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UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA

Escuela Profesional de Ingeniería Mecánica, Mecánica


Eléctrica y Mecatrónica

Curso : CIRCUITOS ELÉCTRONICOS

INFORME DE PRÁCTICA
Docente: Christiam Collado Oporto

Integrantes:
- Bejarano Ruiz Ximena
- Lope Bustamante Jose
- Rivera Dueñas Juan
OBJETIVOS
 Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.
 Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT Analizar las
características de transistores BJT
 Calcular la curva de los transistores BJT

MARCO TEÓRICO
TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la
dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),


colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que
tiene la flecha en el gráfico de transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le


introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará
por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama
amplificación. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces:

 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de


amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
 Ic = β * Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic,
sólo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale
de el, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero
en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura 1.
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender
que a más corriente la curva es más alta
Regiones operativas del transistor

Región de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor =
0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación
del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:


corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de
las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es loSsuficientemente grande
como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)

Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de


corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de
un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el
colector y emisor). Esta región es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor
como un amplificador.

EQUIPOS Y MATERIALES
 Protoboard
 Resistencias
 Transistor BC548
 Miliamperímetro DC
 Voltímetro DC
 Fuente DC
PROCEDIMIENTO
PARTE 1

Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

Emisor
Base
Colector

Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del
DMM.

Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM


1 2
2 1
1 3
3 1
2 3
3 2

Tabla 1.

Identificar las características del

Transistor en la siguiente tabla

Terminal BASE 2
Terminal COLECTOR 1
Terminal EMISOR 3
Tipo del Transistor NPN
Material del Transistor SILICIO
PARTE 2

Esquema

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del tipo de
transistor (NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y (hFE).

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la
correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir en el caso
de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.

3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de transistor,
configuración de cada patilla, potencia máxima, V CE máxima, IC máxima, (hFE) y frecuencia de
corte.

4. En el circuito, se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía
Rc2 de forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente I C.

Vce(V)=0V Vce(V)=0.5V Vce(V)=1V Vce(V)=1.5V


Ib=25µA Ic= 1.47 7.6 7.7 7.75
Ib=50µA Ic= 1.5 13.07 15.1 15.4
Ib=75µA Ic= 1.4 18.5 21.7 25.22
Ib=125µA Ic= 1.4 24.9 30.1 33.8
5. Grafique Vce vs Ic.

Ic Vs Vce
40

35

30

25

20

15

10

0
Categoría 1 Categoría 2 Categoría 3 Categoría 4

Ic Ic2 Ic3 Ic4

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el


proceso para IB igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada
caso.

Características del Colector

1. Construya el circuito de la fig 2.

2. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a
10 A como se indica en la Tabla 3.

3. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la


Tabla 3.

4. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

5. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que


aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10 A en los diferentes niveles de
VCE.
6. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

7. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de
VRB establecerá un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.

8. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el valor de
IE = Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.

9. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 Lacurva
es IC vs. VCE para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e
indique cada valor de IB.

Ib(µA) Vce(V) Vrc(V) Ic(mA) Vbe(V) Ie(mA) α β


10 2 3.47 3.813186813 0.66 3.82318681 0.997384381 381.318681
10 4 3.59 3.945054945 0.66 3.95505495 0.99747159 394.505495
10 6 3.4 3.736263736 0.65 3.74626374 0.997330674 373.626374
10 8 3.48 3.824175824 0.65 3.83417582 0.997391878 382.417582
10 10 3.56 3.912087912 0.65 3.92208791 0.997450338 391.208791
10 12 3.85 4.230769231 0.64 4.24076923 0.997641937 423.076923
10 14 3.71 4.076923077 0.64 4.08692308 0.997553171 407.692308
10 16 3.77 4.142857143 0.63 4.15285714 0.997592019 414.285714

