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Práctica 5
Polarizacón en DC del Transistor BJT
Arpi S. Braulio

Abstract—Mediante las distintas polarizaciónes del transistor B. Estudiante

BJT obtenemos resultados y funcionamientos diferentes que
depende mucho de las caracteristicas de fabricación del transistor • Multı́metro.
y de condiciones en la que este se encuentra. • 4 Transistores 2N 3904.
• Protoboard.
Index Terms—Transistor BJT, Polarización Fija, Polarización
Estabilizado en el Emisor, Polarización con Retroalimentación, • Cables de Conexión.
Polarización por divisor de Voltaje. • Resistencias (Calculadas):(2.9kΩ,47Ω,22kΩ,29Ω,21Ω,39kΩ).
• Cautı́n.
• Datasheet Transistor 2N 3904
I. I NTRODUCCI ÓN

E N la siguiente práctica mediante las cuatro distintas

polarizaciónes en un transistor BJT 2N 3904 con ciertas
condiciones iniciales, se plantea ecuaciones ya sea por mallas A. Transistor Bipolar
IV. S USTENTO T E ÓRICO

o por nodos para encontrar los valores de las resistencias que 1) Definición: [1] El transistor de unin bipolar (del
necesita el circuito para funcionar con las espeficaciones ya inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un
planteadas. dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sı́, que permite controlar
el paso de la corriente a través de sus terminales. La
II. O BJETIVOS denominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
Objetivo General:
•
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son
– Analizar y comparar los diversos tipos de circuitos de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
de polarización para un transistor BJT. ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
• Objetivos Especifcos: El transistor bipolar es el más común de los transistores, y
– Definir el concepto y utilidad de un circuito de como los diodos, puede ser de Germanio o Silicio.
polarización para un transistor BJT.
– Conocer los diversos tipos de polarización. En ambos casos el
– Analizar y calcular un circuito de polarización. dispositivo tiene 3 patillas
– Determinar mediante cálculos y mediciones, el punto y son: el Emisor, la Base
de operación de un transistor BJT. y el Colector.
– Analizar y comparar la dependencia del factor beta, Existen dos tipos
en un circuito de polarización. transistores: el NPN y
– Comparar y analizar el comportamiento de los dis- el PNP, y la dirección del
tintos circuitos de polarización, en función de la Figure 1. 2N 3904. flujo de la corriente en
estabilidad del punto de trabajo. cada caso, lo indica la
– Identificar, conectar y comprobar correctamente el flecha que se ve en la figura 2 de cada tipo de transistor.
funcionamiento de un transistor.
2) Funcionamiento: El
transistor es un dispositivo
III. M ATERIALES de 3 patillas con los
siguientes nombres: Base
A. Laboratorio (B), Colector (C) y Emisor
Fuente de Corriente Continua. (E), coincidiendo siempre,
Figure 2. Pines del Transistor 2N 3904. el emisor, con la patilla
Fecha de entrega: Miercoles 4 de Noviembre de 2015, Universidad de que tiene la flecha en la
Cuenca, Facultad de Ingenierı́a, Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones,
Electrónica Analógica, (e-mail: www.ucuenca.edu.ec). figura 2 de transistor.
Plataforma virtual, (e-Virtual.ucuenca.edu.ec).
 2

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto
quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente
por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor)
, una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama
amplificación.
Este factor se llama β (beta) y es un dato propio de cada
transistor.
Entonces:
• IC (corriente que pasa por la patilla colector) es igual
a β (factor de amplificación) por IB (corriente que pasa
por la patilla base).
• IC = β ∗ IB
• IE (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a
(β + 1) ∗ IB , pero se redondea al mismo valor que IC ,
sólo que la corriente en un caso entra al transistor y en
el otro caso sale de él, o viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del
constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la
vida útil del portador minoritario del semiconductor, para
minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la
base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.
B. Porcentaje de Variación
Es el valor del porcentaje que varia los valores calculados
con los medidos para obtener una idea de la efectividad del
circuito. La formula 1 muestra como se calcula.
V alorcalculado − V alormedido
%V ariacion = 100% (1)
V alorcalculado
V. D ESARROLLO DE LA P R ÁCTICA
A. Completar la siguiente tabla, en relación a los circuitos de
polarización.

