Anda di halaman 1dari 15

# LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA TELEKOMUNIKASI

PERCOBAAN NOMOR 4a :
Bias Transistor

Disusun Oleh :
Telekomunikasi TK 1A/04

## JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI
POLITEKNIK NEGERI SEMARANG
2017/2018
DAFTAR ISI

## HALAMAN JUDUL .............................................................................................. i

DAFTAR ISI .......................................................................................................... ii
JOBSHEET.............................................................................................................1
1. Tujuan....................................................................................................1
2. Dasar Teori ...........................................................................................2
3. Alat dan Bahan ......................................................................................3
4. Langkah Percobaan ...............................................................................4
DATA HASIL PERCOBAAN...............................................................................5
A. Tabel rangkaian bias tetap .................................................................................6
B. Tabel rangkaian collector to base bias ...............................................................7
C. Tabel rangkaian voltage divider bias .................................................................8

## ANALISIS DATA, PERHITUNGAN dan PEMBAHASAN ............................16

1. Analisis DC secara teori .....................................................................17
A. rangkaian bias tetap .......................................................................18
B. rangkaian collector to base bias ....................................................19
C. rangkaian voltage divider bias.......................................................20
2. Analisis besar β ...................................................................................21
A. rangkaian bias tetap ......................................................................22
B. rangkaian collector to base bias ...................................................23
C. rangkaian voltage divider bias .....................................................24
3. Menghitung analisis DC dengan hasil perhitungan β .......................27
JAWABAN PERTANYAAN dan TUGAS ........................................................ 37
A. Tugas ............................................................................................ 38
B. Pertanyaan ....................................................................................39
KESIMPULAN .....................................................................................................40
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

PERCOBAAN - 4
BIAS TRANSISTOR

1. Tujuan
Setelah melaksanakan praktikum, menyusun rangkaian, memeriksa rangkaian dan
menganalisa data diharapkan mahasiswa dapat :

a. Menghitung bias transistor untuk fixed bias, self bias, collector to base bias.
b. Mengukur bias transistor untuk fixed bias, self bias, collector to base bias.
c. Merancang kondisi dc pada transistor dengan rangkaian bias transistor untuk fixed
bias, self bias, collector to base bias.

2. Dasar Teori
Pemberian bias DC pada transistor ditujukan untuk mendapatkan level tegangan dan arus
yang tetap. Suatu rangkaian yang menggunakan transistor, perlu ditentukan level tegangan
DC dari rangkaian untuk menentukan titik kerja transistor yang dipakai. Dalam penguat
transistor, level tegangan dan arus yang tetap tersebut akan menempatkan suatu titik kerja
pada kurva karakteristik sehingga menentukan daerah kerja transistor. Daerah kerja
transistor memiliki titik yang biasanya disebut sebagai Quiescent Point. Disamping itu yang
perlu diperhatikan adalah agar titik kerja tidak diletakkan diluar batas maksimum dari arus
maupun tegangan yang sudah ditentukan oleh pabrik agar tidak merusak transistor itu
sendiri.

Agar transistor bekerja pada suatu titik kerja tertentu diperlukan rangkaian bias. Rangkaian
bias ini akan menjamin pemberian tegangan bias pada junction E-B dan B-C dari transistor
dengan benar. Transistor akan bekerja pada daerah aktif bila junction E-B diberi bias maju
dan B-C diberi bias mundur. Dalam praktek dikenal berbagai bentuk rangkaian bias yang
masing-masing mempunyai keuntungan dan kerugian. Kemantapan kerja transistor terhadap
pengaruh temperatur merupakan faktor yang perlu diperhatikan dalam menentukan bentuk
rangkaian bias. Karena perubahan temperatur akan mempengaruhi β (faktor penguatan arus
pada CE) dan arus bocor ICBO
Secara umum ada beberapa teknik bias sederhana yang cukup populer:

a. Fixed Bias

Rangkaian bias tetap cukup sederhana karena hanya terdiri atas dua resistor RB dan RC.
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

Dalam metode ini, resistor RB dengan resistansi tinggi dihubungkan ke basis, sesuai
dengan namanya. Arus basis yang dibutuhkan disediakan oleh VCC yang mengalir
melalui RB. Sambungan base emitor bias maju, karena basis positif terhadap emitor.

Besarnya arus basis yang dibutuhkan ditentukan oleh besarnya resistansi RB yang tepat
karena arus kolektor IC = βIB. Makanya nilai RB harus diketahui. Gambar 4.1 di bawah
ini menunjukkan bagaimana metode bias tetap.

