Juárez García Samuel

Ríos Contreras Oscar de Jesús

Sierra Matías Benigno Daniel Electrónica de Potencia
Silva Cruz Francisco Adolfo
Vásquez Martínez Hernán 6º Semestre
Zarate Patiño Víctor Fabián

Oaxaca de Juárez, Oaxaca, Oax. 16 de Febrero de 2018.

 Introducción

Los dispositivos electrónicos de potencia son muy importantes porque nos ayudan a controlar grandes dispositivos que demanden demasiada corriente y potencia para poder operar correctamente
en la industria, además de diversas aplicaciones en rectificadores de y de conocer su estructura interna y externa, además en la forma de conexión.
TIRISTORES SÍMBOLO FUNCIONAMIENTO CURVA CARACTERÍSTICA DIAGRAMA DE POLARIZACIÓN CIRCUITO DE APLICACIÓN
SCR Los SCR están formados por 4
capas de materiales
semiconductores, en una
estructura que puede ser llamada
PNPN.
Esta estructura, en verdad,
equivale a dos transistores, un NPN
y un PNP, que son conectados en
un circuito regenerativo.
Tomando el circuito equivalente
como punto de partida resulta
bastante más simple entender
cómo funciona un SCR.
En una aplicación normal, el ánodo
es mantenido positivo en relación
al cátodo.
Con la compuerta despolarizada no
debe haber circulación de ninguna
corriente por los dos transistores
pues el NPN se encuentra AL corte Conducción durante 180º
y con eso el PNP no tiene
polarización de base.
Vamos a suponer ahora que se
aplica una pequeña tensión
positiva en la compuerta, para
polarizar la juntura base-emisor del
transistor en el sentido de que
haya conducción.
El transistor NPN entra en
conducción, polarizando también
la base del NPN, pues la corriente Conducción durante 90º
de base del PNP es la corriente de
colector del NPN. El resultado es
que fluye una corriente del emisor
al colector del PNP que va a
reforzar la polarización de base del
NPN.
DIAC Es un diodo bidireccional
autodisparable que conduce la
corriente sólo tras haberse
superado su tensión de disparo y
mientras la corriente circulante no
sea inferior al valor triple de voltios
característico para el dispositivo, la
mayoría de los DIAC tienen una
tensión de disparo doble variable
de alrededor de 30 V.

