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William Bradford Shockley

Ilustración 1

Físico norteamericano. Se doctoró en la Universidad de California. En 1936


ingresó en los laboratorios de Murray Hill, de la empresa Bell Telephone
Company, al finalizar la guerra, fue nombrado director del departamento de
Transistores de la citada empresa. Por sus aportes a la ciencia fue merecedor
del premio Nobel de Física.
Infancia, juventud y estudios
Nació el 13 de febrero de 1910 en Londres. Hijo de padres estadounidenses,
cuando contaba tres años, se traslada junto a su familia a Palo Alto, California.
Su padre era ingeniero y su madre topógrafa de minas. No fue a la escuela
hasta que cumplió 8 años.
Shockley a pesar de haber nacido en Londres y aunque sus padres eran
norteamericanos, sólo 3 años después de su nacimiento lo llevaron a vivir a
Palo Alto.
Considerando que le podrían dar a su hijo una mejor educación en casa, los
Shockleys mantuvieron a William sin ir a la escuela hasta que cumplió 8 años.
Aunque su educación probaría más tarde ser de excelente nivel, este
aislamiento hizo que el pequeño William tuviera muchos problemas para
adaptarse a su entorno social.
La madre de William le enseñaba matemáticas, y ambos padres le motivaban
sus intereses científicos, aunque una influencia particularmente importante para
él en esos días fue su vecino Perley A. Ross, que era profesor de física en
Stanford. A los 10 años de edad, William visitaba constantemente la casa de
Ross, y jugaba con las 2 hijas del profesor, volviéndose, incidentalmente, una
especie de hijo sustituto para éste.
Wllian pasó 2 años en la Academia Militar de Palo Alto antes de ingresar a la
Preparatoria de Hollywood en Los Ángeles.
Asistió también a la Escuela de Entrenamiento de los Angeles, en la que
estudió física. Fue ahí que descubrió que tenía un talento innato para esa
disciplina, solía encontrar con cierta facilidad formas de resolver problemas que
diferían de las soluciones tradicionales que proporcionaban sus maestros. Pese
a ser el mejor estudiante de física de su escuela, Shockley se decepcionó al no
recibir el premio en esta disciplina al graduarse, pues éste le fue negado por
haber tomado clases de física en otra escuela.
En 1927 ingresó a la Universidad de California en Los Angeles, pero tras sólo 1
año ahí ingresó al prestigioso Instituto de Tecnología de California (Cal Tech),
en Pasadena. William terminó su licenciatura en física en 1932, y
posteriormente obtuvo una beca para estudiar en el Instituto Tecnológico de
Massachusetts (MIT), de donde se doctoró en 1936. En el otoño de 1927
ingresó a la Universidad de California en Los Angeles, y un año después al
prestigioso Instituto de Tecnología de California (Cal Tech), en Pasadena.
Terminó su licenciatura en física en 1932 y posteriormente obtuvo una beca
para estudiar en el Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT), donde se
doctoró en 1936. Trabajó en los laboratorios de la Compañía Bell de 1936 a
1956. Fue director de la Shockley Transistor Corporation. Dió conferencias en
la Universidad Stanford desde 1958 y clases de ingeniería en 1963.
Investigó sobre los semiconductores llevándole al desarrollo del transistor en el
año 1948. Recibió en 1956 el premio Nobel de Física por sus investigaciones
acerca de los semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor que
compartió con sus asociados John Bardeen y Walter H. Brattain.
Hizo además varias aportaciones a la electrónica y campos afines y llegó a
acumular más de 90 patentes a lo largo de su vida.
Aportes a la ciencia
Después de doctorarse, Shockley tenía ofertas para trabajar en General
Electric y la Universidad de Yale, pero eligió los Laboratorios Bell de Murray
Hill, New Jersey, porque eso le permitiría colaborar con C. J. Davisson, cuyo
trabajo en la difracción de los electrones le valdría obtener más tarde el Premio
Nobel.
Shockley y varios colegas de los laboratorios estudiaron el fenómeno de la
corriente inversa en las uniones p-n, explicándolo según la teoría de Clarence
M. Zener sobre la ruptura eléctrica en dieléctricos sólidos. La aplicación
práctica de este fenómeno se materializó en un diodo semiconductor que
Shockley bautizó como diodo Zener.
Ilustración 2

