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Diodo de Potencia

1 Objetivos:

Investigar y determinar las principales características del diodo de potencia.

Diseñar e implementar un circuito que permita verificar experimentalmente las


características de funcionamiento del diodo de potencia.

Comprobar de manera experimental y gráfica los parámetros de función del diodo de


potencia.

2 Fundamento Teórico:

EL DIODO DE POTENCIA

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales,
no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único
procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido
inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una
pequeña intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuación:

I : corriente a través del dido


qV: voltaje del diodo (anodo-cátodo).
Is: corriente de fuga (10-6 – 10-15 [A] aprox)

La curva característica será:

Donde:
VRRM: tensión inversa máxima
VD: tensión de codo.

A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las
cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

 Características estáticas:
o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
o Parámetros en conducción.
o Modelo estático.
 Características dinámicas:
o Tiempo de recuperación inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutación.
o Tiempo de recuperación directo.
 Potencias:
o Potencia máxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
 Características térmicas.
 Protección contra sobreintensidades.

Características estáticas

Parámetros en bloqueo
 Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por
el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.

 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en


picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.

 Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser


soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.

 Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10
ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.

 Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en


estado de bloqueo.

Parámetros en conducción

 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de


impulsos sinusuidales de 180º que el diodo puede soportar.

 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20
ms , con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la
cápsula (normalmente 25º).

 Intensidad directa de pico no repetitiva (I FSM): es el máximo pico de intensidad


aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.

 Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se


encuentra en el estado de conducción.

Modelos estáticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan
en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual
debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más
complejos para programas de simulación. Dichos modelos suelen ser proporcionados
por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías de programas de simulación.

Características dinámicas

Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa


instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona
central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa
forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después
del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su
sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante
un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del
tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a
escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un
tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un
valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

 ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por


cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.

 tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de


intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de
la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de
pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.

 trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.


 Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa
de la característica de recuperación inversa del diodo.

 di/dt: es el pico negativo de la intensidad.

 Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo:

De donde :

Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes
casos:
 Para ta = tb;
trr = 2ta

 Para ta = trr;
tb = 0
En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutación

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:


 Se limita la frecuencia de funcionamiento.
 Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida.

Factores de los que depende trr :

 A mayor IRRM menor trr.


 Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la
capacidad almacenada, y por tanto mayor será trr.

Tiempo de recuperación directo

 tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el


instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que
dicha tensión se estabiliza en el valor VF.

Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir


pérdidas de potencia apreciables.

Disipación de potencia

Potencia máxima disipable (Pmáx)

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo


con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada ésta potencia de
trabajo.

Potencia media disipada (PAV)


Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de
conducción, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como:

Si incluimos en esta expresión el modelo estático, resulta:

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente:

Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que indican la


potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.

Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la
intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz
dividida entre la intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM)

Similar a la anterior, pero dada para un pulso único.

Características térmicas

Temperatura de la unión (Tjmáx)


Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción.

En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature


range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se
ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos
valores, uno mínimo y otro máximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna


potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En


caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula:

Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx

siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable.

Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta


refrigeradora). Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro
medio (como mica aislante, etc).

Protección contra sobreintensidades

Principales causas de sobreintensidades

La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito


en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de
corriente en el caso de alimentación de motores, carga de condesadores, utilización en
régimen de soldadura, etc.

Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión, que


es incapaz de evacuar las calorias generadas, pasando de forma casi instantánea al
estado de cortocircuito (avalancha térmica).

Órganos de protección

Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo
"ultrarrápidos" en la mayoría de los casos.

Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que están
compuestos y tienen sus caracterísitcas indicadas en función de la potencia que pueden
manejar; por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente,
sino incluso con su I2t y su tensión.

Parámetro I2t

La I2t de un fusible es la caracterísitca de fusión del cartucho; el intervalo de tiempo t se


indica en segundos y la corriente I en amperios.

Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que así será el fusible
el que se destruya y no el diodo.

3 Materiales:

- 1 Diodo de potencia 1N5408.


- Resistor de 10 [Ω], 20[W].
- 1 Transformador 115 V – 24 V con tap central
- Portafusisbles con fusible de 3 [A]
- Protoboard
- Cables
- Osciloscopio
- Fuente universal
- Generador de señales.