TRIAC El TRIAC es fundamentalmente un

DIAC con una terminal de
compuerta para controlar las
condiciones de encendido del
dispositivo bilateral en cualquier
dirección. La corriente de
mantenimiento no esté presente
en cada dirección como lo es en el
DIAC. Se puede disparar mediante
un pulso de corriente de
compuerta y no requiere alcanzar
un voltaje VBO como el DIAC.
PUT Es un dispositivo de 4 capas
(NPNP). Si el dispositivo se
encuentra apagado (en corte), su
estado no cambiará hasta que no
se alcance la tensión VP. Durante
este período la corriente es muy
débil y cuando se alcanza VP el
dispositivo conmuta, pasando por
la región inestable, al estado de
conducción (encendido). En el
estado de conducción la relación
entre tensión y corriente es muy
pequeña (lo contrario al estado de
apagado). Una vez alcanzado el
estado de conducción no puede
llevarse el dispositivo al corte
disminuyendo la tensión VG;
solamente la reducción de IA es
capaz de apagar el transistor.
IGBT Al no existir ningún voltaje x
aplicado al gate. Si un voltaje VGS
es aplicado al gate, el IGBT
enciende inmediatamente, la
corriente ID es conducida y el
voltaje VDS se va desde el valor de
bloqueo hasta cero. LA corriente
ID persiste para el tiempo tON en
el que la señal en el gate es
aplicada. Para encender el IGBT, la
terminal drain D debe ser
polarizada positivamente con
respecto a la terminal S. LA señal
de encendido es un voltaje
positivo VG que es aplicado al gate
G. Este dispositivo posee las
características de las señales de
puerta de los transistores de
efecto campo con la capacidad de
alta corriente y bajo voltaje de
saturación del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada
FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo.
Se puede concebir el IGBT como
un transistor Darlington híbrido. Es
un dispositivo para la conmutación
en sistemas de alta tensión. La
tensión de control de puerta es de
unos 15 V.
GTO Cuando se le inyecta corriente a la
puerta, circula corriente entre
puerta y cátodo. Como la capa de la
puerta es suficientemente fina,
gran parte de los portadores se
mueven hasta la capa N adyacente,
atravesando la barrera de
potencial y siendo atraídos por el
potencial del ánodo, dando inicio a
la corriente anódica. Si ésta
corriente se mantiene por encima
de la corriente de mantenimiento,
el dispositivo no necesita de la
señal de puerta para mantenerse
en conducción
SUS Este dispositivo comienza a
conducir cuando el voltaje entre
Ánodo y Cátodo alcanza un valor Vs
regularmente de 6 a 10V. Luego la
tensión cae dependiendo de la
corriente de conducción. Este
dispositivo seguirá conduciendo
mientras se mantenga un voltaje
por encima de 0.7 y la corriente de
conducción no caiga por debajo de
la corriente de mantenimiento IH la
cual típicamente es de 1.5mA. En el
caso que se dé una polarización
inversa este dispositivo no
conducirá, sin embargo tiene un
límite de voltaje inverso llamado
VR el cual puede estar por el orden
de los 30V. Si se supera este voltaje
entonces se destruye el
dispositivo.
Resumiendo se dispara a una
tensión fija, Vzener , y su corriente
IS está muy cercana a IH .
SBS El SBS o Silicon Bidirectional Switch
el SBS es utilizado en circuitos
osciladores de relajación para el
control de disparo de dispositivos
que entregan potencia eléctrica a
una carga, como los SCR y los
TRIAC; la diferencia consiste en que
pueden dispararse tanto en el
semi-ciclo positivo como en el
negativo de una fuente de voltaje
de corriente alterna, debido a que
pueden polarizarse directa e
inversamente.
Como casi todos los familiares de
los tiristores, el SBS cuenta con tres
conexiones: la compuerta (G), el
ánodo o terminal 1 (A1 o T1) y el
ánodo o terminal 2 (A2 o T2). Una
característica muy especial de este
dispositivo es que no es una
versión modificada de un diodo
con sus capas NPNP, sino más bien
está compuesto internamente por
transistores, diodos Zener y
resistencias internas, y que además
vienen fabricados como circuitos
integrados.
Es un dispositivo de baja potencia
simétrico para aplicaciones de
disparo.
Tiene además un terminal
adicional (gate o G) que permite
modificar sus características de
disparo con pequeños pulsos de
corriente (decenas de µA).
Su reducido coste, alta velocidad y
capacidad para disparar puertas de
tiristores con altos valores de
corriente hace que este dispositivo
sea muy útil en muchas
aplicaciones.
Sus parámetros característicos de
acuerdo a la gráfica de la figura
son: V =8 V, I =175 µA, I =0.7 mA y
V =1.4 V. El disparo de este
dispositivo se puede realizar bien
superando la tensión V o bien
aplicando una corriente de puerta
I =100µA.
 SCS Interruptor controlado por silicio ,
o SCS
Un SCS se enciende aplicando un
voltaje positivo entre la puerta del
cátodo y los terminales del cátodo.
Se puede desactivar (conmutación
forzada) aplicando un voltaje
negativo entre los terminales del
ánodo y del cátodo, o simplemente
conectando en corto esos dos
terminales. El terminal del ánodo
debe mantenerse positivo con
respecto al cátodo para que el SCS
se enganche.

Diodo El diodo Shockley es un tiristor con dos

Schocley ó terminales: ánodo y cátodo. Está
Diodo de 4 constituido por cuatro capas
Capas semiconductoras que forman una
estructura pnpn. Actúa como
interruptor: está abierto hasta que la
tensión directa aplicada alcanza un
cierto valor, entonces se cierra y
permite la conducción. La conducción
continúa hasta que la corriente se
reduce por debajo de un valor
específico.
MOSFET de Los MOSFET de potencia son
Potencia dispositivos de conducción
unipolar. En ellos, los niveles de
corriente conducida no están
asociados al aumento de la
concentración de portadores
minoritarios, que luego son
difíciles de eliminar para que el
dispositivo deje de conducir.

LASCR Este dispositivo se activa mediante

radiación directa de luz sobre el disco
de silicio. Los pares electrón-hueco
que se crean debido a la radiación
producen la corriente de disparo bajo
la influencia de un campo eléctrico. La
estructura de compuerta se diseña a
fin de proporcionar la suficiente
sensibilidad para el disparo, a partir de
fuentes luminosas prácticas, él mismo
cuenta con tres terminales Puerta (G),
Ánodo (A), Cátodo (K) y una ventana
transparente por donde entra la luz.
 Bibliografía

DANIEL W. HART. (2001). ELECTRÓNICA DE POTENCIA. Madrid España: Pearson.