UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO

FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN. CAMPO 4

INGENIERÍA INDUSTRIAL

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

PRÁCTICA #6. “AMPLIFICADOR CON EL TBJ”.

PROFESOR: ING. FERNANDO PATLÁN CARDOSO

REALIZADO POR:

RUEDA FIGUEROA LUIS

FECHA DE ENTREGA: MARTES 31 DE OCTUBRE DE 2017

OBJETIVOS
 Obtener a partir de datos experimentales, la ganancia del voltaje y en
corriente de un amplificado básico.
 Medir el efecto que causa en la impedancia de entrada y en la ganancia de
voltaje en el capacitor de desvío.

INTRODUCCIÓN
Para operar como amplificador, el BJT debe estar polarizado en la región activa. Se
debe establecer una polarización que permita contar con una corriente de emisor (o
de colector) en CC que sea constante. Corriente predecible e insensible a cambios
en la temperatura y β. La operación está altamente influida por el valor de la
corriente de polarización.
En esta práctica se armará un amplificador básico clase A en configuración al emisor
común. La característica principal de este amplificador es que el transistor está
polarizado en la región de amplificación y la corriente del colector fluye durante un
ciclo de trabajo completo. La corriente del colector se mantiene siempre dentro de
la porción lineal de la característica de colector.

EQUIPO
 Fuente de voltaje de CD.
 Multímetro.
 Osciloscopio.
 Protoboard.
 Pinzas de corte.
 Generador de funciones.

MATERIAL
 Alambres y cables para conexiones (caimán-banana, puentes y caimán-
caimán, puentes).
 1 resistencia de 47 kΩ a ½ watt (R1)
 1 resistencia de 12 kΩ a ½ watt (R2)
 1 resistencia de 10 kΩ a ½ watt (R3)
 1 resistencia de 1.8 kΩ a ½ watt (R4)
 1 resistencia de 470 Ω a ½ watt (Rc)
 1 resistencia de 47 Ω a ½ watt (RE)
 1 Capacitor 100 µF a 25 V (Ce)
 2 Capacitores a 47 µF a 25 V (Ci, Cc)
 1 transistor BC547A
DESARROLLO
1. Armar el circuito siguiente:

2. Sin conectar los capacitores Ce y el Vi apagado, medir con ayuda y anotar

en la tabla siguiente los datos mostrados:
VB (V) VE (V) VC (V) V CEQ (V) IB (µA) IC (mA)
1.17 0.9 5.2 4.7 2 1.1

3. Calibrar Vi para obtener una señal senoidal en el punto Vg=60 mVpp y una
frecuencia de 1 kHz. Observar en el osciloscopio las señales Vg y Vs.

4. Conectar el capacitador Ce como lo indica la línea punteada del circuito y

repetir los pasos 2 y 3
Vg (mVpp) 40 60 80 100 120 140 160 200 220 240 260 300
Vs (Vpp) 40 60 84 100 116 132 148 184 204 220 236 268
Δv 1 1 1.05 1 1.03 1.06 1.08 1.08 1.07 1.09 1.1 1.11
Comentarios La señal se encuentra desfasada por 180°
CONCLUSIONES
Como ya hemos podido ver en el reporte hemos conocido la variedad de
aplicaciones de los transistores y su utilización en la composición de sistemas
electrónicos.
También hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de
los transistores, así como sus materiales de composición y los instrumentos para
tomas lecturas.
Las pruebas que hemos llevado a cabo sobre los transistores nos dan referencias
fidedignas de tres parámetros que podemos identificar como son:
1) La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).
2) De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada
patilla, bien sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.
3) Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada
de la ganancia del transistor en términos relativos.

BIBLIOGRAFÍA
 Boylestad, Robert, Electrónica Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos, 8ª Ed., México, Editorial Pearson, 2003.
 Manual de prácticas de laboratorio “Electrónica Industrial”
http://olimpia.cuautitlan2.unam.mx/pagina_ingenieria/electronica/prac/practi
cas/3/M_Electronica_Industrial_2018-1.pdf (2017).