

instrinsik, kepadatan elektron dan hole adalah sama (seimbang), karena

satu-satunya sumber partikel ini adalah elektron dan hole yang terbentuk

secara thermal. Untuk itu, kita menggunakan notasi ni untuk menyatakan

konsentrasi pembawa intrinsik, yakni konsentrasi dari elektron bebas

ataupun hole. Rumus untuk nilai ni ini adalah sebagai berikut :

Dimana :

B adalah koefisien yang spesifik terhadap unsur semikonduktornya

Eg adalah energi bandgap (eV)
T adalah suhu atau temperatur (K)
k adalah konstanta Boltzman (86 X 10-6 eV/K)
e notasi eksponensial
Nilai B dan E unsur dapat dilihat pada tabel dibawah ini,

Konsentrasi instrinsik ni adalah parameter penting yang sering muncul dalam

persamaan-persamaan arus-tegangan pada komponen semikonduktor.

*elektron-Volt (eV) adalah satuan energi dimana sebuah elektron

dipercepat melalui medan listrik sebesar 1 V, dan 1 eV setara 1.6e-19 Joule

SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK (TAK MURNI)

SEMIKONDUKTOR TIPE-n

Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah

kecil atom pengotor pentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada
silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai lima elektron
valensi sehingga secara efektif memilikimuatan sebesar +5q. Saat sebuah
atom pentavalen menempati posisi atom silicon dalam kisi kristal, hanya
empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan
tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat Gambar diatas).
Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi
electron bebas dan siap menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran
listrik. Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut
semikonduktor tipe-n karena menghasilkan pembawa muatan negatif dari
kristal yang netral. Karena atom pengotor memberikan elektron, maka atom
pengotor ini disebut sebagai atom donor. Secara skematik semikonduktor
tipe-n digambarkan seperti terlihat pada Gambar diatas.

SEMIKONDUKTOR TIPE-p

Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-n,

semikonduktor tipe-p dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecif
atom pengotor trivalen (aluminium, boron, galium atau indium) pada
semikonduktor murni, misalnya silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan)
ini mempunyai tiga elektron valensi sehingga secara efektif hanya dapat
membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati posisi
atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tigaikatan kovalen lengkap, dan
tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak berpasangan
(lihat Gambar dibawah) yang disebut lubang (hole). Material yang dihasilkan
dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-p karena
menghasilkan pembawa muatan negatif pada kristal yang netral. Karena
atom pengotor menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai
atom aseptor (acceptor). Secara skematik semikonduktor tipe-p
digambarkan seperti terlihat pada Gambar dibawah ini.
 KEGUNAAN SEMIKONDUKTOR
Bila dibanding dengan logam, daya hantar listrik semikondutor lebih
kecil. Aliran yang kecil menyebabkan aliran listrik pada semikonduktor
mudah dikontrol.
Dasar penggunaan semikonduktor adalah terbentuknya sambungan p-
n (p-n juncktion) apabila semikonduktor tipe-p dan tipe-n digabungkan.
Sambungan ini yang merupakan dasar terjadinya terjadinya revolusi industri
akibat ditemukan transisistor oleh wiliam Shocklye, John Barden dan
Walter Brattain di laboratorium Bell pada tahun 1948. Selain itu
semikonduktor digunakan untuk membuat sel surya (solar cell) dan
penyearah.
Sel Surya (Solar Cell)
Solar cell terdiri dari dua semikonduktor yaitu:
1. Semikonduktor tipe-p. yang dibuat dari semikonduktor silikon yang
dikotori dengan boron.
2. Semikonduktor tipe-n, yang diperoleh dari semikonduktor silikon yang
dikotori dengan arsen.
Dua semikonduktor tersebut disambung seperti pada gambar berikut:
 Sebelum kedua semikonduktor tersebut disambung, jumlah hole pada
pita valensi semikonduktor tipe-p lebih banyak dibanding jumlah hole pada
pita valensi semikonduktor tipe-n, sebaliknya jumlah elektron pada pita
konduksi semikonduktor tipe-n lebih banyak dibanding jumlah elektron pada
pita konduksi semikonduktor tipe-p. setelah keduanya disambungkan maka:

 Pada pita valensi akan terjadi aliran hole dari semikonduktor tipe-p
ke semikonduktor tipe-n dan sebaliknya, serta aliran elektron dari
semikonduktor tipe-n ke semikonduktor tipe-p dan sebaliknya sampai
terjadi kesetimbangan.
 Pada pita konduksi akan terjadi aliran elektron dari semikonduktor
tipe-n ke semikonduktor tipe-p dan sebaliknya sampai terjadi
kesetimbangan.