En la estación de campo de Bell en Whippany, New Jersey, realizó el diseño


electrónico de equipo de radar. Shockley obtuvo la condecoración civil más
elevada de la época: la Medalla al Mérito. La mayor parte de sus contribuciones
tuvieron que ver con el uso del radar en los bombarderos B-29.
Después de la guerra Shockley produjo una nueva versión del amplificador que
había intentado anteriormente, con resultados igualmente negativos. Fue John
Bardeen el que logró descrifrar el enigma, y en 1947 logró construir junto con
Brattain el primer amplificador funcional usando germanio. John R. Pierce fue el
que acuñó el nombre para la nueva invención. Propuso "Amplister" y
"transistor", pero acabó por seleccionar el segundo porque el dispositivo
operaba transfiriendo corriente de una entrada de baja resistencia a una salida
de alta resistencia, por lo que tenía la importante propiedad de transferir
resistencia.
En 1948, Bardeen y Battain obtuvieron una patente por este tipo de transistor
(llamado de contacto puntual). Las contribuciones de Shockley se acentuaron
por el hecho de que todas las fotografías de los inventores del transistor lo
incluían a él, y de las 10 personas asociadas con dicho invento, a él se le suele
considerar históricamente como el más importante.
Aunque el nuevo invento causó revuelo, la verdad es que no resultó fácil
hacerlo trabajar de manera consistente, y por ende su comercialización no fue
inmediata. Fue Shockley quien inventó un tipo de transistor más depurado
(llamado de junción) que permitió su producción en masa. En 1948 lo patentó y
en 1950 escribió un libro sobre la teoría detrás del nuevo dispositivo, y lidereó
al equipo que construyó el primer transistor de junción confiable en 1951.
Los Laboratorios Bell acordaron otorgar licencias para el uso del transistor a
cualquier firma a cambio de un pago de regalías. Sólo los fabricantes de
aparatos para la sordera no tenían que pagar dichas regalías, como un tributo a
la memoria de Alexander Graham Bell que en vida ayudó tanto a los sordos.
Los transistores fueron usados por el público por primera vez en 1953, en la
forma de amplificadores para los aparatos contra la sordera. En 1954 se
desarrolló la radio de transistores y en febrero de 1956 el Laboratorio de
Computadoras Digitales de MIT empezó a desarrollar en colaboración con IBM
una computadora transistorizada. En 1957 y 1958 UNIVAC y Philco produjeron
las primeras computadoras comerciales de transistores.
Días de gloria
En varias ocaciones, fue nombrado Director de Investigación de la Física de los
Transistores en Laboratorios Bell en 1954. En ese mismo año y en el siguiente
fue profesor visitante del Cal Tech, además de fungir también como director del
Grupo de Evaluación de Sistemas de Armamento del Departamento de
Defensa de los Estados Unidos. Aunque los científicos de Laboratorios Bell
rara vez abandonan sus puestos, Shockley decidió independizarse en 1955, y
fundó el Laboratorio de Semiconductores Shockley en una ladera de Mountain
View, al sur de Palo Alto, California.
En sus ratos libres gustaba del alpinismo, y llegó a escalar algunas de las
montañas más elevadas de los Alpes, incluyendo la Jungfrau y Monte Blanc
(con su hija Alison en 1953). Más tarde se aficionó al veleo, aunque un serio
accidente automovilístico acaecido el 23 de julio de 1961 lo obligó a retirarse
del deporte.
En 1965 regresó a Laboratorios Bell como asesor de tiempo parcial, y se retiró
de ese empleo en febrero de 1975, y de Stanford en septiembre del mismo
año.
Últimos trabajos
Un día Shockley leyó cómo el dueño de una panadería había quedado ciego a
consecuencia del ácido que un adolescente con un CI (Coeficiente Intelectual)
de 70 le había arrojado. Este adolescente era uno de los 17 hijos que tenía una
señora con un CI de 55. El artículo lo afectó tanto que a partir de ese momento
entonces comenzó a incursionar en el controversial campo de la disgenia, que
es algo así como la evolución inversa (o involución) causada por la
reproducción excesiva de los que tienen desventajas genéticas.
Shockley propuso que las fundaciones privadas ofrecieran dinero a aquellas
personas con hemofilia, epilepsia, y bajo CI que accedieran a ser esterilizadas.
Esto contribuiría, según él, a detener "el brutal mecanismo de eliminación de la
evolución". En particular, Shockley dirigió sus ataques contra los negros, a los
cuales él consideraba "más aptos para labores físicas", pero inferiores
intelectualmente, pues según él, obtenían consistentemente puntajes más
bajos que sus compañeros blancos en la pruebas de CI. Resulta innecesario
decir las controversias que estas declaraciones originaron. Su efigie fue
quemada públicamente en Stanford, su coche fue pintado con spray, sus
clases fueron interrumpidas por estudiantes vestidos con sábanas blancas, y
en diversos medios de comunicación se le calificó de racista.