N
IO´
voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo Ecuación Ecuación Ecuación Punto de

AC
para la para la para la Saturación

Z
hace y la corriente IB cambia ligeramente cuando se cambia

RI
IB = VCE = IC = ICSAT =
Vcc. Ver figura LA
PO

En la figura 3 las corrientes de base (IB ) son ejemplos Circuito de

VCC −VBE VCC
para poder entender que a más corriente la curva es más alta. Polarización RB
VCC −IC RC βIB RC
Fija

Circuito de
VCC −VBE VCC
Polarización VCC −IC (RC +RE ) βIB
En una configuración Estabilizado
RB +(β+1)RE RC

normal, la unión base- en el Emisor

Circuito de
emisor se polariza en Polarización VT h −VBE
VCC −IC (RC +RE ) βIB VCC
RT h +(β+1)RE RC
directa y la unión base- por Divisor de
Voltaje
colector en inversa. Debido Circuito de
a la agitación térmica los Polarización VCC −VBE
RB +β(RC +RE )
VCC −IC (RC +RE ) βIB VCC
RC
DC por
portadores de carga del Retroali-
emisor pueden atravesar mentación de
Voltaje
la barrera de potencial
emisor-base y llegar
a la base. A su vez,
Figure 3. Curva de I de 2N 3904. B. Regular VCC = 10V , en la fuente de alimentación vari-
prácticamente todos los
able, disponible en el laboratorio. Defina un valor para la
portadores que llegaron
intensidad de colector de saturacin ICSAT , a emplearse en
son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la
los cálculos, tome en cuenta que la máxima intensidad de
base y el colector.
colector para el transistor 2N 3904 es 200mA. (Sugerencia:
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos
emplee un valor de hasta 20mA).
con la región del ánodo compartida. En una operación tı́pica,
la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión Los valores de ICSAT y VCC , definidos, se emplearán para
base-colector está polarizada en inversa. En un transistor todos los circuitos de polarización.
NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada ICSAT = 100mA
en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores
VCC = 10V
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la
región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones
C. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA
excitados térmicamente inyectarse en la región de la base.
Estos electrones ”vagan” a través de la base, desde la región Transistor hF E (beta)
de alta concentración cercana al emisor hasta la región de Q1 300
Table I
baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la G ANANCIA β DEL TRANSISTOR .
base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base está dopada con material P, los cuales generan ”huecos”
como portadores mayoritarios en la base. 1) Empleando la opción hF E , del multı́metro, determine
La región de la base en un transistor debe ser la ganancia del transistor 2N 3904. Complete la Tabla I.:
 3

2) Para el circuito de polarización fija de la figura 4. En la Malla 1 de entrada tenemos:

Defina el punto de trabajo del transistor en Q( VCC
2 ;
ICsat
2 ) IB RB + VBE = VCC
de acuerdo a los valores fijados en el punto B.: Como los
valores definidos tomamos como: Remplazamos por los valores iniciales:
10V 200mA 10V − 0.7V
Q( ; ) RB =
2 2 333µA
Q(5V ; 100mA) RB = 27.9kΩ
En la Malla 2 de salida tenemos:
IC RC + VCE + VCE = VCC
1) Realice los cálculos necesarios y determine los valores
Despejamos RC :
de las resistencias para establecer el punto de trabajo
requerido. Armar el circuito de polarización, medir ICQ VCC − VCE
RC =
; VCEQ . (Incluir los cálculos realizados en el informe). IC
Completar la tabla III. Como valores iniciales para Remplazamos por los valores iniciales:
10V − 5V
RC =
100mA
RC = 50Ω
Con la tabla II podemos armar el circuito de la figura
Resistencia Valor
RB 27.9kΩ
RC 50Ω
Table II
R ESISTENCIAS C ALCULADAS DEL CIRCUITO DE LA FIGURA 4.