## Gambar 4.1 Fixed bias

I c  I B
atau
Ic
IB 

Dengan menghitung rangkaian tertutup dari VCC, base, emitter and ground, dapat
diterapkan hukum Kirchhoff tegangan,

VCC=IBRB+VBE
Atau

IB.RB=VCC – VBE
Sehingga

Vcc  VBE
RB 
IB
VCC adalah tegangan tertentu yang telah diketahui dan jika IB dipilih pada nilai yang sesuai
maka RB dapat ditentukan langsung, metode ini disebut metode bias tetap.

24
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

## b. Collector to base bias

Rangkaian collector to base bias sama dengan rangkaian bias tetap kecuali resistor basis
RB dihubungkan ke kolektor, bukan ke suplai VCC seperti yang ditunjukkan pada gambar
4.2 di bawah ini.

## Gambar 4.2 Collector to base bias

Rangkaian ini dapat meningkatkan stabilitas secara signifikan. Jika nilai IC meningkat, tegangan
di RL meningkat dan karenanya VCE juga meningkat. Hal ini pada gilirannya akan mengurangi
arus basis IB.
Nilai RB dapat dihitung sebagai berikut.
VRL=(IC+IB)RL≅ICRL
Dari gambar,

ICRL+IBRB+VBE=VCC
Atau

IBRB=VCC−VBE−ICRL
Sehingga

Vcc  VBE  I c RL
RB 
IB

25
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

Karena
I c  I B
maka

IBRB=VCC−VBE−βIBRL
IBRB+βIBRL =VCC−VBE

Sehingga

Vcc  VBE
IB 
RB  RL
c. Voltage Divider Bias

Di antara semua metode pemberian biasing dan stabilisasi, metode bias pembagi
tegangan adalah yang paling baik. Bias diberikan melalui dua resistor R1 dan R2 yang
terhubung ke VCC. Resistor RE yang dipasang di emitor digunakan untuk peningkatan
stabilisasi. Nama pembagi tegangan berasal dari pembagi tegangan yang dibentuk oleh
R1 dan R2. Penurunan tegangan pada resistor maju R2 pada persimpangan base-emitor.
Hal ini menyebabkan arus basis dan arus kolektor arus dalam kondisi sinyal nol. Gambar
4.3 di bawah menunjukkan rangkaian metode bias pembagi tegangan.

## Gambar 4.3 Voltage Divider Bias

26
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

Untuk melakukan analisis dc, perlu dibuat rangkaian ekivalen dari rangkaian tersebut.
Rangkaian bias pembagi tegangan dapat digambarkan rangkaian ekivalennya seperti
gambar 4.4 berikut :

Vcc

IC

Rc

RBB

IB

VBB RE
IE

## Gambar 4.4 Rangkaian ekivalen Voltage Divider Bias

Dengan RBB = R1 // R2

R2
Dan VBB  Vcc
R1  R2

## Sehingga didapat persamaan-persamaan:

VBB=IBRBB+VBE+IERE
Karena

Vcc  VBE
I E  (   1) I B maka I B  sedangkan I C  (   1) I B
RB  (   1) RE

## 3. Alat dan Bahan yang Digunakan

a. Transistor 2N3904 (atau ekivalen); BC 107 (atau ekivalen)
b. Resistor 470; 1K; 5,6K; 15K; 100K; 220K.
c. Multimeter Analog & Digital
d. Catu Daya 12 Volt

27
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

4. Langkah Percobaan
1. Siapkan catu daya ( Power Supply).
2. Pastikan catu daya pada kondisi OFF dan pengatur tegangan pada posisi minimum.
3. Hubungkan catu daya dengan tegangan jala-jala.
4. Siapkan catu daya untuk mencatu rangkaian penguat.
5. Buat rangkaian seperti berikut:

Vcc = + 12 Volt

Rc 1K
RB 220K

Tr1

## Gambar 4.5. Rangkaian bias tetap untuk percobaan 4

6. Dengan menggunakan analisis ekivalen dc, hitunglah terlebih dahulu berapa VB, IC,
dan VCE dengan menganggap hFE =  = 100 .
7. Pindahkan catu daya ke posisi ON, ukurlah besarnya VB, IC, dan VCE dengan
menggunakan volt meter dan amperemeter.
RB =180k Ω
RC = 1,2k Ω
2N3094 BC107
VB 0.68 V 0.67 V
IC 9.78 mA 9.78 mA
VCE 0.158 V 0.160 V

