ELECTRÓNICA DE POTENCIA

V Ciclo

Sección: A, Grupo: 3

Informe de Laboratorio N° 1

Pruebas Estáticas del SCR

Integrantes del Equipo:

1. Jesús Tanta Wilmer Edmundo

2. Ladrón de Guevara Landa Max Luis
3. Martínez Bolaño Juan Pablo

Profesor: J. Lazarte R.

Fecha de realización: 16 de Marzo

Fecha de entrega: 18 de Marzo

2008 - I

COLOCAR EVIDENCIA
DEBAJO DE CADA
EXPERIENCIA
1. INTRODUCCIÓN
Un SCR es un diodo de silicio al que se le ha agregado un elemento de
activación Su nombre proviene del término en ingles Silicon
Controlled Rectifier (Rectificador controlado de silicio). También es conocido
como tiristor, el cual se utiliza en circuitos de conmutación y en etapas de
potencia, como por ejemplo el control de motores. El SCR puede operar con
ambos tipos de corrientes, alterna y directa (AC/DC), posee tres terminales
Ánodo Cátodo y Compuerta. En este informe realizaremos las siguientes
pruebas con los SCR dados en el laboratorio.
2. RESULTADO DE LABORATORIO
2.1. LECTURA DE HOJA DE DATOS

Anote los códigos de los componentes recibidos (SCR1 a SCR4) y busque en

el manual su reemplazo respectivo. Complete la siguiente tabla:

CÓDIGO VPICO IAV IRMS TIPO DE

ORIGINAL (V) (DC) (AC) ENCAPSUL.
SCR1: TYN610 600 6.8 10 TO-220

2.2 MEDIDAS CON EL MULTIMETRO DIGITAL

Ajuste el multímetro para medidas en escala de diodo (debe observarse

unidades de “voltios” en la pantalla). Complete la siguiente tabla:

Terminales SCR 1
AK OL
KA OL
GK 0.08
KG 0.08
AG OL
GA OL

2.3. GRÁFICOS DE TIPOS DE ENCAPSULADOS

Solicite al profesor los SCR de muestra que servirán para dibujar el

encapsulado, determinar los nombres de cada terminal y efectuar pruebas para
detectar su estado.

Encapsulado: Terminales y Símbolo: Tabla de pruebas:

Terminales SCR 1
AC 0.5
CA OL
GC 0.5
CG 0.5
AG OL
Tipo DO-4 GA OL
 Encapsulado: Terminales y Símbolo: Tabla de pruebas:

Terminales SCR 1
AC OL
CA OL
GC OL
CG OL
AG OL
GA OL

2.4. PRUEBAS CON MULTÍMETRO EN ESCALA DE DIODO:

Transistor BJT (2N3055)

Medida CE EC CB BC BE EB

VALOR OL OL 0.5 0.5 0.5 0.5

Transistor BJT Darlington (Código: TIP125)

Medida CE EC CB BC BE EB

VALOR 0.4 OL OL 0.5 0.6 0.9

Transistor MOSFET (Código TRF9610)

Medida DS SD DG GD GS SG

VALOR 0.7 OL 0.5 OL 0.62 0.44

Con ayuda del manual “International Rectifier”, complete la siguiente tabla:

IR DESCRIPCIÓN Y APLICACIÓN V(BR)DSS RDS(ON) ID PD R thJC Case

El IR2110 es de alto voltaje, MOSFET de potencia

de alta velocidad y Controladores IGBT con Memoria de
2110 0.3 V 100 °C/W 2A 1.6 W 74 °C/W
canales de salida con referencia lateral alta y baja calculadora
independientes.
 Transistor IGBT (Código: IRG4PC40W)

Medida CE EC CG GC GE EG

VALOR OL OL OL OL OL OL

Con ayuda del manual “International Rectifier”, complete la siguiente tabla:

IR DESCRIPCIÓN Y APLICACIÓN VCES VCE(ON) IC(250C) IC(1000C) PD Case

El IR2113 es un poder de alta tensión y
alta velocidad controlador MOSFET e
IGBT con alto independiente y canales de Memoria de
2113 salida con bajo nivel de referencia. 10 V 20 V 0.5A 2.5A 1.25W
calculadora

2.5. GRÁFICOS DE TIPOS DE ENCAPSULADOS

Dibuje los encapsulados de los transistores utilizados así también solicite al

profesor los Transistores de muestra; determine los nombres de cada terminal
y efectúe pruebas para detectar su estado.

a) Encapsulado: Terminales y Símbolo: Tabla de pruebas:

Terminales TO3
BC OL
CB 0.8
BE OL
EB 0.8
CE OL
EC 0.8

b) Encapsulado: Terminales y Símbolo: Tabla de pruebas:

Terminales TO 92
BC OL
CB 0.8
BE OL
EB 0.8
CE OL
EC OL
c) Encapsulado: Terminales y Símbolo: Tabla de pruebas:

Terminales TO 92
BC OL
CB 0.8
BE 0.8
EB 0.8
CE OL
EC 0.8

2.6. PREGUNTAS

De la experiencia con Tiristores

a) ¿Cuáles conclusiones tiene respecto a las medidas tomadas en Ítem

1 “Lectura de Hoja de Datos”?. ¿Utilidad de Vpico, IAV y IRMS?