5.
Con los valores establecidos procedemos a medir

Figure 4. Circuito de Polarización Fija.

resolver el circuito tenemos:

VCE = 5V

IC = 100mA

β = 300

VCC = 10V

VBE = 0.7V
Por la relación del transistor podemos obtener IB e IE :
IC
IB =
β Figure 5. Circuito de Polarización Fija Calculado.
100mA
IB = VCE ,IC e IB . como se muestra en la simulación de la
300 figura 6.
IB = 333µA Comparamos con los valores obtenidos en el Laborato-
rio de la figura 7. Para calcular el porcentaje de Variación
IE = IB + IC
utilizamos la furmula 1.
IB es muy pequeño por lo tanto: 0.1A − 0.1027A
%deV ariacion(ICQ ) = ( )100 = −2.7%
0.1A
IE = IC
5V − 4.86V
%deV ariacion(VCEQ ) = ( )100 = 2.8%
IE = 100mA 5V
 4

Figure 9. Circuito Polarización fija con variación de Temperatura.

Para calcular el porcentaje de variación utilizamos la

Figure 6. Circuito de Polarización Fija Simulado.
ecuacion 1 entre el valor inicial y el valor a una
temperatura determinada.
Tiempo t(s) Temperatura (◦ C) Parámetros Valores % de Variación
Medidos
ICQ 102.7mA 0%
0s 26◦ C
VCEQ 4.86V 0%

ICQ 95mA 7.5%

30s 156◦ C
VCEQ 5.21V −7.2%

Table IV
VARIACI ÓN DEL P UNTO DE T RABAJO DEBIDO A LA T EMPERATURA .

4) A partir de los resultados obtenidos, en las tablas III

y IV. Realice un análisis del comportamiento de un
circuito de polarización fija.
Figure 7. Circuito de Polarización Fija Práctico.
Observamos que el circuito tiende a cambiarase de
Parámetros Valores Valores acuerdo a la temperatura como observamos en la tabla
Medidos Medidos
ICQ 102.7mA −2.7%
IV tenemos un ligero cambio a sus valores. Donde la
VCEQ 4.86V 2.8% corriente tiende a decaer y su potencial tiende a crecer
Table III
M EDICI ÓN DE P UNTO DE T RABAJO DEL C IRCUITO 5.
cuando la temperatura se incrementa de la temperatura
ambiente a una muy elevada.

2) Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor,

acotar los puntos: Saturación, Corte y Trabajo (Medido D. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADON EN
y Calculado). EMISOR

Transistor hF E (beta)
Q1 300
Table V
G ANANCIA β DEL TRANSISTOR .

1) Empleando la opción hF E , del multı́metro, determine

la ganancia del transistor 2N 3904. Complete la Tabla V:
2) Para el circuito de polarización fija de la figura 4.
Defina el punto de trabajo del transistor en Q( VCC2 ;
ICsat
2 )
de acuerdo a los valores fijados en el punto B.: Como los
valores definidos tomamos como:

Figure 8. Recta de carga de Polarización Fija.

10V 200mA
Q( ; )
2 2
3) Conectar y acercar el cautı́n al transistor. Medir Q(5V ; 100mA)
Q(5V ; 100mA); de acuerdo al incremento de temper-
atura. Acotar la nueva ubicación del punto de trabajo,
en el gráfico del punto anterior. Completar la tabla IV.
 5