28
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

Vcc = + 12 Volt

Rc 1K

RB 220K

Tr1

## Gambar 4.6. Rangkaian collector to base bias untuk percobaan 4

10. Dengan menggunakan analisis ekivalen dc, hitunglah terlebih dahulu berapa VB, IC,
dan VCE dengan menganggap hFE =  = 100 .
11. Pindahkan catu daya ke posisi ON, ukurlah besarnya VB, IC, dan VCE dengan
menggunakan volt meter dan amperemeter.
RB= 180k Ω
RC= 1.2k Ω
2N3094 BC107
VB 0.64 V 0.638 V
IC 6.08 mA 5.6 mA
VCE 4.4 V 4.8 V

## 13. Buat rangkaian seperti berikut:

29
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

Vcc = + 12 Volt

Rc 1K
R1 15K

R2 5K6 RE 470

## Gambar 4.7. Rangkaian Voltage Divider Bias untuk percobaan 4

14. Dengan menggunakan analisis ekivalen dc, hitunglah terlebih dahulu berapa VB, IC,
dan VCE dengan menganggap hFE =  = 100 .
15. Pindahkan catu daya ke posisi ON, ukurlah besarnya VB, IC, dan VCE dengan
menggunakan volt meter dan amperemeter.

## R1= 15k Ω RC=1.2k Ω

R2= 5k6 Ω RE=560 Ω
2N3094 BC107
VB 0.64 V 0.63 V
IC 4.66 mA 4.66 mA
VCE 3.78 V 4.43

30
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

## VB, dalam mengukur VB kami melakukan kesalahan dikarenakan menghitung VB

dengan cara menghitung VBE yaitu hasilnya 0.64 V atau 0.63 V. Seharusnya
menggunakan rumus VBB = VCC-VBB
VBB = VCC- VBE
= 12- 0.7
=11.3 V
VCC - VBE
IB =
RB
12−0.7 11.3
= =
180000 180000
= 6.277 × 10−5 A
IC = β × IB
= 100 × 6.277 × 10−5
= 6.277 × 10−3 A
Dalam menghitung VCE terdapat perbedaan yang sangat jauh antara praktek dan
teori. Dalam praktek setelah mengukur VCE yang diapatkan hanya berkisar 0.158 –
160 V. Seharusnya :
VCE = VCC – (IC × RC)
= 12 - (6.277 × 10−3 × 1200 )
= 12 - 7.532
= 4.468 V

## VB, dalam mengukur VB kami melakukan kesalahan dikarenakan menghitung VB

dengan cara menghitung VBE yaitu hasilnya 0.64 V atau 0.63 V. Seharusnya
menggunakan rumus VBB = VCC – ( IC x RC) - VBE
VBB = VCC – ( IC x RC) - VBE
= 12 – (3.766 × 10−3 x 1200) – 0.7
= 6.78 V
VCC - VBE
IB =
RB+ (β ×RC)
12−0.7 11.3
= =
180000+(100 ×1200) 300000
= 3.766 × 10−5 A
IC = β × IB
= 100 × 3.766 × 10−5
= 3.766 × 10−3 A
VCE = VCC – (IC + IB) RC
= 12 - (3.766 × 10−3 + 3.766 × 10−5 ) 1200
= 12 - 4.56
= 7.435 V

31
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

## VB, dalam mengukur VB kami melakukan kesalahan dikarenakan menghitung VB

dengan cara menghitung VBE yaitu hasilnya 0.64 V atau 0.63 V. Seharusnya
R2
menggunakan rumus VBB = R2+R1 xVCC
R2
VBB = xVCC
R2+R1
5600
= x12
5600+15000
= 3.26 V
R1×R2 15000 ×5600
RBB = R1// R2 = =
R1+R2 15000+5600
= 4077.67
VBB - VBE
IB =
RBB+ (β + 1) RE
3.26-0.7 2.56
= = =4.22×10-5 A
4077.67+(101 ×560) 60637.67
IE =( β + 1) × IB
= 101 × 4.22×10-5
= 4.262 × 10−3 A
IC = β x IB
-5
= 100× 4.22×10 A
= 4.22×10-3 𝐴
VCE = VCC –( (IC×RC) + (IE× RE))
= 12 - 7.5026
= 4. 497 V