20 2 6.77 7.43956044 0.67 7.45956044 0.997318877 371.978022


20 4 6.89 7.571428571 0.67 7.59142857 0.99736545 378.571429
20 6 7.22 7.934065934 0.66 7.95406593 0.997485563 396.703297
20 8 7.14 7.846153846 0.66 7.86615385 0.997457461 392.307692
20 10 7.57 8.318681319 0.65 8.33868132 0.997601539 415.934066
20 12 7.75 8.516483516 0.65 8.53648352 0.997657115 425.824176
20 14 ---------- ---------- ----------

30 2 9.92 10.9010989 0.69 10.9310989 0.997255537 363.369963


30 4 10.12 11.12087912 0.68 11.1508791 0.997309629 370.695971
30 6 10.94 12.02197802 0.67 12.051978 0.997510782 400.732601
30 8 11.4 12.52747253 0.65 12.5574725 0.997610984 417.582418
30 8.58 11.24 12.35164835 0.66 12.3816484 0.997577059 411.721612

40 2 12.84 14.10989011 0.72 14.1498901 0.997173123 352.747253


40 4 13.62 14.96703297 0.68 15.007033 0.997334583 374.175824
40 5.71 14.15 15.54945055 0.67 15.5894505 0.997434162 388.736264
40 8 ---------- ---------- ----------
50 2 16.1 17.69230769 0.7 17.7423077 0.997181877 353.846154
50 3.1 16.36 17.97802198 0.69 18.028022 0.99722654 359.56044
50 6 ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ----------
50 8 ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ----------

Tabla 3

Valores Y

20

18

16

14

12

10

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
CUESTIONARIO FINAL

La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el


eje ‘x’ i ‘y’ qué representan?

20
18
16
14
12
10 Vce(V)

8 Ic(mA)

6
4
2
0
1 2 3 4 5 6 7 8

La grafica con un Ib de 10(MicroAmp) y Vrb(V) de 3.3 V

El punto de intersección representa el punto de trabajo

¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?
La corriente de colector crece exponencialmente si nuestra corriente base es mayor como
vemos en la figura la corriente de 125 MicroAmp es mayor de las demás corrientes por
tramos mas grandes según aumenta la corriente base.

¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la


práctica?
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales;
se dice entonces que el transistor está en corte.

Teórica pasa esto en práctica pero el funcionamiento del transistor depende de la


cantidad de corriente que pase por su base.

No sucede en la práctica ya que el circuito no aparece como abierto.

Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la


práctica?
El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se
permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se
comporta como si fuera un interruptor cerrado.

Si se logra llegar a un transistor de un transistor de saturación.

Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.


En nuestra primera practica nuestro Ic y Ib toman valores menores ya que adecuamos
nuestro circuito a esas corrientes con los potenciómetros y el voltaje de la fuente

Pero en la segunda practica la corriente base y la corriente colector son casi las mismas si
no es por milésimas de variación dado la forma de nuestro circuito potenciómetros y
resistencias de otra forma modelada.
CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

Conclusiones
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de los
circuitos electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han
dado un giro enorme a nuestras vidas, y a que en casi todos los aparatos electrónicos se
encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos de transistores, así como su
aspecto físico, su estructura básica y las simbologías utilizadas, pudiendo concluir que
todos son distintos y que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o
nuevos tipos de transistores. Además de todos esto, ahora si podremos comprobar o
hacer la prueba de los transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones
para su uso.

Observaciones
1. Las medidas tanto experimentales como teóricas no siempre van a ser exactas, ya que
influyen bastante los instrumentos de medida y las operaciones correctas que hagamos.

2. Tengamos en cuenta que tanto los instrumentos de medida como los componentes
que se deben utilizar deben estar revisados y en su correcto funcionamiento antes de
realizar las correctas mediciones.

Recomendaciones
Tener en cuenta el ensamblaje de los circuitos antes de colocar una fuente de tensión, ya
que si este no está bien elaborado el circuito podría quemarse y el circuito entraría en
corto.