Pada keadaan setimbang jumlah hole yang bergerak dari pita valensi
semikonduktor tipe-p ke semikonduktor tipe-n sama dengan jumlah hole
yang bergerak ke arah yang berlawanan. Demikian juga halnya dengan jumlah
elektron yang mengalir dari semikonduktor tipe-n ke semikonduktor tipe-p
dan sebaliknya. Akibatnya dua proses tersebut maka pada semikonduktor
tipe-n akan berkembang muatan positif dan pada semikonduktor tipe-p akan
berkembang muatan negatif. Dengan kata lain antara kedua bagian tersebut
timbul potensial listrik.
Pada sel surya semikonduktor tipe-p dibuat lebih tipis dibanding
semikonduktor tipe-n. Pada pengoperasian sel suria, bagian yang dikenakan
sianr matahari adalah semikonduktor tipe-p.
 Pada waktu sel surya terkena sinar matahari maka elektron-elektron
pada semikonduktor tipe-p mendapatkan tambahan energi termal. Elektron-
elektron tersebut dapat melewati sambungan p-n (p-n junction) dan
memasuki semikonduktor tipe-n. Apabila daya gerak elektron-elektron
tersebut cukup besar maka mereka akan melewati kawat penghantar
(menuju ke semikonduktor tipe-p kembali) sehingga arus listrik yang
energinya daapat langsung dimanfaatkan atau disimpan dalam baterai. Jadi
fungsi dari sel suria adalah merubah energi cahaya matahari menjadi energi
listrik.
Silikon yang digunakan pada sel surya selain sebagai kristal tunggal
(single crystal), silikon dapat diperoleh dalam bentuk amorf. Silikon amor
dapat diperoleh melalui deposisi uap silikon. Kemampuan silikon amorf dalam
menyerap sinar matahri 40 kali lebih efisien dibanding kristal silikon. Oleh
karena itu sel suria banyak digunakan semikonduktor dengan bahan dasar
silikon amorf.
Sel surya dengan bahan dasar amorf adalah lebih tahan lama dibanding
sel suria dengan bahan dasar kristal tunggal. Disamping itu, silion amorf
dapat dibuat pada temperatur rendah dan dapat di depositkan pada
substrat yang harganya relatif murah. Sel suria dengan bahan dasar amor
banyak digunakan sebagai sumber energi pada kalkulator.
Harga silikon amor cenderung semakin murah. Oleh karena itu pemakian
semikonduktor dengan bahan dasar silikon amor pada peralatan elektronik
yang lain cenderung semakin meluas di massa yang akan datang.
Penyearah (rectifer) atau Dioda
Penyearah hanya membolehkan arus listrik dari sumber luar mengalir
melaluinya pada satu arah. Sehingga dapat digunakan untuk mengubah arus
bolak balik (alternating current = AC) menjadi arus searah (direc current =
DC).
Penyearah terdiri dari semikonduktor tipe-p dan semikonduktor tipe-
n yang dihubungkan oleh sambungan p-n (p-n jucktion) seperti pada gambar:
 Semikonduktor tipe-p yang disambungkan dengan semikonduktor tipe-
n tersebut membentuk suatu diode. Semikonduktor tipe-p dapat dianggap
kelebihan hole sedangkan semikonduktor tipe-n dapat dianggap kelebihan
elektron. Simbol umum dioda adalah seperti yang tertera pada gambar:

Apabila pada semikonduktor tipe-p diberi potensial positif (kutub

positif dari sumber) sedangkan pada semikonduktor tipe-n diberi potensial
negatif, maka hole pada semikonduktor tipe-p akan bergerak menuju
sambungan p-n dan elektron-elektron pada semikonduktor tipe-n akan
bergerak menuju sambungan p-n seperti yang ditunjukan pada gambar:

Pada sambungan p-n hole dan elektron akan saling memusnahkan

(saling meniadakan/ saling menetralkan). Aliran hole dan elektron ini akan
terus berlangsung selama potensial tetap dihubungkan. Aliran inilah yang
menyebabkan arus listrik dapat mengalir atau menyebabkan terbentuknya
arus listrik.
Apabila semikonduktor tipe-p dihubungkan dengan potensial negatif
sedangkan pada semikonduktor tipe-n diberi potensial positif, maka hole
pada semikonduktor tipe-p akan bergerak menjauhi sambungan p-n dan
elektron pada pada semikonduktor tipe-n akan bergerak menjauhi
sambungan p-n seperti yang ditunjukan pada gambar birikut. Karena tidak
hole dan elektron elektron yang saling meniadakan maka tidak ada arus
listrik yang menalir atau tidak terjadi arus listrik:
Berikut adalah beberapa jenis dioda
1. Dioda biasa. Di buat dari silikon yang telah diberi pengotor dan dan
germanium. Prinsip kerjanya seperti pada penjelasan di atas.
2. Dioda cahaya. Dioda cahaya merupakan dioda yang pada sambungan p-n
(p-n jucktion) dapat memancarkan cahaya. Misalnya LED.
3. Dioda foto. Dioda foto merupakan jenis dioda yang berfunsi mendeteksi
cahaya kemudian mengubahnya menjadi energi listrik. Jenis cahaya yang
dapat di deteksi yakni infra merah, cahaya tampak, ultra ungu sampai sinar-
x.
4. Dioda laser. Dioda laser disingkat juga LD atau ILD. Sambungan p-n dioda
laser menyerupai sambungan p-n pada dioda cahaya.
5. Dioda zener. Dioda zener prinsip kerjanya seperti dioda biasa tetapi arus
listrik dapat mengalir ke arah yang berlawanan jika tegangan yang diberikan
melampaui batas atau mencapai tegangan rusak semikonduktor.
LED
LED (Light Emitting Diode atau Light Emitting Device) merupakan
salah satu diode semikonduktor yang dirancang untuk menghasilkan
sejumlah besar cahaya monokromatis yang tidak koheren dengan rentang
panjang gelombang yang sempit ketika diberi tegangan maju. LED dan
bagian-bagiannya disajikan pada Gambar:

Arus maju yaitu arus dimana potensial positif (kutub positif (anoda)
sumber arus) disambungkan pada bagian positif dari LED dan potensial
negatif (kutub negatif sumber arus) dishubungkan pada bagian negatif
(katoda) dari LED (lihat gambar 1). Sedangkan cahaya monokromatis tidak
koheren yaitu cahaya dengan rentang panjang gelombang artinya walaupun
sebagai cahaya monokromatis tetapi masih memiliki rentang panjang
gelombang (lihat tabel). Untuk membedakan anoda dan katoda dapat dilihat
dari kaki atau tangkai LED, yang bertangkai panjang merupakan anoda
(kutub negatif) sedangkan yang lebih pendek merupakan katoda (kutup
positif).
Pada awal penemuan LED hanya terdiri dari warna merah, kuning dan
hijau. Sekarang LED yang tersedia berfariasi mulai dari yang bekerja pada
rentang panjang gelombang sinar tampak, ultraviolet hingga inframerah.
LED yang berfariasi ini dapat diperoleh dengan cara mengganti bahan
semikonduktor pada chip LED atau dengan menggabungkan bahan
semikonduktor dari warna merah, kuning dan hijau yang telah diperoleh
sebelumnya. Karena warna yang dihasilkan sangat banyak, aplikasi LED kini
sangat beragam misalnya menambah keindahan desain interion dan
eksterion. Bahkan kini LED dengan cahaya merah dan LED dengan cahaya
biru dimanfaatkan untuk membantu melangsungkan proses fotosintesis pada
tanaman-tanaman yang ada dalam sebuah ruangan.
Bila dibanding lampu pijar LED memiliki keunggulan bila dibanding lampu
pijar diantaranya:

 Dengan arus yang rendah cahaya yang dihasilkan lebih banyak

dibanding dibanding lampu pijar.
 Tidak mudah rusak sebab dirancang dalam bentuk padat, sedangkan
lampu neon atau lampu pijar rapuh dan mudah rusak.
 Waktu pemakaian lebih lama karena tidak ada filamen yang terbakar.
Dimana penambahan gas seperti CO2 atau pengaturan tekanan tidak
diperlukan.
 Cahaya yang dihasilkan lebih terfokus ke satu arah sehingga dalam
hal-hal tertentu hal ini sangat menguntungkan.