## 5. Tugas dan Pertanyaan

A. Tugas
1. Hitunglah nilai β berdasarkan percobaan.
a. Fixed Bias
𝐼𝐶
Iβ = 𝐼𝐵
6.277 ×10−3
= 6.277 ×10−5

= 100
b. Rangkaian collector to base bias
𝐼𝐶
Iβ = 𝐼𝐵
3.766 ×10−3
= 3.766 ×10−5

32
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

= 100
c. Rangkaian voltage divider bias
𝐼𝐶
Iβ = 𝐼𝐵

4.22×10-3
=
4.22×10-5
= 100
2. Hitunglah ulang analisis dc berdasarkan nilai β tersebut, karena dalam perhitungan
semua β = 100 maka perhitungan tetap sama seperti analisis DC sebelumnya
a. Rangkaian Fixed bias
VBB = VCC- VBE
= 12- 0.7
=11.3 V
VCC - VBE
IB =
RB
12−0.7 11.3
= =
180000 180000
= 6.277 × 10−5 A
IC = β × IB
= 100 × 6.277 × 10−5
= 6.277 × 10−3 A
VCE = VCC – (IC × RC)
= 12 - (6.277 × 10−3 × 1200 )
= 12 - 7.532
= 4.468 V
b. Rangkaian collector to base bias
VBB = VCC – ( IC x RC) - VBE
= 12 – (3.766 × 10−3 x 1200) – 0.7
= 6.78 V
VCC - VBE
IB =
RB+ (β ×RC)
12−0.7 11.3
= =
180000+(100 ×1200) 300000
= 3.766 × 10−5 A
IC = β × IB
= 100 × 3.766 × 10−5
= 3.766 × 10−3 A
VCE = VCC – (IC + IB) RC
= 12 - (3.766 × 10−3 + 3.766 × 10−5 ) 1200
= 12 - 4.56
= 7.435 V
c. Rangkaian voltage divider bias

R2
VBB = xVCC
R2+R1
5600
= x12
5600+15000

33
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

= 3.26 V
R1×R2 15000 ×5600
RBB = R1// R2 = =
R1+R2 15000+5600
= 4077.67
VBB - VBE
IB =
RBB+ (β + 1) RE
3.26-0.7 2.56
= = =4.22×10-5 A
4077.67+(101 ×560) 60637.67
IE =( β + 1) × IB
= 101 × 4.22×10-5
= 4.262 × 10−3 A
IC = β x IB
-5
= 100× 4.22×10 A
= 4.22×10-3 𝐴
VCE = VCC –( (IC×RC) + (IE× RE))
= 12 - 7.5026
= 4. 497 V

B. Pertanyaan

antara perhitungan tegangan bias dc dengan hasil pengukuran?
antara perhitungan tegangan bias dc dengan hasil pengukuran?
transistor itu berasal dari satu tipe maupun satu pabrikan yang sama. Beta merupakan
parameter yang menunjukkan kemampuan penguatan arus yang dilakukan oleh transistor
atau faktor perbandingan Ib dengan Ic. Karena di dalam transistor biasing, transistor
berperan dalam memperkuat arus. Dalam perhitungan kali ini,secara teori kita
menggunakan besaran beta yang diaproksimasikan sekitar 100 atau sesuai dengan datasheet
masing-masing transistor. Namun dipengukuran, besarannya beta tidak sesuai dengan data
sheet dan bisa jadi pengukuran tegangan bias Dc menjadi berbeda dengan hasil perhitungan
secara teori. Hal ini diakibatkan karena nilai beta sangat sensitif sekali untuk berubah yang
bisa jadi dikarenakan oleh perubahan temperatur.
2. Berapa nilai RC pada masing-masing rangkaian jika diinginkan VCE= ½ VCC?
Fixed bias
a. Transistor 2N3904
Vcc = 12 v Ic =9,78 mA

34
Politeknik Negeri Semarang Jurusan Teknik Elektro
Prodi Teknik Telekomunikasi Praktek Elektronika Telekomunikasi

Vcc 12
Rc = 2ic =2x9,78x10−3=613.496

Vce = Vcc-Ic.Re
= 12-9,78x10−3 .613.496
= 6.000 v
a. Transistor BC107
Vcc = 12 v Ic =9,78 mA
Vcc 12
Rc = 2ic =2x9,78x10−3=613.496

Vce = Vcc-Ic.Re
= 12-9,78x10−3 .613.496
= 6.000 v

## COLLECTOR TO BASIS BIAS

b. Transistor 2N3904
Vcc = 12 v Ic =6,08 m A IB =0,64
Vcc 12
Rc =2(ic+IB) =2x(6,08x10−3 +3.766 ×10−5 )=980.908

Vce = Vcc-(Ic+ib).Re
= 12-(6,08x10−3 + 3.766 × 10−5 ) . 980.908
= 5.99 v
c. Transistor BC107
Vcc = 12 v Ic =5,6 m A IB =0,64
Vcc 12
Rc =2(ic+IB) =2x(5,6x10−3 +3.766 ×10−5 )=1064.271

Vce = Vcc-(Ic+ib).Re
= 12-(5.6x10−3 + 3.766 × 10−5 ) . 1064.271
=6v

35

### Dapatkan aplikasi gratis kami

Hak cipta © 2022 Scribd Inc.

### Dapatkan aplikasi gratis kami

Hak cipta © 2022 Scribd Inc.