RB
1) Realice los cálculos necesarios y determine los valores + RE = 93 (2)
de las resistencias para establecer el punto de trabajo 300
requerido. Armar el circuito de polarización, medir ICQ Para la Malla 2 que es la malla de salida se plantea la
; VCEQ . (Incluir los cálculos realizados en el informe). siguiente ecuación:
Completar la tabla VII.
Como valores iniciales para resolver el circuito tenemos: IC RC + IE RE + VBE = VCC
IE = IC
VCE = 5V
IC = 100mA Dejando en las variables de las resistencias RC y RE ,
y con los valores iniciales tenemos:
β = 300
VCC − VCE
RC + RE =
VCC = 10V IC
VBE = 0.7V RC + RE = 50 (3)
Por la relación del transistor podemos obtener IB e IE : Para la Malla 3 tenemos la siguiente ecuación.
IC
IB = IB RB + VBE − VCE − IC RC = 0
β
100mA Dejando en función de nuestras variables RB y RC , y
IB = con los valores iniciales tenemos:
300
IB = 333µA RB VCE − VBE
− RC =
β IC
IE = IB + IC
RB
IB es muy pequeño por lo tanto: − RC = 43 (4)
300
IE = IC Ahora de las ecuaciones 2, 3 y 4 obtenemos los sigu-
ientes valores de las resistencias.
IE = 100mA
Resistencia Valor
RB 27.9kΩ
RC 49.7Ω
RE 0.13Ω
Table VI
R ESISTENCIAS C ALCULADAS DEL CIRCUITO DE LA FIGURA 10.

Con la tabla VI podemos armar el circuito de la figura

11.
Con los valores establecidos procedemos a medir

Figure 10. Circuito de Polarización Estabilizador Emisor.

Para la Malla 1 que es la malla de entrada se plantea

la siguiente ecuación:

IB RB + IE RE + VBE = VCC
RE y RB son nuestras variables por lo que remplazamos
por los valores iniciales obtenemos la ecuación:
RB VCC − VBE
+ RE = Figure 11. Circuito de Polarización Fija Calculado.
β IC
 6

VCE ,IC e IB . como se muestra en la simulación de la

figura 12.
Comparamos con los valores obtenidos en el Labo-

Figure 14. Recta de carga de Estabilizado en Emisor.

Figure 12. Circuito de Polarización Fija Simulado.

ratorio de la figura 13. Para calcular el porcentaje de

Figure 15. Circuito Polarización Estabilizado en Emisor con variación de
Temperatura.

Para calcular el porcentaje de variación utilizamos la

ecuacion 1 entre el valor inicial y el valor a una
temperatura determinada.
Tiempo t(s) Temperatura (◦ C) Parámetros Valores % de Variación
Medidos
ICQ 82.7mA 0%
0s 26◦ C
VCEQ 5.82V 0%

ICQ 73.1mA 11.6%

60s 172◦ C
VCEQ 6.3V −8.25%

Figure 13. Circuito de Polarización Estabilizado en Emisor Práctico. Table VIII

VARIACI ÓN DEL P UNTO DE T RABAJO DEBIDO A LA T EMPERATURA .
Variación utilizamos la furmula 1.
0.1A − 82.7mA
%deV ariacion(ICQ ) = ( )100 = 17.3% 4) A partir de los resultados obtenidos, en las tablas VII
0.1A y VIII. Realice un análisis del comportamiento de un
5V − 5.82V circuito de polarización fija.
%deV ariacion(VCEQ ) = ( )100 = −16.4%
5V Observamos que el circuito tiende a cambiarase de
acuerdo a la temperatura como observamos en la tabla
Parámetros Valores Valores IV tenemos un ligero cambio a sus valores. Donde la
Medidos Medidos
ICQ 82.7mA 17.3%
corriente tiende a decaer y su potencial tiende a crecer
VCEQ 5.82V −16.4% cuando la temperatura se incrementa de la temperatura
Table VII ambiente a una muy elevada.
M EDICI ÓN DE P UNTO DE T RABAJO DEL C IRCUITO 11.

2) Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor,

acotar los puntos: Saturación, Corte y Trabajo (Medido E. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN DC POR RETROALI-
y Calculado). MENTACIÓN DE VOLTAJE
3) Conectar y acercar el cautı́n al transistor. Medir
Q(5V ; 100mA); de acuerdo al incremento de temper- Transistor hF E (beta)
Q1 300
atura. Acotar la nueva ubicación del punto de trabajo, Table IX
en el gráfico del punto anterior. Completar la tabla IV. G ANANCIA β DEL TRANSISTOR .
 7

1) Empleando la opción hF E , del multı́metro, determine

la ganancia del transistor 2N 3904. Complete la Tabla IX:
2) Para el circuito de polarización fija de la figura 4.
Defina el punto de trabajo del transistor en Q( VCC2 ;
ICsat
2 )
de acuerdo a los valores fijados en el punto B.: Como los
valores definidos tomamos como:
10V 200mA
Q( ; )
2 2
Q(5V ; 100mA)

1) Realice los cálculos necesarios y determine los valores

de las resistencias para establecer el punto de trabajo
requerido. Armar el circuito de polarización, medir ICQ
; VCEQ . (Incluir los cálculos realizados en el informe).
Completar la tabla XI.
Como valores iniciales para resolver el circuito tenemos: Figure 16. Circuito de Polarización Fija.

VCE = 5V Para la Malla 2 que es la malla de salida se plantea la

IC = 100mA siguiente ecuación:

β = 300 IC RC + IE RE + VBE = VCC

VCC = 10V IE = IC

VBE = 0.7V Dejando en las variables de las resistencias RC y RE ,

y con los valores iniciales tenemos:
Por la relación del transistor podemos obtener IB e IE : VCC − VCE
IC RC + RE =
IB = IC
β RC + RE = 50 (6)
100mA
IB = Para la Malla 3 tenemos la siguiente ecuación.
300
IB = 333µA IB RB + VBE − VCE = 0
Dejando en función de nuestras variables RB , y con los
IE = IB + IC
valores iniciales tenemos:
IB es muy pequeño por lo tanto: VCE − VBE
RB = β
IC
IE = IC
RB = 12.8kΩ (7)
IE = IC0
Ahora de las ecuaciones 5, 6 y 7 obtenemos los sigu-
IC0 = IC ientes valores de las resistencias.

IE = 100mA Resistencia Valor

RB 12.9kΩ
RC 49.7Ω
Para la Malla 1 que es la malla de entrada se plantea RE 0.13Ω
la siguiente ecuación: Table X
R ESISTENCIAS C ALCULADAS DEL CIRCUITO DE LA FIGURA 16.
IC 0 RC + IB RB + IE RE + VBE = VCC
RE y RB son nuestras variables por lo que remplazamos Con la tabla X podemos armar el circuito de la figura
por los valores iniciales obtenemos la ecuación: 17.
Con los valores establecidos procedemos a medir
RB VCC − VBE VCE ,IC e IB . como se muestra en la simulación de la
RC + + RE =
β IC figura 18.
RB Comparamos con los valores obtenidos en el Labo-
RC + + RE = 93 (5) ratorio de la figura 19. Para calcular el porcentaje de
300
 8

Figure 19. Circuito de Polarización DC por Retroalimentación Práctico.

2) Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor,

acotar los puntos: Saturación, Corte y Trabajo (Medido
y Calculado).

Figure 17. Circuito de Polarización DC por Retroalimentación.

Figure 20. Recta de carga de Polarización de Retroalimentación.

3) Conectar y acercar el cautı́n al transistor. Medir

Q(5V ; 100mA); de acuerdo al incremento de temper-
atura. Acotar la nueva ubicación del punto de trabajo,
en el gráfico del punto anterior. Completar la tabla IV.

Figure 18. Circuito de Polarización DC por Retroalimentación Simulado.

Variación utilizamos la furmula 1.

0.1A − 110.2mA
%deV ar(ICQ ) = ( )100 = −10.2%
0.1A Figure 21. Circuito Polarización DC por Retroalimentación con variación de
Temperatura.
5V − 4.48V
%deV ar(VCEQ ) = ( )100 = 10.4%
5V Para calcular el porcentaje de variación utilizamos la
ecuacion 1 entre el valor inicial y el valor a una
Parámetros Valores Valores temperatura determinada.
Medidos Medidos
ICQ 110.2mA −10.2% 4) A partir de los resultados obtenidos, en las tablas XI
VCEQ 4.48V 10.4% y XII. Realice un análisis del comportamiento de un
Table XI
M EDICI ÓN DE P UNTO DE T RABAJO DEL C IRCUITO 17. circuito de polarización fija.
Observamos que el circuito tiende a cambiarase de
acuerdo a la temperatura como observamos en la tabla
 9

