FACULTAD DE

PRODUCCIÓN Y SERVICIOS

ESCUELA INGENIERIA
MECÁNICA

CURSO:

Fundamentos de la Electrónica

DOCENTE:

Ing. Rubén Matheos Herrera

INTEGRANTES:

 Coila Surco, Brandon

 Pacha Fernández, Fredy
 Peñaranda Corrales, Fernando
 Ramos Rojas, Irvin

2016 - B
 LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA
DIODO SEMICONDUCTOR

1.- Objetivo

 Comprobar el estado de un diodo semiconductor e identificar el cátodo y el ánodo.

 Realizar un circuito eléctrico con un diodo y comprobar en la práctica su comportamiento
ante la tensión y polaridad.
 Establecer la diferencia de las polarizaciones en directo y en inverso.
 Comprobar la curva característica tensión-corriente de un diodo

2.- Introducción
En la naturaleza solo existen dos tipos de materiales con propiedades eléctricas bien definidas, estos
son los conductores y los aislantes.
· Los conductores se caracterizan por que tienen la facultad de permitir el flujo de carga eléctrica
a través de ellos con mucha facilidad cuando son sometidos a un campo eléctrico à CAMPO
ELÉCTRICO: conjunto de fuerzas eléctricas con la misma dirección y sentido.
· Los aislantes por su parte son materiales que no permiten el movimiento de carga eléctrica a
través de ellos cuando están sometidos a un campo eléctrico.
Estas propiedades dependen de las características fisicoquímicas de los materiales, artificialmente el
ser humano invento otro tipo de propiedad eléctrica a la que se denominó material semiconductor, este
material estaría ubicado al medio de los conductores y los aislantes.
Los materiales semiconductores son la base para la formación de numerosos componentes
electrónicos, ampliamente utilizados en diferentes aplicaciones, en esta unidad didáctica nos
enfocaremos específicamente a los diodos semiconductores y sus diferentes aplicaciones, se
estudiaran sus características de funcionamiento y los diferentes tipos de diodos que se
pueden encontrar.
 LECTURA PREVIA
Fundamentos Teóricos
Un componente semiconductor se define
como un material sólido o líquido capaz de
conducir la electricidad mejor que un
aislante, pero peor que un metal. La
conductividad eléctrica, que es la capacidad
de conducir la corriente eléctrica cuando se
aplica una diferencia de potencial, es una de
las propiedades físicas más importantes.
Ciertos metales, como el cobre, la plata y el
aluminio son excelentes conductores. Por
otro lado, ciertos aislantes como el diamante
o el vidrio son muy malos conductores. A
temperaturas muy bajas, los semiconductores
puros se comportan como aislantes.
Sometidos a altas temperaturas, mezclados
con impurezas o en presencia de luz, la
conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar
niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la física
del estado sólido.
Las propiedades eléctricas de un material semiconductor vienen determinadas por su estructura
atómica. En un cristal puro de germanio o de silicio, los átomos están unidos entre sí en disposición
periódica, formando una rejilla cúbica tipo diamante perfectamente regular. Cada átomo del cristal
tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interactúa con el electrón del átomo vecino
formando un enlace covalente. Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas
y en estado cristalino puro, el material actúa como un aislante.
Diodo:

Es un componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. Los diodos más
empleados en los circuitos electrónicos actuales son los diodos fabricados con material
semiconductor. El más sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se creó en los primeros
días de la radio. En los diodos de germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minúscula placa
de cristal van montados dentro de un pequeño tubo de vidrio y conectados a dos cables que se sueldan
a los extremos del tubo.
FUNCIONAMIENTO EN POLARIDAD DIRECTA E INVERSA
En la región de unión de los materiales semiconductores las cargas positivas y negativas se
recombinan, esto significa que los electrones libres ocupan los huecos libres y las cargas desaparecen
en esa región, formando lo que se conoce como región de agotamiento o región carente de portadores
libres.
El funcionamiento básico se divide en dos formas básicas de operación: inversamente polarizado y
directamente polarizado.

Cuando el diodo esta inversamente polarizado (voltaje

positivo de la fuente al ánodo y voltaje negativo al cátodo)
existe un campo eléctrico E que se dirige desde el cátodo
hacia el ánodo, ocasionando un movimiento de las cargas
positivas y negativas, dentro del diodo, de modo que las
cargas se repelen aumentando la región de agotamiento,
podemos concluir entonces que cuando el diodo esta
inversamente polarizado no permite el paso de la
corriente.

Cuando el diodo está directamente polarizado (voltaje positivo

de la fuente al ánodo y voltaje negativo al cátodo), el campo
eléctrico estará dirigido desde el ánodo hacia el cátodo, entonces
la carga positiva y negativa en el diodo se moverá hacia la región
de agotamiento, en un primer instante las cargas se
recombinaran, pero a medida que el voltaje de polarización se
incrementa la región de agotamiento se reduce hasta su
desaparición, momento en el que las cargas de ambos
semiconductores no encuentran oposición y comienzan a
moverse con libertad a través de todo el diodo, generando una
corriente dentro el diodo que será mayor si el voltaje de polarización aumenta.

MATERIALES 

*batería de 9V 

*1 protoboard 

*1 multímetro 

1. Mida con el multímetro digital (función: diodos), el voltaje de conducción de diferentes 
tipos de diodos y  reporte en la tabla: 
  
2. Conecte en paralelo cuatro leds (rojo, verde, ambar, azul) como se muestra en la figura 
1. Explique el comportamiento de encendido de los leds. 

