SISTEMAS DIGITALES II

LABORATORIO N º 8
MEMORIA ROM
Objetivo: Esta práctica tiene como objetivo el manejo de la memoria ROM tipo
EEPROM 2816 donde se realizaran los ciclos de lectura y escritura conforme a las
características del C.I. seleccionado.

Fundamento teórico:

Una memoria ROM contiene datos almacenados en forma permanente o semi

permanente. Una memoria ROM almacena datos que pueden ser usados repetidamente
en aplicaciones de sistemas electrónicos tales como tablas, conversiones o instrucciones
programadas para inicialización de un sistema micro computarizado.
La memoria ROM retiene datos almacenados cuando se corta la energía y por tanto son
memorias no volátiles.
La memoria ROM de máscara es el tipo de memoria que se programa en el momento de
la fabricación del C.I. La PROM es el tipo de memoria en la cual los datos son
almacenados por el usuario con la ayuda de equipo especializado. La UVPROM es
programada eléctricamente por el usuario pero los datos pueden ser borrados por
exposición a rayos ultra violeta sobre un periodo de varios minutos. La EEPROM que
puede ser escrita y leída en forma eléctrica puede ser borrada en milisegundos.

MEMORIA EEPROM 2816

La memoria 2816 desarrollada inicialmente por INTEL es una memoria EEPROM de

16384 bits, que puede ser leída con una tensión de alimentación de 5 V y escrita y
borrada con un pulso de 21 V.
La memoria 2816 posee 11 líneas de direccionamiento y 8 líneas de entrada/salida de
datos.
 Diagrama funcional memoria 2816

Pin out de la memoria 2816 Identificación de los pines

Ciclo de lectura de la memoria EEPROM 2816

Las líneas de control CE y OE deben encontrase en nivel lógico BAJO para obtener
información del chip. Los datos están disponibles en las salidas después de un retardo de
tiempo toe asumiendo que las direcciones están estables y CE se encuentra en nivel
lógico bajo.
Ciclo de escritura de la memoria EEPROM 2816

Para escribir en una posición de memoria particular se debe primero borrar la posición
de memoria correspondiente. El borrado se logra aplicando un 1 lógico a los pines de
datos, poniendo en BAJO el pin CE y aplicando un pulso de 21 V a Vpp.

Procedimiento:

1. Realice el armado del circuito que permita leer el contenido de la memoria

EEPROM 2816.
2. Realice una tabla de diez direcciones diferentes donde se lean los datos binarios.
3. Cumpla los ciclos de lectura que se especifican para la memoria ROM.
4. Es recomendable que se cuente con la hoja de datos completa de la memoria
2816.