4 Desarrollo:

SImulación

Diodo Polarizado Directamente (Región de Conducción)


Esquemático

Tabla de Datos de Simulación:

Vd(v) Id(A)
0 -5,3097E-38
0,2 2,2817E-08
0,4 5,7288E-06
0,6 0,00106942
0,8 0,0122349
1 0,02908499
1,2 0,04730797
1,4 0,06608157
1,6 0,08514757
1,8 0,10439326
2 0,1237605
2,2 0,14321522
2,4 0,16273586
2,6 0,18230791
2,8 0,20192117
3 0,22156817
3,2 0,24124331
3,4 0,26094227
3,6 0,28066163
3,8 0,30039869
4 0,32015123
4,2 0,33991742
4,4 0,35969574
4,6 0,37948491
4,8 0,39928385
5 0,41909162
5,2 0,43890741
5,4 0,45873052
5,6 0,47856035
5,8 0,49839635
6 0,51823805
6,2 0,53808501
6,4 0,55793688
6,6 0,57779329
6,8 0,59765396
7 0,6175186
7,2 0,63738696
7,4 0,65725882
7,6 0,67713397
7,8 0,69701223
8 0,71689341
8,2 0,73677737
8,4 0,75666394
8,6 0,77655301
8,8 0,79644444
9 0,81633812
9,2 0,83623393
9,4 0,85613179
9,6 0,87603159
9,8 0,89593325
10 0,9158367
10,2 0,93574184
10,4 0,95564862
10,6 0,97555696
10,8 0,9954668
11 1,01537808
11,2 1,03529075
11,4 1,05520476
11,6 1,07512005
11,8 1,09503657
12 1,11495429
12,2 1,13487316
12,4 1,15479314
12,6 1,1747142
12,8 1,19463629
13 1,21455939
13,2 1,23448345
13,4 1,25440846
13,6 1,27433438
13,8 1,29426118

Diodo Polarizado Inversamente (Región de No Conducción)

Esquemático
Tabla de Datos de Simulación:

V(v) Idi(A)
0 5,3094E-38
10 1,1146E-10
20 1,3146E-10
30 1,5146E-10
40 1,7146E-10
50 1,9146E-10
60 2,1146E-10
70 2,3146E-10
80 2,5146E-10
90 2,7146E-10
100 2,9146E-10
110 3,1146E-10
120 3,3146E-10
130 3,5146E-10
140 3,7146E-10
150 3,9146E-10
160 4,1146E-10
170 4,3146E-10
180 4,5146E-10
190 4,7147E-10
200 4,9147E-10
210 5,1147E-10
220 5,3147E-10
230 5,5147E-10
240 5,7146E-10
250 5,9146E-10
260 6,1146E-10
270 6,3147E-10
280 6,5147E-10
290 6,7147E-10
300 6,9147E-10
310 7,1147E-10
320 7,3147E-10
330 7,5146E-10
340 7,7147E-10
350 7,9147E-10
360 8,1147E-10
370 8,3147E-10
380 8,5147E-10
390 8,7147E-10
400 8,9147E-10
410 9,1147E-10
420 9,3147E-10
430 9,5147E-10
440 9,7147E-10
450 9,9147E-10
460 8,3147E-10
470 8,5147E-10
480 8,7147E-10
490 8,9147E-10
500 9,1147E-10
510 9,3147E-10
520 9,5147E-10
530 9,7147E-10
540 9,9147E-10
550 9,1147E-10
560 9,3147E-10
570 9,5147E-10
580 9,7147E-10
590 9,9147E-10
600 9,9147E-10
610 1,0315E-09
620 1,0515E-09
630 1,0715E-09
640 1,0315E-09
650 1,0515E-09
660 1,0715E-09
670 1,0515E-09
680 1,0715E-09
690 1,0915E-09
700 1,1115E-09
710 1,1315E-09
720 1,1515E-09
730 1,1715E-09
740 1,1915E-09
750 1,2115E-09
760 1,2315E-09
770 1,2515E-09
780 1,2715E-09
790 9,4371E-05
800 0,97529278
810 1,97124436

Tiempos de Recuperación Inversa y Directa


Esquemático

f = 60 Hz Trr = 100μs Tfr = 100μs

f = 1 KHz Trr = 10μs Tfr = 10μs


f = 10 KHz Trr = 1μs Tfr = 1μs
Datos experimentales

n V Id1(A) Id2(A) Id3(A) Id(A)