LED selain sebagai sistem pencayaan dimanfaatkan pula sebagai sensor

dan digunakan pula pada peralatan elektronik seperti remote control.
Chip LED yang dibungkus menggunakan bohlam plastik pada umumnya
mempunyai tegangan rusak yang relatif rendah. Bila diberikan tegangan
beberapa volt ke arah terbalik akan menyebabkan sifat isolator searah LED
jebol sehingga arus dapat mengalir ke arah sebaliknya.
Warna berbagai LED dengan panjang gelombang masing-masing LED serta
penyusunnya seperti yang tertera pada tabel di halaman selanjutnya:
Warna Panjang Gelombang Bahan Semikonduktor
(nm) Penyusun
IR λ> 760 Gallium arsenida (GaAs)
 Aluminium gallium arsenida
(AlGaAs)
Merah 610 < λ < 760 Aluminium gallium
arsenida(AlGaAs)
Gallium arsenida fosfida
(GaAsP)
Aluminium gallium indium
fosfida (AlGaInP)
Gallium(III) fosfida (GaP)
Jingga 590 < λ < 610 Gallium arsenida fosfida
(GaAsP)
Aluminium gallium indium
fosfida (AlGaInP)
Gallium(III) fosfida (GaP)
Kuning 570 < λ < 590 Gallium arsenida fosfida
(GaAsP)
Aluminium gallium indium
fosfida (AlGaInP)
Gallium(III) fosfida (GaP)
Hijau 500 < λ < 570 Indium gallium
nitrida (InGaN) /
gallium(III)nitrida
Gallium(III) fosfida (GaP)
Aluminium gallium indium
fosfida (AlGaInP)
Aluminium gallium fosfida
(AlGaP)
Biru 450 < λ < 500 Seng selenida (ZnSe)
Indium gallium nitrida (InGaN)
Silikon karbida (SiC) sebagai
substrat
Silikon (Si) sebagai substrat –
dalam pengembangan
Violet 400 < λ < 450 Indium gallium nitrida (InGaN)
 Ungu Berbagai jenis LED dua warna (biru dan
merah, biru dengan fosfor
merah, atau putih dengan
plastik ungu)
UV λ < 400 berlian (235 nm)
Boron nitride (215 nm) [ 34 ] [ 35
]
Boron nitrida (215 nm)
Aluminium nitride (AlN)
(210 nm) [ 36 ] Aluminium
nitrida (AlN) (210 nm)
Aluminium gallium nitride
(AlGaN) Aluminium galium
nitrida (AlGaN)
Aluminium gallium indium
nitride (AlGaInN) — (down to
210 nm) [ 37 ] Indium gallium
aluminium nitrida (AlGaInN) –
(hingga 210 nm)
Putih Spektrum luas Dioda UV/biru dengan fosfor
kuning

Fotosel CdS
Fotosel CdS biasa disebut juga fotoresistor, fotokonduktif atau LDR (ligh
dependent resistor) merupakan salah satu detektor cahaya yang sangat
peka terhadap perubahan intensitas cahaya yang mengenai permukaannya.
Fotosel CdS terbuat dari bahan semikonduktor cadmium sulfida yang
ditempelkan di atas keramik dengan diameter dari 5-25 mm. Bagian--
bagian fotosel detektor seperti yang tertera pada Gambar:
 Prinsip kerja fotosel CdS sebagai detektor adalah perubahan nilai
resistansi atau hambatan fotosel berbanding terbalik dengan intensitas
cahaya yang mengenai permukaannya. Jika dihubungkan dengan multimeter
atau avometer CdS menjadi konduktor yang buruk atau CdS memiliki
resistansi besar pada saat cahaya gelap atau redup, dan sebaliknya CdS
menjadi konduktor yang baik atau CdS memiliki resistansi kecil pada saat
cahaya terang.

Daftar Pustaka

http://cnej.wordpress.com/2008/11/22/dasar-teori-semikonduktor-1/

http://budditechnonika.blogspot.com/2010/01/teori-semikonduktor.html

http://wanibesak.wordpress.com/2010/10/04/kegunaan-

semikonduktor.html