Universidad TECNOLOGICA ISRAEL

ELECTRONICA II

Nombres: Leonardo de Jesús Tibanquiza Chuncho

Especialidad: Electrónica Digital.
Semestre: 7mo SEMESTRE “ GRUPO 1“

PROBLEMAS PROPUESTOS DE MOSFET

1.- El transistor MOSFET de acumulación de canal N funciona con:

a) La tensión negativa en la puerta respecto al surtidor y mucha corriente a la entrada.

b) Tensión positiva en la puerta respecto a surtidor y mucha corriente a la entrada.

c) Tensión positiva en la puerta respecto a surtidor sin corriente a la entrada.

d) Tensión negativa en la puerta respecto a surtidor y sin corriente a la entrada.

Respuesta (b)

2.- Cual es la diferencia entre un JFET canal N y un MOSFET de deflexión N?

Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de los JFET y de los
MOSFET de tipo de deflexión le permiten un análisis similar de cada uno en el dominio de Dc. La
diferencia más importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo de deflexión permite
puntos de operación con valores positivos de VGS y niveles de ID que exceden IDSS. De hecho,
para todas las configuraciones realizadas hasta ahora, el análisis es el mismo si el JFET se
reemplaza por un MOSFET de tipo de deflexión.

3.- Para un MOSFET decremental canal N si VGS>0 que valor podrá tener ID?

Ocupamos la formula
 𝐼𝐷 = k(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2

Dónde:
𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜)
k= 2
[𝑉𝐺𝑆(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) − 𝑉𝑇 ]

4.- Que corriente circula por un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal N cuando
la tensión VGS es inferior a la tensión VGS Umbral (thereshold voltaje o VGS(th))?

Para los valores de 𝑉𝐺𝑆 menores del nivel del umbral la corriente de drenaje es cero.

5.- Un determinado transistor MOSFET de enriquecimiento para el que Vt=1V y

k=0.25mA/V2 se va a utilizar polarizado en su región de saturación. Si la corriente de
drenador ID debe ser de 4mA.

Hallar el valor VGS y el valor minimo necesario VDS.

𝐼𝐷 = k(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2

𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = √ + 𝑉𝑇
𝑘

4𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = √ + 1𝑉
0.25𝑚𝐴⁄
𝑉2

𝑉𝐺𝑆 = 5 V

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇

𝑉𝐷𝑆 = 5𝑉 − 1𝑉

𝑉𝐷𝑆 = 4𝑉

Repetir el apartado anterior si la corriente de drenador debe ser ID=16mA.

6.- Que es un MOSFET?

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más

utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque
el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta
(G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal
del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

7.- Cuales son los tipos de MOSFET?

Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya
realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato
de tipo n y difusiones de tipo p. Las áreas de difusión se denominan fuente y drenador, y el
conductor entre ellos es la puerta.

8.-Cuales son las diferencias entre los MOSFET tipo incremental y los de tipo
decremental?

Los MOSFET de tipo decremental permiten trabajar con puntos de operación con valores
VGS positivos y niveles de ID que exceden el valor de IDSS.

Nos queda la pregunta: ¿Hasta dónde deberá extenderse la curva de transferencia hacia la región
de valores positivos de VGS y hacia valores de ID mayores de IDSS? Este intervalo estará bien
definido en los parámetros del MOSFET.

Las características de transferencia del JFET difieren a las encontradas en el MOSFET de tipo
incremental. Por lo tanto, la solución gráfica es diferente para los dos casos ya vistos.

Debemos tener en cuenta que para un MOSFET de tipo incremental de canal-n, la corriente de
drenaje (ID) es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta – fuente menores al nivel de umbral
VGS (TH).

La corriente de drenaje se define como un exponencial a partir del nivel de umbral:

ID = k (VGS – VGS (TH)) 2 (5.6)

9.- Cuales son las ventajas y desventajas de un MOSFET?

Ventajas del FET 1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy
elevada (107 a 1012 ohmios). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los
FET son más estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son más fáciles de fabricar que
los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI. 5) Los FET se
comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-
fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente
para permitir su utilización como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden
disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilización de los FET 1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia
pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en
general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad
estática. En este apartado se estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos
orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.

10.- Dibuje los símbolos del MOSFET decremental y incremental respectivamente