Electrónica análoga II

Universidad Nacional de Colombia

Semestre 2018-1

TALLER 1

1. Considere un amplificador NMOS en configuración el literal b. (Para el análisis puede usar una simulación
de fuente común cuya carga es una fuente de corriente del circuito o la descripción teórica)
implementada con un MOSFET de canal p.
Los transistores tienen las siguientes características:
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 = 387 𝜇A/V 2 y 𝜇𝑝 𝐶𝑜𝑥 = 86 𝜇A/V 2 , 𝑉𝑡𝑛 =
′ ′
|𝑉𝑡𝑝 | = 0.5 V , 𝑉𝐴𝑛 = 5 V/μm , |𝑉𝐴𝑝 | = 6 V/μm y
𝑉𝐷𝐷 = 1.8 V.

a. Determine los valores de 𝐿, 𝑊1 𝑦 𝑊2 para obtener

una ganancia de voltaje de pequeña señal de -40 V/V
con 𝐼𝐷 = 100 μA y |𝑉𝑜𝑣 | = 0.2 V . Asuma que las
longitudes de canal para los dos transistores son
iguales.
b. Calcule el valor de 𝑉𝐺 necesario para garantizar el
punto de operación de Q2.
c. Utilice un programa de simulación para calcular la
ganancia de voltaje de pequeña señal del
amplificador.
3. El transistor de la siguiente figura está operando como
un amplificador emisor común con una carga activa,
correspondiente a la salida del espejo de corriente
conformado por los transistores Q2 y Q3. El circuito de
polarización completo de Q1 no se muestra en la
figura.
Los transistores tienen las siguientes características.
Q1: 𝛽 = 50, 𝑉𝐴 = −30 𝑉 y 𝐼𝑠 = 6 × 10−18 A.
Q2: 𝛽 = 100, 𝑉𝐴 = 35 𝑉 y 𝐼𝑠 = 30 × 10−18 A.
Q3: 𝛽 = 100, 𝑉𝐴 = 35 𝑉 y 𝐼𝑠 = 6 × 10−18 A.
a. Calcule el valor del voltaje entre base y emisor de Q3.
b. Calcule el valor de la corriente I.
c. Calcule la resistencia de salida del amplificador.
d. Calcule la ganancia de voltaje de pequeña señal.
e. Calcule la resistencia de entrada del amplificador.

2. Considere el circuito mostrado en la siguiente figura.

Los transistores tienen las siguientes características:
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 = 100 𝜇A/V 2 y 𝜇𝑝 𝐶𝑜𝑥 = 50 𝜇A/V 2 , 𝑉𝑡𝑛 =
|𝑉𝑡𝑝 | = 0.8 V, 𝑉𝐴𝑛 = 100 V, |𝑉𝐴𝑝 | = 50 V, 𝐿 = 1 μm,
𝑊𝑛 = 20 μm, 𝑊𝑝 = 10 μm y 𝑉𝐷𝐷 = 3.3 V.
a. Determine 𝐼𝑅𝐸𝐹 para polarizar Q1 a 100 μA.
Desprecie el efecto de la modulación de ancho de
canal.
b. Calcule el rango de valores de 𝑣𝑜 para los cuales Q1 y
Q2 permanecen en saturación.
c. Calcule la ganancia de voltaje de pequeña señal del
amplificador.
d. Describa el cambio de la ganancia de voltaje del
circuito cuando 𝑣𝑜 supera los límites encontrados en
4. Considere el circuito mostrado en la siguiente figura.
a. Determine las configuraciones de las etapas incluidas
el circuito y explique su función.
b. Determine la ganancia de voltaje del circuito. Asuma
que 𝜆 = 0.
c. Simplifique el resultado cuando 𝑅𝐷1 → ∞.
6. En el amplificador cascodo de la siguiente figura,
W/L= 20/0.18 para todos los transistores.
Si 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 = 100 𝜇A/V 2 y 𝜇𝑝 𝐶𝑜𝑥 = 50 𝜇A/V 2 ,
𝑉𝑡𝑛 = |𝑉𝑡𝑝 | = 0.7 V, 𝜆𝑛 = 0.1 V −1 y 𝜆𝑝 = 0.15 V −1 .
a. Calcule la corriente de polarización tal que el circuito
logre una ganancia de voltaje de 500.
b. Determine los valores de los voltajes de alimentación
y de las compuertas para los transistores de la
configuración para esta ganancia.

5. El cascodo pnp mostrado en la siguiente figura debe

proveer una corriente de 0.5 mA a un circuito. Si
Is=10-16 y beta=100,
a. Calcule el valor requerido para Vb2.
b. Teniendo en cuenta que Vx= Vb1 + | VBE1|, determine
el valor máximo permitido para Vb1 tal que Q2
presente un voltaje entre colector y base de sólo 200
mV.

BIBLIOGRAFÍA

- A. Sedra and K. Smith. Microelectronic Circuits: Part II. 6th Edition. Oxford, 2010.

- B. Razavi. Fundamentals of Microelectronics. Second edition: Wiley, 2014.

- J. Martínez. Electrónica Análoga - Conceptos y Técnicas. Editorial Académica Española, 2011.