Aún así, Shockley no cesó su campaña, y llegó incluso a lanzarse como


candidato a senador por el partido republicano en 1982, quedando en octavo
lugar. Ante la controversia tan enconada, la misma Academia Nacional de las
Ciencias de Estados Unidos hubo de intervenir, pidiéndole que publicara sus
descubrimientos en journals arbitrados para poder demostrar su validez
científica. Tal vez subestimaron a Shockley, quien publicó a partir de entonces
un buen número de artículos sobre la disgenia, sin que nadie pudiera
cuestionar sus principios científicos, aunque ello no le restó enemigos. Su
segunda esposa, Emmy, cuenta que hacia el final de su vida, Shockley se
dedicó en cuerpo y alma a la disgenia, y que llegó a considerar a éste como el
trabajo más importante de su vida.
Muerte
Aunque la controversia en torno a la disgenia continúa hasta estos días, la vida
de Shockley se apagó el sábado 12 de agosto de 1989, cuando éste murió de
cáncer de la próstata en su casa en el campus de Stanford a los 79 años de
edad.
John Bardeen

Ilustración 3

John Bardeen nació el 23 de mayo de 1908 en Madison (Wisconsin), en el


seno de una familia amante del esfuerzo, el trabajo y la dedicación a la
sociedad. Su trayectoria universitaria se inició en la Universidad de su ciudad
natal, donde estudió ingeniería eléctrica entre 1923 y 1928. Posteriormente,
continuó en la misma universidad dos años como ayudante de investigación,
trabajando en problemas matemáticos de geofísica aplicada y en radiación de
antenas.
Durante el período comprendido entre 1930 y 1933, Bardeen trabajó en los
laboratorios de investigación de la compañía petrolífera Gulf Research,
desarrollando métodos para interpretar las señales generadas por diversos
tipos de sondas (magnéticas y gravitatorias, principalmente). No obstante, sus
intereses estaban más cerca de las ciencias puras antes que en la parte
aplicada de las mismas, razón por la cual abandonó la Gulf en 1933 para
graduarse en física matemática en la Universidad de Princeton.
Entre 1935 y 1938 disfrutó de una beca de investigación en la Universidad de
Harvard, donde trabajó con dos futuros premios Nobel en física John
Hasbrouck van Vleck (1899-1980, Premio Nobel en 1977) y Percy Williams
Bridgman (Premio Nobel en 1946). En 1936 obtuvo el doctorado por la
Universidad de Princeton.
Durante los años de la Segunda Guerra Mundial trabajó como físico civil en el
Laboratorio Naval de Artillería (Washington, D.C.), en temas relacionados con
la guerra antisubmarina.
Tras finalizar la Guerra en 1945, Bardeen se incorporó a los Bell Telephone
Laboratories, donde realizó trabajos de investigación en semiconductores,
específicamente en cómo conducen la corriente eléctrica estos materiales,
novedosos en aquellos años. Durante el año 1947, junto con Shockley y
Brattain, desarrollaron el transistor, un dispositivo que puso en marcha una
verdadera revolución en la electrónica. El transistor surgió como respuesta al
problema de sustituir las pesadas y frágiles válvulas de vacío que utilizaban los
sistemas de telefonía de la época por un dispositivo más ligero y fiable que
estas, requisitos que el transistor cumplía con creces.
La contribución esencial de Bardeen al éxito de la invención estriba en que fue
capaz de entender los problemas que planteaba la superficie del semiconductor
que servía de soporte de la estructura para el correcto funcionamiento del
dispositivo. Bardeen formuló de manera elegante e irrefutable la acción
limitadora de los denominadas estados electrónicos de superficie sobre la
conducción de los portadores de carga en el dispositivo, lo que abrió el camino
decisivo para buscar vías que minimizaran su efecto, tarea en la que el tercer
integrante del grupo, Brattain, tuvo un papel relevante. Sin la comprensión de
ese fenómeno, el transistor se habría conseguido sin duda, pero varios años
después de la fecha de su invención.
Murió de un ataque al corazón el 30 de enero de 1991, pocos días después de
publicar el último artículo de su vida, en diciembre de 1990 en la revista
Physics Today. La obra de Bardeen cambió el mundo mucho más que los
hallazgos de otros científicos de su tiempo, pero muy pocas personas conocen
su nombre y su obra.Ojalá este artículo logre reparar, aunque sea
limitadamente, esa carencia.
Walter Houser Brattain