Tiempo t(s) Temperatura (◦ C) Parámetros Valores % de Variación

Medidos IR1 + IC = IR2 + IE
ICQ 110.2mA 0%
0s 26◦ C
VCEQ 4.48V 0%
IB es muy pequeño por lo tanto:
ICQ 131.4mA −19.24%
30s 129◦ C
VCEQ 3.47V 22.54%
IE = IC
Table XII
VARIACI ÓN DEL P UNTO DE T RABAJO DEBIDO A LA T EMPERATURA .
IE = 100mA

IR1 = IR2 = I
XII tenemos un ligero cambio a sus valores. Donde la Para poder resolver el ejercicio nos planteamos una
corriente tiende a decaer y su potencial tiende a crecer reliacion de resistencias, en este caso hacemos que
cuando la temperatura se incrementa de la temperatura 2R1 = R2 .
ambiente a una muy elevada.

F. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE

VOLTAJE

Transistor hF E (beta)
Q1 300
Table XIII
G ANANCIA β DEL TRANSISTOR .

1) Empleando la opción hF E , del multı́metro, determine

la ganancia del transistor 2N 3904. Complete la Tabla XIII:
2) Para el circuito de polarización fija de la figura 4.
Defina el punto de trabajo del transistor en Q( VCC2 ;
ICsat
2 )
de acuerdo a los valores fijados en el punto B.: Como los
valores definidos tomamos como:
10V 200mA
Q( ; )
2 2 Figure 22. Circuito de Polarización Fija.
Q(5V ; 100mA)
Para la Malla 1 que es la malla de entrada se plantea
la siguiente ecuación en un circuito equivalente de
Thevenin tanto Voltaje (VT h ) y Resistencia (RT h ):
1) Realice los cálculos necesarios y determine los valores Tomamos muy en cuenta la relación de R1 y R2 . Para
de las resistencias para establecer el punto de trabajo el voltaje:
requerido. Armar el circuito de polarización, medir ICQ
; VCEQ . (Incluir los cálculos realizados en el informe). R2 VCC
VT h =
Completar la tabla XV. R1 + R2
Como valores iniciales para resolver el circuito tenemos:
20V
VT h = = 6.667V
VCE = 5V 3
Para la resistencia:
IC = 100mA
R1 R2
β = 300 RT h =
R1 + R2
VCC = 10V 2R1
RRh =
VBE = 0.7V 3
La ecuación correspondiente a la malla 1 que es la de
Por la relación del transistor podemos obtener IB e IE :
entrada serı́a:
IC
IB =
β IB RT h + VBE + IE RE = VT h
100mA
IB = Remplazando los valores obtenidos de VT h y RT h
300 obtenemos la siguiente ecuación:
IB = 333µA
2R1 200
IE = IB + IC + RE = (8)
3 3
 10

Para la Malla 2 que es la malla de salida se plantea la

siguiente ecuación:

IC RC + IE RE + VBE = VCC
IE = IC
Dejando en las variables de las resistencias RC y RE ,
y con los valores iniciales tenemos:
VCC − VCE
RC + RE =
IC
RC + RE = 50 (9)
Para la Malla 3 entre R1 ,RC yVCB tenemos la siguiente
ecuación.
IR1 R1 + VBE − VCE − IC RC = 0
Remplazando los valores iniciales tenemos: Figure 23. Circuito de Polarización por Divisor de Tensión.

10IR1 + RC = 43 (10)
Para la Malla 4 entre R2 ,RE yVBE tenemos la siguiente
ecuación.
IR2 R2 − VBE − IE RE = 0
Remplazando los valores iniciales tenemos:
20IR1 − RE = 7 (11)
Ahora de las ecuaciones ??, 9, 10 y 11 obtenemos los
siguientes valores de las resistencias.
Resistencia Valor
R1 20.55kΩ
R2 41.1kΩ
RC 29Ω
RE 21Ω
Table XIV Figure 24. Circuito de Polarización por Divisor de Tensión Simulado.
R ESISTENCIAS C ALCULADAS DEL CIRCUITO DE LA FIGURA 22.