1 -30,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
2 -25,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
3 -20,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
4 -15,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
5 -13,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
6 -11,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
7 -9,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
8 -7,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
9 -5,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
10 -4,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
11 -3,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
12 -2,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
13 -1,0 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
14 -0,9 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
15 -0,8 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
16 -0,7 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
17 -0,6 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
18 -0,5 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
19 -0,4 0,000000 0,000000 0,000000 0,000000
20 0,4 0,000001 0,000001 0,000001 0,000001
21 0,5 0,000066 0,000067 0,000067 0,000067
22 0,6 0,001210 0,001200 0,001300 0,001237
23 0,7 0,003750 0,003740 0,003760 0,003750
24 0,8 0,008720 0,008730 0,008700 0,008717
25 0,9 0,014050 0,014080 0,014060 0,014063
26 1,0 0,017400 0,017300 0,017200 0,017300
27 1,1 0,032600 0,032400 0,032400 0,032467
28 1,2 0,040300 0,040500 0,040300 0,040367
29 1,3 0,049000 0,050000 0,048000 0,049000
30 1,4 0,059600 0,059300 0,059300 0,059400
31 1,5 0,067100 0,067300 0,067100 0,067167
32 1,6 0,070600 0,070500 0,070600 0,070567
33 1,7 0,082800 0,083000 0,082800 0,082867
34 1,8 0,090100 0,090000 0,090400 0,090167
35 1,9 0,096400 0,096400 0,096400 0,096400
36 2,0 0,103200 0,103200 0,103200 0,103200
37 2,1 0,111500 0,111500 0,111500 0,111500
38 2,2 0,119200 0,119200 0,119200 0,119200
39 2,3 0,129900 0,129900 0,129900 0,129900
40 2,4 0,134400 0,134400 0,134400 0,134400
41 2,5 0,140400 0,140400 0,140400 0,140400
42 3,0 0,210000 0,210000 0,210000 0,210000
43 4,0 0,296000 0,296000 0,296000 0,296000
44 5,0 0,380000 0,390000 0,380000 0,383333
45 6,0 0,476000 0,471000 0,476000 0,474333
46 7,0 0,570000 0,568000 0,570000 0,569333
47 8,0 0,660000 0,650000 0,670000 0,660000
48 9,0 0,758000 0,757000 0,759000 0,758000
49 10,0 0,840000 0,840000 0,840000 0,840000
50 11,0 0,940000 0,940000 0,920000 0,933333
51 12,0 1,028000 1,028000 1,030000 1,028667
52 13,0 1,120000 1,115000 1,120000 1,118333
53 14,0 1,210000 1,230000 1,200000 1,213333
54 15,0 1,270000 1,280000 1,250000 1,266667
55 17,0 1,480000 1,490000 1,490000 1,486667
56 19,0 1,600000 1,640000 1,670000 1,636667
57 21,0 1,873000 1,860000 1,850000 1,861000
58 23,0 2,020000 2,040000 2,008000 2,022667
59 25,0 2,220000 2,200000 2,230000 2,216667
60 27,0 2,390000 2,410000 2,400000 2,400000
61 29,0 2,590000 2,590000 2,600000 2,593333
62 31,8 2,850000 2,870000 2,830000 2,850000

Gráficos Experimentales

Usando el generador de funciones con V= 5 Vp.

f: 100 Hz.
Tiempo de Tiempo de recuperación
recuperación directa inversa
2 us 0.066 us

f: 500 Hz.

Tiempo de Tiempo de recuperación


recuperación directa inversa
0.09 ms 0.08 ms

f: 1 Khz.
Tiempo de Tiempo de recuperación
recuperación directa inversa
0.05 ms 0.04 ms

f: 5 Khz.

Tiempo de Tiempo de recuperación


recuperación directa inversa
13 us 8 us

f: 10 Khz.
Tiempo de Tiempo de recuperación
recuperación directa inversa
10 us 4 us

Aplicando el transformador 115 V a 24 V, 3 [A], f = 60 Hz.


Tiempo de Tiempo de recuperación
recuperación directa inversa
0.8 ms 0.7 ms

5 Conclusiones:

Mediante el análisis de las gráficas de voltaje en función de corriente, se determino la


forma de la ecuación fundamental de funcionamiento del diodo.

Someter al diodo a voltajes mayores a 30 V aprox., resultó un tanto dificultosa debido a


la escasez de fuentes comerciales que permitan obtener dichos voltajes.

La comprobación de los tiempos de respuesta del diodo varía de acuerdo a la frecuencia


usada en voltaje AC, como era de esperarse.

El tiempo de respuesta es proporcional a la frecuencia de trabajo de la señal aplicada al


diodo.

Con los voltajes disponibles, y aplicados en polarización inversa, se comprobó que la


corriente inversa es cero.

No se pudo medir el voltaje de ruptura en polarización inversa, debido a que su valor es


muy alto (alrededor de 800 V).

6 Recomendaciones:

Se debe tener la precaución de utilizar un fusible acorde con la corriente como mediada
de seguridad y de esta manera proteger la red

Al trabajar con elementos de potencia se debe prestar atención ya que por su condición
de manejo de corriente tienden a sobrecalentarse, lo que puede causar daños físicos.

Se debe realizar los cálculos correspondientes de potencia, para evitar daños en los
elementos que deben soportarla.

7 Experiencias:

Conseguir un datasheet de un diodo de potencia resulta difícil.

8 Bibliografía:

http://www.uv.es/marinjl/electro/dido.html