Ilustración 4

Cuando Brattain nació su padre era profesor de ciencias en Amoy, y poco


tiempo después, en 1903, la familia volvió al estado de Washington en Estados
Unidos.
Inició sus estudios universitarios de física en 1920, en el Whitman College de
Walla Walla, del que obtuvo su primera licenciatura (B.Sc.), continuando
después sus estudios en la universidad de Oregon en donde obtuvo su
licenciatura superior (M.Sc.), pasando a continuación a realizar su doctorado
(Ph.D.) en la universidad de Minnesota.
En 1928 dejó esta universidad e ingresó en el National Bureau of Standars
(NBS), colaborando con Vincent E. Heaton en el desarrollo de un dispositivo
oscilador de frecuencia patrón portátil, controlado por un cristal de cuarzo.

Ilustración 5
En 1929 por mediación de Joseph A. Becker entró a trabajar en los Bell
Laboratories de Nueva York, participando con este en el estudio de la emisión
termoiónica y en problemas relacionados con rectificadores de óxido de cobre.
Durante la II Guerra Mundial participó en varios programas militares, entre ellos
en uno de detección submarina, y después de esta, volvió a su anterior
ocupación, uniéndose a un grupo de investigación liderado por William B.
Shockley, de cuyo trabajo surgió en 1947 la invención del transistor.
Brattain colaboró estrechamente con John Bardeen y ambos obtuvieron en
1950 la patente US2524035 sobre el transistor de punta de contacto (point
contact transistor).

Ilustración 6

Es de destacar también el trabajo que llevó a cabo por esta época sobre el
efecto fotovoltaico en los semiconductores, del que obtuvo tres patentes.
Brattain siguió investigando, en los siguientes años sobre semiconductores
para los laboratorios Bell, colaborando de una manera especial con Charles G.
B. Garrett, con el que obtuvo varias patentes.
Por sus trabajos sobre el transistor recibió en 1956 el Premio Nobel de Física,
compartido con Bardeen y Shockley.
En 1967 después de retirarse de los laboratorios Bell volvió al Whitman College
como profesor e investigador en el campo de la biofísica.
Brattain falleció en 1987 después de cuatro años de lucha contra el Alzheimer.
FUENTES
William Bradford Shockley
https://www.ecured.cu/William_Bradford_Shockley
https://es.wikipedia.org/wiki/William_Bradford_Shockley
https://www.bbvaopenmind.com/william-shockley-y-la-invencion-del-transistor/
https://www.biografiasyvidas.com/biografia/s/shockley.htm

John Bardeen
https://www.bbvaopenmind.com/john-bardeen-2-nobel-de-fisica-y-1-transistor/
https://es.wikipedia.org/wiki/John_Bardeen

Walter Houser Brattain


http://www.histel.com/z_histel/biografias.php?id_nombre=23
https://www.buscabiografias.com/biografia/verDetalle/5110/Walter%20Houser%
20Brattain
https://www.bbvaopenmind.com/walter-h-brattain-autor-material-del-primer-
transistor-de-la-historia/
https://es.wikipedia.org/wiki/Walter_Houser_Brattain