3) Conectar y acercar el cautı́n al transistor. Medir

Con la tabla X podemos armar el circuito de la figura Q(5V ; 100mA); de acuerdo al incremento de temper-
23. atura. Acotar la nueva ubicación del punto de trabajo,
Con los valores establecidos procedemos a medir en el gráfico del punto anterior. Completar la tabla XVI.
VCE ,IC e IB . como se muestra en la simulación de la
figura 24. Para calcular el porcentaje de variación utilizamos la
Comparamos con los valores obtenidos en el Labo- ecuacion 1 entre el valor inicial y el valor a una
ratorio de la figura 25. Para calcular el porcentaje de temperatura determinada.
Variación utilizamos la furmula 1. 4) A partir de los resultados obtenidos, en las tablas XV
0.1A − 108mA
%deV ariacion(ICQ ) = ( )100 = −8.4%
0.1A
5V − 4.58V
%deV ariacion(VCEQ ) = ( )100 = 8.4%
5V

Parámetros Valores Valores

Medidos Medidos
ICQ 108mA −8.4%
VCEQ 4.58V 8.4%
Table XV
M EDICI ÓN DE P UNTO DE T RABAJO DEL C IRCUITO 17.

2) Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor,

acotar los puntos: Saturación, Corte y Trabajo (Medido
y Calculado). Figure 25. Circuito de Polarización por Divisor de Tensión Práctico.
 11

• En las gráficas de la recta de carga observamos que los

valores medidos pueden no ser exactos al punto de carga
pero no se sale de la recta de carga.

R EFERENCES
[1] R. L. Boylestad and L. Nashelsky, Electrónica: teorı́a de circuitos y
dispositivos electrónicos. PEARSON educación, 2003.

VII. BIOGRAF ÍA

Braulio V. Arpi, nació
en Cuenca Ecuador el 2
Figure 26. Recta de carga de Polarización por Divisor de Tensión. de marzo de 1994. Realizó
sus estudios secundarios
en el Colegio Nacional
Técnico Guillermo Mensi,
donde obtuvo el tı́tulo
de Bachiller Técnico
Industrial Especialización:
Electrónica. Actualmente
cursa el Quinto Semestre
en la carrera de Ingeniera en Electrónica y Telecomunicaciones
en la Universidad de Cuenca.

Figure 27. Circuito Polarización DC por Retroalimentación con variación de

Temperatura.

Tiempo t(s) Temperatura (◦ C) Parámetros Valores % de Variación

Medidos
ICQ 108mA 0%
0s 26◦ C
VCEQ 4.58V 0%

ICQ 131mA −20.84%

30s 129◦ C
VCEQ 3.4V 23.76%

Table XVI
VARIACI ÓN DEL P UNTO DE T RABAJO DEBIDO A LA T EMPERATURA .

y XVI. Realice un análisis del comportamiento de un

circuito de polarización fija.
Observamos que el circuito tiende a cambiarase de
acuerdo a la temperatura como observamos en la tabla
XVI tenemos un ligero cambio a sus valores. Donde la
corriente tiende a decaer y su potencial tiende a crecer
cuando la temperatura se incrementa de la temperatura
ambiente a una muy elevada.

VI. C ONCLUSIONES
• Con los valores obtenidos de IC sat del catalogo
(Datasheet) y nuestras valores iniciales podemos diseñar
el circuito de amplificación.
• La ganancia del transistor BJT (β) es diferente para cada
transistor sin importar el fabricante de este.
• Para el circuito de Polarización por Divisor de Tensión
para poder calcular las resistencias nos imponemos una
relación entre R1 y R2 .
• En cualquier circuito mediantes mallas o nodos podemos
obtener las ecuaciones necesarias para calcular con nues-
tras condiciones en la recta de carga.