 
Inicialmente al conectar los leds azul y verde estos encienden, luego al conectar el rojo o el ámbar 
estos se encienden, pero el azul y verde se apagan, esto se debe a que los voltajes de conducción 
del ámbar y rojo están por debajo y por ende su resistencia estará por debajo, por ello la corriente 
pasará por el lugar que menos resistencia se le ofrezca por lo tanto no pasará corriente por los 
Leds azul y verde 

La diferencia de potencial es de 1.8 V (se va al mínimo). 

3. Calcule las constantes n e Ic del diodo 1N4001 (mediante experimentación). 
        

 
 

 
  
Datos: 

VT = 51.3 mV 

n = 2 

Tj = 25°C 

k = 1.95 * 10‐23 

q = 1.602 * 10‐19 

 
ln

1 1 

51.8 , 2, 25° ,  

1.285 10 , 1.602 10
De los datos tomados 

Con R1=330Ω 

26  
0.63  
R2=1.26KΩ 

7.2  
0.68  
Remplazando 

n=19.44186 

1.432746 10  
0.74  
4. Realice las mediciones para cada diodo led (rojo, verde, azul, ambar) y los diodos 1N4001 y 
1N914. Ver la figura 2. 

 
 

 
 Rojo    

R  VD  V  ID = V/R 

100  2.08  5.45  0.0545 

200  2.02  5.97  0.02985 

330  2  6.27  0.019 

470  1.97  6.41 0.013638298

1K  1.92  6.64  0.00664 

2K  1.86  6.8  0.0034 

2K2  1.86  6.85  0.003113636 

4K7  1.81  6.97  0.001482979 

10K  1.77  7.07 0.000707

47K  1.7  7.22 0.000153617

100K  1.67  7.29  0.0000729 

1M  1.6   7.65   0.00000765  

 
 

 
 

Amarillo          

R  VD  V  ID = V/R 

100  1.97  5.5  0.055 

200  1.95  6.06  0.0303 

330  1.93  6.36  0.019272727 

470  1.92  6.46 0.013744681

1K  1.88  6.68 0.00668

2K  1.83  6.84  0.00342 

2K2  1.84  6.87  0.003122727 

4K7  1.8  6.98  0.001485106 

10K  1.76  7.09  0.000709 

47K  1.69  7.23 0.00015383

100K  1.68  7.31 0.0000731

1M   1.58  7.66   0.000000871  

 
  
 

Verde   

R  VD  V  ID = V/R 

100  3.29  4.56  0.0456 

200  3.12  4.98  0.0249 

330  2.97  5.37  0.016272727 

470  2.88  5.54 0.011787234

1K  2.57  5.88 0.00588

2K  2.54  6.15  0.003075 

2K2  2.52  6.19  0.002813636 

 4K7  2.42  6.37  0.001355319 

10K  2.35  6.5  0.00065 

47K  2.26  6.66 0.000141702

100K  2.23  6.74 0.0000674

1M   0.52  8.71   0.00000871  

 
 

Azul          

R  VD  V  ID = V/R 

100  3.2  4.53  0.0453 

200  3.09  5.02  0.0251 

 330  3.03  5.29  0.016030303 

470  2.98  5.43  0.011553191 

1K  2.89  5.68 0.00568

2K  2.81  5.88 0.00294

2K2  2.8  5.93  0.002695455 

4K7  2.74  6.05  0.001287234 

10K  2.67  6.16  0.000616 

47K  2.6  6.32  0.000134468 

100K  2.57  6.39 0.0000639

1M   2.36  6.86 0.00000686

 
 

 
 1N914    

R  VD  V  ID = V/R 

100   0.85   7.04  0.0704  

200   0.79   7.44   0.03381 

330   0.78   7.62   0.02309 

470   0.74  7.74 0.01646

1K   0.69   7.99   0.00799 

2K   0.69   8.19   0.00302 

2K2   0.68   8.18  0.00250  

4K7   0.62   8.32   0.00177 

10K   0.58  8.48 0.000848

47K   0.51  8.87 0.000188

100K   0.46   8.95   0.0000895 

1M   0.38  9.05    0.00000905 

 
 

 
 

1N4001          

R  VD  V  ID = V/R 

100  0.81    7.14  0.0714  

200   0.77   7.52   0.0376 

330   0.74   7.69   0.023303 

470   0.72   7.75   0.01649 

1K   0.68  8.0 0.008

2K   0.64  8.2 0.0041

2K2   0.68   8.3   0.00377 

4K7   0.6   8.32   0.00177 

10K   0.58   8.45   0.000845 

47K   0.49   8.89  0.000189  

100K   0.46  8.97 0.0000897

1M   0.38  9.05 0.00000905

5. Empleando el potenciómetro, obtenga los datos de VD e ID y grafique la curva del diodo ID = 
f(VD) 
  

        
 

R  0  1K  2K  3K  4K  5K  6K  7K  8K  9K  10K 

RT  0.39   1.39   2.39  3.39   4.39   5.39   6.39   7.39   8.39   9.39   10.39  

VD  0.73   0.67   0.65   0.63   0.62   0.61   0.6   0.6   0.59   0.58    0.58 

VD   7.98  8.40   8.44   8.48   8.50   8.53   8.55   8.56   8.57   8.59    8.59 

ID = V/RT   20.46  6.04   3.53   2.5014  1.936   1.58   1.338   1.16   1.02   0.91    0.82 

6. Con los datos obtenidos exponencialmente en (3), grafique la curva del diodo 1N4001.