Podemos concluir que en la lectura de hojas de datos, podemos

identificar el Vpico, su utilidad es la tensión máxima que llega; IAV
es la corriente de valor nominal y el IRMS es la corriente de valor
eficaz que puede soportar.

b) Respecto del Ítem 2?. ¿Qué información nos proporciona la medida

en escala de diodos? ¿Cuál es la conclusión de todas las medidas
efectuadas?

Nos proporciona los valores máximos que tiene cada diodo y

podemos concluir que nos ayuda a identificar cuál de los diodos
tiene una mayor escala

c) Respecto del Ítem 3? ¿Qué información nos proporciona la medida en

escala de ohm? ¿Conclusión de todas las medidas?.

Nos proporciona que diodo tiene una mayor resistencia de cada

uno y se puede concluir cual de los diodos tiene una resistencia
muy alta de todas.

d) ¿Por qué existen diversos tipos de encapsulados?.

En el mundo existen diversos tipos de encapsulamiento debido al

tipo de avance en cuanto a la fabricación de las placas
electrónicas para los diversos dispositivos a crear, en los tipos
remotos antecesores, los tipos de encapsulamiento variaban
según los avances que se daban hasta hoy en la actualidad se
 puede apreciar la mescla de diversos componentes que tienen
distintos tipos de encapsulamiento, por otro lado el
encapsulamiento está ligado con el tipo de escala de dicho
componente por eso se puede apreciar en distintos componentes
electrónicos los CI con mayor grado de composición tienen a
tener un tipo de encapsulamiento más eficaz.

f) ¿Aplicación del Heat Sink?..

Se le utiliza para bajar la temperatura de dispositivos eléctricos,
como las computadoras

g) ¿Aplicación del RC Snubber?. Dibuje el encapsulado del SEMIPACK

SKKT41/600 y el RC Snubber con el que debe trabajar.

RC snubber se le aplica en todos los interruptores electrónicos

SEMIPACK SKKT41/600

De la experiencia con Transistores:

a)¿Qué conclusión tiene de las Tablas de pruebas realizadas?.

Podemos concluir que en la tabla de puedes se puede verificar la

resistencia de los pin de cada transistor

d)¿Por qué es importante saber la temperatura ambiente del lugar de

trabajo?.

Esto debido que los transistores al momento de trabajar, esta

aumentara de temperatura y al momento de estar en un lugar con
un alta temperatura este transistor podría quemarse

e)¿Cuáles de los Transistores tiene menor tiempo de t0ff?. ¿Cuál de los

transistores tiene menor tr?. ¿Cuál de los transistores tiene mayor
velocidad de conmutación?. Compare valores de c/u. Consulte con
bibliografía para comprobar.

f)¿Cuál de los transistores consume mayor corriente de control?.

El Transistor MOSFET (Código TRF9610)

g) Teóricamente, ¿Cuánto es tr, td(on), td(off) y tf del IGBT de código

IRG4PC40W?.

tr = 22 ns
td(on) = 25 ns
 td(off) = 170 ns
tf = 120 ns

3. OBSERVACIONES

 Se pudo observar que los pins de cada transistor medido tiene un

valor OL, esto debido a que puede ser que los pin estén en mal
estado o se hubo sobrecarga en los transistores.

 Se pudo observar que cada transistor tiene un tipo de encapsulado,

debido al tipo de fabricación que tiene cada uno y el tipo de trabajo
que realizara estos transistores

4. CONCLUSIONES

 Se concluyó que se trabajó sobre cada transistor para que luego se

aplicada en caso reales.

 Se concluyó que las tablas de pruebas de cada transistor nos ayuda

a comparar cuál de los diodos contiene más ohm y verificar si los
pins estén en mejores condiciones

 Se necesita conocer los conceptos de cada transistor para poderlo

aplicarlo y plasmarlo en cada modelo.

5. APLICACIONES

En una hoja adicional, dibuje un circuito que permita efectuar pruebas de

los Tiristores “en caliente”. Dicho circuito debe ser portátil y tener bornes
de conexión para instalar el tiristor de prueba, borne para alimentación
de línea y lámpara incandescente.

En hoja adicional, dibuje un circuito que nos permita comprobar el

estado de un transistor de cualquier tipo “en caliente”. El circuito
implementado, debe tener la característica de ser portátil, bornes para
conectar los terminales del transistor a probar, lámpara de 24VDC,
bornes para la alimentación, interruptor de selección “tipo de transistor”,
etc.
6. RECOMENDACIONES

 Comprobar el buen funcionamiento de los materiales que se van a usar en la

práctica.

 Tomar las debidas precauciones el momento de conectar los circuitos a la red

eléctrica.

 Consultar las hojas de especificaciones de los diferentes elementos para su

buen conectado en el circuito.

7. REFERENCIA BIBLIOGRAFICA

 http://www.alldatasheet.com/

 http://www.kitelectronica.com/2016/02/prueba-scr.html

 http://cursos.mcielectronics.cl/escogiendo-el-encapsulado-correcto-1/
8. ANEXOS